标簽：晶圓制造

芯片被喻爲“工業糧食”，是所有整機設備的“心髒”，更是高端制造業的“皇冠明珠”。而粵港澳大灣區擁有最大的芯片需求市場。全球將(jiāng)近1.4萬億元的半導體芯片市場份額，實際上近60%的芯片市場在中國(guó)，中國(guó)近60%是在珠三角。9月20日，随着粵芯12英寸晶圓項目在黃埔區、廣州開(kāi)發(fā)區投産，廣州第一條、廣東省唯一一條量産的12英寸芯片生産線橫空出世，标志着廣州先進(jìn)制造業“缺芯”成(chéng)爲曆史。

目标：帶動形成(chéng)千億元産值規模

“一般芯片企業投産需要36個月時間，而‘廣州第一芯’粵芯12英寸晶圓項目僅18個月就投産，這(zhè)是世界級的速度。”據粵芯半導體副總裁李海明介紹，過(guò)去一年，粵芯實現了從無到有的突破，自2018年3月打樁到今年9月正式投産，并快速趕超海内外業界同行。

“項目總投資288億元，分兩(liǎng)期建設，目前投産的是第一期的上半段，産能(néng)2萬片。我們正考慮加速第二期的計劃，第二期投産後(hòu)産能(néng)將(jiāng)擴大到8萬片。”粵芯12英寸晶圓項目堅持自主創新，在國(guó)内首創了虛拟IDM(Virtual IDM)運營模式，粵芯半導體聯合芯片設計客戶進(jìn)行工藝平台的訂制開(kāi)發(fā)，成(chéng)爲國(guó)内首個可爲客戶“定制芯片”的芯片企業，將(jiāng)極大提高客戶生産效率、降低成(chéng)本。

随着粵芯量産，粵港澳大灣區將(jiāng)形成(chéng)芯片“一日産業群”，助力粵港澳大灣區發(fā)展：“我們可以直接服務廣東、粵港澳大灣區的産業群。這(zhè)些大灣區的企業用的芯片之前有可能(néng)來自其他地方，大灣區内很難形成(chéng)芯片‘一日産業群’。随着粵芯量産，芯片從設計到制造、封裝都(dōu)在大灣區内完成(chéng)，形成(chéng)完整産業鏈，將(jiāng)帶動廣州乃至粵港澳大灣區新一代信息技術、消費電子、人工智能(néng)等産業發(fā)展。”

李海明告訴記者：“未來粵芯將(jiāng)以高端模拟芯片、汽車電子、生物醫療檢測、5G前端模塊等國(guó)内較爲稀缺的産品爲主要方向(xiàng)，預計實現百億級的銷售目标，進(jìn)一步帶動上下遊企業形成(chéng)千億元産值的規模。”

政策扶持吸引企業人才紛至沓來

之所以粵芯能(néng)在如此短的時間内投産，廣州綜合城市功能(néng)不斷完善、不斷出新出彩是重要原因。“綜合城市功能(néng)不斷完善，才能(néng)彙集高端産業和人才。”據李海明介紹，省市區各級政府大力支持，制定了産業方面(miàn)大量優惠措施、扶持政策，開(kāi)發(fā)區爲粵芯進(jìn)行“信任審批”，各項審批工作并聯進(jìn)行，節省了大量時間。

人才是第一資源，芯片是人才密集型産業，引進(jìn)人才才能(néng)帶來技術。不僅是粵芯，集成(chéng)電路産業創新園區内的其他企業也看中了廣州的市場需求、人才資源，以及開(kāi)發(fā)區的營商環境和企業扶持政策等，拿腳投票，紛至沓來。

紫光集團官方消息顯示，9月27日，“成(chéng)都(dōu)紫光集成(chéng)電路産業基金”設立啓動會在四川省成(chéng)都(dōu)市天府新區舉行。

活動上，西藏紫光投資基金董事(shì)長(cháng)鄭鉑代表紫光集團與成(chéng)都(dōu)空港興城投資集團、成(chéng)都(dōu)天府新區投資集團、成(chéng)都(dōu)産業投資集團先進(jìn)制造産業投資公司、成(chéng)都(dōu)交子金融控股集團簽署了《成(chéng)都(dōu)紫光集成(chéng)電路産業股權投資基金（有限合夥）合夥協議》。

據介紹，成(chéng)都(dōu)紫光集成(chéng)電路産業基金總規模580.02億元、一期規模280.02億元，采用“雙GP”模式實施管理，將(jiāng)主要投資紫光成(chéng)都(dōu)存儲器制造基地項目，用于支持芯片工廠一期的建設及運營，爲紫光成(chéng)都(dōu)存儲器制造基地項目發(fā)展按下“快進(jìn)鍵”。

根據基金合夥人之一成(chéng)都(dōu)空港興城投資集團官方發(fā)布的詳細信息，該基金的一期280.02億元，成(chéng)都(dōu)市（市、區兩(liǎng)級）出資230億元，紫光集團出資50億元；二期300億元由紫光集團于2020年啓動募集、2021年底前全部到位。

具體而言，成(chéng)都(dōu)天府新區投資集團有限公司與成(chéng)都(dōu)空港興城投資集團有限公司分别認繳出資額74.75萬元，成(chéng)都(dōu)交子金融控股集團有限公司與成(chéng)都(dōu)先進(jìn)制造産業投資公司分别認繳出資額40.25億元，西藏紫光新業投資有限公司認繳出資額50億元，西藏紫光投資基金有限責任公司與成(chéng)都(dōu)空港産業興城投資發(fā)展有限公司分别認繳出資額100萬元。

基金期限方面(miàn)，合夥企業續存期限爲10年，其中投資期5年，退出期5年；“雙GP”管理模式即由成(chéng)都(dōu)空港産業興城投資發(fā)展有限公司擔任成(chéng)都(dōu)方GP，作爲執行事(shì)務合夥人。西藏紫光投資基金有限責任公司擔任紫光方GP，作爲普通合夥人。

該基金的核心投資标的——成(chéng)都(dōu)紫光集成(chéng)電路基地項目于2018年10月正式開(kāi)工，該項目占地面(miàn)積約1200畝，總投資達240億美元，將(jiāng)建設12寸3D NAND存儲器晶圓生産線，并開(kāi)展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯産品的研發(fā)、制造和銷售，預計在2022年實現一期10萬片/月的達産目标。

據紫光集團聯席總裁王慧軒表示，紫光已在成(chéng)都(dōu)落地多個項目。紫光展銳已在成(chéng)都(dōu)投資建設其全球三大總部之一及全球研發(fā)基地；紫光旗下新華三集團在成(chéng)都(dōu)布局雲計算業務全國(guó)運營總部及研發(fā)中心；紫光芯雲中心也已在成(chéng)都(dōu)落地。

現在成(chéng)立的成(chéng)都(dōu)紫光集成(chéng)電路産業基金，將(jiāng)進(jìn)一步支持紫光成(chéng)都(dōu)存儲器制造基地項目建設。

近日，科銳在官網宣布擴産計劃進(jìn)展，表示將(jiāng)在美國(guó)紐約州建造全球最大SiC制造工廠。

通過(guò)與紐約州州長(cháng)（Andrew M. Cuomo）辦公室以及其他州立與當地機構和實體的戰略合作，科銳決定在美國(guó)紐約州Marcy建造一座全新的采用最先進(jìn)技術并滿足車規級标準的200mm功率和射頻（RF）晶圓制造工廠，而與之相輔相成(chéng)的超級材料工廠（mega materials factory）的建造擴産正在公司達勒姆總部開(kāi)展進(jìn)行。

作爲該合作的一部分，科銳將(jiāng)投資近10億美元，用于在紐約州fab的建造、設備和其它相關成(chéng)本。紐約州將(jiāng)提供來自Empire State Development 的5億美元資金，同時科銳可以享受額外的當地激勵政策和減稅以及來自紐約州立大學(xué)的設備和工具。

這(zhè)一新制造工廠旨在顯著提升用于Wolfspeed碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）業務的産能(néng)，將(jiāng)建設成(chéng)爲一座規模更大、高度自動化和更高生産能(néng)力的工廠。

新工廠計劃將(jiāng)于2022年實現量産，完工面(miàn)積達到480,000平方英尺，其中近1/4將(jiāng)是超淨間，提供未來所需産能(néng)擴充。這(zhè)些擴展計劃，將(jiāng)進(jìn)一步提升科銳在市場競争的領先地位，加速碳化矽（SiC）在一系列高增長(cháng)産業中的采用。

科銳指出，公司將(jiāng)繼續推進(jìn)從矽（Si）向(xiàng)碳化矽（SiC）技術的轉型，滿足公司開(kāi)創性Wolfspeed技術日益提升的需求，支持電動汽車（EV）、4G/5G移動和工業市場的不斷增長(cháng)。

從行業基本面(miàn)來看，雖然自2018年下半年開(kāi)始半導體行業景氣度波動下行，但最新銷售額以及設備等出現了企穩迹象，并且大陸半導體廠商在存儲、晶圓制造等傳統薄弱環節屢獲重要進(jìn)展，不少A股公司擔綱重要角色，推動芯片自主國(guó)産化。

存儲項目獲進(jìn)展

據統計，在半導體品類中存儲産品占比最大，并且随着市場和産業發(fā)展，銷售額持續擴大。但長(cháng)期以來，國(guó)際存儲領域在三星、美光、海力士壟斷的背景下，中國(guó)大陸存儲逐步形成(chéng)國(guó)産化布局，長(cháng)鑫存儲進(jìn)展成(chéng)爲最新破冰之舉。

安徽省政府官網資訊顯示，日前總投資超過(guò)2200億元的合肥長(cháng)鑫集成(chéng)電路制造基地項目在2019世界制造業大會上簽約，其中長(cháng)鑫存儲12英寸存儲器晶圓制造基地項目總投資約1500億元。

據介紹，長(cháng)鑫存儲技術有限公司是中國(guó)第一家投入量産的DRAM芯片設計制造一體化企業，項目由合肥市産業投資（控股）集團有限公司和兆易創新(180.290, 16.39, 10.00%)合作投資，長(cháng)鑫存儲負責管理和運營，系中國(guó)大陸唯一擁有完整技術、工藝和生産運營團隊的DRAM項目。其中，兆易創新與合肥産投、合肥長(cháng)鑫集成(chéng)電路有限責任公司簽署《可轉股債權投資協議》，約定以可轉股債權方式投資3億元。

長(cháng)鑫存儲項目將(jiāng)建設3座12英寸DRAM存儲器晶圓工廠，打造研發(fā)、生産、銷售于一體的存儲器芯片國(guó)産化生産基地，預計三期滿産後(hòu)，産能(néng)達每月36萬片。基地建成(chéng)後(hòu)，預計可形成(chéng)産值規模超2000億元。

對(duì)于長(cháng)鑫存儲項目，資本市場市場反響熱烈。自8月中旬以來，兆易創新股價持續上揚，9月23日再度漲停，報收180.29元，創曆史新高。值得注意的是，當初與兆易創新競購國(guó)際存儲标的ISSI的北京君正(62.530, 2.56, 4.27%)，9月以來公司股價累計漲幅超過(guò)36%，目前該項收購已獲證監會受理。

昨日，兆易創新披露股價異動公告稱，經(jīng)自查，公司拟籌劃非公開(kāi)發(fā)行股份事(shì)項，募集資金總額約43億元，主要用于公司DRAM芯片自主研發(fā)及産業化項目及補充流動資金。目前，公司接到較多投資者有關合肥12英寸晶圓存儲器研發(fā)項目的咨詢。公司與合肥産投于2017年10月26日簽署合作協議，約定合作開(kāi)展該項目，項目預算約爲180億元，公司負責籌集約36億元。公司正在籌劃的定增項目與該項目投資無關。

集團化推進(jìn)

作爲主打NorFlash類型存儲公司，兆易創新也在該領域刷新國(guó)際排名。有研究報告顯示，在NOR Flash領域長(cháng)久以來位居第五位的兆易創新，超越美光首度站上第四名的位置，創下中國(guó)存儲産業的新裡(lǐ)程碑。

對(duì)于其中原因，兆易創新代理總經(jīng)理何衛在媒體采訪中介紹，主要得益于市場回暖速度比較快，以及以TWS爲代表的穿戴市場高速成(chéng)長(cháng)。

證券時報記者注意到，在8月接受機構調研時，兆易創新高管曾指出，NorFlash在國(guó)内需求狀況還(hái)是挺旺盛的，主要受到可穿戴裝置以及物聯網模塊等新型應用的拉動；現在市場需求已經(jīng)超過(guò)了公司的供應能(néng)力。從今年第二季以來，供應端的去庫存非常迅速，導緻了局部供應比較緊張的狀态，另一方面(miàn)，第三季度也是行業旺季。

另外，在閃存産品領域，紫光集團旗下長(cháng)江存儲也在9月宣布，該公司已開(kāi)始量産基于Xtacking架構的64層256GB TLC 3D NAND閃存，以滿足固态硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。

長(cháng)江存儲聯席首席技術官、技術研發(fā)中心高級副總裁程衛華表示，随着5G、人工智能(néng)和超大規模數據中心時代到來，閃存市場有望持續增長(cháng)；長(cháng)江存儲64層3D NAND閃存産品量産將(jiāng)爲全球存儲器市場發(fā)展注入動力。

紫光集團還(hái)對(duì)人事(shì)方面(miàn)進(jìn)行了配套調整。7月份紫光集團宣布組建DRAM事(shì)業群，委任刁石京爲紫光集團DRAM事(shì)業群董事(shì)長(cháng)，高啓全擔任紫光集團DRAM事(shì)業群CEO，完善“從芯到雲”産業鏈建設。其中，刁石京曾擔任工信部電子信息司司長(cháng)等職位，高啓全現擔任紫光集團全球執行副總裁、長(cháng)江存儲執行董事(shì)及代行董事(shì)長(cháng)、武漢新芯CEO，有“台灣存儲教父”之稱。

同時，自主存儲廠進(jìn)展也爲半導體設備、建造等産業鏈營造機會。北方華創董秘辦人員向(xiàng)記者表示，長(cháng)鑫存儲是否爲公司客戶尚待核實，但目前長(cháng)江存儲已經(jīng)是公司的重要客戶。

國(guó)際局勢危與機

除了存儲方面(miàn)進(jìn)展，在傳統薄弱的芯片生産制造環節，日前也現重大進(jìn)展。

智光電氣最新披露，公司通過(guò)投資認購廣州譽芯衆誠股權投資合夥企業有限合夥人份額從而間接持股廣州粵芯半導體技術有限公司50%股權。粵芯半導體建設的12英寸芯片生産線項目（一期）已達到投産條件，并于2019年9月20日實現量産。9月23日，智光電氣斬獲漲停。

據介紹，作爲國(guó)内第一座以虛拟IDM爲營運策略的12英寸芯片廠，粵芯半導體生産包括微處理器、電源管理IC、模拟芯片、功率分立器件等，滿足物聯網、汽車電子、人工智能(néng)及5G等創新應用的模拟芯片與分立器件需求。

同時，芯片制造廠商對(duì)産業鏈也有強大的聚集效應。據官方披露，自2017年12月粵芯半導體在廣州開(kāi)發(fā)區中新知識城設立以來，已經(jīng)有14個産業項目和規模超過(guò)50億元的集成(chéng)電路産業落地本地創新園區。

廣州市半導體協會秘書長(cháng)潘雪花曾向(xiàng)媒體指出，廣東省是芯片需求大省，但另一方面(miàn)芯片制造産能(néng)顯得尤爲不足；随着粵芯半導體的到來，廣州半導體産業得到了全面(miàn)激活，廣州將(jiāng)能(néng)夠以粵芯半導體爲支點，帶動上下遊産業鏈形成(chéng)全新的千億級産業集群。

興業證券研究指出，基于韓國(guó)廠商的生産風險，中國(guó)相關産業鏈可能(néng)受益，并影響全球分工布局。長(cháng)期來看，中國(guó)與韓國(guó)將(jiāng)追求關鍵制程的自給能(néng)力，加速重構現有的區域分工格局。

另一方面(miàn)，在貿易摩擦背景下，芯片産業鏈自主自控成(chéng)爲長(cháng)期話題。

國(guó)家集成(chéng)電路産業投資基金總裁丁文武在出席2019世界制造業大會時表示，打造一個自主控股集成(chéng)電路産業鏈供應體系，每個環節要與用戶有機地結合起(qǐ)來，尤其是國(guó)産裝備、材料這(zhè)些方面(miàn)。現在用戶單位會主動和芯片企業對(duì)接，共同研讨方案，這(zhè)是非常好(hǎo)的事(shì)情，促進(jìn)了企業自身的發(fā)展，同時也實現了企業對(duì)國(guó)産芯片的支持。

當前，先進(jìn)制程仍是半導體産業趨勢的重點之一，尤其在業界龍頭台積電對(duì)于其先進(jìn)制程布局與時程更加明确的情況下，增加主要供應鏈廠商對(duì)納米節點持續微縮的信心，勢必也將(jiāng)帶來更多元的設備與材料需求；然而，連帶對(duì)于設備與材料規格提升的需求，也考驗供應鏈廠商在産品競争力上的表現。

台積電7nm表現持續亮眼，持續增添發(fā)展先進(jìn)制程的信心

台積電在7nm的卓越成(chéng)果爲先進(jìn)制程後(hòu)續發(fā)展打下穩固基礎，也讓鳍片式(FinFET)結構晶體管能(néng)有更多應用。從台積電目前表現來看，7nm節點在技術與産能(néng)上的規劃已超過(guò)2019年初時對(duì)量産産能(néng)的預估，除了既有的7nm加強版囊括衆多産品線外，7nm EUV産能(néng)受惠于客戶的加量投片下，預估在2019年第四季能(néng)有1.5倍左右成(chéng)長(cháng)。

加上在6nm制程方面(miàn)，由于6nm制程與現行7nm制程共享生産機台與流程，縮短不少開(kāi)發(fā)時間，包括海思、Qualcomm、Broadcom、Apple、AMD及聯發(fā)科等主要客戶對(duì)前進(jìn)6nm制程展現高度興趣，積極投入測試，相信原訂2020年第一季風險試産的6nm規劃將(jiāng)如期落實，因此預估整體7nm(包括7nm第一代、7nm第二代加強版、7nm EUV、6nm)産能(néng)在2020上半年前將(jiāng)持續擴産20～25%以上。

台積電下一階段納米節點微縮計劃更加明确，2nm時程有譜

在5nm制程方面(miàn)，已建構出具可靠性的前段制造流程架構，預計2019年第四季或將(jiāng)進(jìn)入拉擡良率階段，憑借豐富的數據庫與制程調整經(jīng)驗快速提升新品良率，能(néng)大幅縮短産品學(xué)習曲線，因此在量産時程上目前仍處于業界領先位置；再繼續做納米節點微縮，3nm開(kāi)發(fā)目前還(hái)在「尋找路徑(Path-Finding)」階段，且由于線寬間距極小，在漏電方面(miàn)的問題難度提升，也催生晶體管結構改變的可能(néng)。

目前GAA(Gate-All-Around)是Samsung主要采用在3nm制程架構，藉由閘極全面(miàn)包覆來增加與矽的接觸面(miàn)積，達到良好(hǎo)的漏電控制；而台積電目前除了GAA技術的研究外，仍有在評估FinFET的最大應用限度，畢竟從7nm與5nm得到的寶貴經(jīng)驗中發(fā)現，FinFET确實還(hái)有延續的可能(néng)性，且由于晶體管結構一脈相成(chéng)，在性能(néng)表現與可靠度上或將(jiāng)比新的結構來得可掌握，相信也能(néng)增加客戶的采用意願。

此外，台積電也确認2nm的相關建廠與開(kāi)發(fā)計劃，以目前技術的研發(fā)時程推斷，2nm出現的時間點預估落在4年後(hòu)，雖然屆時勢必面(miàn)臨晶體管結構的改變與挑戰，但此舉也爲相關廠商帶來納米節點微縮仍具有獲利的可能(néng)性與技術必須性，將(jiāng)持續推動半導體産業供應鏈發(fā)展。

先進(jìn)制程爲設備與材料供應商帶來新挑戰，相關廠商積極推出解決方案

先進(jìn)制程面(miàn)臨的挑戰不僅在制程微縮方面(miàn)，也同樣存在于半導體設備與材料廠商。主要是在微縮過(guò)程中，對(duì)Particle的容忍度越來越低，由Particle産生缺陷(Defect)的機率提升，不管在清洗晶圓的化學(xué)藥液或制程用水，亦或是光阻劑、CMP研磨液及蝕刻液或氣體等，要求的質量與潔淨度越來越高。
 
業界主要的化學(xué)品及制程用水過(guò)濾濾芯供應美商Entegris與美商Pall，就針對(duì)不斷微縮的制程持續開(kāi)發(fā)新型過(guò)濾濾芯，不僅在濾膜表面(miàn)的孔洞微縮至1nm程度，也持續研究各種(zhǒng)化學(xué)吸附或離子交換膜等方式優化過(guò)濾效果，對(duì)應不同種(zhǒng)類的化學(xué)藥液與制程用水的過(guò)濾需求。

另外，在先進(jìn)制程中扮演重要角色的EUV光刻機供應商ASML，除了現有主要廠商采用的EUV光刻機NXE:3400B外，也預計2019下半年出貨下一世代的EUV光刻機－NXE:3400C，具有更高的NA(數值孔徑)值提升分辨率，以及更快的Throughput(單位時間晶圓處理量，WPH)，能(néng)進(jìn)一步提升EUV在顯影表現與晶圓處理效率，是先進(jìn)制程發(fā)展不可或缺的重要設備。

值得一提的是，有鑒于台積電在先進(jìn)制程方面(miàn)成(chéng)爲業界領導廠商，除了确保未來先進(jìn)制程對(duì)設備與材料的需求外，也讓有意進(jìn)入先進(jìn)制程的設備與材料廠商，以台積電的認證爲首要目标。

而就台積電規格要求來看，即便供應鏈廠商技術到位，仍需不斷根據制程需求做更新，包括機台改造與高規格材料的導入，才能(néng)在先進(jìn)制程發(fā)展下保有各自的産品競争力。

今日（9月20日），廣州粵芯半導體技術有限公司（以下簡稱“粵芯”）在廣州舉行“粵芯12英寸晶圓項目投産啓動活動。

資料顯示，粵芯成(chéng)立于2017年12月，位于廣州中新知識城。粵芯12英寸晶圓項目是國(guó)内第一座以虛拟IDM (Virtual IDM)爲營運策略的12英寸芯片廠，也是廣州第一條12英寸芯片生産線，列入廣東省、廣州市重點建設項目。

該項目一期投資100億元，達産後(hòu)將(jiāng)實現月産40000片12英寸晶圓的生産能(néng)力，産品包括微處理器、電源管理芯片、模拟芯片、功率分立器件等，滿足物聯網、汽車電子、人工智能(néng)、5G等創新應用的模拟芯片需求。二期投資額約約188億元，月産能(néng)將(jiāng)達4萬片12英寸晶圓芯片。

據了解，粵芯12英寸晶圓項目于2017年12月奠基，2018年3月打樁施工，2018年10月主體結構封頂，2018年12月潔淨室正壓送風，今年3月首批設備搬入，6月15日開(kāi)始投片，今日（9月20日）正式宣告投産，從打樁施工到投産隻用了一年半時間。

南方網報道(dào)稱，粵芯12英寸晶圓項目吸引了一大批半導體企業聚集廣州，在該項目動工前一天就有15家企業簽約落地廣州開(kāi)發(fā)區，包括14個産業項目和一支規模達50億元的集成(chéng)電路産業基金，建設期間已吸引了數十家半導體上下遊企業彙聚。

此外，粵芯牽頭成(chéng)立廣州市半導體協會，聯席成(chéng)立粵港澳大灣區半導體産業聯盟；與中山大學(xué)、華南理工大學(xué)、廣東工業大學(xué)建立産學(xué)研合作關系，合力培養半導體産業發(fā)展的人才；前不久，粵芯還(hái)聯合中标工信部半導體、芯片、關鍵零部件等領域的産業技術基礎公告服務平台建設項目。

作爲廣州首條12英寸生産線，粵芯12英寸晶圓項目爲廣州帶來産業集聚效應，該項目的正式投産將(jiāng)進(jìn)一步加快廣州集成(chéng)電路産業發(fā)展融合，并立足廣州輻射珠三角地區甚至全國(guó)，對(duì)國(guó)内進(jìn)一步探索虛拟IDM模式亦將(jiāng)起(qǐ)到積極意義。

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台積電副總經(jīng)理黃漢森表示，摩爾定律還(hái)是活躍存在，未來30年半導體制程新節點將(jiāng)帶來益處，強調存儲器、邏輯元件和感測元件的系統整合。

黃漢森指出，半導體産業透過(guò)芯片特性界定每一個世代，現在7納米和5納米制程已無法形容未來半導體科技的核心，他認爲半導體産業應該要采用新制度，衡量科技新進(jìn)展，預測科技進(jìn)步的方式。

他表示，7納米晶圓制程去年開(kāi)始量産，5納米制程相關生态圈已準備就緒，未來將(jiāng)有3納米制程，随着晶圓制程節點進(jìn)步，未來也有可能(néng)發(fā)展2納米甚至是1納米。

黃漢森指出，摩爾定律還(hái)是活躍存在，随着元件密度越高，成(chéng)本效益越好(hǎo)，不過(guò)若要預測下一個世代半導體科技發(fā)展，可能(néng)要提出新的方式。

展望未來30年半導體産業技術指标，黃漢森表示，新的節點出現將(jiāng)帶來益處，透過(guò)半導體創新達到目的地，他預期未來30年新指标，可能(néng)是存儲器、邏輯元件和感測元件整合，帶動電晶體效能(néng)和存儲器進(jìn)展，系統高度整合，透過(guò)新的節點獲益。

摩爾定律（Moore’s law）是指積體電路上可容納的電晶體數目，約每隔18個月便會增加一倍，性能(néng)也提升一倍，近年，由于電晶體尺寸縮小速度趨緩，業界對(duì)于摩爾定律是否已到盡頭的争論不斷。

台灣國(guó)際半導體展（SEMICON Taiwan）探讨後(hòu)摩爾定律極限，對(duì)于外界對(duì)于現今科技疑慮，台積電副總黃漢森指出，未來摩爾定律仍存在，未來30年透過(guò)新節點出現而從中獲益更多，半導體創新核心將(jiāng)聚焦于邏輯與存儲結合、系統之間的連結、電晶體密度與效能(néng)提升。

黃漢森表示，台積電5納米有最好(hǎo)的性能(néng)、最高得電晶體密度，并大量使用EUV（極紫外光），不僅生态圈已準備就緒準備量産，在未來還(hái)會有3、2納米推出。然而随着節點不斷進(jìn)步，未來先進(jìn)制程納米節點到哪裡(lǐ)會停下，外界對(duì)現今科技産生疑慮，他表示未來摩爾定律依舊存在，不僅在電晶體，在DRAM及NAND也有一樣的曲線。

摩爾定律在每一個世代都(dōu)有一甜蜜點，成(chéng)本及數量達到最完美境界，因此，随着元件密度越來越高，成(chéng)本效益就越好(hǎo)，當時摩爾提出理論時，并沒(méi)有明确目标可達到，直到1993年摩爾提出微縮方式，體積縮小又同時提升性能(néng)，而微縮方式是每個科技世代重要節點。

相信未來30年半導體將(jiāng)有許多創新，有些是現在無法預見，單位元密度將(jiāng)是重要特質，不僅可降低成(chéng)本，并可以增加效能(néng)，當電晶體數量及密度更高時，可以建立多核心芯片及加速器，讓深度學(xué)習效能(néng)更好(hǎo)。

當初從250微米一路微縮下來，每個世代微縮0.7倍，非常規律，閘極與節點數之間關系，大約在0.35微米時候，已經(jīng)不再具有絕對(duì)關連，現在微縮比例已經(jīng)當初不一樣，最後(hòu)節點計算約略爲98，而目前節點僅成(chéng)爲一種(zhǒng)行銷手法，跟科技本身特性已不太有關連。

電晶體微縮不僅是節點概念，電晶體密度提升是很多創新整合而成(chéng)，他舉例：NAND未來趨勢上，單位元密度會不斷增加，不單純是微縮，更有密度提升，透過(guò)多層單元方式，從2D到3D讓趨勢可延續下去。