華虹半導體财報出爐

華虹半導體财報出爐

5月14日,華虹半導體發(fā)布最新财報。數據顯示,2020年第一季度,公司實現銷售收入2.029億美元,同比下降8.1%,環比下降16.4%;毛利率21.1%,同比下降11.1個百分點,環比下降6.1個百分點;母公司擁有人應占溢利2,030萬美元,上年同期爲4,750萬美元,上季度爲2,620萬美元。

2020年,在落實疫情防控有效措施的同時,華虹半導體也積極組織原材料和零部件的供應,并通過(guò)電話、郵件、微信等方式頻繁與客戶溝通,确保了生産線有序運營,産能(néng)利用率一直保持在90%以上,且模拟與電源管理第一季度銷售額同比增長(cháng)30.6%。

由于受到新冠肺炎疫情影響,市場産生了一定的不确定性,華虹半導體的嵌入式閃存、分立器件和邏輯及射頻産品需求有了一定程度的放緩,相應産品的出貨量有了不同程度下降。

按地區分,華虹半導體第一季度來自于中國(guó)的銷售收入1.245億美元,占銷售收入總額的61.4%,同比增長(cháng)6.8%;來自于亞洲的銷售收入2,930萬美元,同比增長(cháng)17.1%;來自于美國(guó)的銷售收入2,540萬美元,同比減少38.3%;來自于歐洲的銷售收入1,620萬美元,同比減少12.2%;來自于日本的銷售收入740萬美元,同比減少62.1%。

按技術平台劃分,第一季度華虹半導體嵌入式非易失性存儲器銷售收入7,340萬美元,同比減少13.4%;分立器件銷售收入7,580萬美元,同比減少9.6%;模拟與電源管理銷售收入3,100萬美元,同比增長(cháng)30.6%;邏輯及射頻銷售收入1,970萬美元,同比減少19.2%;獨立非易失性存儲器銷售收入280萬美元,同比減少29.2%。

按工藝技術節點劃分,第一季度,華虹半導體0.13μm及以下工藝技術節點的銷售收入6,680萬美元,同比減少20.8%;0.15μm及0.18μm工藝技術節點的銷售收入3,200萬美元,同比增長(cháng)24.4%;0.25μm工藝技術節點的銷售收入340萬美元,同比增長(cháng)36.1%;0.35μm及以上工藝技術節點的銷售收入1.008億美元,同比減少7.0%。

按終端市場分布劃分,華虹半導體第一季度電子消費品作爲我們的第一大終端市場,貢獻銷售收入1.254億美元,占銷售收入總額的61.8%,同比減少7.5%;工業及汽車産品銷售收入5,010萬美元,同比增長(cháng)11.9%;通訊産品銷售收入1,860萬美元,同比減少38.1%;計算機産品銷售收入870萬美元,同比減少15.3%。

此外,财報還(hái)指出,第一季度末,華虹半導體月産能(néng)達201,000片8寸等值晶圓。總體産能(néng)利用率爲82.4%;付運晶圓463,000片,同比增加3.8%,環比減少10.1%。

華虹半導體總裁剪執行董事(shì)唐均君表示,受海外疫情影響,參與設備調試的廠商技術人員到崗有所推遲,我們與廠商正協力推進(jìn)設備的調試工作,相信随着疫情的好(hǎo)轉,第二階段的工藝設備調試將(jiāng)盡快完成(chéng)。另外,基于12英寸生産線90nm、65nm研發(fā)項目達成(chéng)了預期目标。

華虹半導體預計,2020年第二季度,公司銷售收入將(jiāng)增長(cháng)至約2.2億美元左右,毛利率約在22%到24%之間。

華虹七廠完成(chéng)首批功率器件産品交付

華虹七廠完成(chéng)首批功率器件産品交付

1月12日,在華虹集團召開(kāi)的2020年全球供應商大會上,華虹七廠首批功率器件産品交付,标志着中國(guó)大陸最先進(jìn)的12英寸功率器件平台成(chéng)功實現量産。

據了解,華虹七廠首批功率器件産品客戶爲無錫新潔能(néng)。華虹七廠作爲華虹集團走出上海、布局長(cháng)三角的第一個集成(chéng)電路研發(fā)和制造基地,于2019年9月投産,創造了業界同類生産線建成(chéng)、投産的最快記錄,成(chéng)爲中國(guó)大陸最先進(jìn)的12英寸特色工藝生産線,也是大陸第一條12英寸功率器件代工生産線。

2017年8月2日,華虹集團與無錫市政府簽署戰略合作協議,總投資約100億美元的華虹集團集成(chéng)電路研發(fā)和制造基地項目正式落戶無錫高新區。根據此前官方介紹,華虹無錫項目占地約700畝,一期項目(華虹七廠)投資25億美元,一期投資25億美元,新建一條工藝等級90~65納米、月産能(néng)約4萬片的12英寸特色工藝集成(chéng)電路生産線,支持5G和物聯網等新興領域的應用。

從2018年4月3日樁基工程啓動以來,該項目進(jìn)展迅速,2018年8月12日,生産廠房鋼架屋桁架吊裝完成(chéng),同年12月21日,主廠房結構封頂,2019年5月24日,首台工藝設備搬入,同月6月6日,首批光刻機搬入,9月17日,該項目再次迎來重大進(jìn)展,華虹無錫集成(chéng)電路研發(fā)和制造基地(一期)12英寸生産線正式建成(chéng)投片,多個産品進(jìn)入試生産。

華虹最新财報公布:無錫12英寸晶圓廠本季開(kāi)始投産

華虹最新财報公布:無錫12英寸晶圓廠本季開(kāi)始投産

華虹半導體發(fā)布2019年第3季度業績,該集團于期内銷售收入2.39億美元,同比下降0.9%,環比增長(cháng)3.9%。毛利率31.0%,同比下降3.0個百分點,環比持平。期内溢利4440萬美元,同比下降12.8%,環比下降11.0%。

母公司擁有人應占溢利4520萬美元,同比下降6.4%,環比上升4.3%。基本每股盈利0.035美元。

公司總裁兼執行董事(shì)唐均君,對(duì)第三季度的業績評論道(dào):“盡管上季度經(jīng)濟環境存在挑戰和不确定性,華虹半導體仍精準貫徹落實戰略部署、推動業績持續增長(cháng)。第三季度公司的銷售收入達2.39億美元,環比增長(cháng)3.9%,同比基本持平。收入方面(miàn)的強勁表現主要得益于中國(guó)和亞洲其他國(guó)家及地區對(duì)公司産品需求的增加,尤其是MCU、超級結、IGBT、通用MOSFET、電源管理芯片和模拟産品。這(zhè)再次凸顯了公司特色工藝産品的實力和質量。面(miàn)對(duì)不盡理想的市場環境,公司迎難而上、交出了一份亮眼的成(chéng)績單。毛利率維持在31%,取得這(zhè)一業績并非一蹴而就。總體而言,市場變化使産品面(miàn)臨價格下行壓力,與此同時矽片成(chéng)本卻顯着上升。這(zhè)些不利因素被整體産能(néng)利用率上升至96.5%所抵消。此外,上季度收到的大量政府補貼,抵消了部分折舊成(chéng)本。”

“華虹無錫300mm晶圓廠(七廠)本季度開(kāi)始投入生産。公司團隊已經(jīng)在七廠産線上驗證通過(guò)了若幹個客戶的産品,其中有兩(liǎng)個産品,良品率已達到90%。作爲整體擴産計劃的一部分,該晶圓廠將(jiāng)在未來幾年裡(lǐ)爲公司提供巨大的發(fā)展機會。管理團隊深知在最短時間内使該晶圓廠實現盈利的重要性和緊迫性,這(zhè)無疑將(jiāng)是公司下階段的工作重點。”

“對(duì)公司的發(fā)展方向(xiàng)和戰略方針,公司仍保持非常積極樂觀的看法。公司相信5G將(jiāng)成(chéng)爲下一個浪潮,爲半導體企業帶來新的機遇。對(duì)半導體器件的需求會相應激增,包括微控制器、傳感器、射頻、電源管理和存儲器。作爲特色工藝的領先者,華虹半導體將(jiāng)在5G創新中扮演不可或缺的重要角色。”

此外,該公司預計2019年第四季度銷售收入約2.42億美元左右,毛利率約在26%到28%之間。

華虹最新财報公布:無錫12英寸晶圓廠已投産 七廠本季開(kāi)始投産

華虹最新财報公布:無錫12英寸晶圓廠已投産 七廠本季開(kāi)始投産

華虹半導體發(fā)布2019年第3季度業績,該集團于期内銷售收入2.39億美元,同比下降0.9%,環比增長(cháng)3.9%。毛利率31.0%,同比下降3.0個百分點,環比持平。期内溢利4440萬美元,同比下降12.8%,環比下降11.0%。

母公司擁有人應占溢利4520萬美元,同比下降6.4%,環比上升4.3%。基本每股盈利0.035美元。

公司總裁兼執行董事(shì)唐均君,對(duì)第三季度的業績評論道(dào):“盡管上季度經(jīng)濟環境存在挑戰和不确定性,華虹半導體仍精準貫徹落實戰略部署、推動業績持續增長(cháng)。第三季度公司的銷售收入達2.39億美元,環比增長(cháng)3.9%,同比基本持平。收入方面(miàn)的強勁表現主要得益于中國(guó)和亞洲其他國(guó)家及地區對(duì)公司産品需求的增加,尤其是MCU、超級結、IGBT、通用MOSFET、電源管理芯片和模拟産品。這(zhè)再次凸顯了公司特色工藝産品的實力和質量。面(miàn)對(duì)不盡理想的市場環境,公司迎難而上、交出了一份亮眼的成(chéng)績單。毛利率維持在31%,取得這(zhè)一業績并非一蹴而就。總體而言,市場變化使産品面(miàn)臨價格下行壓力,與此同時矽片成(chéng)本卻顯着上升。這(zhè)些不利因素被整體産能(néng)利用率上升至96.5%所抵消。此外,上季度收到的大量政府補貼,抵消了部分折舊成(chéng)本。”

“華虹無錫300mm晶圓廠(七廠)本季度開(kāi)始投入生産。公司團隊已經(jīng)在七廠産線上驗證通過(guò)了若幹個客戶的産品,其中有兩(liǎng)個産品,良品率已達到90%。作爲整體擴産計劃的一部分,該晶圓廠將(jiāng)在未來幾年裡(lǐ)爲公司提供巨大的發(fā)展機會。管理團隊深知在最短時間内使該晶圓廠實現盈利的重要性和緊迫性,這(zhè)無疑將(jiāng)是公司下階段的工作重點。”

“對(duì)公司的發(fā)展方向(xiàng)和戰略方針,公司仍保持非常積極樂觀的看法。公司相信5G將(jiāng)成(chéng)爲下一個浪潮,爲半導體企業帶來新的機遇。對(duì)半導體器件的需求會相應激增,包括微控制器、傳感器、射頻、電源管理和存儲器。作爲特色工藝的領先者,華虹半導體將(jiāng)在5G創新中扮演不可或缺的重要角色。”

此外,該公司預計2019年第四季度銷售收入約2.42億美元左右,毛利率約在26%到28%之間。

重磅!華虹無錫項目(一期)12英寸生産線建成(chéng)投片

重磅!華虹無錫項目(一期)12英寸生産線建成(chéng)投片

9月17日,華虹無錫項目再次迎來重大進(jìn)展,集成(chéng)電路研發(fā)和制造基地(一期)12英寸生産線正式建成(chéng)投片,随着首批12英寸矽片進(jìn)入工藝機台,開(kāi)始55納米芯片産品制造,這(zhè)标志着項目將(jiāng)由工程建設期正式邁入生産運營期。

根據無錫日報此前報道(dào),該項目是無錫市“十三五”重大産業項目之一,也是無錫有史以來單體投資最大的産業項目。2017年8月2日,華虹集團與無錫市政府簽署戰略合作協議,總投資約100億美元的華虹集團集成(chéng)電路研發(fā)和制造基地項目正式落戶無錫高新區。

根據此前官方介紹,華虹無錫項目占地約700畝,總投資100億美元,一期投資25億美元,新建一條工藝等級90~65納米、月産能(néng)約4萬片的12英寸特色工藝集成(chéng)電路生産線,支持5G和物聯網等新興領域的應用。

華虹集團董事(shì)長(cháng)張素心表示,無錫項目發(fā)揚了華虹520精神,以華虹“全集團統籌資源、大兵團作戰部署”的戰略爲依托,經(jīng)過(guò)17個月的緊張奮戰,再次刷新華虹速度。

從2018年4月3日樁基工程啓動以來,該項目進(jìn)展迅速,主要工程節點較計劃大幅提前;設備安裝和工藝調試速度刷新紀錄;生産線全自動化系統快速建立;成(chéng)套技術成(chéng)功轉移;并行推進(jìn)工藝研發(fā)、市場銷售、人力資源準備等工作,确保了該生産線工藝串線的成(chéng)功。

2018年6月25日,樁基工程完成(chéng),開(kāi)始大底闆澆築;2018年8月12日,生産廠房鋼架屋桁架吊裝完成(chéng);2018年12月21日,廠房機構封頂;2019年5月24日,首台工藝設備搬入;2019年6月6日,光刻設備搬入;2019年9月17日,項目正式啓用量産。

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華虹半導體整體産能(néng)利用率達90% 無錫廠Q4試生産12英寸晶圓

華虹半導體整體産能(néng)利用率達90% 無錫廠Q4試生産12英寸晶圓

8月6日,華虹半導體公布其2019年第二季度及上半年的經(jīng)營業績。得益于其銷售策略及部分特色工藝的優勢等,華虹半導體第二季度及上半年銷售額均有所成(chéng)長(cháng)。

銷售額小幅增長(cháng),産能(néng)利用率回升

數據顯示,2019年第二季度華虹半導體實現銷售收入2.3億美元,同比持平、環比增長(cháng)4.2%;期内溢利4990萬美元,同比增長(cháng)8.7%、環比增長(cháng)7.0%;歸母公司擁有人應占利潤4336萬美元,同比下降5.3%、環比下降8.7%;毛利率31.0%,同比下降2.6個百分點、環比下降1.2個百分點。

第二季度華虹半導體97.8%的銷售收入來源于半導體晶圓的直接銷售,本季度末月産能(néng)爲 17.5萬片,本季度産能(néng)利用率爲93.2%。

按地區劃分,第二季度華虹半導體來自于中國(guó)的銷售收入1.3億美元,占銷售收入總額的55.4%,同比下降5.3%,主要由于智能(néng)卡芯片的需求減少,部分被超級結産品的需求增加所抵消。此外,來自于日本的銷售收入同比增長(cháng)43.9%,主要得益于MCU和邏輯産品的需求增加。

按技術平台劃分,第二季度華虹半導體嵌入式非易失性存儲器銷售收入7960萬美元,同比下降10.2%;分立器件銷售收入9250萬美元,同比增長(cháng)21.7%;模拟與電源管理銷售收入3340萬美元,同比下降11.0%;邏輯及射頻銷售收入2160萬美元,同比持平;獨立非易失性存儲器銷售收入270萬美元,同比下降55.1%。

從終端市場劃分,第二季度華虹半導體銷售收入1.5億美元,占銷售收入總額的64.0%,是其第一大終端市場;工業及汽車産品銷售收入4430萬美元,同比減少6.4%;通訊産品銷售收入2810 萬美元,同比增長(cháng)9.3%;計算機産品銷售收入1050萬美元,同比減少5.8%。

華虹半導體總裁兼執行董事(shì)唐均君在評價第二季度經(jīng)營業績時表示,第二季度分立器件平台繼續顯示出巨大的優勢,各産品的需求都(dōu)在增加,尤其是超級結、IGBT和通用MOSFET,并預計分立器件在未來的需求仍將(jiāng)持續增長(cháng)。此外,得益于中國(guó)、北美和其他亞洲國(guó)家市場的強勁表現,來自模拟與電源管理平台的銷售收入環比增長(cháng)近41%。

綜合今年上半年,華虹半導體實現銷售收入4.5億美元,同比增長(cháng)2.5%;期内溢利爲9650萬美元,同比增長(cháng)12.1%;母公司擁有人應占期内溢利9082.6萬美元,同比增長(cháng)5.7%;毛利率爲31.6%,同比下降1.3個百分點;月産能(néng)由17.2萬片增至17.5萬片。

華虹半導體在報告中指出,上半年華虹半導體銷售收入增長(cháng)主要得益于平均銷售單價上升;毛利率下降主要由于産能(néng)利用率較低、原材料的單位成(chéng)本及折舊成(chéng)本增加,部分被平均銷售單價上升所抵銷。

回顧上半年,全球半導體市場形勢受到上半年較高庫存的影響,晶圓代工普遍表現不佳,華虹半導體得益于其銷售策略及部分特色工藝的優勢等,第二季度及上半年銷售額均有所成(chéng)長(cháng)。

唐均君指出,盡管同時面(miàn)臨來自市場、技術、客戶以及即將(jiāng)投入使用的新12英寸晶圓廠等諸多挑戰,但經(jīng)過(guò)努力付出,華虹半導體的整體産能(néng)利用率已回升到90%以上,“我們非常有信心2019年下半年的表現將(jiāng)比上半年更爲強勁。”

無錫工廠Q4試生産300mm晶圓

展望第三季度及下半年,華虹半導體持樂觀态度。據其預計,第三季度銷售收入約2.38億美元,毛利率約31%。

在二季報及半年報中,華虹半導體重點提到了華虹無錫300mm晶圓制造工廠。報告指出,300mm晶圓項目正按計劃平穩推進(jìn),廠房和潔淨室已完成(chéng)建設,潔淨室于第二季度通過(guò)認證。同時,第一批1萬片産能(néng)所需的大部分機器設備已搬入,目前正處于安裝和測試階段。

在技術方面(miàn),55納米邏輯與射頻CMOS技術、90納米嵌入式閃存技術與90納米BCD技術前期研發(fā)順利;同時,根據市場研究與技術評估情況,通過(guò)了開(kāi)發(fā)12英寸功率器件工藝方案,确定了華虹無錫12英寸項目IC + Power的規劃。

無錫工廠將(jiāng)于2019年第四季度開(kāi)始試生産300mm晶圓,55納米邏輯與射頻CMOS技術將(jiāng)率先在第四季度進(jìn)入量産。工程師團隊和客戶正密切合作開(kāi)發(fā)幾個新産品,爲初期爬坡試生産作準備。

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華虹半導體第三代90納米嵌入式閃存工藝平台成(chéng)功量産

華虹半導體第三代90納米嵌入式閃存工藝平台成(chéng)功量産

華虹半導體有限公司(“華虹半導體”)宣布其第三代90納米嵌入式閃存(90nm eFlash)工藝平台已成(chéng)功實現量産。

華虹半導體一直深耕嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術領域,通過(guò)不斷的技術創新,第三代90納米嵌入式閃存工藝平台的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%,再創全球晶圓代工廠90納米工藝節點嵌入式閃存技術的最小尺寸紀錄。Flash IP具有更明顯的面(miàn)積優勢,使得芯片整體面(miàn)積進(jìn)一步減小,從而在單片晶圓上獲得更多裸芯片數量。與此同時,光罩層數也随之進(jìn)一步減少,有效縮短了流片周期。

而可靠性指标繼續保持着高水準,可達到10萬次擦寫及25年數據保持能(néng)力。近年來,華虹半導體在90納米工藝節點連續成(chéng)功推出三代閃存工藝平台,在保持技術優勢的同時,不斷探求更高性價比的解決方案。第三代工藝平台的大規模穩定量産,爲電信卡、Ukey、交通卡等智能(néng)卡和安全芯片産品以及微控制器(MCU)等多元化産品提供持續穩定的支持和解決方案。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示:“華虹半導體是嵌入式非易失性存儲器技術的領航者,未來將(jiāng)繼續聚焦200mm差異化技術的研發(fā)創新,面(miàn)向(xiàng)高密度智能(néng)卡與高端微控制器市場,同時不斷緻力于在功耗和面(miàn)積方面(miàn)提供顯著的優化,將(jiāng)200mm現有的技術優勢向(xiàng)300mm延伸,更好(hǎo)地服務國(guó)内外半導體芯片設計公司,滿足市場需求。”

華虹無錫基地首批光刻工藝設備進(jìn)場,9月試生産

華虹無錫基地首批光刻工藝設備進(jìn)場,9月試生産

2019年6月6日,華虹無錫集成(chéng)電路研發(fā)和制造基地(一期)12 英寸生産線建設項目首批三台光刻機搬入儀式舉行。光刻設備的搬入标志着華虹無錫基地項目建設進(jìn)入新的裡(lǐ)程,整個項目也随即達到新高度。

華虹半導體新任總裁唐均君表示,目前,有關12英寸的工藝研發(fā)、工程、銷售和市場團隊正在緊鑼密鼓開(kāi)發(fā)新産産品,爲12英寸晶圓生産線的初始量産做好(hǎo)準備。華虹無錫基礎一期截止6月5日已經(jīng)搬入35台設備,其中25台已經(jīng)完成(chéng)安裝調試,預計將(jiāng)于9月進(jìn)行試生産,12月形成(chéng)量産能(néng)力。

根據此前官方介紹,華虹無錫項目占地約700畝,總投資100億美元,一期投資25億美元,新建一條工藝等級90~65納米、月産能(néng)約4萬片的12英寸特色工藝集成(chéng)電路生産線,支持5G和物聯網等新興領域的應用。

該項目于2018年3月正式開(kāi)工建設,計劃將(jiāng)于2019年上半年完成(chéng)土建施工,下半年完成(chéng)淨化廠房建設和動力機電設備安裝、通線并逐步實現達産。自開(kāi)建以來,華虹無錫項目一直加速前進(jìn),主要工程節點均提前完成(chéng)。

今年3月,華虹半導體在其年報上表示,華虹無錫已于2018年底主體結構全面(miàn)封頂,預計將(jiāng)于2019年第二季度末完成(chéng)廠房和潔淨室的建設,下半年開(kāi)始搬入設備,并于2019年第四季度開(kāi)始300mm晶圓的量産。

據悉,爲加快實現華虹無錫的順利投産、風險量産和上量,華虹半導體在2018年啓動了55nm邏輯工藝及相關IP的研發(fā),預計2019年下半年開(kāi)始導入客戶,同時開(kāi)始研發(fā)55納米嵌入式閃存工藝的存儲單元,功能(néng)驗證已通過(guò),爲未來55納米嵌入式閃存技術量産打下堅實的基礎。

總投資100億美元!華虹無錫6月5日首批光刻機搬入

總投資100億美元!華虹無錫6月5日首批光刻機搬入

日前,華虹半導體(無錫)有限公司12英寸生産線建設項目(以下簡稱“華虹無錫項目”)迎來了首台工藝設備搬入。根據計劃,該項目將(jiāng)于6月5日進(jìn)行首批光刻機搬入,這(zhè)將(jiāng)是整個項目建設新的裡(lǐ)程。

華虹無錫項目聯合體總包單位十一科技官方消息顯示,5月24日,華虹無錫項目舉行第十一次推進(jìn)會暨首台工藝設備搬入儀式,并進(jìn)行了華虹七廠授牌儀式。

值得一提的是,華虹宏力總裁、黨委書記唐均君提到,華虹無錫項目將(jiāng)于6月5日迎來首批光刻機搬入,“在項目建設新的裡(lǐ)程——6月5日光刻機搬入後(hòu),整個項目即將(jiāng)達到新的高度。”

華虹無錫的第一台設備正式搬入标志着華虹無錫項目進(jìn)入一個新階段,爲6月5日光刻機的搬入奠定了基礎。

根據此前官方介紹,華虹無錫項目占地約700畝,總投資100億美元,一期投資25億美元,新建一條工藝等級90~65納米、月産能(néng)約4萬片的12英寸特色工藝集成(chéng)電路生産線,支持5G和物聯網等新興領域的應用。

該項目于2018年3月正式開(kāi)工建設,計劃將(jiāng)于2019年上半年完成(chéng)土建施工,下半年完成(chéng)淨化廠房建設和動力機電設備安裝、通線并逐步實現達産。自開(kāi)建以來,華虹無錫項目一直加速前進(jìn),主要工程節點均提前完成(chéng)。

今年3月,華虹半導體在其年報上表示,華虹無錫已于2018年底主體結構全面(miàn)封頂,預計將(jiāng)于2019年第二季度末完成(chéng)廠房和潔淨室的建設,下半年開(kāi)始搬入設備,并于2019年第四季度開(kāi)始300mm晶圓的量産。

如今首台設備已搬入,在時間上較計劃又有所提前,項目推進(jìn)看來頗爲順利。随着接下來下個月首批光刻機的搬入,如無意外,華虹無錫項目很快將(jiāng)迎來量産,業業界預計設備搬入後(hòu)3個月左右。

據悉,爲加快實現華虹無錫的順利投産、風險量産和上量,華虹半導體在2018年啓動了55nm邏輯工藝及相關IP的研發(fā),預計2019年下半年開(kāi)始導入客戶,同時開(kāi)始研發(fā)55納米嵌入式閃存工藝的存儲單元,功能(néng)驗證已通過(guò),爲未來55納米嵌入式閃存技術量産打下堅實的基礎。

對(duì)于華虹半導體來說,華虹無錫的量産意義重大,將(jiāng)是其産能(néng)的升級以及發(fā)展的新階段、新裡(lǐ)程碑。某不具名業内人士分析認爲,目前華虹的産能(néng)已然滿産,如今正值國(guó)産替代化大潮將(jiāng)至,華虹無錫帶來的産能(néng)將(jiāng)有望解其産能(néng)燃眉之急以及提升競争力。

上述業内人士還(hái)指出,由于下遊需求的快速增長(cháng),8英寸産能(néng)已經(jīng)連續多季處于供應緊張的狀态,在目前8吋産線由于設備較少新開(kāi)和擴建難度較大的情況下,8英寸産品或將(jiāng)加速向(xiàng)12英寸轉移,同時12英寸的經(jīng)濟效應也比8英寸好(hǎo)、單顆成(chéng)本更低。

随着國(guó)内2015年以來新建的8英寸和12英寸特色工藝産線如華虹無錫項目等相繼投産,相關産品晶圓制造産能(néng)供應緊張的局面(miàn)會得到緩解。

唱響産業強市“新錫劇” 無錫産業大項目顯現“溢出效應”

唱響産業強市“新錫劇” 無錫産業大項目顯現“溢出效應”

唱響産業強市“新錫劇”,帶動的不僅是城市經(jīng)濟硬實力,還(hái)有民生幸福“無錫景”。

春天是播種(zhǒng)的季節,綠色孕育着希望。江蘇省無錫今年首批重大項目集中開(kāi)工的鼓聲擂響後(hòu),一季度市級重點項目推進(jìn)總體情況報表說明:無錫高新區(新吳區)以71.4%的開(kāi)工率,再次走在全市前列。

值得一提的是,華虹無錫集成(chéng)電路研發(fā)和制造基地一期工程(華虹七廠)各關鍵建設節點均較計劃提前完成(chéng);SK海力士半導體(中國(guó))有限公司(下簡稱SK海力士)二工廠將(jiāng)于4月18日舉辦竣工儀式。

伴随着項目快速推進(jìn),穩健成(chéng)長(cháng)的産業項目正逐步顯現“溢出效應”。以SK海力士爲例,自2005年落子無錫,14年累計投資額將(jiāng)達200億美元。在錫産業鏈布局不斷擴大的同時,海力士醫院、海力士學(xué)校、海力士幸福基金會等一系列民生配套相繼落戶無錫,此外,還(hái)帶火了東亞風情街、集聚了半導體配套企業。

持續擴大在錫産業鏈布局,SK 海力士將(jiāng)從“三個全省之最”迎來“三個全球之最”。

SK海力士正持續擴大在無錫的産業鏈布局

SK海力士半導體(中國(guó))有限公司法人長(cháng)徐根哲接受記者采訪時表示,將(jiāng)整個半導體産業鏈條放在無錫,是SK海力士與無錫市委市政府及無錫高新區共同努力的目标。在過(guò)去十多年中,SK海力士在無錫重點推進(jìn)半導體前道(dào)工序和後(hòu)道(dào)工序相關事(shì)業,2018年開(kāi)始推進(jìn)部署將(jiāng)韓國(guó)總部的8英寸系統芯片項目遷到無錫。此外,還(hái)將(jiāng)把原本設在上海的中國(guó)銷售總部遷移到無錫。

自2005年在無錫設立投産以來,SK海力士已成(chéng)爲江蘇省單體投資規模最大、技術水平最高、發(fā)展速度最快的外資投資企業,更成(chéng)爲韓國(guó)高科技企業在中國(guó)、江蘇投資合作經(jīng)營的成(chéng)功典範。

在采訪中得知,SK海力士二工廠項目建成(chéng)完全達産後(hòu),SK海力士無錫公司將(jiāng)形成(chéng)月産18萬片12英寸晶圓的産能(néng),年銷售額也計劃達到33億美元。待二工廠項目全部建成(chéng)投産後(hòu),公司占有中國(guó)存儲芯片市場份額也將(jiāng)從35%提高至45%,使其成(chéng)爲全球單體投資規模最大、月産能(néng)最大、技術最先進(jìn)的10納米級存儲芯片産品生産基地。

不新增用地投資86億美元,二工廠項目18日舉行竣工儀式

“無錫高新區是SK海力士中國(guó)事(shì)業戰略發(fā)展基地,我們的成(chéng)長(cháng)離不開(kāi)無錫市委市政府以及無錫高新區的信任與支持!”SK海力士半導體(中國(guó))有限公司無錫經(jīng)營企劃部部長(cháng)金大澈,參與并見證了SK海力士在無錫的發(fā)展全過(guò)程。追溯往事(shì),他用“信任”二字來爲雙方的合作背書。

爲保證SK海力士二工廠項目的順利推進(jìn),無錫市政府成(chéng)立“812項目協調推進(jìn)領導小組”,集全市之力,爲項目提供全方位支持。

在項目簽約後(hòu),“812工作小組”牽頭協調無錫市供電公司、自來水公司、蒸汽公司等相關單位,保障SK海力士二工廠項目所需的基礎設施配套,爲保證項目按時如期推進(jìn)提供了有力支撐。

新吳區政協副主席、無錫高新區招商發(fā)展中心主任金燕接受采訪時表示,投資達86億美元的二工廠項目,從談判、簽約、項目落地建設到18日舉辦竣工儀式,推進(jìn)速度如此之快,得益于政企雙方高層積極推動,以及雙方多年來信任互惠的合作基礎。

從做産業到衍生醫院、學(xué)校、基金等一系列項目,呈現“溢出效應”

基于在無錫高新區良好(hǎo)的産業基礎,SK海力士開(kāi)始在其他領域進(jìn)行嘗試——在高新區簽約建設海力士醫院、海力士學(xué)校等民生配套。

海力士學(xué)校計劃在2021年下半年建成(chéng)開(kāi)學(xué),緻力于建設無錫最頂尖的名牌民辦學(xué)校,爲該公司員工、新吳區及該市其他地區的孩子提供優質教育資源:一期計劃招收小學(xué)生1000名;二期將(jiāng)建設初中,計劃招收500名學(xué)生。

海力士醫院項目計劃在2022年建成(chéng)開(kāi)院,緻力于建設全球頂尖醫療水平的綜合醫院,爲社會提供優質的醫療服務。

除以企業之力建學(xué)校、醫院外,SK海力士還(hái)成(chéng)立了“SK海力士幸福基金會”,聯手無錫市第八人民醫院,推出配備X光、心電圖、B超等一系列診療設備的“幸福巴士”,在企業與社區提供公益服務。與此同時,舉辦相關論壇開(kāi)展半導體人才培訓。

SK海力士的“溢出效應”,還(hái)體現在拉動服務業及集聚相關半導體配套産業。受此項目輻射帶動,大批韓國(guó)員工來錫就業,帶火無錫高新區東亞風情街的日韓餐飲業;與半導體相關的配套企業也紛紛落戶于此,形成(chéng)集聚效應。