随着NAND Flash快閃存儲器及DRAM價格不斷下跌，2019年存儲器市場將(jiāng)迎接逆風。而爲了應付降價導緻的損失，包括存儲器大廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光都(dōu)計劃減少資本支出。
不過(guò)，降低成(chéng)本支出并不意味着他們不再建設工廠了，就在本周，SK Hynix正式開(kāi)工建設第7座半導體工廠──M16廠，總投資不低于15萬億韓元（約133億美元）。雖然還(hái)沒(méi)确定最終生産NAND Flash還(hái)是DRAM，但是這(zhè)座晶圓廠确定將(jiāng)會采用最先進(jìn)的EUV光刻技術。
2018年10月份，SK Hynix才剛完成(chéng)最新的M15工廠興建，并且在日前正式進(jìn)入量産，且該工廠是2015年SK Hynix宣布將(jiāng)斥資的46萬億韓元投資計劃中的一部分。M15工廠位于韓國(guó)忠清南道(dào)的清州市，投資額高達15萬億韓元，以生産3D NAND Flash爲主，初期以生産現在的72層堆疊3D NAND Flash，2019年開(kāi)始，就會轉到96層堆疊的3D NAND Flash上。
至于新動工的M16廠，在本周正式舉行開(kāi)工典禮之後(hòu)，預計2020年正式完成(chéng)，總投資額還(hái)沒(méi)确定。不過(guò)，也确定不會低于15萬億韓元。其中，基礎設施建設就要3.5萬億韓元，占地達30英畝。這(zhè)座工廠最終會以生産DRAM還(hái)是NAND Flash爲主，目前尚未确定。對(duì)此，SK Hynix表示，要看落成(chéng)時的市場需求以及工廠的技術水準來決定。
雖然，還(hái)不确定要生産什麼(me)樣的産品，不過(guò)有一點可以肯定，那就是M16工廠將(jiāng)會用上最先進(jìn)的EUV光刻技術。事(shì)實上，存儲器跟邏輯芯片不同，雖然對(duì)EUV光刻技術的需求沒(méi)那麼(me)高，不過(guò)三星、SK Hynix仍會依計劃，在未來使用EUV技術生産存儲器。而相對(duì)于韓國(guó)兩(liǎng)大存儲器廠的做法，美系廠商美光對(duì)EUV使用的态度就顯得比較保守。之前曾經(jīng)宣布，在未來2代的存儲器生産中都(dōu)將(jiāng)不會用到EUV光刻技術。
而除了韓國(guó)之外，SK Hynix在無錫也有生産DRAM的晶圓廠。無錫廠目前的一期工程産能(néng)在每月10萬到12萬片之間，是全球重要的DRAM芯片基地之一。而SK Hynixy在2018年初期，還(hái)宣布將(jiāng)投資86億美元在無錫建設第2座存儲器工廠，預計完成(chéng)後(hòu)存儲器産能(néng)將(jiāng)達到每月20萬片。
另外，日前有韓國(guó)媒體報導，目前韓國(guó)政府正在推動大型半導體制造群體，預計在10年内投資超過(guò)120萬億韓元，并納入4家大型半導體工廠及50家上下遊材料及設備供應商。其中，SK Hynix就允諾，將(jiāng)依據計劃在韓國(guó)境内再興建一座大型半導體工廠。因此，在當前半導體景氣面(miàn)臨逆風的狀态下，韓系存儲器廠的擴張計劃將(jiāng)不會有所改變。