标簽：IC芯片

日前，材料廠商鼎龍股份發(fā)布公告，旗下全資子公司湖北鼎彙微電子材料有限公司（以下簡稱“鼎彙微電子”）拟通過(guò)增資擴股引入戰略投資者——湖北省高新産業投資集團有限公司（以下簡稱“湖北高投集團”）。

公告顯示，爲深化鼎彙微電子CMP抛光墊項目的下遊市場拓展需求及未來業務發(fā)展需求，提升公司CMP 抛光墊産品的品牌影響力及拓寬項目融資渠道(dào)，鼎彙微電子拟引入國(guó)有大型投資公司資本，以增資擴股的方式引入戰略股東湖北高投集團。

湖北高投集團以鼎彙微電子投資前估值7.5億元的價格向(xiàng)其增資3000萬元，其中400萬元計入鼎彙微電子注冊資本，餘下2600萬元計入鼎彙微電子資本公積。本次增資完成(chéng)後(hòu)，湖北高投集團持有鼎彙微電子3.85%的股份比例，鼎彙微電子注冊資本共計增加400萬元。

公告介紹稱，鼎彙微電子是鼎龍股份利用首發(fā)超募資金于2015年12月投資設立，投入首發(fā)超募資金1億元用于實施集成(chéng)電路芯片抛光工藝材料的産業化一期項目。2017年7月，鼎龍股份再投入7600萬元募集資金，繼續由鼎彙微電子實施“集成(chéng)電路芯片（IC）抛光工藝材料的産業化二期項目”。

截至2018 年12月，用于上述項目的首發(fā)超募資金及非公開(kāi)募集資金已經(jīng)全部使用完畢，集成(chéng)電路芯片一二期項目已經(jīng)建設完成(chéng)并投産使用。公告顯示，鼎彙微電子2018年營業收入爲16.57萬元，淨利潤爲-471.78萬元；2019年第一季度營業收入爲41.56萬元，淨利潤爲-281.62萬元。

這(zhè)次的戰略投資方——湖北高投集團成(chéng)立于2005年，注冊資本7.2億元，總資産80多億元。該公司是經(jīng)湖北省政府同意，由湖北省科技廳聯合襄陽、宜昌、黃石、鄂州葛店四個高新區共同發(fā)起(qǐ)成(chéng)立，目前湖北省國(guó)資委持有其58.33%股份。

據官網介紹，湖北高投集團先後(hòu)累計組建了50多支不同定位的股權投資基金，累計投資支持了近300多家創業企業，已投項目中有20多家企業通過(guò)IPO、借殼及并購等方式成(chéng)功上市，40多家企業完成(chéng)新三闆挂牌。

值得一提的是，此次湖北高投集團投資鼎彙微電子也有意推動又一家企業IPO。雙方簽署的協議核心條款之一顯示，若鼎彙微電子未能(néng)在2022年12月31日之前申報科創闆的材料，并獲得上交所的受理，湖北高投集團將(jiāng)有權要求原股東鼎龍股份進(jìn)行股份回購。

核心條款還(hái)指出，若鼎彙微電子發(fā)生重大環保事(shì)故或安全生産事(shì)故，嚴重影響公司生産經(jīng)營或成(chéng)爲公司IPO實質性障礙的；或鼎彙微電子、鼎龍股份因違反法律法規而遭受重大行政處罰或刑事(shì)處罰，以緻鼎彙微電子IPO目的無法實現或使甲方的利益遭受重大損失的，湖北高投集團也有權要求原股東鼎龍股份進(jìn)行股份回購。

可見，推動鼎彙微電子在科創闆上市，是湖北高投集團與鼎龍股份此番達投資成(chéng)協議的重要目标。

鼎龍股份表示，此次交易旨在進(jìn)一步調整鼎彙微電子的股權結構，深化CMP抛光墊項目的下遊市場拓展需求及未來業務發(fā)展需求，提升公司抛光墊産品的品牌影響力及拓寬項目融資渠道(dào)。本次股份增資後(hòu)，鼎彙微電子將(jiāng)獲得融資資金保障項目後(hòu)續需求，將(jiāng)進(jìn)一步充實其現金儲備，爲後(hòu)續重點研發(fā)及市場拓展工作提供資金保障。

據了解，CMP即化學(xué)機械抛光（Chemical-MechanicalPlanarization），是在晶圓制造過(guò)程中使用化學(xué)及機械力對(duì)晶圓進(jìn)行平坦化處理的過(guò)程。相關數據顯示，CMP材料在半導體材料中整體占比高達7%，其中抛光墊在CMP材料中的價值量占比約60%。目前爲止，我國(guó)集成(chéng)電路制造環節所使用的CMP抛光墊幾乎100%依賴進(jìn)口，國(guó)産化勢在必行。

鼎龍股份于2015年投資設立鼎彙微電子并正式啓動CMP産業化項目，據其2018年年報顯示，其CMP抛光墊已經(jīng)實現銷售，并獲得了多家主流客戶的認證和訂單。

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近日，國(guó)家工信部副部長(cháng)王志軍在接受媒體采訪時談及中國(guó)芯片産業發(fā)展時表示，我國(guó)集成(chéng)電路産業自2012年以來，以年均20%以上的速度快速增長(cháng)，2018年全行業銷售額6532億元，技術水平也不斷提高。

當前，我國(guó)芯片設計水平提升3代以上，海思麒麟980手機芯片采用了全球最先進(jìn)的7納米工藝；制造工藝提升了1.5代，32/28納米工藝實現規模量産，16/14納米工藝進(jìn)入客戶導入階段；存儲芯片進(jìn)行了初步布局，64層3D NAND閃存芯片預計今年下半年量産；先進(jìn)封裝測試規模在封測業中占比達到約30%；刻蝕機等高端裝備和靶材等關鍵材料取得突破。

不過(guò)，王志軍也表示，與國(guó)際先進(jìn)水平相比，我國(guó)集成(chéng)電路的總體設計、制造、檢測及相關設備、原材料生産還(hái)有相當的差距。

王志軍指出，下一步，我國(guó)將(jiāng)更大範圍更深層次地融入全球集成(chéng)電路産業生态體系。堅持開(kāi)放創新合作發(fā)展，推進(jìn)産業鏈各環節開(kāi)放式創新發(fā)展。堅持優化環境、機遇共享，對(duì)内外資一視同仁，加強知識産權保護，與全球集成(chéng)電路産業界共同分享中國(guó)市場帶來的發(fā)展機遇。

摩爾定律的延伸受到物理極限、巨額資金投入等多重壓力，迫切需要别開(kāi)蹊徑延續工藝進(jìn)步。而通過(guò)先進(jìn)封裝集成(chéng)技術，可以更輕松地實現高密度集成(chéng)、體積微型化和更低的成(chéng)本。封裝行業將(jiāng)在集成(chéng)電路整體系統整合中扮演更重要的角色，也將(jiāng)對(duì)産業的格局形成(chéng)更多影響。随着先進(jìn)封裝的推進(jìn)，集成(chéng)電路産業將(jiāng)展現出一些新的發(fā)展趨勢，有先進(jìn)封裝的集成(chéng)電路産業樣貎將(jiāng)會有所不同。

先進(jìn)封裝增速遠超傳統封裝

當前社會正處于新技術與新應用全面(miàn)爆發(fā)的背景下，移動設備、大數據、人工智能(néng)、5G通信、高性能(néng)計算、物聯網、智能(néng)汽車、智能(néng)工業等快速發(fā)展。這(zhè)些技術與應用必將(jiāng)對(duì)底層芯片技術産生新的需求。據麥姆斯咨詢的介紹，支持這(zhè)些新興大趨勢的電子硬件需要高計算能(néng)力、高速度、更多帶寬、低延遲、低功耗、更多功能(néng)、更多内存、系統級集成(chéng)、更精密的傳感器，以及最重要的低成(chéng)本。這(zhè)些新興趨勢將(jiāng)爲各種(zhǒng)封裝平台創造商機，而先進(jìn)封裝技術是滿足各種(zhǒng)性能(néng)要求和複雜異構集成(chéng)需求的理想選擇。

目前來看，扇出型封裝(FOWLP/)、系統級封裝(SiP)、3D封裝是最受關注的三種(zhǒng)先進(jìn)封裝技術。扇出型封裝是晶圓級封裝中的一種(zhǒng)，相對(duì)于傳統封裝具有不需要引線框、基闆等介質的特點，因此可以實現更輕薄短小的封裝。根據IC Insight預計，在未來數年之内，利用扇出型封裝技術生産的芯片，每年將(jiāng)以32%的增長(cháng)率持續擴大，2023年扇出型封裝市場規模將(jiāng)超過(guò)55億美元。

系統級封裝可以將(jiāng)一個或多個IC芯片及被動元件整合在一個模塊中，從而實現具有完整功能(néng)的電路集成(chéng)，它也可以降低成(chéng)本，縮短上市時間，同時克服了SoC中諸如工藝兼容、信号混合、噪聲幹擾、電磁幹擾等難題。

3D封裝通過(guò)晶圓級互連技術實現芯片間的高密度封裝，可以有效滿足高功能(néng)芯片超輕、超薄、高性能(néng)、低功耗及低成(chéng)本的需求，被大多半導體廠商認爲是最具有潛力的封裝方法。

總之，在市場需求的帶動下，越來越多先進(jìn)封裝技術被開(kāi)發(fā)出來，先進(jìn)封裝的市場占比將(jiāng)會進(jìn)一步擴大。統計數據顯示，從2017年到2023年，整個半導體封裝市場的營收將(jiāng)以5.2%的年複合增長(cháng)率增長(cháng)，而先進(jìn)封裝市場將(jiāng)以7%的年複合增長(cháng)率增長(cháng)，市場規模到2023年將(jiāng)增長(cháng)至390億美元，傳統封裝市場的複合年增長(cháng)率則低于3.3%。

展現三大發(fā)展趨勢

随着先進(jìn)封裝技術的發(fā)展以及市場規模的擴大，其對(duì)于整個集成(chéng)電路産業結構將(jiāng)産生越來越大的影響。首先是中段工藝的出現并逐漸形成(chéng)規模。随着傳統封裝技術向(xiàng)先進(jìn)封裝過(guò)渡，有别于傳統封裝技術的凸塊(Bumping)、再布線(RDL)、矽通孔(TSV)等中段工藝被開(kāi)發(fā)出來，并且開(kāi)始發(fā)揮重要作用。中芯長(cháng)電半導體首席執行官崔東表示，僅靠縮小線寬的辦法已經(jīng)無法同時滿足性能(néng)、功耗、面(miàn)積，以及信号傳輸速度等多方面(miàn)的要求，因此半導體企業開(kāi)始把注意力放在系統集成(chéng)層面(miàn)來尋找解決方案，也就是通過(guò)先進(jìn)的矽片級封裝技術，把不同工藝技術代的裸芯封裝在一個矽片級的系統裡(lǐ)，兼顧性能(néng)、功耗和傳輸速度的要求。這(zhè)就産生了在矽片級進(jìn)行芯片之間互聯的需要，進(jìn)而産生了凸塊、再布線、矽通孔等中段工藝。而中段矽片加工的出現，也打破了前後(hòu)段芯片加工的傳統分工方式。

其次，制造與封裝將(jiāng)形成(chéng)新的競合關系。由于先進(jìn)封裝帶來的中段工藝，封測業和晶圓制造業有了更緊密的聯系，在帶來發(fā)展機遇的同時，也面(miàn)臨着新的挑戰。中段封裝的崛起(qǐ)必然擠壓晶圓制造或者封裝測試業的份額。有迹象表明，部分晶圓廠已加大在中段封裝工藝上的布局。晶圓廠有着技術和資本的領先優勢，將(jiāng)對(duì)封測廠形成(chéng)較大的競争壓力。傳統封測廠較晶圓制造業相比屬于輕資産，引入中段工藝後(hòu)，設備資産比重較傳統封裝大大增加，封測業的先進(jìn)技術研發(fā)和擴産將(jiāng)面(miàn)臨較大的資金壓力。

最後(hòu)，推動集成(chéng)電路整體實力的提升。後(hòu)摩爾時代的集成(chéng)電路産業更強調産業鏈的緊密合作，強化産業鏈上下遊之間的内在聯系，要求各個環節不再是割裂地單獨進(jìn)行生産加工，而是要求從系統設計、産品設計、前段工藝技術和封測各個環節開(kāi)展更加緊密的合作。企業對(duì)于先進(jìn)封裝業務的競争，最終還(hái)需表現爲産業鏈之間綜合實力的競争。

中國(guó)應加快虛拟IDM生态鏈建設

近幾年中國(guó)集成(chéng)電路封測産業實現了高速發(fā)展，有了長(cháng)足的進(jìn)步，然而國(guó)内集成(chéng)電路封測産業鏈整體技術水平不高也是不争的事(shì)實。半導體專家莫大康認爲，中國(guó)現在非常重視集成(chéng)電路産業，推動先進(jìn)封裝業的發(fā)展就是非常必要的了。中國(guó)的封裝測試是集成(chéng)電路三業(設計、制造、封測)中起(qǐ)步最早的，與國(guó)際水平差距也比較小，因此完全有能(néng)力發(fā)展起(qǐ)來。

華進(jìn)半導體總經(jīng)理曹立強在近日的演講中再次提出，推動國(guó)内“EDA軟件—芯片設計—芯片制造—芯片封測—整機應用”集成(chéng)電路産業鏈虛拟IDM生态鏈的建設，以市場需求牽引我國(guó)集成(chéng)電路封測産業快速發(fā)展。集成(chéng)電路的競争最終會表現爲産業鏈之間綜合實力的競争，先進(jìn)封裝的發(fā)展需要從工藝、設備和材料等方面(miàn)的協同。

在新的技術趨勢和競争環境下，集成(chéng)電路産業越來越表現爲産業鏈整體實力的競争。過(guò)去幾年，國(guó)際半導體制造公司紛紛加大力度向(xiàng)先進(jìn)工藝挺進(jìn)，在持續大規模資本投入擴建産能(néng)的帶動下，一些半導體制造大廠同樣具備了完整的先進(jìn)封裝制造能(néng)力。

應對(duì)這(zhè)樣的産業形勢，曹立強指出，重點在于突破一些關鍵性技術，如高密度封裝關鍵工藝、三維封裝關鍵技術、多功能(néng)芯片疊層集成(chéng)關鍵技術、系統級封裝關鍵技術等。建設立足應用、重在轉化、多功能(néng)、高起(qǐ)點的虛拟IDM産業鏈，解決集成(chéng)電路産業領域的關鍵技術，突破技術瓶頸。

清華控股對(duì)紫光集團的股權轉讓事(shì)宜有了新進(jìn)展。

2018年10月，紫光集團的實際控制人清華控股與深圳市投資控股有限公司（以下簡稱“深投控”）及紫光集團共同簽署《合作框架協議》，清華控股拟向(xiàng)深投控轉讓所持有的紫光集團36%股權，深投控以現金支付對(duì)價。股權轉讓完成(chéng)後(hòu)，深投控、清華控股將(jiāng)在紫光集團分别持股36%、15%。

公告顯示，《合作框架協議》簽訂後(hòu)，清華控股、深投控、紫光集團將(jiāng)在上述合作原則的基礎上推進(jìn)相關工作，深投控安排專業機構對(duì)紫光集團進(jìn)行盡職調查，力争自《合作框架協議》簽訂之日起(qǐ)1個月内簽訂正式交易文件。 

如今距協議簽訂之日已過(guò)去3個月時間，終于傳來進(jìn)展消息。

1月28日，紫光集團旗下港股上市公司紫光控股發(fā)布公告稱，截至本公告日期，深投控仍在對(duì)紫光集團進(jìn)行盡職調查，但該項工作已接近尾聲。同時，清華控股、紫光集團及深投控仍在就將(jiāng)簽署的轉讓協議及一緻行動協議的内容進(jìn)行協商，暫無其他進(jìn)展。

根據此前公告，清華控股和深投控應在簽署股權轉讓協議的當天，簽署《一緻行動協議》或作出其他安排，約定本次股權轉讓完成(chéng)後(hòu)由清華控股和深投控一緻行動或作出類似安排，達到將(jiāng)紫光集團納入深投控合并報表範圍的條件，以實現深投控對(duì)紫光集團的實際控制。

深投控是深圳市人民政府國(guó)有資産監督管理委員會全資子公司，據悉是深圳國(guó)資旗下六大投資平台之一，是深圳最大的國(guó)資運作平台、國(guó)有資本投資界的“巨無霸”，集中了深圳市屬國(guó)有主要金融資産，資産規模高達數千億。

這(zhè)次股份轉讓被業界看做是紫光集團的第三次改革。清華控股表示，通過(guò)跨地域國(guó)有産權的合作，可以進(jìn)一步提升紫光集團的發(fā)展潛力和競争力，更好(hǎo)地發(fā)揮協同和整合效應，從而實現強強聯合，進(jìn)一步促進(jìn)公司的健康發(fā)展。

盡管相關協議仍在協商，但随着盡職調查工作進(jìn)入尾聲，紫光集團納入深圳國(guó)資旗下的時間將(jiāng)越來越近。

1月9日，耐威科技發(fā)布公告稱，旗下全資子公司將(jiāng)對(duì)外投資設立參股子公司，專門從事(shì)導航與DSP芯片。

根據公告，耐威科技全資子公司北京微芯科技有限公司（以下簡稱“微芯科技”）與北京中自投資管理有限公司（以下簡稱“中自投資”）、北京頂芯科技中心（有限合夥）（以下簡稱“頂芯科技”）簽訂《投資協議書》，共同投資設立參股子公司北京中科昊芯科技有限公司（暫定名，以下簡稱“中科昊芯”）。

其中，微芯科技拟使用自有資金人民币1000萬元投資中科昊芯，持有中科昊芯34%的股權；中自投資以及頂芯科技則分别持有中科昊芯9.75%、56.25%的股權，中自投資是中國(guó)科學(xué)院自動化研究所獨資設立的資産管理公司，而頂芯科技的三位主要核心人員亦均在中國(guó)科學(xué)院自動化研究所工作。

耐威科技指出，根據公司的發(fā)展戰略與規劃，此次微芯科技投資設立的參股子公司主要從事(shì) 導航與DSP芯片的研發(fā)設計，有利于促進(jìn)公司與中國(guó)科學(xué)院自動化研究所在相關業務領域的合作，充分發(fā)揮各方的技術及資金、市場等優勢，聚合資源，促進(jìn)公司相關業務的長(cháng)遠發(fā)展。

據了解，DSP芯片（Digital Signal Processor，高性能(néng)數字信号處理器）可將(jiāng)模拟信号轉換成(chéng)數字信号，用于專用處理器的高速實時處理，具有高速、靈活、可編程等功能(néng)，在圖形圖像處理、語音處理、信号處理等通信領域起(qǐ)到越來越重要的作用。目前，全球DSP芯片大部分市場份額被TI、ADI、摩托羅拉等國(guó)際廠商所占有。

中國(guó)科學(xué)院自動化研究所于1985年即成(chéng)立了國(guó)家專用集成(chéng)電路設計工程技術研究中心，自上世紀九十年代即開(kāi)始緻力于DSP領域的研究工作。2000年起(qǐ)，該中心承擔了多項國(guó)家重大任務，自主研制成(chéng)功一系列具有國(guó)内領先、國(guó)際先進(jìn)水平的DSP芯片産品。

目前，耐威科技一方面(miàn)大力發(fā)展導航、MEMS、航空電子三大核心業務，一方面(miàn)積極布局智能(néng)制造、無人系統、第三代半導體材料和器件等業務。公告稱，中科昊芯若能(néng)順暢運營并充分發(fā)揮各項優勢，成(chéng)功推動自主導航與DSP芯片的研發(fā)及産業化，將(jiāng)對(duì)公司相關業務的發(fā)展産生積極影響。

日前耐威科技發(fā)布業績預告，預計2018年1-12月歸屬上市公司股東的淨利潤9202.53萬元至1.07億元，同比上升90.00%~120.00%。

日前，設備廠商北方華創拟募資21億元投建兩(liǎng)大項目，其中5/7納米集成(chéng)電路設備爲建設重點，大基金、北京集成(chéng)電路等參與認購。

募資21億元，大基金等參與認購

1月4日，北方華創公告稱，公司拟向(xiàng)國(guó)家集成(chéng)電路産業投資基金股份有限公司（以下簡稱“大基金”）、北京電子控股有限責任公司（以下簡稱“北京電控”）、北京京國(guó)瑞國(guó)企改革發(fā)展基金（有限合夥）（以下簡稱“京國(guó)瑞基金”）、北京集成(chéng)電路制造和裝備股權投資中心（有限合夥）（以下簡稱“北京集成(chéng)電路基金”）共4名符合中國(guó)證監會規定的特定對(duì)象非公開(kāi)發(fā)行股票募集資金，募集資金總額不超過(guò)21億元。

上述4名認購方均以現金方式認購，其中大基金認購金額爲9.2億元、北京電控認購金額爲6億元、京國(guó)瑞基金認購金額爲5億元、北京集成(chéng)電路基金認購金額爲8000萬元。北方華創于2019年1月4日與上述發(fā)行對(duì)象簽署了附條件生效的《股份認購協議》。

公告顯示，在本次非公開(kāi)發(fā)行前，大基金持有公司7.50%股份，本次發(fā)行完成(chéng)後(hòu)預計仍持有公司 5%以上的股份；北京電控持有公司48.13%股份，爲公司實際控制人，本次發(fā)行完成(chéng)後(hòu)北京電控仍爲公司實際控制人。

北方華創表示，公司通過(guò)本次非公開(kāi)發(fā)行，積極布局新技術，提升公司集成(chéng)電路設備技術水平；增強核心競争力，進(jìn)一步實現公司戰略目标；發(fā)揮資本的作用，加速公司規模化發(fā)展的步伐。

投建兩(liǎng)大項目，發(fā)力5/7納米

這(zhè)次非公開(kāi)發(fā)行股票所募集資金扣除發(fā)行費用後(hòu)，將(jiāng)全部用于“高端集成(chéng)電路裝備研發(fā)及産業化項目”和“高精密電子元器件産業化基地擴産項目”的建設。其中，高端集成(chéng)電路裝備研發(fā)及産業化項目預計投資總額20.05億元，拟使用募集資金18.80億元；高精密電子元器件産業化基地擴産項目預計投資總額2.42億元，拟使用募集資金2.20億元。

報告顯示，高端集成(chéng)電路裝備研發(fā)及産業化項目的建設内容包括：28納米以下集成(chéng)電路裝備搭建産業化工藝驗證環境和實現産業化；建造集成(chéng)電路裝備創新中心樓及購置5/7納米關鍵測試設備和搭建測試驗證平台；開(kāi)展5/7納米關鍵集成(chéng)電路裝備的研發(fā)并實現産業化應用。

該項目設計産能(néng)爲年産刻蝕裝備30台、PVD裝備30台、單片退火裝備15台、ALD裝備30台、立式爐裝備30台、清洗裝備30台。項目總計劃工期25個月，完全達産後(hòu)預計達産年年平均銷售收入爲 26.38億元。

從建設内容可見，5/7納米集成(chéng)電路裝備爲該項目的建設重點。北方華創指出，5納米技術代優勢明顯，將(jiāng)成(chéng)爲集成(chéng)電路制造技術發(fā)展的必然趨勢，AI、5G等先進(jìn)技術對(duì)芯片高性能(néng)、低功耗提出的更高要求也將(jiāng)帶動集成(chéng)電路芯片向(xiàng) 5/7 納米發(fā)展。

這(zhè)種(zhǒng)發(fā)展趨勢對(duì)于集成(chéng)電路設備産業有着很大的影響，一方面(miàn)，爲了滿足制造工藝的苛刻要求，設備研發(fā)中需要攻克的技術難點更多、研發(fā)投入更大、研發(fā)周期更長(cháng)， 需要有充足的核心技術研發(fā)儲備；另一方面(miàn)，如果設備研發(fā)成(chéng)功，設備的售價將(jiāng)較以往技術代的設備售價更高，投資回報更加可觀。 

目前，北方華創的14納米設備已交付至客戶端進(jìn)行工藝驗證，這(zhè)次募投項目將(jiāng)在28納米的基礎上，進(jìn)一步實現14納米設備的産業化，開(kāi)展5/7納米設備的關鍵技術研發(fā)。

此外，高精密電子元器件産業化基地擴産項目預計投資總額2.42億元，拟使用募集資金2.20億元。項目建設内容包括廠房建設、生産設施、輔助動力設施、環保設施、安全設施、消防設施、管理設施等。項目設計産能(néng)爲年産模塊電源5.8萬隻，總計劃工期24個月，完全達産後(hòu)預計達産年年平均銷售收入爲 1.62億元。

北方華創表示，本次募投項目順利實施後(hòu)，公司整體技術實力將(jiāng)進(jìn)一步提高，主營業務優勢將(jiāng)進(jìn)一步加強，高端半導體裝備的産業化能(néng)力也將(jiāng)實現快速發(fā)展，有利于進(jìn)一步提升公司的市場影響力、提高盈利水平。

日前上海新昇大矽片剛通過(guò)了中芯國(guó)際的認證，如今另一家大矽片企業杭州立昂微電子股份有限公司（以下簡稱“立昂微電”）亦遞交了IPO招股書，拟登陸A股。

招股書顯示，立昂微電拟在上海證券交易所首次公開(kāi)發(fā)行新股4058萬股，占發(fā)行後(hòu)總股本的比例不低于10.00%、不超過(guò)10.131%，募集資金13.5億元用于年産120萬片集成(chéng)電路8英寸矽片項目和年産12萬片6英寸第二代半導體射頻集成(chéng)電路芯片項目。

橫跨分立器件、矽片兩(liǎng)大細分領域

資料顯示，立昂微電成(chéng)立于2002年3月，是一家專注于集成(chéng)電路用半導體材料和半導體功率芯片設計、開(kāi)發(fā)、制造、銷售的高新技術企業。

立昂微電自身主要從事(shì)半導體分立器件業務，主要産品包括肖特基二極管芯片、MOSFET芯片、肖特基二極管等。據悉，立昂微電成(chéng)立之初引進(jìn)安森美的全套肖特基芯片工藝技術、生産設備及質量管理體系，建立了6英寸半導體生産線，随後(hòu)于2012年收購日本三洋半導體和日本旭化成(chéng)MOSFET功率器件生産線。

招股書顯示，2016年立昂微電順利通過(guò)博世和大陸集團的體系認證，成(chéng)爲國(guó)内少數獲得車載電源開(kāi)關資格認證的肖特基二極管芯片供應商，2017年立昂微電以委外加工模式將(jiāng)産品線拓展延伸至半導體分立器件成(chéng)品。根據中國(guó)半導體行業協會最新統計，立昂微電在2017年中國(guó)半導體功率器件十強企業評選中位列第八名。

2015年，立昂微電全資收購國(guó)内半導體矽片制造企業浙江金瑞泓，其主營業務從分立器件延伸至上遊半導體矽片。目前擁有浙江金瑞泓、立昂半導體、立昂東芯、衢州金瑞泓、金瑞泓微電子5家控股子公司，以及綠發(fā)農銀、綠發(fā)金瑞泓、綠發(fā)立昂3家參股有限合夥企業。

其中，浙江金瑞泓、衢州金瑞泓主要從事(shì)半導體矽片業務，主要産品包括矽研磨片、矽抛光片、矽外延片等；金瑞泓微電子主要從事(shì)12英寸半導體矽片業務，立昂東芯主要從事(shì)微波射頻集成(chéng)電路芯片業務。

2016年12月，在衢州市委、市政府的支持下，立昂微電在衢州投資50億元，建設集成(chéng)電路用大矽片基地，成(chéng)立了金瑞泓科技（衢州）有限公司。今年3月，立昂微電投資的8英寸矽片生産線項目已正式投産；今年5月，立昂微電子與衢州政府簽約，在衢州再追加投資83億元，建設年産360萬片集成(chéng)電路用12英寸矽片項目。

截至2017年底，浙江金瑞泓具備月産12萬片8英寸矽抛光片的生産能(néng)力，還(hái)具有8英寸矽外延片的批量生産能(néng)力，并已完成(chéng)12英寸矽片的相關技術開(kāi)發(fā)，客戶群體包括AOS、ONSEMI、日本東芝、中芯國(guó)際、華虹宏力、華潤上華、華潤微電子、士蘭微等企業。

根據中國(guó)半導體行業協會統計，報告期内浙江金瑞泓在2015年至2017年中國(guó)半導體材料十強企業評選中均位列第一名。

立昂微電于2015年、2016年、2017年、2018年1-6月依次實現營收爲5.91億元、6.70億元、9.32億元、5.26億元，實現淨利潤依次爲3824.03萬元、6574.29萬元、1.05億元、5601.43萬元。分立器件和矽片兩(liǎng)大主營業務收入占其營收比重均在98%以上，其中半導體矽片收入占主營業務收入的比例依次爲60.11%、57.00%、52.30%、60.71%。

募資13.5億元用于兩(liǎng)大主業

招股書顯示，立昂微電本次公開(kāi)發(fā)行不超過(guò)4058萬股A股普通股，實際募集資金扣除發(fā)行費用後(hòu)的淨額將(jiāng)依次用于與公司主營業務相關的兩(liǎng)大投資項目：年産120萬片集成(chéng)電路8英寸矽片項目和年産12萬片6英寸第二代半導體射頻集成(chéng)電路芯片項目。

這(zhè)次募投項目總投資約17.12億元，拟使用募集資金投入不超過(guò)13.5億元，若實際募集資金（扣除發(fā)行費用後(hòu)）不能(néng)滿足上述項目的投資需要，資金缺口由公司通過(guò)自籌方式解決。

其中，8英寸矽片項目總投資約7.04億元，拟投入募集資金5.5億元，項目用地約136畝，將(jiāng)新增單晶爐等共計360台（套）設備，項目設計年産能(néng)爲120萬片集成(chéng)電路用8英寸矽片，項目計劃建設期爲24個月，項目達産後(hòu)預計年新增銷售收入4.8億元。

立昂微電表示，該矽片項目是現有業務的擴大再生産，爲公司發(fā)揮規模效應、提高市場占有率提供有力保障，能(néng)快速擴大企業8英寸矽片産品的生産規模，緩解當前産能(néng)壓力，提升公司盈利能(néng)力。

此外，6英寸射頻芯片項目總投資約10.08億元，拟投入募集資金8億元，將(jiāng)新增刻蝕機等各類生産、檢測及輔助設備、儀器共計248台（套），項目設計年産能(néng)爲12萬片6英寸第二代半導體射頻集成(chéng)電路芯片（砷化镓微波射頻集成(chéng)電路芯片），項目建設期爲60個月，項目達産後(hòu)預計年新增銷售收入10.08億元。

立昂微電亦指出，公司現已具備量産砷化镓芯片的能(néng)力，相關産品已處于認證階段，該射頻芯片項目是對(duì)現已業務的延伸和擴展，將(jiāng)豐富和完善公司的産品結構和業務體系，進(jìn)一步提升公司的市場競争力。

近年來不斷有半導體企業沖刺IPO，今年更甚。證監會今年曾發(fā)聲支持國(guó)内符合條件的芯片産業企業上市融資，業界認爲該表态將(jiāng)明顯利好(hǎo)于芯片企業沖刺IPO，此次立昂微電能(néng)否順利過(guò)會？我們且拭目以待。