服務器内存歸檔 - 北京中代科技有限公司

英特爾H10存儲器威脅服務器市場，三星與 SK 海力士也將(jiāng)推新品

2019年4月29日由中代科技評論關閉

日前，處理器大廠英特爾推出結合 DRAM 及 NAND Flash 優點于其中的 Intel Optane 存儲器 H10，期望憑借着英特爾本身在服務器處理器上的市占率優勢，將(jiāng) H10 推廣到服務器當中，進(jìn)一步挑戰目前服務器存儲器中三星與 SK 海力士的地位。

而對(duì)于來勢洶洶的英特爾，三星與 SK 海力士随即表示，將(jiāng)推出相類似的産品以抗衡英特爾。因此，服務器存儲器大展進(jìn)入一觸即發(fā)的狀态。

根據韓國(guó)媒體《ETnews》的報導，英特爾日前推出將(jiāng) Intel Optane 與 Intel QLC 3D NAND 技術結合在一個 M.2 模塊當中的 Intel Optane 存儲器 H10。雖然英特爾宣稱，H10 將(jiāng)适用于輕薄的筆記型計算機上，以及某些空間受限的桌上型計算機，提供了當今傳統 Triple Level Cell (TLC) 3D NAND SSD 無法滿足的更高效能(néng)，并且減少對(duì)于第 2 顆資料儲存設備的需求。

但是，因爲 H10 具備着融合了 DRAM 與 NAND Flash 的優點，那就是雖然在 DRAM 的存儲器速度比過(guò)去傳統的存儲器稍慢，卻有着價格上的優勢，而且具有 NAND Flash 斷電後(hòu)資料依舊能(néng)保存，成(chéng)爲另外儲存空間的優點。而且，因爲英特爾與美光多年來所開(kāi)發(fā)的 3D XPoint 技術，可以將(jiāng) NAND Flash 的速度提高 1,000 倍，而且延長(cháng)持續使用時間的情況下，更使其适合在服務器内所使用。因此，對(duì)于當前服務器存儲器的兩(liǎng)大廠商──三星與 SK 海力士來說的确造成(chéng)威脅，使得三星與SK海力士也宣布將(jiāng)推出相類似的産品應戰。

報導表示，英特爾的 H10 被稱之爲下一代的存儲器儲存裝置，而且采用 Intel Optane 存儲器 H10 的第 8 代 Intel Core U 系列行動平台，將(jiāng)于本季稍晚透過(guò)主要 OEM 廠商推出。透過(guò)這(zhè)些平台，日常用戶將(jiāng)能(néng)夠在多工處理時，達到啓動文件檔案的速度提高 2 倍，或者遊戲啓動速度提高 60%，以及打開(kāi)媒體檔案的速度提高 90% 的效能(néng)。

而随着筆電使用的 H10 問世，未來英特爾在服務器方面(miàn)的相關産品也將(jiāng)會很快地推出，而憑借着英特爾在服務器上的高市占率優勢，未來將(jiāng)會影響到三星與 SK 在服務器存儲器上的市占率。因此針對(duì)次此一市場，三星與海力士也將(jiāng)推出相類似的産品競争，不讓英特爾專美于前。

集邦咨詢：DRAM均價受庫存尚未去化完成(chéng)影響，跌勢恐將(jiāng)持續至下半年

2019年3月25日由中代科技評論關閉

集邦咨詢：DRAM均價受庫存尚未去化完成(chéng)影響，跌勢恐將(jiāng)持續至下半年

集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）指出，受庫存過(guò)高影響，DRAM第一季合約價跌幅持續擴大，整體均價已下跌逾20%。然而價格加速下跌并未刺激需求回溫，預計在庫存尚未去化完成(chéng)的影響下，DRAM均價跌勢恐將(jiāng)持續至第三季。

根據DRAMeXchange調查，DRAM供應商累積的庫存水位在第一季底已經(jīng)普遍超過(guò)六周 (含wafer bank)，而買方的庫存水位雖受到不同産品别的影響略有增減，但平均至少達五周，在服務器以及PC客戶端甚至超過(guò)七周。

進(jìn)入第二季，受惠于1Ynm制程貢獻，供給位元仍持續成(chéng)長(cháng)。在極力消化庫存的考量下，DRAM供應商普遍采取持續大幅降價的策略以刺激銷售。與第一季相似，跌幅最大的産品别爲PC與服務器内存，跌幅約兩(liǎng)成(chéng)。而行動式内存受惠于新機潮的拉貨動能(néng)跌幅較小，約10~15%，預估DRAM均價在第二季將(jiāng)持續下跌近兩(liǎng)成(chéng)水位。

至于今年下半年跌幅是否有效收斂，則取決于需求端的回溫以及第二季底庫存去化的成(chéng)效。DRAMeXchange分析，2019年各産品的DRAM平均搭載容量成(chéng)長(cháng)表現將(jiāng)不若去年，因此，終端需求的回溫是DRAM景氣是否落底的關鍵因素。單純就供需預測來看，上半年供過(guò)于求的狀況遠高過(guò)下半年，預期價格跌幅在今年第三季與第四季可望逐漸收斂。

PC、服務器用DRAM 2Q跌價幅度未見收斂，行動内存跌幅趨緩

觀察DRAM各應用别今年的價格走勢，由于庫存水位較高的關系，自去年第四季以來，以标準型内存與服務器内存的跌幅最爲明顯。以PC需求面(miàn)來說，今年缺乏刺激出貨量成(chéng)長(cháng)的因素，再加上Intel CPU缺貨狀況在中低階機種(zhǒng)仍未緩解，使得出貨不振的狀況在上半年特别顯著。以主流标準型内存模組8GB解決方案來看，第一季度的價格已經(jīng)下滑近三成(chéng)，最低價已落在近40美元。展望第二季，均價持續下探35美元，年底恐怕要挑戰30美元關卡。

服務器在經(jīng)曆連續兩(liǎng)年的需求高峰後(hòu)，第一季由于庫存偏高，加上進(jìn)入傳統OEM的淡季，備貨動能(néng)顯著衰退。雖然三月開(kāi)始，部分北美資料中心業者開(kāi)始陸續洽單，但整體采購力道(dào)仍未明顯複蘇。再者，現階段供需雙方普遍庫存偏高，在既有庫存去化與需求動能(néng)恢複前，預估服務器内存價格將(jiāng)持續走跌。DRAMeXchange預估，第二季仍將(jiāng)有兩(liǎng)成(chéng)左右的跌幅，第三與第四季也會維持接近一成(chéng)左右的降價空間。

在行動内存方面(miàn)，第一季受到智能(néng)手機市場需求不旺，生産總量較去年同期衰退逾10%的影響，行動内存供應商庫存無法有效去化，導緻價格持續下探，discrete以及eMCP産品平均跌幅接近2成(chéng)，市場報價混亂。

展望第二季以及第三季，除了受惠Android / iPhone雙陣營旗艦新機備料帶動單機搭載容量提升外，也同時受惠傳統市場旺季，整體需求將(jiāng)轉趨熱絡，預估合約價跌幅將(jiāng)較第一季收斂，不過(guò)考慮到今年智能(néng)手機總生産數量將(jiāng)呈現負成(chéng)長(cháng)，中、低階手機平均搭載容量成(chéng)長(cháng)有限，第二、三季的合約價格依舊難以止跌。

而就利基型存儲器價格走勢來看，農曆假期過(guò)後(hòu)，中國(guó)有部分機上盒、網通标案訂單出現帶動小量拉貨需求，然一次性标案結束後(hòu)，整體需求仍然疲軟。DDR3供給仍高于需求的情況下，預期今年第二季與三季利基型存儲器價格仍將(jiāng)分别走跌15%與10%。

南亞科：服務器用DRAM需求已重現曙光

2019年3月5日由中代科技評論關閉

DRAM大廠南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，近期服務器用DRAM需求已經(jīng)反彈，此舉將(jiāng)幫助第二季DRAM市況優于首季，下半年轉好(hǎo)。

李培瑛分析，去年前三季DRAM大好(hǎo)，很主要的一個原因是服務器需求所帶動的，但自去年第三季底開(kāi)始，服務器用DRAM需求急凍，緻使整個DRAM産業面(miàn)臨供給過(guò)剩的窘境，連帶DRAM報價也迅速下跌。

但自今年3月開(kāi)始，服務器用DRAM需求開(kāi)始加溫，此舉似乎也意味着，DRAM産業最差時間已經(jīng)過(guò)去了，産業也開(kāi)始出現觸底反彈的契機；而李培瑛也透露，第二季DRAM産業景氣會比第一季好(hǎo)些，下半年仍有産業旺季效應可期。

上季DRAM價反轉向(xiàng)下今年Q1持續下探20%

2019年2月26日由中代科技評論關閉

去年第4季DRAM供應商總營收較前一季下滑18.3%，其中三星的位元出貨在3大原廠中下滑最多。（彭博資料照）

集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，DRAM報價于2018年第4季開(kāi)始反轉向(xiàng)下，造成(chéng)DRAM整體産業營收下滑。DRAM供應商的位元出貨（sales bit）大幅季減，去年第4季DRAM總營收較前一季下滑18.3%。

廠商報價策略更積極

DRAMeXchange指出，2019年1月份合約價格持續走跌，就一線PC-OEM大廠訂價來看，主流8GB模塊1月均價已滑落至50美元，且2、3月在月合約（monthly deal）議定下，價格持續下探，預估整體第1季跌幅約在20~25%。此外，DRAM供應商于2018年第4季的生産位元（production bit）遠高于位元出貨，導緻庫存壓力加劇，因此爲加速去化庫存，廠商在報價策略上將(jiāng)更爲積極。

從營收角度來觀察，産業龍頭三星在服務器存儲器出貨大減的沖擊下，第4季位元出貨在3大原廠中下滑最多，營收較上季下滑25.7%，來到94.5億美元，市占則跌至41.3%。而SK海力士的位元出貨僅下滑約2%，營收季減12.3%，至71.4億美元，市占突破3成(chéng)，來到31.2%。

美光仍舊維持第3，雖較上季下滑9.2%，但在3大原廠中表現最佳，市占率上升到23.5%，營收來到53.7億美元。

台系廠商部分，南亞科第4季受到标準型存儲器市況不佳影響，位元出貨下跌超過(guò)20%，營收較前一季大幅衰退30.8%。

力晶科技本身DRAM營收較上季成(chéng)長(cháng)10.3%，但若涵蓋DRAM代工業務，營收則下滑近雙位數。華邦DRAM營收下滑16.8%，産品價格跌幅不到5%，但位元出貨仍因整體拉貨動能(néng)疲弱，季減逾10%。

集邦咨詢：2018年第四季DRAM産值正式反轉向(xiàng)下，原廠獲利能(néng)力衰退

2019年2月25日由中代科技評論關閉

集邦咨詢：2018年第四季DRAM産值正式反轉向(xiàng)下，原廠獲利能(néng)力衰退

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示，DRAM報價于2018年第四季開(kāi)始反轉向(xiàng)下，造成(chéng)DRAM整體産業營收下滑。由于需求端的庫存水位普遍偏高，導緻采購力道(dào)薄弱，連帶使得DRAM供應商的位元出貨(sales bit)多呈現大幅季衰退。在量價齊跌的壓力下，2018年第四季DRAM總營收較上季下滑18.3%。

DRAMeXchange指出，2019年一月份合約價格持續走跌。就一線PC-OEM大廠定價來看，主流8GB模組一月均價已滑落至50美元，且二、三月在月合約(monthly deal)議定的情況下，價格持續下探，預估整體第一季跌幅約在20-25%。此外，DRAM供應商于2018年第四季的生産位元(production bit)遠高于位元出貨，導緻庫存壓力加劇。因此爲加速去化庫存，廠商在報價策略上將(jiāng)更爲積極。

從營收角度觀察，廠商普遍難逃季衰退的命運。産業龍頭三星在服務器内存出貨大減的沖擊下，第四季位元出貨在三大原廠中下滑最多，營收較上季下滑25.7%，來到94.5億美元，市占則跌至41.3%。而SK海力士的位元出貨僅下滑約2%，因此營收下跌幅度較三星輕微，季減12.3%至71.4億美元，市占突破3成(chéng)來到31.2%。

美光仍舊維持第三，在出貨策略較爲彈性的幫助下，營收來到53.7億美元，雖較上季下滑9.2%，但在三大原廠中表現最佳，市占率上升到23.5%。

DRAMeXchange預估，三星面(miàn)對(duì)市占明顯遭侵蝕且庫存水位相對(duì)偏高的雙重壓力下，未來在報價策略上將(jiāng)更積極，避免市占持續遭壓縮。

觀察原廠獲利能(néng)力，2018年第四季受到整體價格下跌影響，供應商的獲利高點正式告終，營業利益率皆呈現衰退。龍頭廠三星因降價求售的力道(dào)最小，且1Ynm比重逐漸提升，營業利益率僅由前一季的70%下滑至66%。然而，第四季即使報價反轉，生産DRAM的毛利率仍有8成(chéng)左右水平，顯示三星仍有本錢做較爲積極的價格策略。

SK海力士第四季出貨量高，代價即爲獲利能(néng)力的侵蝕，本季度的營業利益率從第三季的66%下跌至58%。美光則因公司财報月份爲9-11月，價格下跌幅度不如韓廠所結算的10-12月，因此營業利益率僅從上季的62%下跌至58%。

展望2019年第一季，在産業價格跌幅更劇烈的情況下，原廠獲利空間將(jiāng)被進(jìn)一步壓縮。

由技術面(miàn)觀察，随着Line 17增加投片以及平澤廠二樓的DRAM産能(néng)陸續開(kāi)出，三星于去年底已達到1X+1Ynm産出比重合計70%的目标。今年平澤廠雖計劃不再增加投片量，但Line 17與平澤廠二樓仍將(jiāng)持續轉換1Ynm，爲順應目前市況，轉換速度并不快。

至于SK海力士，1Xnm良率已上軌道(dào)，中國(guó)無錫新建的第二座12英寸廠也已于今年上半年開(kāi)始貢獻産出。不過(guò)由于全球經(jīng)濟不确定性的影響，無錫廠擴增投片的進(jìn)度不會太積極。

而美光方面(miàn)，台灣美光内存（原瑞晶）已全數以1Xnm生産，下一步將(jiāng)直接轉進(jìn)1Znm，但實際貢獻將(jiāng)落在2020年；台灣美光晶圓科技（原華亞科）已于去年第二季進(jìn)行20nm往1Xnm的轉換，今年上半年將(jiāng)開(kāi)始轉往1Ynm，并緩步提升比重。

台系廠商部分，南亞科第四季受到标準型内存市況不佳影響，位元出貨下跌超過(guò)20%，營收表現較前一季大幅衰退30.8%。毛利較佳的DDR4産品出貨比重低，加上整體産業報價向(xiàng)下，營業利益率由上一季的51.0%下跌至41.8%。在廠房設備折舊攤提費用提升，以及20nm所帶來的成(chéng)本效益越來越小的情況下，獲利能(néng)力恐將(jiāng)持續萎縮。

力晶科技方面(miàn)，本身DRAM營收較上季成(chéng)長(cháng)10.3%，若涵蓋DRAM代工業務，營收則下滑近雙位數。至于華邦DRAM營收下滑16.8%，産品價格跌幅不到5%，但位元出貨仍因整體拉貨動能(néng)疲弱而季減逾10%。

DRAM供過(guò)于求第2季報價恐再跌15%

2019年2月20日由中代科技評論關閉

DRAM市場供過(guò)于求，第1季産品價格下跌逾2成(chéng)，市調機構集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)預期，第2季産品價格可能(néng)再跌15%。

DRAMeXchange表示，因淡季效應影響，庫存水位依然偏高，買方拉貨意願疲弱，沖擊第1季DRAM價格下跌超過(guò)2成(chéng)，其中，又以服務器存儲器下跌幅度最大，跌幅逼近3成(chéng)。

展望後(hòu)市，DRAMeXchange預期，第2季需求雖可能(néng)略有回溫，隻是先前累積的庫存仍需時間去化，第2季供過(guò)于求壓力仍在，DRAM價格將(jiāng)再跌15%。

DRAMeXchange預估，服務器存儲器最快要到第3季庫存水位才可望有效降低，産品價格跌幅才會随着收斂。行動存儲器則受惠新機效應，第2季需求可望轉強，隻是産品價格仍難以止跌。

集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)

集邦咨詢：庫存去化不易，2019年第一季服務器内存合約價跌幅逾兩(liǎng)成(chéng)

2019年1月21日由中代科技評論關閉

集邦咨詢：庫存去化不易，2019年第一季服務器内存合約價跌幅逾兩(liǎng)成(chéng)

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查顯示，服務器内存市場受到庫存壓力與淡季效應的影響，需求面(miàn)持續低迷，且在全球貿易不穩定的心理預期下，2019年上半年市場需求將(jiāng)更趨保守。2019年第一季服務器内存的合約價將(jiāng)從原先預估的較前一季下跌15%，擴大至兩(liǎng)成(chéng)以上。

對(duì)此，DRAMeXchange資深分析師劉家豪表示，其主要原因仍出在服務器内存庫存難以去化。若以原廠供給達成(chéng)率(Supplier Fulfilment Rate)來看，平均需求滿足度已從去年第四季的90%，來到今年第一季的120%，整體市況供大于求。現階段北美資料中心客戶的庫存水位普遍落在5至6周以上，而傳統品牌廠約維持在4周左右。以過(guò)往産線配置分析，庫存明顯高出一倍以上。

從需求面(miàn)來看，服務器産業在曆經(jīng)過(guò)去兩(liǎng)年強勁的備貨動能(néng)後(hòu)，新平台服務器需求已獲得滿足，零組件庫存也已備齊，同時在2019年總體經(jīng)濟不樂觀與貿易不穩定等因素的影響下，無論是資料中心業者與品牌廠，對(duì)于上半年需求皆趨于保守。未來幾個季度，在内存價格預期將(jiāng)持續走跌的氛圍下，拉貨動能(néng)將(jiāng)更加疲弱。

爲了避免供需問題持續惡化，今年DRAM原廠普遍沒(méi)有積極的擴産計劃，同時也在服務器内存的制程進(jìn)展與高容量芯片的轉産計劃上放緩腳步，以抑止過(guò)剩的供給。

其次，供給方爲了加速去化庫存，從2018年第四季開(kāi)始普遍以“月”的方式議定合約價。這(zhè)顯示出在産能(néng)增加與銷售壓力升高的情況下，以量議價的模式已打破傳統原廠強勢的季度鎖定合約(Quarterly Lock-in Deal)，小批量與低價格的趨勢越來越明顯，這(zhè)也意味着合約價將(jiāng)持續下探。

DRAMeXchange預期，第二季後(hòu)服務器需求（如中國(guó)資料中心與全球品牌廠出貨）會陸續回溫，若庫存去化得宜，第三與第四季價格跌幅可望收斂，但預估全年價格跌幅仍將(jiāng)接近五成(chéng)。

資料傳輸需求增可望刺激存儲器新一波成(chéng)長(cháng)

2019年1月2日由中代科技評論關閉

随着 5G 明年步入商轉，資料傳輸需求大增，可望顯著刺激存儲器景氣。雖然近期存儲器步入景氣向(xiàng)下循環，但曆經(jīng)調整後(hòu)，5G、人工智能(néng)與邊緣運算等帶動科技新浪潮，將(jiāng)帶動 DRAM 與 NAND Flash 需求重回成(chéng)長(cháng)，南亞科、華邦電等台廠都(dōu)將(jiāng)因此受惠。

DRAM 近年來受惠資料中心持續建置，服務器存儲器出貨量大幅攀升，伴随 5G 商轉産生的大量數據，將(jiāng)需要建置更多資料中心來容納。随着資料中心需求持續推升，未來服務器 DRAM 可望成(chéng)爲成(chéng)長(cháng)力道(dào)最強勁的存儲器領域，研調甚至認爲，未來 2 至 3 年内，服務器存儲器將(jiāng)超越行動式存儲器，成(chéng)爲供需主流。

爲迎接服務器市場未來的強勁成(chéng)長(cháng)動能(néng)，南亞科今年正式重返缺席逾 5 年的服務器 DRAM 市場，8Gb DDR4 服務器産品已獲美系資料中心大廠驗證通過(guò)，第 4 季小量出貨，并于明年放量，要全力搶攻服務器市場，盼明年底前服務器 DRAM 産品可占整體出貨比重超過(guò) 1 成(chéng)。

除南亞科積極布局以因應相關需求外，華邦電也不缺席。華邦電總經(jīng)理詹東義認爲，5G、人工智能(néng)與邊緣運算需求增加，將(jiāng)使更多産品智慧化，成(chéng)爲驅動産業的新成(chéng)長(cháng)動能(néng)，因此對(duì)未來市場需求并不悲觀，將(jiāng)持續耕耘質量要求較高的金字塔頂端客戶。

而在 NAND Flash 方面(miàn)，随着 5G 帶動智慧家庭、自動駕駛等新興領域持續發(fā)展，擁有運算能(néng)力的終端産品數量將(jiāng)會明顯提升，可望帶動中低容量 NAND Flash 産品出貨量增加，後(hòu)市需求動能(néng)同樣樂觀可期。