近日，兆易創新發(fā)布最新财報，數據顯示，2020年第一季度，兆易創新共實現營收8.05億元，同比增長(cháng)76.51%；歸屬于上市公司股東的淨利潤1.68億元，同比增長(cháng)高達323.24%。兆易創新表示，2020年第一季度财報同比大漲，主要受消費類、物聯網市場同期需求增加，而2019年第一季度受中美貿易摩擦影響市場需求疲軟。
資料顯示，兆易創新主要産品爲閃存芯片産品、微控制器産品、以及2019年新增加的傳感器産品，其中閃存芯片産品主要爲NOR Flash和NAND Flash兩(liǎng)類。2020年第一季度，兆易創新研發(fā)支出1.06億元，同比增長(cháng)64.65%。
當前，兆易創新正在積極布局擴充其産品線，2019年，兆易創新依據業務經(jīng)營情況調整公司組織架構，組建完成(chéng)了存儲+MCU+傳感器爲核心的三大事(shì)業部架構，現有的業務布局分爲存儲、MCU和傳感器三大方向(xiàng)。
對(duì)于2020年的的發(fā)展戰略，兆易創新表示，2020年，公司將(jiāng)繼續圍繞發(fā)展戰略和方向(xiàng)，持續加大技術和産品研發(fā)投入，提高存量市場占有率，把握新興領域增量市場，在強化技術和産品的核心競争力的同時，還(hái)將(jiāng)大力推進(jìn)産品線和産能(néng)的布局。
其中，在NOR Flash産品方面(miàn)，2020年兆易創新將(jiāng)實現55nm工藝産品全面(miàn)量産，并提升産品容量，針對(duì)5G基站、AIOT、智慧城市、可穿戴式應用等領域持續推出具有競争力的多樣化産品。
在NAND Flash産品上，2020年兆易創新將(jiāng)實現24nm工藝平台産品量産，同時針對(duì)SLC NAND産品，提升産品容量，推出中高容量解決方案，以滿足移動終端、智能(néng)化産品及中高容量市場需求，在5G帶動的AIOT領域持續開(kāi)辟新增長(cháng)點。
在MCU産品方面(miàn)，兆易創新將(jiāng)不斷加強産品安全功能(néng)，爲客戶提供安全可靠，功能(néng)豐富的無線MCU。同時配合通用MCU産品，拓展電源管理和電機驅動控制産品，爲消費、工業和新能(néng)源技術提供低功耗高性能(néng)電源解決方案。
傳感器産品方面(miàn)，在光學(xué)方向(xiàng)上，思立微將(jiāng)在2020年進(jìn)一步完成(chéng)超小封裝透鏡式光學(xué)指紋産品、超薄光學(xué)指紋産品、大面(miàn)積TFT光學(xué)屏下指紋等創新産品的大規模産業化應用，并推出柔性大面(miàn)積光學(xué)指紋；在超聲方向(xiàng)上，將(jiāng)基于已研發(fā)成(chéng)功的超聲換能(néng)器結構及工藝，搭配邊緣端的信号處理系統，進(jìn)一步拓展其在人機交互、體征監測及汽車電子等方向(xiàng)的應用。
值得注意的是，作爲中國(guó)大陸閃存芯片設計企業，兆易創新也在積極整合産業資源，布局DRAM産品領域，進(jìn)一步拓展并豐富公司産品線，提升公司的核心競争力和行業影響力。
2019年9月，兆易創新發(fā)布非公開(kāi)發(fā)行股票預案，拟募集資金總額不超過(guò)人民币43億元，用于DRAM芯片自主研發(fā)及産業化項目及補充流動資金。項目開(kāi)發(fā)目标爲研發(fā)1Xnm級（19nm、17nm）工藝制程下的DRAM技術，設計和開(kāi)發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。
兆易創新表示，2020年將(jiāng)繼續推進(jìn)公司非公開(kāi)發(fā)行股票事(shì)項，拟募集資金不超過(guò)約43億元，用以研發(fā)1Xnm級工藝制程下的DRAM技術，進(jìn)一步擴大公司存儲器産品的種(zhǒng)類與規模。此外，公司將(jiāng)繼續推進(jìn)合肥12英寸晶圓存儲器研發(fā)項目合作，探讨在DRAM産品銷售、代工、以及工程端的多種(zhǒng)合作模式。