随着 5G 明年步入商轉，資料傳輸需求大增，可望顯著刺激存儲器景氣。雖然近期存儲器步入景氣向(xiàng)下循環，但曆經(jīng)調整後(hòu)，5G、人工智能(néng)與邊緣運算等帶動科技新浪潮，將(jiāng)帶動 DRAM 與 NAND Flash 需求重回成(chéng)長(cháng)，南亞科、華邦電等台廠都(dōu)將(jiāng)因此受惠。
DRAM 近年來受惠資料中心持續建置，服務器存儲器出貨量大幅攀升，伴随 5G 商轉産生的大量數據，將(jiāng)需要建置更多資料中心來容納。随着資料中心需求持續推升，未來服務器 DRAM 可望成(chéng)爲成(chéng)長(cháng)力道(dào)最強勁的存儲器領域，研調甚至認爲，未來 2 至 3 年内，服務器存儲器將(jiāng)超越行動式存儲器，成(chéng)爲供需主流。
爲迎接服務器市場未來的強勁成(chéng)長(cháng)動能(néng)，南亞科今年正式重返缺席逾 5 年的服務器 DRAM 市場，8Gb DDR4 服務器産品已獲美系資料中心大廠驗證通過(guò)，第 4 季小量出貨，并于明年放量，要全力搶攻服務器市場，盼明年底前服務器 DRAM 産品可占整體出貨比重超過(guò) 1 成(chéng)。
除南亞科積極布局以因應相關需求外，華邦電也不缺席。華邦電總經(jīng)理詹東義認爲，5G、人工智能(néng)與邊緣運算需求增加，將(jiāng)使更多産品智慧化，成(chéng)爲驅動産業的新成(chéng)長(cháng)動能(néng)，因此對(duì)未來市場需求并不悲觀，將(jiāng)持續耕耘質量要求較高的金字塔頂端客戶。
而在 NAND Flash 方面(miàn)，随着 5G 帶動智慧家庭、自動駕駛等新興領域持續發(fā)展，擁有運算能(néng)力的終端産品數量將(jiāng)會明顯提升，可望帶動中低容量 NAND Flash 産品出貨量增加，後(hòu)市需求動能(néng)同樣樂觀可期。