産業大咖共同看好(hǎo)存儲器市況複蘇

産業大咖共同看好(hǎo)存儲器市況複蘇

南亞科總座李培瑛、群聯董座潘健成(chéng)、慧榮總座苟家章、力晶執行長(cháng)黃崇仁、威剛董座陳立白等存儲器業五大咖同聲看好(hǎo)市況複蘇,預期儲存型快閃存儲器(NAND Flash)價格上季止跌後(hòu),本季漲價行情可期,走勢最強勁;DRAM價格將(jiāng)從明年第2季反彈,迎接新一波行情。

南亞科是中國(guó)台灣最大DRAM廠,黃崇仁觀察DRAM市況多年;群聯、慧榮分别是全球NAND相關應用前兩(liǎng)大廠,威剛則是台灣上市公司存儲器模組龍頭,這(zhè)五大廠領導人同聲看旺市況,具标意義。

NAND芯片走勢將(jiāng)最爲強勁,群聯等概念股營運領頭沖。群聯第3季在NAND止跌回穩帶動下,基本面(miàn)率先表态,不僅單季毛利率沖上近期新高的27.42%,季增逾5個百分點,稅後(hòu)純益更大增1.1倍,每股純益8.28元(新台币,下同),創新高,前三季每股大賺16.71元,傲視本土存儲器同業,公司看好(hǎo)本季購物節來臨,客戶補貨積極,爲營收持續帶來正面(miàn)挹注。

潘健成(chéng)認爲,目前主要NAND芯片原廠庫存已逐漸去化,加上5G技術應用基礎設備開(kāi)始建置,車載系統普及率上升、内容創作者等NAND儲存新應用興起(qǐ),推升市場對(duì)存儲器産品需求,價格也將(jiāng)反彈走揚。

苟嘉章分析,5G因傳輸速度是4G的十倍到100倍,因應快速傳輸、大數據運算和資料儲存需求,各大資料中心、電信商和系統端都(dōu)積極建構全新的通訊與儲存架構,導入更多堆疊的NAND芯片取代傳統硬盤(HDD),爲NAND市場帶來爆炸性需求。

李培瑛則說,本季DRAM大廠庫存已回到正常水位,需求面(miàn)明顯比過(guò)去幾季明朗,各大品牌廠手機DRAM搭載量大幅提升到8GB,明年持續看增;伺服器也因雲端業者需求持續升溫 ,尤其進(jìn)入5G時代,終端串流服務、企業雲端服務、AI及網路産業會更快速發(fā)展,帶動伺服器DRAM長(cháng)期需求;标準型DRAM主力市場個人電腦,下半年出貨也優于上半年。

近期全球存儲器芯片龍頭三星重啓資本支出,增加韓國(guó)平澤和大陸西安廠設備采購,引發(fā)市場疑慮,黃崇仁認爲,三星爲因應影像感測器(CIS)需求大幅成(chéng)長(cháng),新增的資本支出將(jiāng)有一半用于擴大影像感測器産能(néng),在DRAM資本支出仍保守,明年5G商轉,很多應用都(dōu)需要DRAM作爲關鍵運算元件,引領存儲器市場邁入新一波供不應求盛況。

陳立白表示,國(guó)際大型資料中心訂單已陸續回籠,新款智能(néng)手機存儲器搭載容量不斷提升,存儲器需求逐步增溫,産業景氣已脫離循環谷底,看好(hǎo)2020年下半年起(qǐ),存儲器業將(jiāng)再啓動爲期二年的大多頭行情。

爲什麼(me)需要下一代DRAM?

爲什麼(me)需要下一代DRAM?

其中在半導體存儲部分,集邦咨詢表示,随着技術的發(fā)展,下一代DRAM(内存)DDR5/LPDDR5在2020年將(jiāng)進(jìn)行導入與樣本驗證,并逐步面(miàn)市。

内存是計算機和移動智能(néng)終端的重要組成(chéng)部分,經(jīng)曆了長(cháng)時間的競争更替和路線選擇之後(hòu),DRAM技術被穩定在以DDR技術爲基礎的發(fā)展路線上。從DDR到DDR2、DDR3,今天市面(miàn)上比較普及的DRAM技術規格是DDR4/LPDDR4。

資料顯示,相比現有産品,除了外形變化不大之外,DDR5帶來了更高的帶寬、更大的容量和更出色的安全性。

從原理上來看,DDR5是一種(zhǒng)高速動态随機存儲器,由于其DDR的性質,依舊可以在系統時鍾的上升沿和下降沿同時進(jìn)行數據傳輸。和DDR4一樣,DDR5在内部設計了Bank(數據塊)和Bank Group(數據組)。

和DDR4相比,DDR5在數據塊和數據組的配置上更爲寬裕。

在DDR4産品上,數據組的數量最高限制爲4組,一般采用2組配置。在DDR5上,數據組的數量可以選擇2組、4組到最高8組的設計,以适應不同用戶的不同需求,并且還(hái)可以保證Bank數據塊的數量不變。

這(zhè)意味着整個DDR5的Bank數量將(jiāng)是DDR4的至少2倍,這(zhè)將(jiāng)有助于減少内存控制器的順序讀寫性能(néng)下降的問題。

除了數據組翻倍外,在預取值、減少總線壓力、PDA模式、類雙通道(dào)等多方面(miàn)都(dōu)有不同程度的創新或重新設計,這(zhè)爲DDR5實現更高帶寬、更快速度和更好(hǎo)安全性打下基礎。

得益于最新的技術,DDR5有可能(néng)帶來單片32Gb的DDR5顆粒,這(zhè)樣單内存條支持的内存容量有可能(néng)提升至64~128GB。而規格上,目前DDR5的内存規格從DDR5 3200起(qǐ)跳,最高可到DDR5 6400。

各大廠商DDR5進(jìn)展

雖然JEDEC(固态技術協會)關于DDR5的最終規範還(hái)沒(méi)有完全确定,但這(zhè)也擋不住國(guó)際大廠的熱情。目前多家廠商都(dōu)公布了自己的DDR5産品路線圖和規劃。

根據路線圖來看,目前全球DRAM廠商中,包括三星、美光、SK海力士等廠商都(dōu)提出了DDR5産品規劃。其中三星、美光和SK海力士已經(jīng)展示了自家旗下的DDR5顆粒,并開(kāi)始小批量出貨。

下面(miàn)是各大廠商DDR5相關産品進(jìn)展:

· 美光:

2018年5月,美光就聯合Cadence展示了DDR5内存和内存控制器的樣品。Cadence是全球頂尖的EDA廠商,本次推出的DDR5相關IP産品也是配合JEDEC即將(jiāng)發(fā)布的DDR5内存而來。Cadence的DDR5内存控制器測試芯片采用了TSMC的7nm工藝制造,搭配的内存則是美光的DDR5 4400 8Gb顆粒。

 · 三星:

2018年7月,三星另辟蹊徑展示了LPDDR5顆粒。相比DDR5内存而言,LPDDR5的基本技術原理和其類似,但是面(miàn)向(xiàng)移動設備,在總線位寬、功能(néng)設計上做出了一些妥協,更注重高性能(néng)功耗比和低功耗、小尺寸。三星成(chéng)功拿下了首個展示LPDDR5技術的桂冠。

· SK海力士:

2018年11月,SK海力士推出了DDR5内存的樣品。這(zhè)款内存采用的芯片容量爲16Gb,SK海力士宣稱其完全按照JEDEC的DDR5規範開(kāi)發(fā)(雖然現在也沒(méi)公開(kāi))。

2019年2月,SK海力士又在國(guó)際固态電路會議上展示了旗下DDR5内存的相關開(kāi)發(fā)進(jìn)度。這(zhè)次SK海力士帶來的是最高端的DDR5 6400芯片的相關情況。SK海力士展示的是一款容量爲16Gb的DDR5顆粒,有32個Bank和8個Bank Group,其接口傳輸速率爲6400MT/s,電壓依舊是1.1V,制造工藝也是之前介紹過(guò)的1Ynm,其内部具有四個金屬層,芯片封裝尺寸爲76.22平方毫米。

爲什麼(me)需要DDR5内存

從原廠的角度來看,DDR5内存從技術上已經(jīng)做好(hǎo)了準備,一旦産業鏈配套的英特爾、AMD、高通等廠商做好(hǎo)準備,DDR5家族的産品就可以正式上市。

除了傳統的台式電腦領域需要DDR5之外,筆記本電腦和智能(néng)手機也將(jiāng)對(duì)DDR5形成(chéng)強大的需求。尤其在5G和AI等技術的快速普及下,快速傳輸和計算將(jiāng)成(chéng)爲龐大的剛需。

當然,未來降低功耗和提升性能(néng)一樣重要,存儲器制造商經(jīng)常面(miàn)對(duì)的挑戰是必須不斷地提供越來越高的性能(néng)水平,同時還(hái)得支援更高的電源效率,特别是在低功耗的DRAM領域。

這(zhè)也是爲什麼(me)三星會率先發(fā)布應用在智能(néng)手機和筆記本電腦上的LPDDR5的原因。

以速度和效能(néng)來看,三星12Gb LPDDR5比當今智能(néng)手機中所用的LPDDR4X行動存儲器更快約1.3倍;LPDDR4X的速度爲4.2Gbps。以12GB的容量來看,LPDDR5可以在1秒鍾内傳輸44GB的數據,相當于12部全高解析(full HD)的影片。

從主要的功率消耗來看,即將(jiāng)全面(miàn)商用的5G網絡并不會消耗更多能(néng)量,但5G意味着將(jiāng)帶來更快速的管線,讓高端智能(néng)手機用戶能(néng)夠透過(guò)串流或檔案傳輸,在其手機之間傳輸更多的資料,包括高質量視頻等。

此外,智能(néng)手機上的AI技術也意味着設備將(jiāng)會進(jìn)行更多的計算,而且在要求應用程序執行某些操作(例如影像識别)時不容許延遲,這(zhè)將(jiāng)面(miàn)對(duì)更高的帶寬壓力。

事(shì)實上,今年年初,JEDEC爲最新的LPDDR标準進(jìn)行升級,使其I/O速率較前一代标準大幅提升,讓存儲器傳輸速度增加一倍,目的就在于爲智能(néng)手機、平闆電腦和輕薄型筆記本電腦等移動終端提高速度與效率,而這(zhè)也是未來的市場需求,也就需要下一代DRAM。

三星發(fā)表首個12層3D-TSV封裝技術 將(jiāng)量産24GB存儲器

三星發(fā)表首個12層3D-TSV封裝技術 將(jiāng)量産24GB存儲器

三星電子7日宣布,已開(kāi)發(fā)出業界首個12層的3D-TSV(Through Silicon Via)技術。此技術透過(guò)精确的定位,把12個DRAM芯片以超過(guò)6萬個以上的TSV孔,進(jìn)行3D的垂直互連,且厚度隻有頭發(fā)的二十分之一。

三星指出,該技術封裝的厚度與目前的第二代8層高頻寬存儲器(HBM2)産品相同,能(néng)協助客戶推出具有更高性能(néng)與容量的次世代儲存産品,且無需更改其系統配置。

此外,新3D封裝技術還(hái)具有比現有的引線鍵合技術短的芯片間數據傳輸時間,能(néng)顯着提高速度并降低功耗。

三星電子TSP(測試與系統封裝)執行副總裁Hong-Joo Baek表示,随着各種(zhǒng)新的高性能(néng)應用的出現(如AI和HPC),能(néng)整合所有複雜的超高性能(néng)存儲器的封裝技術變得越來越重要。随着摩爾定律達到其極限,預計3D-TSV技術的作用將(jiāng)變得更加關鍵。

此外,透過(guò)將(jiāng)堆疊層數從8個增加到12個,三星表示將(jiāng)很快能(néng)夠量産24GB高頻寬存儲器,其容量是當今市場上8GB的三倍。

紫光集團DRAM戰略起(qǐ)航 清華系打造中國(guó)芯頻出大手筆

紫光集團DRAM戰略起(qǐ)航 清華系打造中國(guó)芯頻出大手筆

紫光集團正式大舉進(jìn)軍内存芯片。

6月30日深夜11時許,紫光集團官宣,組建DRAM事(shì)業群,委任刁石京爲DRAM事(shì)業群董事(shì)長(cháng)、高啓全爲CEO。

這(zhè)在市場看來,紫光集團DRAM戰略正式起(qǐ)航,將(jiāng)進(jìn)一步拓寬紫光集團在存儲器領域的相關布局,深化和完善紫光集團“從芯到雲”産業鏈建設。

一直以來,全球超過(guò)90%的DRAM市場份額被三星、海力士、美光三家廠商占據,紫光集團的慎重出擊,或將(jiāng)對(duì)全球DRAM市場格局産生深遠影響。

顯然,紫光集團進(jìn)行内存芯片早已做足了功課,刁石京和高啓全均出身于集成(chéng)電路及存儲領域,後(hòu)者更是被業内稱之爲“台灣存儲教父”。與此同時,紫光集團已在存儲器的設計制造領域有了一定積累,子公司西安紫光國(guó)芯已自主創新出全球首系列内嵌自檢測修複DRAM存儲器産品。

長(cháng)江商報記者發(fā)現,2015年以來,紫光集團旗下的紫光股份、紫光國(guó)微、紫光控股爲造中國(guó)芯頻頻進(jìn)行大手筆資本運作。當年5月,紫光股份定增募資221億元 ,布局IT基礎架構領域。當年11月,紫光國(guó)微籌劃800億元定增,進(jìn)軍存儲芯片産業。此外,清華系還(hái)相繼籌劃230億元收購美國(guó)存儲巨頭美光科技、135億元收購中國(guó)台灣兩(liǎng)家半導體公司。

近年來,清華系資本運作變陣,由收購轉向(xiàng)産業自主落地,長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫相繼進(jìn)行自主設計制造。

業内分析人士稱,紫光集團此時大舉進(jìn)軍内存芯片領域,可謂是天時地利人和,假以時日,有望打破行業寡頭格局。

加速布局造中國(guó)芯

紫光集團加速國(guó)産芯片布局可謂正當其時。

存儲芯片被譽爲電子系統的糧倉,是數據的載體,關乎數據的安全,重要性不言而喻。存儲芯片市場規模龐大,約占半導體總體市場份額的三分之一。

中國(guó)是第一大DRAM消費市場,中國(guó)大陸幾乎沒(méi)有自主産能(néng)。據統計,去年,中國(guó)集成(chéng)電路進(jìn)口額達3120億美元,其中存儲芯片爲1230億美元,同比增長(cháng)1188.99%,占集成(chéng)電路進(jìn)口總額的39%。中興、華爲事(shì)件更讓中國(guó)企業倍感中國(guó)芯的重要性。

不過(guò),存儲芯片是一個技術、資本、人才密集型的産業,三者缺一一不可。目前來看,與紫光集團而言,似乎都(dōu)已具備,紫光集團顯然也是有備而來。

分析人士稱,存儲芯片産品不同于大部分的消費類産品,品牌化程度低,差異化競争較小,不同企業生産的産品技術指标基本相同,标準化程度較高,用戶粘性低。此外, DRAM 目前還(hái)在 1x、1y 水平, 有望在2020年進(jìn)入1z 階段。此時進(jìn)軍,將(jiāng)使得國(guó)内的技術與國(guó)際大廠的差距有望逐漸縮小。3D NAND 國(guó)際上目前通用的爲64層,目前,長(cháng)江存儲已經(jīng)實現32層,隻有一代的差距。存儲芯片的難點在于IP和制造,DRAM的IP方面(miàn),由于DRAM領域發(fā)展已相對(duì)成(chéng)熟,這(zhè)給國(guó)内廠商繼續提高資本投入實現國(guó)産替代提供了機會,通過(guò)在更高的技術領域取得突破并奪取知識産權,從而獲得對(duì)下遊廠商更強議價 能(néng)力。

國(guó)際大型廠商也看上了中國(guó)大陸市場。在半導體向(xiàng)國(guó)内轉移的趨勢下,國(guó)際大型廠商紛紛到大陸地區設廠或擴大國(guó)内建廠規模。數據顯示,預計2017年至2020年,全球投産的晶圓廠約62座,其中26座位于中國(guó)大陸。同時,中國(guó)高度重視將(jiāng)半導體産業,將(jiāng)其新技術研發(fā)提升至國(guó)家戰略高度。

在人事(shì)方面(miàn),紫光集團早有安排。出任DRAM事(shì)業群的董事(shì)長(cháng)刁石京和CEO高啓全均在集成(chéng)電路及存儲領域有深厚的技術積累和豐富的産業經(jīng)驗。高啓全于2015年10月加入紫光集團,出任紫光集團全球執 行副總裁;2016年長(cháng)江存儲成(chéng)立後(hòu),擔任長(cháng)江存儲的執行董事(shì)、代行董事(shì)長(cháng)。加入紫光集團前,他在台塑集團旗下的DRAM存儲器芯片公司任職,曾擔任南亞科技全球業務執行副總等高管職務,還(hái)曾擔任 華亞科技總經(jīng)理、董事(shì)長(cháng)等職務。

與此同時,紫光集團在存儲器的設計制造領域已有一定的技術沉澱。在DRAM領域,紫光集團旗下西安紫光國(guó)芯自主創新出全球首系列内嵌自檢測修複DRAM存儲器産品(ECC DRAM)。紫光集團借助長(cháng)江存儲和武漢新芯等平台,聚集了大量的三維閃存和DRAM研發(fā)人員。目前,兩(liǎng)家公司研發(fā)人員接近2000人。

公開(kāi)信息稱,長(cháng)江存儲首期投入超240億美元,預計未來還(hái)將(jiāng)追加300億美元。

布局芯片産業資本運作不斷

進(jìn)軍芯片領域,紫光集團已有時日。不過(guò),前期,更多是采取的資本運作途徑。

紫光集團旗下有三家A股公司紫光股份、紫光國(guó)微、紫光學(xué)大(21.740, -0.70, -3.12%)及一家港股公司紫光控股,市場上稱之爲清華系。近年來,清華系頻頻祭出大手筆,除紫光學(xué)大外,其餘三家公司基本上圍繞芯片展開(kāi)布局。

2015年5月,紫光股份籌劃定增,募資225億元用于收購香港華三51%股權、紫光數碼44%股權、紫光軟件49%股權三家公司,同時建設雲計算機研究實驗室暨大數據協同中心及補充公司流動資金及償還(hái)銀 行借款。清華系林芝清創、紫光通信、健坤愛清、同方計算機合計出資166億元參與認購。

香港華三擁有完備的路由器、以太網交換機、無線、網絡安全、服務器、存儲、IT管理系統、雲管理平台等産品系 列,後(hòu)續整合計劃包括承接惠普在中國(guó)大陸服務器及存儲器銷售業務、技術服務業務和收購天津惠普100%股權、收購昆海軟件100%股權等。這(zhè)一定增方案于2016年5月5日實施,最終募資221億元。

半年後(hòu),紫光國(guó)微(時名同方國(guó)芯)推出了更大規模的定增方案,拟募資800億元,創造了A股曆史第二大規模再融資。按照規劃,600億元投入存儲芯片工廠,37.9億元用于收購台灣封測廠商力成(chéng)25%股 權,162億元用于收購芯片産業鏈上下遊的公司。受再融資新規影響,這(zhè)一募資方案被迫終止。

2015年,紫光集團計劃以230億元收購美國(guó)存儲巨頭美光科技未果。當年10月,紫光又拟以38億美元收購西部數據15%股權,并通過(guò)西部數據以190億美元收購閃存存儲解決方案全球領軍者閃迪。遺憾的是,由于美 國(guó)海外投資委員會介入審查,收購未能(néng)完成(chéng)。

同樣是在2015年,紫光集團宣布拟出資6億美元收購力成(chéng)科技約25%股權。當年12月,又宣布分别出資111.33億元、23.94億元收購台灣矽品精密24.9%股權、南茂科技25%股權,并成(chéng)爲台灣矽品精密第一 大股東、台灣南茂科技第二大股東。力成(chéng)科技,在儲存芯片封測方面(miàn)在台灣處于龍頭老大地位,也是全球最大的存儲器封測廠。

整體而言,通過(guò)并購展訊和銳迪科,紫光集團成(chéng)爲中國(guó)芯片龍頭企業。收購新華三集團51%股權,構建了紫光集團“從芯到雲”的産業鏈。入股矽品精密、南茂科技下屬公司,紫光進(jìn)入封裝領域。依托長(cháng) 江存儲等布局存儲制造,紫光形成(chéng)了較爲完整的IDM(垂直制造)集成(chéng)電路巨頭的雛形。