根據存儲器大廠南亞科的最新重大訊息公告指出，南亞科董事(shì)會于6日決議，將(jiāng)追加新台币65.6億元（約合人民币15.5億元）的資本支出預算，用以打造10納米級制程産線。
此前南亞科董事(shì)會決議，在年度資本支出的部分，南亞科2020年度資本支出預算以不超過(guò)新台币92億元爲上限，其中包含10納米級制程研發(fā)、試産及20納米遞延等資本支出等。如今再加入新的資本支出預算，預計2020年度的資本支出預算交以不超過(guò)157.6億元爲上限。
事(shì)實上，南亞科總經(jīng)理李培瑛在上一季法說會上就已經(jīng)宣布，南亞科已完成(chéng)自主研發(fā)10納米級DRAM生産技術，并且將(jiāng)在2020年下半年試産。而南亞科新成(chéng)功開(kāi)發(fā)出的10納米級DRAM生産技術，預計將(jiāng)使DRAM産品可持續微縮至少3個世代。而第一代的10納米級産品包括8GB DDR4、LPDDR4及DDR5將(jiāng)建構在自主制程技術及産品技術平台上，并預計2020下半年進(jìn)入産品試産階段。
至于第二代10納米級制程技術，已開(kāi)始進(jìn)入研發(fā)階段，預計2022年前導入試産，之後(hòu)將(jiāng)會再開(kāi)發(fā)第三代的10納米制程技術。李培瑛強調，南亞科進(jìn)入10納米級制程之後(hòu)，會以自行研發(fā)的技術爲主，降低授權費用支出，以大幅提升效能(néng)。
目前以全球DRAM存儲器市場來說，其主要生産技術掌握在韓國(guó)三星、SK海力士、以及美商美光等3家企業的手中，而且3家廠商的合計市場占有率高達95%以上，其關鍵原因就在于3家企業的技術專利形成(chéng)了極高的門檻，使其他公司不容易有機會進(jìn)入市場。
而當前南亞科現在以20納米級的技術爲主力，技術來源爲過(guò)去的合作夥伴美光，而且每年也支付美光相關技術授權費用。而随着南亞科導入自主的10納米級制程技術之後(hòu)，則未來將(jiāng)不再大幅度仰賴美光授權，使得高昂授權費支付的情況也可以減少，有利于南亞科往後(hòu)的營運發(fā)展。