中國(guó)電科(山西)碳化矽材料産業基地順利投産

中國(guó)電科(山西)碳化矽材料産業基地順利投産

2月28日,中國(guó)電科(山西)碳化矽材料産業基地舉行投産儀式。

中國(guó)電科黨組書記、董事(shì)長(cháng)熊群力指出,中國(guó)電科(山西)電子信息科技創新産業園是中國(guó)電科圍繞半導體材料、裝備制造産業領域在晉的戰略布局。

中國(guó)電科(山西)電子信息科技創新産業園項目包括“一個中心、三個基地”。“一個中心”即中國(guó)電科(山西)三代半導體技術創新中心、“三個基地”即中國(guó)電科(山西)碳化矽材料産業基地、中國(guó)電科(山西)電子裝備智能(néng)制造産業基地、中國(guó)電科(山西)能(néng)源産業基地。

項目達産後(hòu),預計形成(chéng)産值100億元。通過(guò)吸引上遊企業,形成(chéng)産業聚集效應,打造電子裝備制造、三代半導體産業生态鏈,建成(chéng)國(guó)内最大的碳化矽材料供應基地,積極推動山西經(jīng)濟的轉型升級。

其中,本次投産的中國(guó)電科(山西)碳化矽材料産業基地將(jiāng)建成(chéng)國(guó)内最大的碳化矽(SiC)材料供應基地。中國(guó)電科(山西)碳化矽産業基地一期項目于2019年4月1日開(kāi)工建設,同年9月26日封頂。

據此前山西綜改示範區消息,一期項目建築面(miàn)積2.7萬平方米,能(néng)容納600台碳化矽單晶生産爐和18萬片N型晶片的加工檢測能(néng)力,可形成(chéng)7.5萬片的碳化矽晶片産能(néng),將(jiāng)徹底解決國(guó)外對(duì)我國(guó)碳化矽封鎖的局面(miàn),實現完全自主可供。項目投産後(hòu)將(jiāng)成(chéng)爲中國(guó)前三、世界前十的碳化矽生産企業,可實現年産值10億元。

環宇決議與三安分手,另與晶電一同開(kāi)發(fā)射頻及光電元件

環宇決議與三安分手,另與晶電一同開(kāi)發(fā)射頻及光電元件

化合物半導體制造代工大廠環宇光電,于2019年12月9日召開(kāi)董事(shì)會。會中決議考量于現行國(guó)際貿易情勢變化起(qǐ)伏,以及嘗試滿足中國(guó)大陸生産需求目标,因此決定撤銷與廈門三安集成(chéng)(三安光電子公司)之合資案,進(jìn)而轉向(xiàng)與常州晶品光電(晶元電子子公司)共同成(chéng)立新晶宇光電;該廠商目标將(jiāng)鎖定無線射頻及光電元件,并以6英寸化合物半導體晶圓爲主要代工業務。

三安光電轉型于化合物半導體應用仍不夠快速,環宇董事(shì)會決議撤銷合資案

LED大廠龍頭三安光電,由于受到相關LED廠商搶市的競争壓力,使得整體營收持續下探。由圖可知,三安光電自2018年開(kāi)始,營收表現已呈現持續下滑态勢,甚至2019年第二季已達到整體營收低點(年減26%),這(zhè)點對(duì)于全體投資人及合資廠商而言是一個壞消息。

▲2017年第一季~2019年第三季三安光電營收表現。(Source:三安光電;拓墣産業研究院整理,2019/12)

或許環宇光電已觀察到傳統中、低端LED市場漸入市場成(chéng)熟衰退期,因而于2019年12月董事(shì)會決議撤銷先前與三安光電的合資案(廈門三安環宇集成(chéng)),進(jìn)而與晶電(晶元電子)子公司晶品光電共同合資成(chéng)立新公司。此結果似乎也反應三安光電近期試圖由LED制造商逐步轉型成(chéng)爲第三代半導體元件廠之行動,産業轉型速度對(duì)應于市場需求面(miàn),仍舊顯得不夠快速。

晶元電子積極投入于化合物半導體元件應用市場,成(chéng)功吸引環宇進(jìn)行合作

晶電早期與三安光電同屬于LED制造大廠,但晶電已于2010年陸續投身于中、高端LED照明産品開(kāi)發(fā),試圖拉開(kāi)與其他低端LED廠商削價競争的商業模式;且該廠商也嘗試積極布局化合物半導體應用,于2018年10月成(chéng)立子公司晶成(chéng)半導體,目标以研發(fā)磊晶及制造相關事(shì)業爲主(如VCSEL、射頻元件等)。

相對(duì)而言,晶電于化合物半導體應用領域中,除了主動走向(xiàng)中、高端LED商品化,更積極投身于3D感測與通訊事(shì)業中,所以面(miàn)對(duì)LED市場的白熱化,晶電仍然可保有一定市占比,并且透過(guò)踴躍參與化合物半導體等相關的研發(fā)工作,藉此吸引如環宇光電共同成(chéng)立新公司(新晶宇),鎖定生産光電及無線射頻元件等應用領域。

資料中心與5G建置需求高漲,功率半導體市場將(jiāng)逐步回穩

資料中心與5G建置需求高漲,功率半導體市場將(jiāng)逐步回穩

功率半導體晶圓制造代工大廠漢磊,公布2019年第三季營收情形,由于2019年前3季市場遭遇去庫存及市況不佳等因素影響,第三季營收爲1.24億美元,年減21.2%。

面(miàn)對(duì)大環境不佳挑戰,漢磊總經(jīng)理莊淵棋表示:「2019年第三季開(kāi)始,營收表現將(jiāng)谷底反彈,并且随着功率半導體需求逐季回穩;預計到2020年第二季,整體産能(néng)利用率有機會回升至9成(chéng)。」

現行功率元件由于成(chéng)本考量,主要以Si與SiC晶圓并搭配磊晶技術爲主流

由于功率半導體所需的操作電壓較大,傳統Si元件因本身材料特性,崩潰電壓值(Breakdown Voltage)難以承受數百伏特以上,因而元件材料逐漸改由第三代半導體之寬能(néng)隙材料(SiC與GaN)取代。

另一方面(miàn),由于晶圓(Substrate)成(chéng)本與制程條件等考量,Si晶圓無論在尺寸、價格上仍較SiC與GaN晶圓大且便宜許多,所以爲求有效降低晶圓成(chéng)本,磊晶生成(chéng)技術此時就變得格外重要。

目前制造功率半導體的主流晶圓,依然以尺寸較大、價格平價的Si晶圓爲大宗;而可承受高電壓但尺寸稍小、價格稍貴的SiC晶圓則爲次要。

選定晶圓材料(Si或SiC)後(hòu),即可透過(guò)MOCVD或MBE機台,成(chéng)長(cháng)元件所需之SiC或GaN磊晶結構;随後(hòu)再進(jìn)行相關半導體前段制程(薄膜、顯影及蝕刻)步驟,最終完成(chéng)1顆功率元件。

全球資料中心與5G基地台建置需求,引領功率IDM廠與代工廠營收動能(néng)

根據現行功率半導體發(fā)展情形,目前主要以GaN(氮化镓)及SiC(碳化矽)等第三代半導體材料爲主。

其中,國(guó)際IDM大廠如英飛淩Infineon、科銳Cree、II-V等投入動作最積極,且相關廠商正試圖搶占全球寬能(néng)隙材料磊晶生成(chéng)與晶圓代工等市場。

近期搭上Server資料中心與5G基地台設備建置需求,預估到2019年第四季,國(guó)際IDM大廠于功率半導體與電源管理芯片等訂單需求將(jiāng)逐步提升,因而帶動底下制造代工廠商相關産能(néng)跟着擴張。

跟随此發(fā)展趨勢,漢磊爲第三代半導體中的制造代工大廠,雖然2019年前3季營收市場狀況表現略有不佳,但随着近期IDM大廠的逐步轉單挹注下,將(jiāng)驅使提升整體産能(néng)利用率,對(duì)于後(hòu)續經(jīng)營發(fā)展上將(jiāng)有一定程度上的助益。

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總投資10.5億元 浙江省首個第三代半導體材料項目落戶甯波

總投資10.5億元 浙江省首個第三代半導體材料項目落戶甯波

近日,甯波杭州灣新區與中國(guó)電子信息産業集團有限公司全資子公司——華大半導體有限公司完成(chéng)寬禁帶半導體材料項目簽約,爲“名城名灣”建設再添“芯”動能(néng)。

據甯波杭州灣新區發(fā)布指出,該項目系浙江省首個第三代半導體材料項目,項目總投資10.5億元,計劃年産8萬片4-6吋碳化矽襯底及外延片、碳化矽基氮化镓外延片,産品可廣泛應用于5G通訊、新能(néng)源汽車、軌道(dào)交通、智能(néng)電網等領域。

華大寬禁帶半導體材料項目專注半導體制造過(guò)程的前端工序——半導體材料,而且還(hái)是屬于時下發(fā)展大熱門的第三代半導體材料。

第三代半導體材料即以碳化矽、氮化镓爲代表的寬禁帶半導體材料,已成(chéng)爲半導體技術研究前沿和競争焦點。碳化矽更被列入“中國(guó)制造2025”規劃,是國(guó)家戰略性新興産業。

可以說,新時期集成(chéng)電路産業發(fā)展背景下,該項目的簽約對(duì)新區搶占下一代信息技術制高點具有較大發(fā)展意義。寬禁帶半導體材料項目的“落子”,蘊含着新區完善集成(chéng)電路全産業鏈,搶抓半導體材料技術叠代發(fā)展機遇的決心。

第三代半導體悄然升溫

第三代半導體悄然升溫

近幾年,國(guó)内不少地區都(dōu)紛紛建設第三代半導體生産線,種(zhǒng)種(zhǒng)迹象表明,第三代半導體投資熱的戲碼正在悄然上演。這(zhè)輪投資熱將(jiāng)對(duì)整個産業帶來哪些影響?國(guó)内發(fā)展第三代半導體應注意什麼(me)問題?需要采取什麼(me)措施?

産業發(fā)展如火如荼

以碳化矽和氮化镓爲代表的第三代半導體,憑借其高效率、高密度、高可靠性等優勢,在新能(néng)源汽車、通信以及家用電器等領域發(fā)揮重要作用,成(chéng)爲業内關注的新焦點。

業内人士朱邵歆在接受《中國(guó)電子報》記者采訪時表示,在5G通信、新能(néng)源汽車、光伏逆變器等應用需求的明确牽引下,目前,應用領域的頭部企業已開(kāi)始使用第三代半導體技術,也進(jìn)一步提振了行業信心和堅定對(duì)第三代半導體技術路線的投資。

蘇州納維科技有限公司董事(shì)長(cháng)徐科分析了第三代半導體現在發(fā)展如火如荼的原因有三:其一,從技術本身來看,第三代半導體技術的重要性不言而喻,它推動着社會從信息社會向(xiàng)智能(néng)社會發(fā)展,已經(jīng)深入到各個領域,從國(guó)防、航天,到節能(néng)、醫療,再到新能(néng)源汽車、手機充電器,與我們每個人的生活息息相關、密不可分。這(zhè)樣的一種(zhǒng)技術,必然會吸引社會資本的注入。

其二,從國(guó)際範圍看,在經(jīng)曆人類曆史上幾次重大的技術變革後(hòu),發(fā)展第三代半導體技術漸成(chéng)趨勢。因爲它正在悄然改變世界經(jīng)濟格局,國(guó)家要安定、人民要富足,先進(jìn)技術帶動經(jīng)濟發(fā)展是不變的道(dào)理。所以,無論是西方發(fā)達國(guó)家,還(hái)是亞洲發(fā)展中國(guó)家,都(dōu)在從不同層面(miàn)推進(jìn)全球第三代半導體産業的發(fā)展。

其三,從國(guó)内層面(miàn)看,一方面(miàn),經(jīng)濟發(fā)展轉向(xiàng)實體經(jīng)濟;另一方面(miàn),是中央和地方政策聯動導向(xiàng),鼎力推進(jìn)第三代半導體産業的發(fā)展,這(zhè)種(zhǒng)抛磚引玉的做法也會帶動社會資本的注入。

分析師呂芃浩認爲,在摩爾定律已接近物理極限的情況下,以新材料、新結構、新器件爲特點的超越摩爾定律爲半導體産業提供了新的發(fā)展方向(xiàng),因此,第三代半導體成(chéng)爲各國(guó)在集成(chéng)電路領域競相追逐的戰略制高點,它對(duì)産業格局産生巨大影響。

目前,我國(guó)第三代半導體投資增加,産業鏈也在逐步完善。同時,我國(guó)是世界上最大的半導體市場,這(zhè)爲我國(guó)企業發(fā)展第三代半導體創造了近水樓台的機會。通過(guò)資源聚集,突破從第三代半導體研發(fā)、工程化到應用的創新鏈條與價值鏈條,爲我國(guó)集成(chéng)電路産業發(fā)展帶來更多活力。

記者注意到,近日在首屆中國(guó)淄博“芯材料、芯技術、芯動能(néng)”高峰論壇上傳出消息,山東淄博市臨淄區將(jiāng)建設國(guó)内首個以第三代半導體材料研發(fā)及生産,磁功能(néng)材料、芯片及智能(néng)制造核心部件生産爲主體的集成(chéng)電路材料産業基地。不久前,在北京順義舉辦的“第八屆中國(guó)創新創業大賽國(guó)際第三代半導體專業賽智慧能(néng)源與智慧交通行業決賽”上,順義區負責人表示,他們正在打造成(chéng)全國(guó)乃至全世界範圍内的第三代半導體産研基地。

投資切忌急功近利

在投資熱的背後(hòu),業内人士也同時擔心是否會像某些産業一哄而上後(hòu)的“繁花落盡”。徐科告訴《中國(guó)電子報》記者,第三代半導體産業在很多應用領域仍然是一些概念性的東西,尚不成(chéng)熟,投資一定要慎重,避免一哄而上,發(fā)展第三代半導體要避免急功近利的想法。針對(duì)鏈條長(cháng)、鏈條環節多的産業,往往風險和誘惑最大的地方,就是産業鏈的末端。

近年來,大家逐漸意識到這(zhè)個問題,特别是近來發(fā)生的中美貿易摩擦問題,更加讓人們認識到了第三代半導體産業鏈的短闆。所以,發(fā)展第三代半導體産業,一定要加大産業鏈上遊核心材料研發(fā)和關鍵設備的開(kāi)發(fā)投入,正所謂兵馬未動,糧草先行。徐科表示:“目前第三代半導體産業發(fā)展熱火朝天,各地政府加大投資,展開(kāi)人才争奪戰,這(zhè)勢必會導緻資源的傾向(xiàng)性,這(zhè)就要我們保持清醒的頭腦,因地制宜,有所爲有所不爲,避免資源的過(guò)度浪費。”

朱邵歆對(duì)《中國(guó)電子報》記者說,投資熱的背後(hòu),肯定會存在一些問題,比如是投資“産品”,還(hái)是投資“産線”。因爲從本質上說,基于第三代半導體的射頻器件和功率器件,具有明确的産品屬性,需要在了解應用企業需求的情況下進(jìn)行定制化生産,所以錘煉内功打磨産品和技術,比直接投資産線更加重要和緊迫。在沒(méi)有明确客戶的情況下,不能(néng)過(guò)早擴充産能(néng)。

“早期半導體照明(LED)産業的快速發(fā)展使得國(guó)内已具有一定的第三代半導體産業基礎和人才儲備。然而,業内必須認識到,不同于LED産品,第三代半導體的射頻器件和功率器件更多的是面(miàn)向(xiàng)5G基站、新能(néng)源汽車等偏工業應用的市場,更多是定制化産品,對(duì)企業的設計能(néng)力和對(duì)應用方案的理解能(néng)力要求更高。”朱邵歆說。

呂芃浩分析了目前第三代半導體亟待突破的難點,包括如何降低襯底缺陷、提高良率,如何做到大尺寸、低成(chéng)本等。碳化矽晶片面(miàn)臨微管缺陷、外延效率低、摻雜工藝特殊、配套材料不耐高溫等問題,氮化镓晶片面(miàn)臨高質量、大尺寸籽晶獲取問題,都(dōu)是需要破解的技術難題。

培育龍頭做大做強

發(fā)展第三代半導體産業已成(chéng)爲業内共識,順勢而爲、借力發(fā)力是各地政府及企業努力的方向(xiàng)。呂芃浩認爲,第三代半導體産業依舊是投入大、周期長(cháng)的産業,需要長(cháng)時間的積累,也需要産業界、學(xué)術界等各界的通力協作。在産業發(fā)展上,除了政策和資金支持外,要培育龍頭企業,通過(guò)并購重組做大做強,避免遍地開(kāi)花分散力量。同時,終端廠商也應借助國(guó)内的市場優勢,積極支持國(guó)内第三代半導體企業的發(fā)展。

針對(duì)國(guó)内發(fā)展第三代半導體産業,徐科給出了四點建議:首先,政策引導,市場主導。在關鍵的發(fā)展領域和環節,需要自上而下的主導,技術的發(fā)展和競争力交由市場做出判斷。

其次,集中攻關,聯合發(fā)展。我國(guó)整體基礎實力不弱,但是技術分布零散,需要從産業鏈條上聯合發(fā)展,集中攻關共性關鍵技術。

再次,基礎研發(fā)投入占比增加。企業爲了保持高速發(fā)展和核心競争力,技術開(kāi)發(fā)和基礎研發(fā)的投入必不可少,也需要持續的加大投入。

最後(hòu),“扶上馬,走一程”模式在一定時期内存在。國(guó)内第三代半導體企業,多爲中小微企業,可能(néng)技術水平國(guó)際領先,市場前景不可估量,但是要想占據市場主導,特别是與國(guó)際巨頭企業競争,政府和社會力量的保駕護航也是必不可少。

朱邵歆認爲國(guó)内第三代半導體企業必須從自身出發(fā),結合自己的技術和市場優勢,找準定位,比如是面(miàn)向(xiàng)5G通信、新能(néng)源汽車、光伏逆變器、消費電子電源等,有針對(duì)性地開(kāi)發(fā)自己的産品。

他還(hái)特别指出,各地政府需要注意第三代半導體項目落地時的信息嚴重不對(duì)稱、對(duì)第三代半導體的市場定位和發(fā)展前景的判斷不夠準确、扶持政策缺乏可持續性和精準性等問題。

露笑科技簽署第三代半導體項目戰略合作協議

露笑科技簽署第三代半導體項目戰略合作協議

近日,露笑科技股份有限公司(以下簡稱“露笑科技”)發(fā)布公告稱,與中科鋼研節能(néng)科技有限公司(以下簡稱“中科鋼研”)、國(guó)宏中宇科技發(fā)展有限公司(以下簡稱“國(guó)宏中宇”)簽署了《中科鋼研節能(néng)科技有限公司與國(guó)宏中宇科技發(fā)展有限公司與露笑科技股份有限公司碳化矽項目戰略合作協議》(以下簡稱“戰略合作協議”)。

根據公告,露笑科技、中科鋼研以及國(guó)宏中宇三方同意共同合作,共同研發(fā)适用于中科鋼研工藝技術要求的4英寸、6英寸、8英寸乃至更大尺寸級别的碳化矽長(cháng)晶設備;共同建設碳化矽襯底片加工中心。該加工中心定位于應用最新一代碳化矽襯底片加工技術,主要面(miàn)對(duì)及滿足國(guó)内外快速增長(cháng)的6英寸及以上尺寸級别的碳化矽襯底片加工需求,不斷提升的襯底片質量與成(chéng)品率水平。

露笑科技披露,目前首批2台套升華法碳化矽長(cháng)晶爐已經(jīng)完成(chéng)設備性能(néng)驗收交付使用,經(jīng)過(guò)優化後(hòu)的碳化矽長(cháng)晶爐設備將(jiāng)應用于國(guó)宏中宇主導的碳化矽産業化項目中。

此外,公告還(hái)指出,根據國(guó)宏中宇碳化矽産業化項目的近期發(fā)展規劃,露笑科技及(或)其控股企業將(jiāng)于2020年前爲國(guó)宏中宇主導的碳化矽産業化項目定制約200台碳化矽長(cháng)晶爐,設備總采購金額約3億元;同時,爲了适應5G通訊市場對(duì)于高性能(néng)、高頻HEMT器件需求的快速增長(cháng),三方將(jiāng)在高純半絕緣型碳化矽長(cháng)晶爐、高純半絕緣型碳化矽襯底片加工制造、基于高純半絕緣型碳化矽襯底片的氮化镓外延片制造等方面(miàn)開(kāi)展深入合作,以盡快成(chéng)爲5G通訊行業核心關鍵材料的主要供貨企業。

此協議期限爲兩(liǎng)年,由中科鋼研主導工藝技術與設備研發(fā)工作,國(guó)宏中宇主導産業化項目建設、運營與市場銷售工作,露笑科技主導設備制造、項目投融資等工作并全程深入參與各項工作,通過(guò)各方的密切合作將(jiāng)碳化矽項目建設成(chéng)爲世界級的第三代半導體材料領軍企業。

露笑科技指出,本次合作有利于拓展公司在碳化矽領域的業務布局和發(fā)展,增強公司的研發(fā)能(néng)力,提高市場競争力。

電動汽車技術持續演進(jìn),SiC廠商積極布局搶占市場!

電動汽車技術持續演進(jìn),SiC廠商積極布局搶占市場!

根據拓墣産業研究院數據顯示,伴随車廠推出的各類電動汽車款增加,2020年電動汽車(純電、插電混合式、油電混合式)有望攀上600萬輛大關,目前以油電混合的成(chéng)長(cháng)速度較快,但就長(cháng)遠來看,純電動汽車仍持續占有重要份額,爲提升消費者接受度,高端電動汽車在性能(néng)與行駛距離的技術上還(hái)有進(jìn)步空間。

其中,關鍵的功率半導體元件如SiC晶圓與SiC Diode、SiC MOSFET等,在技術與需求上需要時間提前布局,因此也看到越來越多相關廠商在此領域的積極動作。

高端電動汽車技術發(fā)展日益重要,推升未來SiC晶圓與元件需求將(jiāng)持續增加

現行電動汽車大多還(hái)是以矽基材的IGBT做爲逆變器的芯片模塊,是功率半導體在電動汽車領域的技術主流。SiC MOSFET雖具有較好(hǎo)的性能(néng)與散熱表現,但礙于成(chéng)本過(guò)高及SiC晶圓制造技術複雜,良率表現沒(méi)有矽晶圓好(hǎo),因此目前SiC在電動汽車使用的滲透率仍不高。

然而,自電動汽車龍頭廠商Tesla推出Model 3後(hòu),高階電動汽車市場氛圍可能(néng)有些許改變。相較市面(miàn)上其他電動汽車廠商使用矽基底芯片(IGBT、MOSFET等)制作PEM(Power Electronics Module,用以做爲AC/DC間的電流轉換),Tesla Model 3完全使用SiC MOSFET來做PEM,也讓SiC MOSFET在電動汽車領域引起(qǐ)讨論。

根據廠商說法,Tesla Model 3因使用SiC MOSFET模塊,因此AC/DC的電流轉換效率在長(cháng)距離電動汽車市場上排名第一(若不論行駛距離,Hyundai推出的電動汽車Ionic Electric在電流轉換效率方面(miàn)較Model 3好(hǎo),但電池功率僅有27KWh,行駛距離隻有Model 3一半),讓以Tesla爲主要競争對(duì)手的高端汽車廠商評估使用SiC MOSFET的效益。

值得一提的是,車用Tier 1大廠Delphi在2019年9月發(fā)表其最新使用SiC模塊的800V Inverter(目前電動汽車主要使用400V系統),能(néng)延長(cháng)電動汽車行駛距離并縮短電動汽車充電時間。此項技術也爲Delphi赢得一家主要客戶爲期8年,總值達27億美元訂單,預計自2022年開(kāi)始供貨給使用800V系統的高端車款,爲SiC未來需求加添信心。

此外,SiC MOSFET Module在快速充電樁的使用上也正迅速擴展。豪華車品牌Porsche在2018年10月即發(fā)表以SiC MOSFET模塊建置可适合各種(zhǒng)電動汽車使用的快速充電樁,除是爲自家Taycan拉擡聲勢,也顯示快速充電樁在高階電動汽車市場的必要性。

由此看來,盡管目前電動汽車型以HEV居多,且現行多數電動汽車采用的功率元件仍以IGBT爲主,但基礎設施的建置與消費者的購買意願仍需要時間布局,從長(cháng)遠規劃來看,市場端的需求後(hòu)勢相當可期,也將(jiāng)持續助長(cháng)SiC話題性。

SiC相關廠商布局積極,營運策略與産業類别多元

從車用SiC産業供應鏈分析,可看到不僅廠商多元,布局腳步也相當積極,首先在SiC晶圓部份,市場上占比最高的廠商是美國(guó)Cree,在晶圓制作技術與良率方面(miàn)皆有良好(hǎo)表現,市占約6成(chéng)。

看好(hǎo)未來需求,Cree擴産規劃相當積極,2019年5月宣布爲期5年的擴産計劃,總投資爲10億美元,估計屆時在SiC晶圓産能(néng)與SiC晶圓制作材料上將(jiāng)提升30倍之多。

有了充足的晶圓産能(néng),旗下Wolfspeed也是生産SiC Diode、SiC MOSFET的主要廠商,相輔相成(chéng)下將(jiāng)持續拉擡在SiC産業供應鏈的占比,其餘廠商還(hái)有美國(guó)II‐VI Incorporated、收購DuPont SiC晶圓事(shì)業的韓系矽晶圓廠商SK Siltron等。

在SiC芯片制造部分,主要功率半導體IDM廠商皆榜上有名,包括Infineon、ON Semiconductor、STMicroelectronics、ROHM、Mitsubishi Electrics等,是市場上提供SiC芯片與SiC Module的主要廠商。芯片商與模塊商在SiC材料上的布局也很積極,包括ROHM收購SiCrystal、STMicroelectronics收購Norstel、Infineon收購Siltectra借助冷切技術提升元件制作效率等。

另外,在車用Tier 1廠商與整車廠部份,例如日前Robert BOSCH即宣布,2020年將(jiāng)進(jìn)軍以SiC碳化矽晶圓做基底生産車用微芯片,主要用在AC/DC轉換,全力助攻主要客戶搶占電動汽車市場,而日本廠商DENSO亦有自己生産相關芯片的能(néng)力。

在車廠方面(miàn),陸系車廠比亞迪(BYD)有自研SiC及擴大SiC功率元件的規劃,投入巨資布局SiC建立完整産業鏈,將(jiāng)整合材料(高純碳化矽粉)、單晶、外延片(Epitaxy)、芯片、模塊封裝等,緻力于降低SiC元件的制作成(chéng)本,加快其在電動汽車領域的應用。

而在台系供應鏈方面(miàn),主要有矽晶圓廠環球晶與GTAT簽訂長(cháng)約,以取得長(cháng)期穩定的SiC高質量碳化矽晶球供應,緻力擴展SiC晶圓供應鏈占比;漢磊提供SiC Diode、SiC MOSFET代工服務;嘉晶提供SiC磊晶代工服務;升陽半導體提供晶圓薄化服務;瀚薪科技則聚焦SiC與GaN的元件開(kāi)發(fā),持續增加技術實力,逐漸讓自家産品能(néng)跟國(guó)際大廠相抗衡。

然較可惜的是,由于台灣地區缺乏本土汽車産業的助益,車用芯片滲透率并不高,加上主要汽車廠商多半以長(cháng)期合作的Tier 1或芯片商合作,台系廠商要切入汽車供應鏈仍有些許困難待克服,包括長(cháng)期的車規認證及建立客戶采買意願等,目前較有獲利效益的應用仍以工業電源管理與通訊方面(miàn)爲主,在車用SiC産業供應鏈要能(néng)有一定程度的占比尚需持續努力。

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第三代半導體研究院落戶江蘇如臯

第三代半導體研究院落戶江蘇如臯

10月27日,中烏第三代半導體産業技術研究院成(chéng)立并落戶如臯。

據南通廣播電視台報道(dào),中烏第三代半導體産業技術研究院由烏克蘭國(guó)家科學(xué)院(單晶研究院)、江蘇省如臯高新區、江蘇卓遠半導體發(fā)起(qǐ)成(chéng)立,研究院將(jiāng)聯合中國(guó)、烏克蘭、德國(guó)等産業專家,共同開(kāi)展第三代半導體晶體制造智能(néng)裝備、大功率用晶圓、功率芯片及器件、光電材料、激光晶體材料及其他功能(néng)性晶體材料和設備等關鍵技術研究。

半導體晶體與現代人類日常生活息息相關。“如臯抓住了未來‘智造業’的核心!”據中國(guó)工程院院士王子才介紹,智能(néng)制造發(fā)展的關鍵在于核心材料。以碳化矽爲代表的第三代半導體是當前制作高溫、高頻、大功率、高壓芯片最爲理想材料之一,未來將(jiāng)廣泛應用于5G通訊、新能(néng)源汽車、智能(néng)電網等智能(néng)制造領域,市場潛力巨大。

第三代半導體及激光設備制造産業集群在如臯初具規模。如臯市委書記張建華表示者,近年來,該市堅持把第三代半導體及智能(néng)制造産業作爲重要戰略性新興産業加速布局,先後(hòu)落戶迅鐳激光設備制造産業園、總投資300億元的正威5G 新材料産業園,集聚了卓遠半導體、海迪科光電科技、中科新源等一批優質企業,吸引了孫智江、張新峰等一批行業領軍人才,建成(chéng)第三代半導體産業技術研究院、第三代功率器件測試實驗室、芯片級封裝實驗室、納米壓印實驗室等一批高端研發(fā)平台。

如臯高新技術産業開(kāi)發(fā)區是如臯發(fā)展高新技術産業的前沿陣地。如臯高新區管委會主任孫得利告訴交彙點記者,該區現擁有如臯第三代半導體産業研究院、中科大控溫聯合創新實驗室、中烏第三代半導體産業技術研究院等平台,集聚蘇州迅鐳激光、北京浦丹光電等30餘家光電顯示、功率器件、第三代半導體設備等領域領軍企業,規劃了2平方公裡(lǐ)的光電科技産業園、2平方公裡(lǐ)的激光和智能(néng)制造産業園。

科銳將(jiāng)建造全球最大SiC制造工廠,地址選在這(zhè)裡(lǐ)

科銳將(jiāng)建造全球最大SiC制造工廠,地址選在這(zhè)裡(lǐ)

近日,科銳在官網宣布擴産計劃進(jìn)展,表示將(jiāng)在美國(guó)紐約州建造全球最大SiC制造工廠。

通過(guò)與紐約州州長(cháng)(Andrew M. Cuomo)辦公室以及其他州立與當地機構和實體的戰略合作,科銳決定在美國(guó)紐約州Marcy建造一座全新的采用最先進(jìn)技術并滿足車規級标準的200mm功率和射頻(RF)晶圓制造工廠,而與之相輔相成(chéng)的超級材料工廠(mega materials factory)的建造擴産正在公司達勒姆總部開(kāi)展進(jìn)行。

作爲該合作的一部分,科銳將(jiāng)投資近10億美元,用于在紐約州fab的建造、設備和其它相關成(chéng)本。紐約州將(jiāng)提供來自Empire State Development 的5億美元資金,同時科銳可以享受額外的當地激勵政策和減稅以及來自紐約州立大學(xué)的設備和工具。

這(zhè)一新制造工廠旨在顯著提升用于Wolfspeed碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)業務的産能(néng),將(jiāng)建設成(chéng)爲一座規模更大、高度自動化和更高生産能(néng)力的工廠。

新工廠計劃將(jiāng)于2022年實現量産,完工面(miàn)積達到480,000平方英尺,其中近1/4將(jiāng)是超淨間,提供未來所需産能(néng)擴充。這(zhè)些擴展計劃,將(jiāng)進(jìn)一步提升科銳在市場競争的領先地位,加速碳化矽(SiC)在一系列高增長(cháng)産業中的采用。

科銳指出,公司將(jiāng)繼續推進(jìn)從矽(Si)向(xiàng)碳化矽(SiC)技術的轉型,滿足公司開(kāi)創性Wolfspeed技術日益提升的需求,支持電動汽車(EV)、4G/5G移動和工業市場的不斷增長(cháng)。

中科鋼研先進(jìn)晶體産業化項目總部基地落戶上海寶山

中科鋼研先進(jìn)晶體産業化項目總部基地落戶上海寶山

爲了構築新時代戰略優勢,更好(hǎo)地服務改革發(fā)展大局,國(guó)務院國(guó)資委與上海市政府深化合作共同推進(jìn)落實國(guó)家戰略合作簽約儀式于9月5日下午在上海隆重舉行,上海市委書記李強出席簽約儀式并講話,國(guó)務院國(guó)資委黨委書記、主任郝鵬在簽約儀式上講話,并同上海市委副書記、市長(cháng)應勇代表雙方簽署協議,中國(guó)鋼研董事(shì)長(cháng)、黨委書記張少明,中國(guó)鋼研黨委副書記、常委、工程事(shì)業部黨委書記、董事(shì)長(cháng)張劍武,中國(guó)鋼研戰略發(fā)展部副主任劉國(guó)營出席了會議,中科鋼研節能(néng)科技有限公司董事(shì)長(cháng)、總經(jīng)理張岩與寶山區委副書記、區長(cháng)範少軍在會上共同簽署了“中科鋼研先進(jìn)晶體産業化項目”落地寶山區的合作協議。

通過(guò)此次與寶山區的合作,拟將(jiāng)在科研水平、産業規模、上下遊産業鏈完整性、産業示範引領作用方面(miàn)打造領先優勢,建設以上海總部基地爲核心,擁有國(guó)内外多個碳化矽晶體材料、碳化矽微粉、碳化矽電子電力芯片生産基地。各方將(jiāng)集合多方優勢資源,賦能(néng)第三代半導體材料及其應用技術的科技研發(fā)、科研成(chéng)果産業化轉化、高科技産品的多場景商業化應用等整個行業發(fā)展鏈條。

中科鋼研先進(jìn)晶體産業化項目上海總部基地項目落戶寶山區,有利于寶山區結合産業定位和發(fā)展基礎,通過(guò)政府引導、企業主導和市場化運作,在引領新上海新材料産業做大做強上發(fā)揮重要的支撐作用。同時,對(duì)于寶山區老工業基地而言,有助于引入和研發(fā)關鍵技術和關鍵材料,以戰略性新興産業的垂直布局助推老工業基地轉型升級。

從未來看,特斯拉超級工廠的落成(chéng)、上汽大衆、上汽榮威新能(néng)源戰略提速,將(jiāng)使上海重新占領車用半導體市場高地,中科鋼研將(jiāng)抓住上海此次産業轉型升級的機會,貼合市場成(chéng)爲新能(néng)源車用先進(jìn)晶體材料及下遊應用産品的核心供應商。