根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，在當前各家廠商庫存數量下跌，加上資料中心需求持續強勁，以及2020年第1季5G手機市場對(duì)于DRAM需求擴大的情況下，近3個月連續走跌的DRAM價格已經(jīng)觸底反彈。
其中，DDR4 8G(1Gx8)2400 Mbps的産品上漲了2.88%，而DDR3 4Gb 512Mx8 eTT的産品也上漲了1.04%，顯示了DRAM市場從下跌狀況走緩，甚至已經(jīng)開(kāi)始反彈回溫。
有報告顯示，2020年在5G智能(néng)手機、資料中心等需求的提升，使得業者開(kāi)始加大對(duì)于DRAM的采購力道(dào)。
其中，在5G智能(néng)手機方面(miàn)，因爲旗艦機種(zhǒng)將(jiāng)搭載6G到12G的DRAM，相較4G高端旗艦款手機搭載3G到6G DRAM的規格而言，容量要增加許多，使得市場開(kāi)始對(duì)DRAM的需求增加。
除了在需求面(miàn)的提升之外，外資報告還(hái)指出，韓國(guó)存儲器龍頭三星目前在DRAM生産方面(miàn)已經(jīng)開(kāi)始導入1z納米制程，三星期望可以透過(guò)制程微縮，提升單位生産數量。
此外，到第三代10納米級的1z納米制程後(hòu)，由于未來微縮空間減少，使得成(chéng)本效益遞減，加上三星逐漸導入EUV生産DRAM，生産成(chéng)本随之提高，這(zhè)樣不僅形成(chéng)進(jìn)入産業的高門檻，也限制了未來擴産比例，導緻預期供貨將(jiāng)維持在一定數量，廠商難以大量收到貨源，形成(chéng)價格的預期上揚。而這(zhè)對(duì)于整體DRAM産業來說，也會是較爲健康的發(fā)展。