無錫上年省級市級重大項目完成(chéng)率均超110%

無錫上年省級市級重大項目完成(chéng)率均超110%

再一次“超滿分”。昨從市發(fā)改委獲悉,全市重大項目“2018答卷”呈交:年度計劃實施的15個省級重大項目、100個市級重大項目的投資完成(chéng)率均超過(guò)110%,凸顯奮力領跑之姿。

觀察重大項目,不僅看此刻的“百舸争流”,更需“風物長(cháng)宜放眼量”。無錫“抓發(fā)展必須抓産業,抓産業必須抓項目”的定力,對(duì)經(jīng)濟規律、産業規律的尊重和把握,讓“集聚效應”這(zhè)個常見的經(jīng)濟現象生動呈現——項目的集聚正推動産業集群壯大、推動産業格局優化。

看項目的“集聚姿勢”:落地快層次高後(hòu)勁足

無錫華虹集成(chéng)電路一期項目主體結構全面(miàn)封頂;SK海力士半導體二工廠一期竣工試運行; 中環集成(chéng)電路用大矽片項目一期廠房封頂,預計2019年4月試生産。“春節期間,參建各方近300人依然奮鬥在工地,有幸見證華虹無錫項目的建設速度!”華虹半導體(無錫)有限公司副總裁、無錫市半導體行業協會秘書長(cháng)黃安君在朋友圈作了如此的“春節記錄”。

透過(guò)三個超大高質量集成(chéng)電路項目,可以看到城市推進(jìn)重大項目的速度。“全市重大項目呈現出落地快、層次高、後(hòu)勁足的良好(hǎo)态勢。”市發(fā)改委提出的數據展現了無錫重大項目的“集聚姿勢”:年度計劃實施的15個省級重大項目總投資2889億元,當年完成(chéng)投資750億元,投資完成(chéng)率112%;100個市級重點項目總投資4548億元,當年完成(chéng)投資978.5億元,投資完成(chéng)率112.8%。

看産業的“集群趨勢”:量質齊升中呈現鏈式效應

重大項目建設經(jīng)曆了曆史性突破的“2017年”後(hòu),2018年持續強勢推進(jìn)。全年項目招引保持量質齊升的良好(hǎo)态勢,新招引10億元以上重大産業項目49個,計劃總投資超1900億元。其中100-300億元項目4個;50-100億元項目9個;10-50億元項目36個。

量質齊升之中,呈現出鏈式效應。

比如,集成(chéng)電路領域的超大高質量項目刷出新速度,對(duì)産業鏈上下遊項目也刷出了更大影響力。“瞄準産業價值鏈,發(fā)揮集群效應、鏈式效應,”市發(fā)改委相關人士表示,聞泰科技5G智能(néng)終端、海爾物聯網生态基地等一批項目的相繼簽約落戶,正加快完善集成(chéng)電路的全産業鏈格局。同時,優勢産業正在以項目的投入不斷鞏固優勢,去年80個制造業項目,當年完成(chéng)投資706.3億元,投資完成(chéng)率122.9%。而把這(zhè)兩(liǎng)年的制造業重大項目放到更寬的領域看,可以發(fā)現它們將(jiāng)是壯大我市先進(jìn)制造業重點産業集群的“新生力量”。

看區域的“合力态勢”:加大統籌力度建好(hǎo)“蓄水池”

“新一批項目集中開(kāi)工建設後(hòu),必將(jiāng)對(duì)我市産業轉型升級、生态環境優化、城市能(néng)級提升、民生福祉增進(jìn),起(qǐ)到十分重要的推動和促進(jìn)作用。”市發(fā)改委介紹,我市已經(jīng)排定全年市級重點項目100個,總投資超4700億元,當年完成(chéng)投資880億元,而各市(縣)區也根據區域特色排定了各闆塊的區級重點項目。

市、市(縣)區將(jiāng)加強聯動,合力續寫2019年項目新篇。據悉,今年我市將(jiāng)完善重大産業項目挂鈎聯系制度,推動LG汽車動力電池正極材料、深海空間站無錫研發(fā)基地等重大項目開(kāi)工建設,對(duì)市(縣)區重點項目實行分級調度、協同推進(jìn)。加大項目招引市級統籌力度,建好(hǎo)重大項目“蓄水池”,同時積極推進(jìn)城鄉建設用地增減挂鈎,加大節約集約用地力度,實現重大産業項目用地需求應保盡保。

韓國(guó)芯片産業集群拟落腳龍仁市:SK海力士主導

韓國(guó)芯片産業集群拟落腳龍仁市:SK海力士主導

據韓國(guó)經(jīng)濟日報報道(dào),韓國(guó)政府最快將(jiāng)在本月底前開(kāi)會,通過(guò)由SK海力士主導的芯片産業集群計劃,這(zhè)一集群計劃將(jiāng)落腳在龍仁市。

韓國(guó)政府去年宣布要發(fā)展新的芯片産業集群,以支持芯片制造業的未來,計劃總價值預估將(jiāng)達120萬億韓元(1,068億美元)。政府負責提供土地,企業則負責投資制造。

在半導體業面(miàn)臨減緩的同時,韓國(guó)政府爲了維持該國(guó)在市場上的地位,做出了這(zhè)項決定。半導體業對(duì)韓國(guó)來說極爲重要,該産業占韓國(guó)總出口比重爲所有産業中最大,達16%,兩(liǎng)大主要企業三星和海力士在全球DRAM市場的市占率合計則超過(guò)73%。

據悉,爲了争取這(zhè)項中央政府支持的計劃,許多地方政府早就開(kāi)始積極運作,競争相當激烈,不過(guò)最後(hòu)韓國(guó)選擇了首爾近郊的龍仁市。

SK海力士規劃在龍仁市興建四條新芯片生産線,并將(jiāng)會有約50家合作廠商和供應商一起(qǐ)進(jìn)駐。SK海力士將(jiāng)在購地完成(chéng)後(hòu)大約2022年開(kāi)始着手興建,韓國(guó)政府也將(jiāng)爲這(zhè)個聚落放寬相關管制規定。

 

韓國(guó)芯片生産聚落拟落腳龍仁市:SK海力士主導

韓國(guó)芯片生産聚落拟落腳龍仁市:SK海力士主導

韓國(guó)經(jīng)濟日報引述産業人士報導,韓國(guó)政府最快將(jiāng)在本月底前開(kāi)會,通過(guò)由韓國(guó)芯片大廠SK海力士主導的芯片生産聚落計劃。

報導指出,這(zhè)座聚落將(jiāng)落腳在首爾近郊的龍仁市,SK海力士規劃在此興建四條新芯片生産線,并將(jiāng)會有約50家合作廠商和供應商一起(qǐ)進(jìn)駐,海力士將(jiāng)在購地完成(chéng)後(hòu)大約2022年開(kāi)始着手興建,韓國(guó)政府也將(jiāng)爲這(zhè)個聚落放寬相關管制規定。

爲了争取這(zhè)項中央政府支持的計劃,許多地方政府早就開(kāi)始積極運作,競争相當激烈,不過(guò)最後(hòu)中央選擇了離首爾近的龍仁市。

韓國(guó)政府去年宣布要發(fā)展一座新的半導體産業聚落,以支持芯片制造業的未來,計劃總價值預估將(jiāng)達120兆韓元(1,068億美元)。政府負責提供土地,企業則負責投資制造。

在半導體業面(miàn)臨減緩的同時,韓國(guó)政府爲了維持該國(guó)在市場上的地位,做出了這(zhè)項決定。半導體業對(duì)韓國(guó)來說極爲重要,該産業占韓國(guó)總出口比重爲所有産業中最大,達16%,兩(liǎng)大主要企業三星和海力士在全球DRAM市場的市占率合計超過(guò)73%。

 

國(guó)家隊再起(qǐ) 韓國(guó)芯片生産聚落拟落腳龍仁市

國(guó)家隊再起(qǐ) 韓國(guó)芯片生産聚落拟落腳龍仁市

韓國(guó)經(jīng)濟日報引述産業人士報導,韓國(guó)政府最快將(jiāng)在本月底前開(kāi)會,通過(guò)由韓國(guó)芯片大廠SK海力士主導的芯片生産聚落計劃。

報導指出,這(zhè)座聚落將(jiāng)落腳在首爾近郊的龍仁市,SK海力士規劃在此興建四條新芯片生産線,并將(jiāng)會有約50家合作廠商和供應商一起(qǐ)進(jìn)駐,海力士將(jiāng)在購地完成(chéng)後(hòu)大約2022年開(kāi)始着手興建,韓國(guó)政府也將(jiāng)爲這(zhè)個聚落放寬相關管制規定。

爲了争取這(zhè)項中央政府支持的計劃,許多地方政府早就開(kāi)始積極運作,競争相當激烈,不過(guò)最後(hòu)中央選擇了離首爾近的龍仁市。

韓國(guó)政府去年宣布要發(fā)展一座新的半導體産業聚落,以支持芯片制造業的未來,計劃總價值預估將(jiāng)達120兆韓元(1,068億美元)。政府負責提供土地,企業則負責投資制造。

在半導體業面(miàn)臨減緩的同時,韓國(guó)政府爲了維持該國(guó)在市場上的地位,做出了這(zhè)項決定。半導體業對(duì)韓國(guó)來說極爲重要,該産業占韓國(guó)總出口比重爲所有産業中最大,達16%,兩(liǎng)大主要企業三星和海力士在全球DRAM市場的市占率合計超過(guò)73%。

 

因應供過(guò)于求,SK 海力士2019年資本支出大砍4成(chéng)

因應供過(guò)于求,SK 海力士2019年資本支出大砍4成(chéng)

就在日前的财務會議上,南韓存儲器大廠 SK 海力士繳出了 2018 年第 4 季營業利益較前一季大跌 3 成(chéng)的成(chéng)績單之後(hòu),也宣布爲了因應接下來全球存儲器市場及貿易環境的變化,將(jiāng)會大砍 2019 年相關的資本支出達到 4 成(chéng)的幅度。這(zhè)也是主要的全球存儲器廠商中,繼南亞科將(jiāng)在 2019 年縮減 50% 的資本支出後(hòu),縮減幅度最大的存儲器廠。

根據南韓媒體《etnews》的報導指出,SK 海力士在财務會議上表示,爲了因應全球經(jīng)濟全球不确定因素的資加,以及在半導體景氣面(miàn)臨周期低潮時,整體産業將(jiāng)遇到的不景氣現象,因此將(jiāng)降低 2019 年整體資本支出達到 40%。以 2018 年 SK 海力士的資本支出達到 17 兆韓圓的情況來計算,2019 年預估的資本支出將(jiāng)僅些微超過(guò) 10 兆韓圓而已。

報導指出,SK 海力士還(hái)進(jìn)一步指出,雖然因應大環境經(jīng)景氣的改變,以及整體半導體市場的環境需求,2019 年將(jiāng)大砍其資本支出,而且未來還(hái)有可能(néng)再進(jìn)一步下修資本支出的數字。但是,對(duì)于具備前瞻與創新性的投資將(jiāng)不再此限制之内。例如再研發(fā)的投資,以及在 M16 廠的興建上。

SK 海力士雖然在 2018 年第 4 季,繳出較前一季營業利益大跌 3 成(chéng)的成(chéng)績。但是,受惠于前半年存儲器價格居高的情況,2018 年全年營收還(hái)是達到了 40.44 兆韓圓,營業利益也達到 20.084 兆韓圓的水平,創下曆史新高紀錄。不過(guò),海力士指出,自 2018 年下半年以來,存儲器需求從開(kāi)始放緩,而且在随着供應短缺問題解決之後(hòu),存儲器市場價格開(kāi)始急轉直下。

SK 海力士預測,整體存儲器疲軟的狀态持續到 2019 年上半年,原因是,在外在經(jīng)濟環境的問題上,在美中貿易摩擦仍未減緩,以及信息相關産業的服務器客戶調整庫存情況下,對(duì)記憶市的場需求都(dōu)造成(chéng)沖擊。所以,SK 海力士計劃減少資本支出,然後(hòu)着重在技術開(kāi)發(fā)的項目上,透過(guò)生産技術的轉型,讓 SK 海力士能(néng)進(jìn)一步度過(guò)産業周期的低潮期,并且因應未來産業的複甦發(fā)展。

存儲器價格跌不停,SK 海力士去年Q4營益跌3成(chéng)

存儲器價格跌不停,SK 海力士去年Q4營益跌3成(chéng)

南韓存儲器大廠 SK 海力士(SK Hynix)公布 2018 年第四季财報,需求減緩導緻營益狂跌三成(chéng),表現遜于市場預期。

SK 海力士 24 日韓股盤前發(fā)布财報,2018 年第四季合并營收季減 13% 至 9.94 兆韓圓,營益季減 32% 至 4.43 兆韓圓,淨利季減 28% 至 3.4 兆韓圓。

韓聯社旗下 Yonhap Infomax 訪調顯示,24 家南韓券商預估,SK 海力士第四季營收爲 10.2 兆韓圓,淨利爲 3.8 兆韓圓,結果雙雙不如預期。

SK 海力士表示,去年上半情況有利,但是下半年需求走緩、供給短缺也獲得解決,存儲器市況迅速改變。有鑒于此,去年第四季,DRAM 位元出貨量季減 2%、平均售價季減 11%,主因總體經(jīng)濟環境不确定性提高,服務器客戶采購轉爲保守,此外,智能(néng)手機銷售轉弱,也不利 DRAM 買氣。

NAND Flash 位元出貨量季增 10%、但是平均售價季減 21%,主因高階智慧手機需求減弱。另外供應商爲了削減庫存,價格競争激烈,均價因此大減 21%。

2018 年全年而言,SK 海力士受惠于上半年存儲器的強勁表現,營收和營益連續兩(liǎng)年打破空前紀錄。SK 海力士年度合并營收達 40.45 兆韓圓、年度營益爲 20.84 兆韓圓、年度淨利爲 15.54 兆韓圓。

SK 海力士宣布 2018 年每股發(fā)放現金股息 1,500 韓圓,比去年高出 50%,激勵股價走高。今日上午 8 點 24 分,SK 海力士上漲 1.20%、報 67,600 韓圓。

今年存儲器價格可能(néng)續跌。韓聯社先前報導,庫存水位過(guò)高,DRAMeXchange 預測,今年服務器 DRAM 價格將(jiāng)對(duì)半腰斬,大減將(jiāng)近 50%。該機構估計,服務器 DRAM 第一季價格將(jiāng)季減 20%、第二季季減 10%、第三季季減 8%、第四季季減 5%。

Tom’s Hardware 報導,DRAMeXchange 預測,今年 NAND 價格將(jiāng)暴跌 50%,跌幅遠大于之前預估的 10~25%。

重慶集成(chéng)電路産業領了4個“百億級”任務

重慶集成(chéng)電路産業領了4個“百億級”任務

1月18日,西永綜合保稅區内,SK海力士重慶工廠二期項目正在修建中。施工方介紹,整個工地約有1000名工人。

作爲全球知名的半導體制造商,SK海力士主要産品爲儲存器,蘋果、華爲、小米等均爲其客戶。SK海力士落戶于重慶西永的一期項目,目前每月産能(néng)達0.8億顆芯片。2017年,SK的二期項目落戶重慶,是其在全球布局的最大封裝測試基地。

SK海力士去年産值近100億元,對(duì)重慶集成(chéng)電路産業的帶動,不言而喻。

西永“制造+研發(fā)”雙輪驅動

對(duì)SK海力士而言,重慶具有極其重要的地位。SK海力士相關負責人說,重慶基礎設施完善、物流便利,又是中國(guó)西部大開(kāi)發(fā)的中心城市,所以SK海力士的重慶工廠更具運營成(chéng)本優勢。這(zhè)也是SK海力士二期項目落戶重慶的原因。

根據計劃,二期項目會在6月打造完成(chéng)其核心區域——潔淨室。進(jìn)行各類調試後(hòu),該項目明年將(jiāng)實現量産。

“二期工廠的生産能(néng)力,也是百億元規模。”SK對(duì)外協作總監姜真守透露,二期投産後(hòu),SK海力士會優化整個重慶工廠的生産能(néng)力和結構,一期工廠將(jiāng)作爲測試産線,二期工廠將(jiāng)作爲封裝産線。屆時,SK海力士在渝産品所占比例將(jiāng)達到整個公司的40%,産值有望接近200億元。

SK海力士的擴産,可視作西永微電子産業園(下稱西永微電園)發(fā)展集成(chéng)電路的縮影。

西永是重慶集成(chéng)電路的高地。2018年,西永集成(chéng)電路産業實現産值139.3億元、增長(cháng)21.4%,占全市八成(chéng)以上。

2018年,西永微電園在集成(chéng)電路領域收獲滿滿:成(chéng)立CUMEC聯合微電子中心,投資100億元打造世界一流的先進(jìn)産品設計與高端工藝制造協同研發(fā)平台,并組建國(guó)際化産業研發(fā)聯盟;與華潤微電子合作打造全國(guó)最大功率半導體基地、建設先進(jìn)的基闆級扇出芯片封裝項目和12英寸功率半導體芯片制造項目;引進(jìn)英特爾FPGA中國(guó)創新中心,這(zhè)也是英特爾在全球規模最大,亞洲唯一的FPGA創新中心……

“研發(fā)將(jiāng)是園區集成(chéng)電路乃至所有産業轉型升級的一個重要突破口。”西永微電園公司董事(shì)長(cháng)吳道(dào)藩指出,沒(méi)有研發(fā)就沒(méi)有未來,下一步,西永將(jiāng)圍繞“制造+研發(fā)”雙輪驅動,堅持集群發(fā)展,在保持總量穩定的同時,積極盤活存量、用好(hǎo)增量,加快推動産業向(xiàng)高端化發(fā)展、企業向(xiàng)高新化推進(jìn)、産品向(xiàng)高附加值延伸。

兩(liǎng)江新區全面(miàn)布局

作爲重慶的産業高地,兩(liǎng)江新區在集成(chéng)電路領域也有布局。

在兩(liǎng)江新區水土高新生态城,一個明亮整潔的車間裡(lǐ),工作人員穿梭在一台台巨大的機器間,有條不紊地進(jìn)行着各種(zhǒng)操作。這(zhè)是中國(guó)首家、全球第二家12英寸功率半導體芯片制造及封裝測試生産基地項目——重慶萬國(guó)半導體12英寸功率半導體芯片制造及封裝測試生産基地。

該基地一期投資5億美元,月産兩(liǎng)萬片12英寸功率半導體芯片、月産500KK功率半導體芯片封裝測試;二期計劃投資5億美元,月産5萬片12英寸功率半導體芯片、月産1250KK功率半導體芯片封裝測試。目前,該基地進(jìn)入試生産階段。

除了萬國(guó),兩(liǎng)江新區在集成(chéng)電路領域的布局可謂全面(miàn):做IC設計的,有紫光展銳西南通訊芯片設計中心、北京中星微人工智能(néng)芯片設計中心等;在核心材料上,布局了上海超矽8-12英寸抛光矽片項目、奧特斯IC載闆項目和高密度印制電路闆項目;人才培養上,則有兩(liǎng)江半導體産學(xué)研基地……

目前,兩(liǎng)江新區已聚集了IC設計、晶圓制造、半導體封裝測試以及材料、半導體應用研發(fā)、半導體支撐平台等集成(chéng)電路相關産業,累計引進(jìn)集成(chéng)電路類項目12個。

整體來看,兩(liǎng)江新區集成(chéng)電路産業的發(fā)展主要圍繞汽車電子、電源管理、存儲芯片3個領域展開(kāi)。

“未來5年,我們將(jiāng)繼續在IC全産業鏈上發(fā)力,搭建集成(chéng)電路IC設計平台、孵化器、産業基金等。”兩(liǎng)江新區相關負責人表示。

集成(chéng)電路是“最聚焦”的領域

西永和兩(liǎng)江新區是重慶發(fā)展集成(chéng)電路的主要區域,市經(jīng)信委相關負責人說,重慶發(fā)展電子信息産業下一步的目标,除了要穩定筆電産量、擴大手機産量外,集成(chéng)電路是“最聚焦”的領域。

爲此,我市已陸續出台《重慶市加快集成(chéng)電路産業發(fā)展若幹支持政策》《重慶市集成(chéng)電路技術創新實施方案》《重慶市集成(chéng)電路産業發(fā)展指導意見》等,進(jìn)一步理清了産業發(fā)展思路及實現路徑。

“下一步,在集成(chéng)電路上,我們要安排4個‘百億級’的任務。”該負責人介紹,到2022年,我市集成(chéng)電路銷售收入預計突破1000億元,其中裝備材料100億元、設計企業200億元、封裝測試300億元、生産制造400億元。

在發(fā)展方向(xiàng)上,我市將(jiāng)重點聚焦電源管理芯片、存儲芯片、先進(jìn)工藝生産線、汽車電子芯片、驅動芯片、人工智能(néng)及物聯網芯片、集成(chéng)電路設計等領域。

該負責人還(hái)透露,集成(chéng)電路是今年招商引資的重點目标,比如紫光存儲芯片項目、12英寸集成(chéng)電路先進(jìn)工藝生産線項目等;同時,積極推進(jìn)華潤微電子12英寸晶圓制造、聯合微電子中心等項目。

爲防中國(guó)半導體人才挖角,SK海力士推出續聘退休工程師計劃

爲防中國(guó)半導體人才挖角,SK海力士推出續聘退休工程師計劃

中國(guó)近來積極發(fā)展半導體,半導體人才需求急切,爲防相關人才挖角,南韓半導體大廠SK海力士(SKHynix)近期推出一套新的制度,讓已經(jīng)達到推退休齡的優秀工程師仍可繼續工作,使得相關的技術得以延續,繼續發(fā)揮産業競争力。

根據南韓媒體《BusinessKorea》報道(dào),爲了持續留住優秀的半導體人才,SK海力士宣布一項新的制度,那就是讓達到退休年紀的優秀半導體工程得以繼續留在工作崗位上工作,不受60歲的退休年紀限制。SK海力士表示,這(zhè)些優秀的半導體工程師,雖然已經(jīng)達到退休年齡,但是以其過(guò)去成(chéng)熟及優秀的經(jīng)驗,仍舊能(néng)在半導體的研發(fā)、生産制造以及分析等工作上做出貢獻,因此公司希望能(néng)繼續延聘這(zhè)些優秀的半導體人才。

報道(dào)表示,目前SK海力士在南韓的員工數約爲2.5萬人,其中約有1萬人是相關的工程師,約占總員工數的40%。未來SK海力士除了繼續聘用這(zhè)些屆臨退休的優秀半導體工程師之外,還(hái)將(jiāng)強化這(zhè)些半導體工程人員的職等,使得工程人員都(dōu)能(néng)夠有進(jìn)一步晉升管理階層的機會,期望也更好(hǎo)的福利與制度來留才。

報道(dào)進(jìn)一步指出,SK海力士新的留才做法被視爲防堵優秀人才出走的方式之一。因爲目前中國(guó)積極發(fā)展半導體,其包括SK海力士的競争對(duì)手都(dōu)在祭出高薪,以挖角三星與SK海力士的優秀半導體人才投靠。因此,現階段南韓企業對(duì)于員工的退休管理更顯得重要。所以,SK海力士期望藉由這(zhè)樣留才的舉動,一方面(miàn)讓人才能(néng)提高對(duì)公司的忠誠度,一方面(miàn)也能(néng)管理到這(zhè)些工程師所用擁有的專業知識不會流入競争對(duì)手之手,甚至能(néng)在當地進(jìn)行知識的傳遞工作。

SK海力士第7座半導體廠動工 預計2020年正式完成(chéng)

SK海力士第7座半導體廠動工 預計2020年正式完成(chéng)

随着NAND Flash快閃存儲器及DRAM價格不斷下跌,2019年存儲器市場將(jiāng)迎接逆風。而爲了應付降價導緻的損失,包括存儲器大廠三星、SK海力士(SK Hynix)及美光都(dōu)計劃減少資本支出。

不過(guò),降低成(chéng)本支出并不意味着他們不再建設工廠了,就在本周,SK Hynix正式開(kāi)工建設第7座半導體工廠──M16廠,總投資不低于15萬億韓元(約133億美元)。雖然還(hái)沒(méi)确定最終生産NAND Flash還(hái)是DRAM,但是這(zhè)座晶圓廠确定將(jiāng)會采用最先進(jìn)的EUV光刻技術。

2018年10月份,SK Hynix才剛完成(chéng)最新的M15工廠興建,并且在日前正式進(jìn)入量産,且該工廠是2015年SK Hynix宣布將(jiāng)斥資的46萬億韓元投資計劃中的一部分。M15工廠位于韓國(guó)忠清南道(dào)的清州市,投資額高達15萬億韓元,以生産3D NAND Flash爲主,初期以生産現在的72層堆疊3D NAND Flash,2019年開(kāi)始,就會轉到96層堆疊的3D NAND Flash上。

至于新動工的M16廠,在本周正式舉行開(kāi)工典禮之後(hòu),預計2020年正式完成(chéng),總投資額還(hái)沒(méi)确定。不過(guò),也确定不會低于15萬億韓元。其中,基礎設施建設就要3.5萬億韓元,占地達30英畝。這(zhè)座工廠最終會以生産DRAM還(hái)是NAND Flash爲主,目前尚未确定。對(duì)此,SK Hynix表示,要看落成(chéng)時的市場需求以及工廠的技術水準來決定。

雖然,還(hái)不确定要生産什麼(me)樣的産品,不過(guò)有一點可以肯定,那就是M16工廠將(jiāng)會用上最先進(jìn)的EUV光刻技術。事(shì)實上,存儲器跟邏輯芯片不同,雖然對(duì)EUV光刻技術的需求沒(méi)那麼(me)高,不過(guò)三星、SK Hynix仍會依計劃,在未來使用EUV技術生産存儲器。而相對(duì)于韓國(guó)兩(liǎng)大存儲器廠的做法,美系廠商美光對(duì)EUV使用的态度就顯得比較保守。之前曾經(jīng)宣布,在未來2代的存儲器生産中都(dōu)將(jiāng)不會用到EUV光刻技術。

而除了韓國(guó)之外,SK Hynix在無錫也有生産DRAM的晶圓廠。無錫廠目前的一期工程産能(néng)在每月10萬到12萬片之間,是全球重要的DRAM芯片基地之一。而SK Hynixy在2018年初期,還(hái)宣布將(jiāng)投資86億美元在無錫建設第2座存儲器工廠,預計完成(chéng)後(hòu)存儲器産能(néng)將(jiāng)達到每月20萬片。

另外,日前有韓國(guó)媒體報導,目前韓國(guó)政府正在推動大型半導體制造群體,預計在10年内投資超過(guò)120萬億韓元,并納入4家大型半導體工廠及50家上下遊材料及設備供應商。其中,SK Hynix就允諾,將(jiāng)依據計劃在韓國(guó)境内再興建一座大型半導體工廠。因此,在當前半導體景氣面(miàn)臨逆風的狀态下,韓系存儲器廠的擴張計劃將(jiāng)不會有所改變。

10年斥資約7300億元 韓國(guó)力推大型IC制造集群計劃

10年斥資約7300億元 韓國(guó)力推大型IC制造集群計劃

近日,根據韓國(guó)媒體《BusinessKorea》報道(dào),爲強化韓國(guó)半導體實力,韓國(guó)政府正在推出一項大型的半導體制造集群計劃,該項計劃將(jiāng)由 4 家大型半導體制造商,以及大約 50 家的上下遊零組件或設備生産廠商來整合執行,韓國(guó)政府預計該計劃在 10 年内將(jiāng)投入金額約 120 兆韓元(約人民币7334億元 )。其中,韓國(guó)存儲器大廠 SK 海力士將(jiāng)在這(zhè)個半導體制造集群中投資興建一座新的半導體工廠。

報道(dào)指出,韓國(guó)政府包括貿易、科技、以及能(néng)源部在提出 2019 年相關商業計劃時,也已經(jīng)將(jiāng)此大型的半導體制造集群計劃納入其中。因此,自 2019 年開(kāi)始,韓國(guó)政府經(jīng)訂立相關計劃細節,後(hòu)續將(jiāng)依照計劃分階段執行。其中,存儲器大廠 SK 海力士將(jiāng)在這(zhè)個半導體制造集群中投資興建一座新的半導體工廠,而該座新的半導體工廠將(jiāng)坐落于韓國(guó)京畿道(dào)龍仁,將(jiāng)與三星位于京畿道(dào)吉興市的半導體工廠比鄰。

韓國(guó)官員表示,如果 SK 海力士決定在半導體制造群體計劃中建立一座新的制造工廠,它將(jiāng)可以整合附近的半導體零件和設備供應商,強化其整體半導體制造生态。對(duì)此,SK 海力士則是表示,還(hái)沒(méi)有确認京畿道(dào)龍仁是新制造工廠所在地,正與政府持續讨論,因爲包括利川和清州等地也是相關地點。

目前,SK 海力士正在韓國(guó)利川及清州地區都(dōu)分别各興建一座半導體生産工廠。其中,在清州的 M15 工廠近期完工,并預計于 近 日正式投入量産。而利川的工廠則是目前正在興建中。因此,爲了集群效應,SK 海力士希望能(néng)在利川及清州地區興建新的生産工廠。隻是目前兩(liǎng)個地區都(dōu)沒(méi)有适合的空間,因此也正在與韓國(guó)政府商讨中。

報道(dào)指出,爲了能(néng)在首爾大都(dōu)市區建立半導體工廠,過(guò)去 SK 海力士必須遵守 「首爾都(dōu)市維護計劃法」 等法規。而在韓國(guó)政府推動大型的半導體制造集群計劃後(hòu),計劃放松管制,借以使 SK 海力士參與政府的半導體制造集群計劃。 SK 海力士預計興建的新半導體工廠,預計在 2025 年間完工,之後(hòu)以協助建立整個半導體制造生态系,預計在 2029 到 2030 年間完成(chéng)整個半導體制造集群計劃的目标。