存儲器模組大廠創見信息受到年底去化庫存與盤點影響，去年12月業績月減26%，而展望今年上半年，公司提到，NAND芯片報價將(jiāng)會續跌，公司會以強化工控市場布局爲要務。
創見公布自結2018年12月份合并營收10.4億元（新台币，下同），與上月相比減少26.0%，較去年同期減少22.2%。綜觀産品營收結構，12月份工控産品營收4.06億元，占整體營收比重38.9%；策略性産品營收2.32億元，占整體營收比重22.3%；消費型Flash産品營收2.03億元，占整體營收比重19.5%；标準型DRAM産品營收2.01億元，占整體營收比重19.3%。
回顧12月，創見提到，由于适逢國(guó)外連續假期以及客戶期末盤點調整庫存水位，DRAM及NAND FLASH市場價格持續下跌，12月客戶拉貨趨向(xiàng)保守，緻使創見本月份整體營收較上月及去年同期減少。展望未來，DRAM與NAND FLASH供給持續維持高檔，2019年上半年價格預期將(jiāng)繼續走跌。創見將(jiāng)持續深耕工控領域。
随着物聯網(IoT)、人工智能(néng)(AI)、5G技術逐步整合，資料經(jīng)濟産業生态鏈可望成(chéng)形。相關數據顯示，2025年全球資料量將(jiāng)成(chéng)長(cháng)至163ZB，屆時超過(guò)四分之一的數據將(jiāng)是實時資料，其中物聯網裝置産生的實時資料占95%以上。資料經(jīng)濟與人工智能(néng)翻新了數據的價值，也開(kāi)展了全新的産業發(fā)展契機與挑戰；由實時資料所驅動的智能(néng)儲存應用，已展現強大市場推動力量，不隻讓工業級NAND Flash快閃存儲器、DRAM應用有了更多樣的面(miàn)貌，對(duì)相關垂直市場應用的重要性也大幅提升。
爲因應智能(néng)裝置對(duì)于運算能(néng)力及傳輸速度的高标準要求，未來持續透過(guò)NVM Express(NVMe)标準提升固态硬盤(SSD)運作效能(néng)已是勢在必行，具總線頻寬優勢的高速PCIe界面(miàn)應用層面(miàn)也將(jiāng)越來越廣。另一方面(miàn)，随着英特爾(Intel)與AMD相繼升級服務器、桌上型與行動處理器平台，強化支援存儲器規格至DDR4-2666，工業級DRAM將(jiāng)正式進(jìn)入高效能(néng)、高頻寬的DDR4-2666世代，甚至持續朝2,933MT/s發(fā)展邁進(jìn)。
容量方面(miàn)，随着工業級3D NAND技術逐漸成(chéng)熟，解決了2D NAND儲存單元距離過(guò)近時可能(néng)産生的幹擾問題，有效提升每儲存單元(cell)的容量；而DRAM也從20nm進(jìn)入1x/1ynm制程，工控應用市場導入具高容量、高可靠度、高效能(néng)與低功耗優勢的3D NAND SSD，16GB甚至32GB存儲器趨勢也將(jiāng)逐漸成(chéng)形。
另一方面(miàn)，因應智能(néng)裝置小體積應用趨勢，工業計算機設計逐漸重視體積精巧、易于挂載或整合等特性，小尺寸規格(SFF)將(jiāng)成(chéng)爲儲存與存儲器産品發(fā)展考量的重要元素之一。如將(jiāng)控制芯片、NAND Flash和DRAM等關鍵元件整合于單一芯片的超小型uSSD、全球最快的工業級記憶卡CFexpress或全球體積最小的工業級存儲器VLP DDR4 SODIMM等，都(dōu)將(jiāng)于此時成(chéng)爲市場焦點。
軟韌硬件技術加值 拉高工業級市場進(jìn)入門檻
智能(néng)應用發(fā)展的多元化，對(duì)數位儲存産業的影響絕不僅限于未來産品規劃的層面(miàn)上，工控市場也將(jiāng)從量變走向(xiàng)質變。原廠高質量顆粒的取得與穩固的合作關系已是基本要素，如何洞悉市場需求、研發(fā)更符合新世代智能(néng)應用需求的儲存與存儲器産品，重新定義市場規格，進(jìn)而擴大工控市場影響力，才是取得決勝先機的關鍵。
舉例而言，宇瞻科技自發(fā)表專利抗硫化存儲器模組以來，深知存儲器硫化對(duì)工業計算機、網通與服務器産品可靠度及使用壽命影響甚巨，緻力于推動工控市場對(duì)于硫化議題的重視，即成(chéng)功促使抗硫化存儲器模塊從特殊應用躍居市場主流，成(chéng)爲從雲端到終端，從資料中心、服務器到邊緣裝置的标準規格，引發(fā)存儲器模塊市場的新一波成(chéng)長(cháng)動能(néng)。
此外，雖然都(dōu)是資料儲存與處理，但不同垂直市場的應用需求卻不盡相同，因此，如何掌握不同垂直市場的應用特性，并提出相對(duì)應的軟固件技術與解決方案也越來越重要。
如同樣都(dōu)是3D NAND SSD産品，透過(guò)Over-Provisioning 固件技術，則能(néng)更進(jìn)一步降低寫入放大率(Write Amplification)，最佳化持續性随機寫入效能(néng)，延長(cháng) SSD 使用壽命；或利用專屬Double-barreled 智能(néng)儲存解決方案，協助客戶掌握SSD實際應用情境與使用行爲，進(jìn)而以有效率且智能(néng)的方式管控儲存裝置，大幅提升産品耐用度，确保系統穩定運行。這(zhè)不隻需要豐富的産業經(jīng)驗，極高的客制化技術實力也將(jiāng)扮演關鍵角色，才能(néng)提供軟韌硬件高度整合的Total solution服務。
展望未來，除了高容量、高效能(néng)、小尺寸的數位儲存産品將(jiāng)逐漸成(chéng)爲主流，随着各家業者紛紛展現從儲存産品走向(xiàng)儲存解決方案供應商的決心，如何透過(guò)技術實力與産業經(jīng)驗，實現工控應用要求的高可靠度與耐用度，發(fā)揮智能(néng)儲存的最大效益，進(jìn)而提供永續性的SSD與DRAM解決方案，將(jiāng)成(chéng)兵家必争之地。
存儲器廠華邦電 8 日公布自行結算的 2018 年 12 月份營收報告。華邦含新唐科技等子公司，12 月份合并營收爲新台币 36.92 億元（新台币，下同），較 11 月份減少 8.19%，較 2018 年同期減少 12.94%，再創近 10 個月來的新低紀錄。不過(guò)，受惠 2018 年整體營收表現亮眼的影響，累計 2018 年全年合并營收爲新台币 511.9 億元，較 2017 年增加 7.56%，創下近 18 年來的新高紀錄。
受到中美貿易摩擦及美國(guó)升息的沖擊，華邦電 11 月營收僅 40.21 億元，較 10 月份月減 3.22%。而 12 月份的營收出爐，營收金額再下降到 36.92 億元，較 11 月份再減少 8.19%，創近 10 個月來的新低紀錄。
華邦電總經(jīng)理詹東義日前的法說會上指出，雖然近期全球經(jīng)濟充滿不确定性，但包括物聯網、車用、工業等領域，不斷有新應用出現，成(chéng)爲驅動需求的新動能(néng)，因此對(duì)未來市場需求并不悲觀。不過(guò)，未來 2 到 3 季爲關鍵時期，包括中國(guó)内需市場降溫、庫存調節狀況與全球重要市場的環境變化，都(dōu)是關乎未來市場發(fā)展的重點。
至于華邦電目前的狀況，詹東義表示目前營運良好(hǎo)，很多來自客戶的訂單，而且對(duì)客戶的交期也正常。這(zhè)部分歸功于過(guò)去就訂下以利基型市場産品爲主，不做标準型市場生意的計劃。
因此，就目前的情況來看，标準型産品的市場雖然受到市場的變化影響，會有所變化，但是利基型産品市場，随着系統整合存儲器需求越來越大的情況下，還(hái)是會有成(chéng)長(cháng)的空間。因此，這(zhè)也是過(guò)去華邦電以生産利基興産品爲主，但是如今市場需求大到需要增加生産，以進(jìn)一步蓋高雄路竹新廠的原因。
至于新廠的建置，詹東義表示，在 10 月份正式破土動工之後(hòu)，目前土建的部分已經(jīng)開(kāi)始執行中。所以，并不會受到市場看到未來半導體景氣的影響，在建廠的時程中會有所變化。
詹東義強調，在市場認爲是景氣低檔時建廠，未來在景氣反轉時，就剛好(hǎo)能(néng)搭上順風車。而且，目前華邦電是台灣地區唯一能(néng)自行研發(fā)制程的存儲器廠，根據規劃，希望能(néng)在 2 年就有一個世代的提升。因此，如果一切正常，則可以藉由新制程的推出，加上新廠房的成(chéng)立，使華邦電未來能(néng)有好(hǎo)的表現。
存儲器模組大廠威剛公布去年全年營收中，DRAM産品營收較前一年成(chéng)長(cháng)達11.67%，也是近8年新高，雖然去年下半年以來，市場研究機構多對(duì)今年存儲器市場持保守看法；不過(guò)，威剛預期，今年第2季開(kāi)始DRAM需求將(jiāng)好(hǎo)轉，昨日存儲器個股，包括威剛、南亞科、旺宏及華邦電也呈現齊漲表現。
威剛去年全年合并營收達314.48億元（新台币，下同），受惠去年DRAM産業供需健康，價格走勢相對(duì)穩定，全年DRAM産品營收較前一年成(chéng)長(cháng)11.67%、達194.27億元，爲近八年來新高。
威剛表示，去年DRAM産品對(duì)公司整體營收貢獻比重也較前一年成(chéng)長(cháng)近8個百分點達61.78%；非DRAM産品對(duì)整體營收貢獻比重爲38.22%。
受國(guó)際客戶與通路的聖誕假期與年底結帳影響，威剛去年12月合并營收20.84億元，較前一個月下滑10.53%。累計去年第4季合并營收爲68.09億元，單季DRAM産品營收貢獻比重54.75%，非DRAM産品營收貢獻比重45.25%。
展望2019年存儲器市況，威剛表示，第1季因CPU缺貨影響，DRAM需求轉淡，但随着缺貨情勢逐步緩解，自第2季開(kāi)始DRAM需求可望好(hǎo)轉。公司也持續看好(hǎo)NAND Flash價格修正後(hòu)，可刺激終端産品搭載容量成(chéng)長(cháng)及提升SSD市場滲透率。
存儲器大廠南亞科 3 日公布 2018 年 12 月及 2018 年全年自結财報，根據财報顯示，南亞科 2018 年 12 月營收爲 48.29 億元（新台币，下同），較 11 月減少 10.62%，也較 2017 年同期減少 18.87%，創下 15 個月來的新低紀錄。而且，2018 年第 4 季營收連 3 個月下滑，累計營收爲 169.58 億元，較第 3 季的 243.75 億元大幅下滑超過(guò) 3 成(chéng)，與 2017 年第 4 季的 167.83 億元約略持平。
事(shì)實上，南亞科在上一季法人說明會時，總經(jīng)理李培瑛就表示，整體來說，在中美貿易摩擦等不确定因素增加的情況下，對(duì)于 2018 年第 4 季的 DRAM 需求相對(duì)較上半年保守。而且，在影響因素未确定的情況下，對(duì) DRAM 的長(cháng)期走勢還(hái)需要做密切的觀察，這(zhè)使得 2018 年第 4 季營收較之前有衰退，不過(guò)，南亞科仍舊在 2018 年前 3 季營收表現突出的情況下，使得累計 2018 年的全年營收，仍較 2017 年亮眼，總營收金額爲 847.22 億元，較 2017 年度增加 54.27%。
根據李培瑛之前的說法，就目前情況來看，中美貿易摩擦的影響仍是市場最大的變量。這(zhè)樣的情況會造成(chéng)需求端的趨向(xiàng)保守，供給端的投片量減少。所以，日前國(guó)際大廠宣布降低 2019 年的相關資本支出，主要也可能(néng)是受到這(zhè)樣情況的影響。
而南亞科本身也爲了因應這(zhè)樣的情況，2018 年也已經(jīng)下調相關的資本支出，從新台币 240 億元下調到 210 億元。也因爲減少的資本支出是在于機器設備的增加上，這(zhè)將(jiāng)使得原本預計 2019 年 20 奈米 4.7 萬片的月産能(néng)，也將(jiāng)會有些許調降的情況。
不過(guò)，雖然在 DRAM 供應面(miàn)有下調資本支出、減少投片量的情況，而且需求面(miàn)也有較爲保守的趨勢産生，但是就整體市場的情況來分析，卻不會太過(guò)悲觀。
李培瑛預估，2019 年整體的價格不會有過(guò)去呈現 2 位數百分比的暴跌情況産生，而是呈現逐季緩步走跌的情況，時間大約在 1 到 2 季之間。李培瑛還(hái)進(jìn)一步分析 DRAM 價格不會暴跌的主因，是來自于目前市場上包括手機、服務器、消費性電子産品都(dōu)還(hái)供需健康的狀況，僅在個人計算機方面(miàn)，受到貿易摩擦及處理器缺貨的因素所影響，會有短期市場跌價的壓力。
動态随機存取存儲器(DRAM)廠紛紛放緩擴産腳步，據市調機構集邦科技預估，2019年DRAM産業資本支出金額約180億美元，將(jiāng)減少1成(chéng)左右。
集邦科技表示，韓國(guó)兩(liǎng)大DRAM廠三星(Samsung)與SK海力士(Hynix)較早宣布放緩2019年投資計劃，三星2019年DRAM投資金額約80億美元，主要用在轉換1y納米制程及新産品開(kāi)發(fā)。
随着平澤廠擴産計劃終止，集邦科技預估，三星2019年位元成(chéng)長(cháng)率將(jiāng)約20%，將(jiāng)創下曆年新低紀錄。
SK海力士2019年DRAM投資金額也將(jiāng)降至55億美元左右，將(jiāng)用以推進(jìn)制程技術及提升良率，集邦科技預期，SK海力士因中國(guó)無錫新廠落成(chéng)，2019年位元成(chéng)長(cháng)率將(jiāng)約21%。
美光(Micron)2019年資本支出將(jiāng)降至30億美元左右，位元成(chéng)長(cháng)率也將(jiāng)降至15%。
集邦科技指出，2018年第4季DRAM合約價下跌約10%，預期受淡季效應影響，2019年第1季價格將(jiāng)再跌15%，第2季價格跌幅可能(néng)收斂至10%以内。
钰創科技的專精型DRAM産品512Mb DDR2、512Mb DDR3、1Gb DDR3與2Gb DDR3，已經(jīng)被智慧音箱主要廠家采用，且KGD （Known Good Die）的方案亦被導入其下一代的産品中。
AI（人工智能(néng)）科技近年來的趨勢，由過(guò)去的雲端運算逐步走向(xiàng)邊緣運算，推動了終端裝置的智慧化發(fā)展，根據IEK最新的預估，在2022年將(jiāng)會有75%的AI運算處理與資料儲存會在終端裝置進(jìn)行。目前AI相關的消費型終端裝置中，除了人手一支的智能(néng)型手機外，最熱門的就是智慧音箱。
智慧音箱已經(jīng)成(chéng)爲智慧家庭的入口核心裝置，其硬件需要深度學(xué)習的類神經(jīng)網絡運算來處理語音信息，較過(guò)去單純用聲音控制複雜許多。此外，在消費型機器人的應用上，掃地機器人（Robotic Vacuum Cleaner）五年内複合年成(chéng)長(cháng)率超過(guò)10%、已達每年數百萬台市場規模，其中藉由多重感應器的資料建構室内立體地圖，以循序移動的打掃方式取代過(guò)去盲視且随機的移動，達到更有效率、更加清潔的效果。
钰創表示，目前正開(kāi)拓智慧家庭相關領域，專精型DRAM産品已于客戶驗證中。 對(duì)行動式存儲器之開(kāi)展，钰創專注于具備高頻寬與低容量特性的産品。目前256Mb LPDDR2産品具有低功耗與32 I/O的規格，不僅适用于4K顯示器的控制芯片，也深度整合于360度全場攝影機方案中，支援高分辨率的3D立體影像錄像，爲使用者提供了具體鮮明且身曆其境的影像，讓記憶更加美好(hǎo)。
在AIOT的應用中，對(duì)于網絡的需求不僅僅是高頻寬與低延遲，更需要無所不在的連網，因此推動了5G通訊的規範與低功耗廣域網路（LPWAN, Low Power Wide Area Network）的高速發(fā)展，爲此須布建各種(zhǒng)專用型閘道(dào)器（Gateway的網絡系統，來提供雲端服務器與終端裝置的網絡連結。钰創科技對(duì)于閘道(dào)器應用，擁有完整的DDR2/DDR3 SDRAM與SPI NAND存儲器方案，藉由通過(guò)國(guó)内外主要通訊芯片廠家平台的驗證，供貨給主要客戶。
钰創科技將(jiāng)于2019 CES現場展示包括：AI終端智慧音箱及消費型機器人、5G寬帶的閘道(dào)器完整存儲器、深度整合于360度全場攝影之專精型DRAM方案等終端裝置之智慧化發(fā)展趨勢。
随着 5G 明年步入商轉，資料傳輸需求大增，可望顯著刺激存儲器景氣。雖然近期存儲器步入景氣向(xiàng)下循環，但曆經(jīng)調整後(hòu)，5G、人工智能(néng)與邊緣運算等帶動科技新浪潮，將(jiāng)帶動 DRAM 與 NAND Flash 需求重回成(chéng)長(cháng)，南亞科、華邦電等台廠都(dōu)將(jiāng)因此受惠。
DRAM 近年來受惠資料中心持續建置，服務器存儲器出貨量大幅攀升，伴随 5G 商轉産生的大量數據，將(jiāng)需要建置更多資料中心來容納。随着資料中心需求持續推升，未來服務器 DRAM 可望成(chéng)爲成(chéng)長(cháng)力道(dào)最強勁的存儲器領域，研調甚至認爲，未來 2 至 3 年内，服務器存儲器將(jiāng)超越行動式存儲器，成(chéng)爲供需主流。
爲迎接服務器市場未來的強勁成(chéng)長(cháng)動能(néng)，南亞科今年正式重返缺席逾 5 年的服務器 DRAM 市場，8Gb DDR4 服務器産品已獲美系資料中心大廠驗證通過(guò)，第 4 季小量出貨，并于明年放量，要全力搶攻服務器市場，盼明年底前服務器 DRAM 産品可占整體出貨比重超過(guò) 1 成(chéng)。
除南亞科積極布局以因應相關需求外，華邦電也不缺席。華邦電總經(jīng)理詹東義認爲，5G、人工智能(néng)與邊緣運算需求增加，將(jiāng)使更多産品智慧化，成(chéng)爲驅動産業的新成(chéng)長(cháng)動能(néng)，因此對(duì)未來市場需求并不悲觀，將(jiāng)持續耕耘質量要求較高的金字塔頂端客戶。
而在 NAND Flash 方面(miàn)，随着 5G 帶動智慧家庭、自動駕駛等新興領域持續發(fā)展，擁有運算能(néng)力的終端産品數量將(jiāng)會明顯提升，可望帶動中低容量 NAND Flash 産品出貨量增加，後(hòu)市需求動能(néng)同樣樂觀可期。
12月29日，兆易創新發(fā)布《關于合作協議的進(jìn)展公告》。
公告顯示，兆易創新與合肥市産業投資控股（集團）有限公司（以下簡稱“合肥産投”，與公司合稱“雙方”）于2017年10月26日簽署了《關于存儲器研發(fā)項目之合作協議》（以下簡稱“《合作協議》”），約定雙方合作開(kāi)展12英寸晶圓存儲器研發(fā)項目（以下簡稱“本項目”）。
根據《合作協議》，本項目目标是在 2018年12月31日前研發(fā)成(chéng)功，即實現産品良率（測試電性良好(hǎo)的晶片占整個晶圓的比例）不低于10%。項目所需投資由兆易創新和合肥産投按照1:4 的比例負責籌集，項目總預算約爲180億元人民币，其中兆易創新負責籌集約36億元。
雙方約定，若2018年12月31日前本項目目标尚未實現、雙方決定終止項目，兆易創新與合肥産投需要根據1:4分擔項目損益；又或2018年12月31日前未能(néng)按期實現目标，且合肥産投決定退出而兆易創新決定繼續經(jīng)營的并截至2019年12月31日，本項目目标仍未實現的，兆易創新有義務完成(chéng)收購合肥産投在項目應當享有的清算或處置收益。
如今臨近約定日期，兆易創新表示，經(jīng)溝通确認，雙方將(jiāng)繼續推進(jìn)本項目實施。本項目的後(hòu)續具體實施，將(jiāng)視需要簽署明确、具體的一份或數份執行協議進(jìn)一步确定，後(hòu)續協議的簽訂及協議内容尚存在不确定性。
持續上漲兩(liǎng)年多的DRAM内存價格在今年Q4季度終于由漲轉跌了，三星、SK Hynix及美光三大内存芯片供應商都(dōu)在想方設法應對(duì)即將(jiāng)到來的降價周期，這(zhè)三家公司已經(jīng)确定會削減明年的資本支出，不再大幅增加内存産能(néng)以減緩内存降價趨勢。
三星Q4季度的内存降價，再加上今年一直在跌價的NAND閃存，預計三星本季度盈利會下滑7.6%，但是全年積累之下，三星今年的利潤依然會達到62.6萬億韓元，創造曆史最好(hǎo)記錄。
三星即將(jiāng)在明年1月份發(fā)布2018年Q4季度财報，在此之前市場已經(jīng)在打預防針了，因爲本季度中内存芯片也開(kāi)始跌價了，勢必會影響三星的賺錢能(néng)力。來自韓國(guó)分析師的分析認爲三星今年Q4季度的營收爲63.8萬億韓元，同比下滑3.2%，而下滑的主要原因就是内存以及NAND芯片跌價，其他風險還(hái)有中美貿易戰等等，不過(guò)這(zhè)些因素都(dōu)沒(méi)有存儲芯片跌價影響大。
與營收微幅下滑不同，三星Q4季度的運營利潤下滑更多，預期本季運營利潤隻有13.9萬億韓元，約合123億美元，與去年同期的15.1萬億韓元相比會下滑7.6%。
盡管Q4季度會因爲存儲芯片跌價而導緻利潤下滑，但是放眼全年的話，由于前三季度DRAM内存芯片價格一直維持強勢，三星此前在DRAM芯片上維持了70%以上的毛利率，所以折抵下來全年盈利依然會創新高，預計今年運營利潤高達62.6萬億韓元，約合557.3億美元或者3844億人民币，而去年全年的運營利潤也不過(guò)53.6萬億韓元，約合3291億人民币，相比之下，今年的盈利依然會大漲16.8%。
