SK海力士所研發(fā)的行業内首個五代雙倍速率(DDR5) DRAM, 達到了電子工程設計發(fā)展聯合協會(Joint Ele ctron Device Engineering Council,簡稱JEDEC) 标準, 這(zhè)項技術正在DRAM市場開(kāi)拓一片新天地。
技術競争力將(jiāng)引領第四次工業革命
DDR5具備超高速、低功耗和大容量特性, 將(jiāng)成(chéng)爲大數據(Big Data), 人工智能(néng) (AI) 和機器 學(xué)習 (Machine Learning) 等新一代系統理想的 DRAM。
繼1Y納米工藝的8Gbit(Gb)DDR4之後(hòu), SK海力士于2018年11月面(miàn)向(xiàng)各大主要芯片組制造商, 推出與DDR4 采用相同微細 化工藝的16Gb DDR5 。新一代DDR5 DRAM支持5200Mbps的數據傳輸速率, 比上一代3200Mbps的數據傳輸速率快了 60左右。同樣在今年2月, 在美國(guó)舊金山舉行的2019國(guó)際固态電路會議 (the International Solid-State Circuits Conference 2019, 簡稱ISSCC) 上, SK海力士詳細介紹了16Gb DDR5, 表示該産品技術上支持的數據傳輸速率高達6400Mbps。
DDR5將(jiāng)性能(néng)效率最大化
與上一代産品DDR4相比, DDR5不僅在功耗上降低了30%, 數據傳輸速率還(hái)提升了60%。DDR5支持41.6GByte/秒的數據傳輸速率, 相當于一秒内能(néng)處理11部全高清 (Full-HD)電影的容量。
2018年11月, SK海力士成(chéng)功研發(fā)世界首個DDR5 DRAM。該産品采用與JEDEC一緻的DDR5标準, 儲庫(Bank)的數量從16翻番至32。突發(fā)長(cháng)度 (Burst Length, 即連續傳輸的周期數) 也從8翻番至16。與此同時, 這(zhè)款最新DRAM還(hái)包含錯誤糾正代碼 (Error Correcting Code, 簡稱ECC）算法, 從而將(jiāng)大大提升大容量系統的可靠性。
由于采用最新先進(jìn)技術實現超高速且可靠的動作性能(néng), 該産品的數據處理速度得到大幅提升, 進(jìn)一步鞏固了SK海力士的技術競争力和行業領先地位。
新一代DRAM將(jiāng)重振内存市場
有市場調查顯示, 對(duì)于DDR5内存需求將(jiāng)從 2020年開(kāi)始增長(cháng), 預計到2021年爲止將(jiāng)占DRAM總市場的25%。這(zhè)一市場份額將(jiāng)逐步提升, 并在2022年達到44%。SK海力士計劃從2020年開(kāi)始量産DDR5内存芯片，同時公司也將(jiāng)繼續研發(fā)DRAM技術, 希望引領新一代半導體技術的發(fā)展方向(xiàng)。