台系DRAM廠南亞科自結1月營收新台币42.58億元，月減11.82%，爲19個月新低水平。
南亞科1月出貨量增加4%至6%，隻是産品平均售價下滑14%至16%，是影響整體1月營收持續滑落的主因。
因全球經(jīng)濟放緩、美中貿易摩擦與英特爾(Intel)處理器短缺影響，南亞科對(duì)上半年DRAM市況看法保守，預期第1季産品價格可能(néng)下跌1成(chéng)。
南亞科預期，第3季随着時序步入傳統旺季，加上處理器缺貨情況可望減緩，産品跌價趨勢有機會減緩。因應市況轉趨保守，南亞科今年資本支出可能(néng)驟降至新台币100億元左右，將(jiāng)較去年大幅減少5成(chéng)。
存儲器大廠華邦電31日舉行法說會，并且公布 2018 年第 4 季與 2018 年全年的營收成(chéng)績。财務長(cháng)黃求己指出，雖然 2018 年前 3 季的存儲器市場有着不錯的表現。然而下半年開(kāi)始，市場需求降低，以及庫存增加的沖擊下，第 4 季獲利來到 8.79 億元（新台币，下同），每股 EPS 僅 0.22 元，爲近 5 年來新低紀錄。累計，全年獲利受惠前 3 季的亮麗成(chéng)績表現下，獲利爲 74.46 億元，每股 EPS 爲 1.87 元，創下近 18 年來的新高。
黃求己指出，華邦電 2018 年第 4 季含新唐科技等子公司的營收爲 118.68 億元，營業毛利率爲 34%，相較上季的 38.37%，以及 2017 年同期 37.81% 皆呈現下滑狀态。而歸屬母公司淨利爲 8.79 億元，每股 EPS 0.22 元，爲近 5 年來新低紀錄。累計，2018 年全年合并營收爲 511.9 億元，歸屬母公司淨利爲 74.46 億元，每股 EPS 爲 1.87 元。
觀察華邦電 2018 年第 4 季營收表現，除了金額較第 3 季減少 13% 之外，出貨量也較第 3 季減少約 11% 到 12%，平均單位價格也下跌幅度約在 2% 到 3%。其中，又以 NAND Flash 價格下跌程度大于 NOR Flash。
其中，存儲器事(shì)業中，DRAM 産品事(shì)業含利基型存儲器以及行動存儲器等産品，占 2018 年第 4 季營收比重 52%，營收季減 17%。而第 4 季存儲器産品營收在各應用類别占比分别爲消費性電子 (Consumer) 占 30%、通訊電子 (Communication) 占 26%、計算機相關 (Computer) 占 26%、車用及工業用相關 (Car&Industrial) 占 18%。而在快閃存儲器業務的部分，2018 年第 4 季營收比重達 48%，營收較 2018 年第 3 季下滑 12%。
華邦電總經(jīng)理詹東義表示，針對(duì) 2018 年第 4 季營收衰退的現象，乃是在之前市況以及産業展望都(dōu)過(guò)于樂觀，之後(hòu)随着手機市場的成(chéng)長(cháng)衰退，并且加上中美貿易摩擦的影響、以虛拟貨币價格崩跌的情況，讓市出現供過(guò)于求，以及通路庫存過(guò)高的問題，造成(chéng)整體市場的需求量快速下滑。但是，在其中看到好(hǎo)的地方是，消費端對(duì)産品的需求量仍在健康的情況下，對(duì)于未來的發(fā)展仍有着希望。
因此，展望未來，詹東義指出，2019 年上半年市場處于庫存消化的狀态。之後(hòu)，在庫存降到某合理水位的情況下，真正的需求就會産生。而且，目前的供應商都(dōu)相對(duì)理性，供給會以市場的第一需求爲考量，不會過(guò)度囤積庫存的情況下，供給問題也可以獲得解決。因此，華邦電在 NOR Flash 部分，因爲具備第一大供應商的地位，跌價壓力較小的情況下，持續追求高階應用。另外，在 DRAM 部分，華邦電也已經(jīng)推出了 2GB/4GB DDR3 與 2GB LPDDR4 産品。至于，在 Flash 的産品上，已經(jīng)推出 256MB 與 512MB Serial NOR Flash 等新産品，搶攻各項領域的使用。
詹東義還(hái)表示，目前高雄路竹 12 英寸新廠于在 2018 年 10 月正式動土後(hòu)，當前進(jìn)展都(dōu)非常順利。而因爲華邦電 25 納米 DRAM 在 2018 年第 4 季已小量量産，并且在第二代 2x 納米 SLC NAND Flash 與 4x 納米 NOR Flash 均在積極研發(fā)的情況下，未來高雄路竹 12 英寸新廠完工之後(hòu)將(jiāng)會采用什麼(me)新技術來生産，就要視幾個關鍵客戶未來的需求而定。
DRAM在過(guò)去的幾十年裡(lǐ)發(fā)展方向(xiàng)單一，以追求高密度存儲器爲目标，但台灣的钰創科技沒(méi)有走傳統路線，而是開(kāi)發(fā)全新的DRAM架構，稱爲RPC (Reduced Pin Count) DRAM。
在過(guò)去的幾十年裡(lǐ)，DRAM産業的發(fā)展方向(xiàng)單一，以追求高密度存儲器爲目标，首先是非同步 DRAM，然後(hòu)發(fā)展到DDR5同步DRAM。钰創科技(Etron Technology)在今年度消費性電子展(CES 2019)上表示該公司沒(méi)有走傳統路線，而是開(kāi)發(fā)全新的DRAM架構，稱爲RPC (Reduced Pin Count) DRAM。
钰創科技董事(shì)長(cháng)暨執行長(cháng)盧超群表示，RPC DRAM隻使用到一半數量的接腳，既能(néng)達到小型化，又能(néng)降低成(chéng)本。他將(jiāng)RPC DRAM定位爲小型化穿戴式裝置和終端AI子系統的理想選擇。盧超群補充說明，爲了采用DDR4，現今許多研發(fā)小型穿戴式裝置的公司必須購買更多不需要的元件，「對(duì)于許多開(kāi)發(fā)小型系統的研發(fā)人員來說，導入DDR4反而多餘。」
RPC DRAM帶領DRAM技術藍圖往不同的方向(xiàng)發(fā)展。（來源：钰創科技）
更具體地說，钰創的RPC DRAM号稱可提供16倍的DDR3頻寬，在40接腳的FI-WLCSP封裝中僅使用22個開(kāi)關訊号；該公司表示，RPC DRAM在無需增加設計複雜性和成(chéng)本的情況下，能(néng)提供DDR4的容量和頻寬。
RPC鎖定未被滿足的市場
市場研究機構Objective Analysis的分析師Jim Handy對(duì) EE Times表示：「DRAM的有趣之處在于大廠僅關注每年出貨量可達數億甚至數十億顆的元件；這(zhè)爲钰創這(zhè)樣的公司提供了機會，前提是它們能(néng)夠想辦法說明标準型動态随機存取存儲器(commodity DRAM)并不能(néng)滿足目前的市場需求，并制造出能(néng)滿足這(zhè)些市場需求的零組件。這(zhè)(RPC DRAM)就是一個例子。」
在被問到RPC DRAM 可用來解決哪些問題時，Handy 表示：「主要是節省成(chéng)本和空間；钰創提出了一個令人信服的論點，即RPC透過(guò)減少I/O接腳數目或以其他方式支援較小的邏輯晶粒(logic die)尺寸，進(jìn)而(藉由允許公司購買較低密度的元件)降低DRAM和FPGA或SoC 的成(chéng)本。他補充指出：「我發(fā)現節省成(chéng)本是任何一種(zhǒng)新産品最吸引人的理由。」
RPC DRAM與DDR3或LPDDR3 DRAM相似，但是少了一半以上的接腳數。（來源：钰創科技）
與萊迪思建立合作關系
RPC DRAM不僅僅是新DRAM架構的概念，钰創還(hái)在CES展上透露該公司已經(jīng)與萊迪思半導體(Lattice Semiconductor)合作，展出可兼容钰創RPC DRAM的萊迪思EPC5 FPGA解決方案。
爲此EE Times詢問了萊迪思這(zhè)間FPGA公司，在RPC DRAM架構中發(fā)現了哪些傳統DRAM所沒(méi)有的「特點」或「優勢」？該公司産品營銷總監Gordon Hands告訴我們：「包括FPGA在内的許多芯片之使用者相當重視I/O接腳，它們通常會對(duì)設計工程師帶來限制；透過(guò)消除對(duì)單獨控制和位址接腳(address pins)的需求，钰創的RPC存儲器能(néng)減少對(duì)這(zhè)些稀少資源的使用。」
那麼(me)萊迪思的FPGA采用RPC DRAM後(hòu)，有變得更好(hǎo)用嗎？對(duì)此Hands解釋：「自從推出ECP品牌，萊迪思一直專注于提供比其他中階FPGA産品在每個邏輯容量上更高的FPGA頻寬，研發(fā)人員運用I/O環路中的預設計元件來實現DDR存儲器界面(miàn)，我們重新使用這(zhè)些元件來支援钰創的RPC。」
Hands指出，到目前爲止萊迪思和钰創的合作已經(jīng)證明了此概念性設計可以讓此兩(liǎng)間公司的芯片具兼容性；他補充，「在2019年上半年，萊迪思希望發(fā)表一系列參考設計和展示，促使客戶加快導入此技術。」
結合萊迪思FPGA與钰創的PRC DRAM參考設計在CES 2019亮相。（來源：EE Times）
RPC DRAM無可取代？
那麼(me)，OEM和ASIC研發(fā)人員對(duì)這(zhè)種(zhǒng)新型存儲器架構的需求會有多高？除了RPC DRAM，是否有其他解決方案呢？對(duì)此Objective Analysis的Handy 表示：「目前不需要高密度DRAM的應用通常會使用SRAM，但後(hòu)者相當昂貴；低密度DRAM是另一種(zhǒng)選擇，但它們比大多數的設計需要更寬的界面(miàn)。」
在Handy看來，RPC承諾能(néng)用更具成(chéng)本效益的解決方案來取代以上兩(liǎng)者，因此隻要钰創能(néng)堅持到底，他們應該能(néng)在市場上獲得佳績。
钰創的盧超群指出，縮小存儲器尺寸是導入穿戴式裝置的一個關鍵因素，存儲器尺寸太大將(jiāng)是目前的一大缺點。他以Google智慧眼鏡爲例解釋，DDR3的頻寬足以讓智慧眼鏡撷取與播放影像，但問題是DDR3的9x13mm球閘陣列封裝(BGA)尺寸使其無法放進(jìn)智慧眼鏡。
盧超群表示，DDR3存儲器在x16配置的96球BGA封裝中，尺寸大約爲9 x 13mm；無論晶粒容量多大，采用0.8 mm間距6列、16接腳，最小封裝尺寸維持不變，即使改用256 Mbit至8 Gbit任何容量的晶粒，封裝體積也是一樣。
但如果DRAM不是采用BGA封裝呢？對(duì)此盧超群解釋，FI-WLCSP的制程與BGA不同，「不是一次隻封裝一顆芯片，而是一片晶圓一整批封裝；」而每個封裝單元都(dōu)是半導體晶粒的大小，也就是小型的FI-WLCSP封裝内就是一顆小晶粒。他表示：「RPC DRAM是世界上第一款采用FI-WLCSP封裝的 DRAM。」
采用不同封裝的RPC DRAM。（來源：钰創科技）
使用FI-WLCP封裝時，不用基闆、也不用打線接合(wire-bonding)或覆晶(flip-chip)等封裝步驟。封裝元件内包含沉積的電介質和光學(xué)定義的導體，接着是電鍍和植錫球，所有制程都(dōu)在完整晶圓片上進(jìn)行。
钰創的影像和存儲器産品開(kāi)發(fā)副總裁暨首席科學(xué)家Richard Crisp接受EE Times訪問時表示：「減少接腳數目和較小的晶粒尺寸爲RPC DRAM能(néng)采用FI-WLCSP封裝的關鍵因素；」他強調：「沒(méi)有其他DRAM采用此封裝方式，RPC DRAM隻有一粒米的大小。」
一切都(dōu)與成(chéng)本有關
要在市場上推廣 RPC DRAM，钰創必須做什麼(me)？Objective Analysis的Handy認爲：「钰創需要确保産品價格能(néng)爲OEM廠商帶來成(chéng)本效益，他們似乎正爲了這(zhè)個目标在努力，由此可知他們正朝着對(duì)的方向(xiàng)前進(jìn)；而如果這(zhè)些廠商可能(néng)會因爲依賴單一供應來源而感到不安的話，钰創要是能(néng)列出替代供應來源會有幫助。」
被問到RPC DRAM的晶圓代工夥伴時，钰創僅表示該産品采用與該公司其他DRAM産品一樣的制造來源，但婉拒透露具體合作廠商名稱。至于RPC DRAM 的制程，钰創的Crisp 強調：「與标準 DDR3 相比，我們使用标準的制程與材料，不需要用到特别誇張的信令(signaling)或特殊材料。」
就在日前的财務會議上，南韓存儲器大廠 SK 海力士繳出了 2018 年第 4 季營業利益較前一季大跌 3 成(chéng)的成(chéng)績單之後(hòu)，也宣布爲了因應接下來全球存儲器市場及貿易環境的變化，將(jiāng)會大砍 2019 年相關的資本支出達到 4 成(chéng)的幅度。這(zhè)也是主要的全球存儲器廠商中，繼南亞科將(jiāng)在 2019 年縮減 50% 的資本支出後(hòu)，縮減幅度最大的存儲器廠。
根據南韓媒體《etnews》的報導指出，SK 海力士在财務會議上表示，爲了因應全球經(jīng)濟全球不确定因素的資加，以及在半導體景氣面(miàn)臨周期低潮時，整體産業將(jiāng)遇到的不景氣現象，因此將(jiāng)降低 2019 年整體資本支出達到 40%。以 2018 年 SK 海力士的資本支出達到 17 兆韓圓的情況來計算，2019 年預估的資本支出將(jiāng)僅些微超過(guò) 10 兆韓圓而已。
報導指出，SK 海力士還(hái)進(jìn)一步指出，雖然因應大環境經(jīng)景氣的改變，以及整體半導體市場的環境需求，2019 年將(jiāng)大砍其資本支出，而且未來還(hái)有可能(néng)再進(jìn)一步下修資本支出的數字。但是，對(duì)于具備前瞻與創新性的投資將(jiāng)不再此限制之内。例如再研發(fā)的投資，以及在 M16 廠的興建上。
SK 海力士雖然在 2018 年第 4 季，繳出較前一季營業利益大跌 3 成(chéng)的成(chéng)績。但是，受惠于前半年存儲器價格居高的情況，2018 年全年營收還(hái)是達到了 40.44 兆韓圓，營業利益也達到 20.084 兆韓圓的水平，創下曆史新高紀錄。不過(guò)，海力士指出，自 2018 年下半年以來，存儲器需求從開(kāi)始放緩，而且在随着供應短缺問題解決之後(hòu)，存儲器市場價格開(kāi)始急轉直下。
SK 海力士預測，整體存儲器疲軟的狀态持續到 2019 年上半年，原因是，在外在經(jīng)濟環境的問題上，在美中貿易摩擦仍未減緩，以及信息相關産業的服務器客戶調整庫存情況下，對(duì)記憶市的場需求都(dōu)造成(chéng)沖擊。所以，SK 海力士計劃減少資本支出，然後(hòu)着重在技術開(kāi)發(fā)的項目上，透過(guò)生産技術的轉型，讓 SK 海力士能(néng)進(jìn)一步度過(guò)産業周期的低潮期，并且因應未來産業的複甦發(fā)展。
過(guò)去一年，存儲産業并購、建廠、擴産、投産動作不斷，哪些廠商的布局令你印象深刻？不妨跟着全球半導體觀察的腳步，一同回顧2018年存儲産業大事(shì)件。
Part 1、收購篇
Synopsys收購Kilopass
2018年1月11日，全球頂先的EDA和IP供應商Synopsys以非公開(kāi)的價格收購了非易失性内存IP供應商Kilopass，通過(guò)收購繼續構建其龐大的知識産權組合。
Synopsys公司表示，Kilopass是一次性可編程非易失性存儲器IP的先驅，收購將(jiāng)進(jìn)一步完善其公司汽車、物聯網、工業和移動應用的現有非易失存儲器IP産品組合。Kilopass IP將(jiāng)支持其現有DesignWare的非易失性存儲器IP一次性和多次可編程，支持在180 nm至7 nm工藝技術中實現高達4 Mbit的一次性可編程實例。
兆易創新并購思立微
2018年1月30日晚間，北京兆易創新科技股份有限公司發(fā)布《發(fā)行股份及支付現金購買資産并募集配套資金預案（摘要）》公告，公告表示，兆易創新拟通過(guò)發(fā)行股份及支付現金的方式購買上海思立微電子科技有限公司100%股權。
兆易創新目前是中國(guó)大陸領先的閃存芯片設計企業。思立微全名爲上海思立微電子科技有限公司，于2011 年1月27日在上海成(chéng)立，公司主營業務爲智能(néng)移動終端傳感器SoC芯片和解決方案的研發(fā)與銷售，主要産品爲電容觸控芯片及指紋識别芯片，産品主要應用于手機及平闆電腦。
貝恩資本收購東芝存儲
2018年6月初，全球領先的存儲解決方案提供商希捷科技公司宣布與貝恩資本爲首的财團投資者完成(chéng)了對(duì)東芝存儲公司（Toshiba Memory Corporation）的收購，希捷出資12.7億美元。這(zhè)項收購計劃此前就曾宣布，并特意爲此次收購計劃組建了名爲K.K.Pangea的新公司。
在2017年，在貝恩資本所牽頭财團收購東芝芯片業務的交易計劃中，希捷科技公司表示將(jiāng)貢獻12.5億美元。關于被收購的事(shì)情，東芝表示，已簽署協議將(jiāng)芯片業務以180億美元價格出售給貝恩資本牽頭的财團。東芝一直在努力籌措資金，以避免被摘牌的命運。除希捷外，貝恩資本财團中還(hái)包括蘋果、韓國(guó)芯片商SK海力士、戴爾和金士頓。
聯電并購三重富士通半導體
2018年6月29日，聯電與富士通半導體有限公司共同宣布，聯電將(jiāng)購買與富士通半導體所合資的12英寸晶圓廠三重富士通半導體股份有限公司(MIFS)全部股權，交易金額不超過(guò)576.3億日元。爲聯電進(jìn)一步建立多元化量産12英寸廠之生産基地。
三重富士通半導體（MIFS）前身爲富士通股份有限公司三重工廠，自1984年開(kāi)始運營以來，作爲最先端存儲器等産品的研發(fā)、量産據點，助力富士通半導體快速發(fā)展。如今，MIFS是日本爲數不多的300mm晶圓代工廠之一，B1廠采用90nm工藝，B2廠初始采用65nm工藝，2016年初開(kāi)始40nm商用生産，2016年下半年40nm正式進(jìn)入量産階段。
美光并購與英特爾合資的IM Flash
2018年10月19日，美光科技宣布，將(jiāng)收購與英特爾十多年前組建的一家閃存合資公司的股份。
美光同意斥資15億美元收購英特爾持有的IM Flash Technologies股份，并預計將(jiāng)在明年1月1日行使購買選擇權後(hòu)6至12個月完成(chéng)交易。該公司CFO戴夫·金斯納（Dave Zinsner）在會議上表示，美光科技將(jiāng)通過(guò)自由現金流支付收購款項。
猶他州工廠不僅距離該公司愛達荷州的總部很近，而且是全世界唯一可以生産3D XPoint技術的工廠。這(zhè)種(zhǒng)非揮發(fā)性存儲可以提升存儲性能(néng)，還(hái)能(néng)降低服務器的存儲成(chéng)本。
Part 2 建廠、擴産、投産篇
江蘇時代芯存相變存儲器工廠啓動運營
2018年3月底，總投資130億元的江蘇時代芯存半導體有限公司用時9個月實現廠房封頂，曆時1年22天投入使用，同時完成(chéng)所有設備采購，首台設備進(jìn)廠。這(zhè)标志着淮安已成(chéng)爲大陸地級市中唯一同時擁有兩(liǎng)個12英寸高水準項目（另一個爲德淮半導體項目）的地區。項目全面(miàn)建成(chéng)後(hòu)將(jiāng)達到年産10萬片12英寸相變存儲器的産能(néng)，年可實現銷售45億元，利稅3億元，淮安將(jiāng)成(chéng)爲大陸集成(chéng)電路産業發(fā)展的重要增長(cháng)極。
東芝建新廠增産3D NAND
東芝旗下半導體事(shì)業子公司“東芝存儲器(TMC)”2018年5月宣布，因3D架構的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)“BiCS FLASH”中長(cháng)期需求料將(jiāng)呈現擴大，因此爲了擴增3D NAND Flash産能(néng)，決定將(jiāng)在2018年7月于岩手縣北上市着手興建新工廠，該座北上新廠廠房預計將(jiāng)在2019年完工。
TMC指出，上述北上新廠將(jiāng)采用耐震結構、最新的省能(néng)源制造設備，且將(jiāng)導入活用人工智能(néng)(AI)的生産系統，提升生産效能(néng)、改善良率。
東芝與西數合資廠量産96層3D NAND
日本存儲器大廠東芝存儲器與西數（Western Digital）2018年9月19日宣布，共同在日本三重縣四日市的6号晶圓廠（Fab 6）舉行開(kāi)幕儀式。該廠爲新設先進(jìn)半導體制造廠區，并設有存儲器研發(fā)中心（Memory R&D Center）。
東芝存儲器是自2017年2月開(kāi)始興建6号晶圓廠，爲生産3D NAND Flash快閃存儲器的專用生産廠區。東芝存儲器與西數已針對(duì)沉積（deposition）與蝕刻（etching）等關鍵生産制程開(kāi)始部署先進(jìn)制造設備，新廠已經(jīng)在9月初開(kāi)始量産新一代96層3D NAND Flash。
三星西安NAND工廠3月底啓動擴産
2018年3月，三星宣布，三星位于西安的NAND工廠3月底啓動擴産。三星未來三年將(jiāng)斥資70億美元，擴大西安廠區NAND Flash産能(néng)，西安NAND Flash月産能(néng)將(jiāng)由目前的12萬片增至20萬片，增幅約67%。這(zhè)是三星去年宣布增産DRAM之後(hòu)，再次在存儲器芯片領域砸下重金擴産，爲全球存儲器市場再次投下一顆震撼彈。
美光新加坡第三座3D NAND工廠動工
2018年4月，美光新加坡第三座3D NAND工廠動工，該新工廠是美光Fab 10擴建的第三期工程，占地165,000平方米，預計會在2019年中完工，在2019年第四季度投産。工廠的量産還(hái)需要幾個季度的時間，因此預計大量的3D NAND存儲器將(jiāng)在2020年底之前産出。目前，美光在新加坡有兩(liǎng)座300mm 3D NAND工廠，分别Fab 10N和Fab 10X。 這(zhè)些工廠目前生産美光的NAND Flash的大部分份額。
英特爾大連廠2期投産
繼2015年宣布其總投資55億美元的大連的Fab 68晶圓廠第2期工程改造爲NAND Flash快閃存儲器工廠之後(hòu)，英特爾2018年5月宣布已經(jīng)正式投産。未來，主要將(jiāng)生産96層堆疊的3D NAND Flash快閃存儲器，積極追趕競争對(duì)手的市占率。
SK海力士開(kāi)建第7座工廠
2018年12月，SK Hynix正式開(kāi)工建設第7座半導體工廠──M16廠，總投資不低于15萬億韓元（約133億美元）。雖然還(hái)沒(méi)确定最終生産NAND Flash還(hái)是DRAM，但是這(zhè)座晶圓廠确定將(jiāng)會采用最先進(jìn)的EUV光刻技術。
此外，在2018年10月份，SK Hynix才剛完成(chéng)最新的M15工廠興建，已正式進(jìn)入量産，且該工廠是2015年SK Hynix宣布將(jiāng)斥資的46萬億韓元投資計劃中的一部分。
M15工廠位于韓國(guó)清州市，投資額高達15萬億韓元，以生産3D NAND Flash爲主，初期以生産現在的72層堆疊3D NAND Flash，2019年開(kāi)始，就會轉到96層堆疊的3D NAND Flash上。
南韓存儲器大廠 SK 海力士（SK Hynix）公布 2018 年第四季财報，需求減緩導緻營益狂跌三成(chéng)，表現遜于市場預期。
SK 海力士 24 日韓股盤前發(fā)布财報，2018 年第四季合并營收季減 13% 至 9.94 兆韓圓，營益季減 32% 至 4.43 兆韓圓，淨利季減 28% 至 3.4 兆韓圓。
韓聯社旗下 Yonhap Infomax 訪調顯示，24 家南韓券商預估，SK 海力士第四季營收爲 10.2 兆韓圓，淨利爲 3.8 兆韓圓，結果雙雙不如預期。
SK 海力士表示，去年上半情況有利，但是下半年需求走緩、供給短缺也獲得解決，存儲器市況迅速改變。有鑒于此，去年第四季，DRAM 位元出貨量季減 2%、平均售價季減 11%，主因總體經(jīng)濟環境不确定性提高，服務器客戶采購轉爲保守，此外，智能(néng)手機銷售轉弱，也不利 DRAM 買氣。
NAND Flash 位元出貨量季增 10%、但是平均售價季減 21%，主因高階智慧手機需求減弱。另外供應商爲了削減庫存，價格競争激烈，均價因此大減 21%。
2018 年全年而言，SK 海力士受惠于上半年存儲器的強勁表現，營收和營益連續兩(liǎng)年打破空前紀錄。SK 海力士年度合并營收達 40.45 兆韓圓、年度營益爲 20.84 兆韓圓、年度淨利爲 15.54 兆韓圓。
SK 海力士宣布 2018 年每股發(fā)放現金股息 1,500 韓圓，比去年高出 50%，激勵股價走高。今日上午 8 點 24 分，SK 海力士上漲 1.20%、報 67,600 韓圓。
今年存儲器價格可能(néng)續跌。韓聯社先前報導，庫存水位過(guò)高，DRAMeXchange 預測，今年服務器 DRAM 價格將(jiāng)對(duì)半腰斬，大減將(jiāng)近 50%。該機構估計，服務器 DRAM 第一季價格將(jiāng)季減 20%、第二季季減 10%、第三季季減 8%、第四季季減 5%。
Tom’s Hardware 報導，DRAMeXchange 預測，今年 NAND 價格將(jiāng)暴跌 50%，跌幅遠大于之前預估的 10~25%。
存儲器大廠南亞科昨（15）日舉行 2018 年第 4 季法人說明會，由總經(jīng)理李培瑛親自主持。會中，南亞科公布 2018 年第 4 季及全年營收狀況，根據資料顯示，南亞科 2018 年第 4 季營收爲169.58 億元（新台币 ，下同），較第 3 季減少 30.4%，毛利爲 89.72 億元，毛利率爲 52.9%，較第 3 季減少 6 個百分點。整體稅後(hòu)淨利爲 79.53 億元，淨利率爲 46.9%，較第 3 季減少 5.9 個百分點，單季 EPS 爲 2.57 元。
李培瑛表示，在 2018 年第 4 季受到市況不佳的影響，營收較第 3 季下滑 30.4% 的情況下，累計 2018 年全年營收爲新台币達 847.22 億元，較 2017 年同期增加 54.3%。在全年出貨增加三十中位數百分比，以及 DRAM 平均售價年成(chéng)長(cháng)中十中位數百分比的情況下，2018 年全年毛利爲 466.16 億元，毛利率達到 55%，營業利益爲 393.55 億元，營業利益率 46.5%。在認列業外收入 22.3 億元的情況下，歸屬母公司稅後(hòu)淨利達到 393.62 億元，每股 EPS 12.8 元。創下本業在毛利率、營業利益率、以及淨利率三率創新高的情況，而且也是連續兩(liǎng)年賺超過(guò) 1 個股本。
而針對(duì) 2019 年南亞科的營運展望，李培瑛指出，受到全球經(jīng)濟放緩、美中貿易紛争、關稅提高所造成(chéng)的影響下，造成(chéng)供應鏈調整及處理器短缺的問題，因此預期 DRAM 市場在 2019 年的市況保守。因此，繼 2018 年南亞科在相關的資本支出較原先預估的下調 15% 之後(hòu)，預計 2019 年整體的資本支出還(hái)將(jiāng)會再下調 50%，也就是相較 2018 年約新台币 204 億元的資本支出，2019 年的資本支出將(jiāng)會降到百億元上下。
至于在 2019 年的市場需求上，于手機産品方面(miàn)，雖然 2018 年的市場銷售不如預期，但是在 Android 機種(zhǒng)内建存儲器容量的提升，加上 2019 年 5G 網絡正式商轉後(hòu)，有機會刺激存儲器需求動能(néng)。在服務器方面(miàn)，則是受限于 2019 年短期的市場庫存調整，短期導緻需求不佳，但長(cháng)線在人工智能(néng)及網絡需求的成(chéng)長(cháng)下，仍有機會帶動服務器的需求。而在 2018 年因爲英特爾處理器缺貨，導緻存儲器需求不佳的情況，預計處理器在缺貨潮于 2019 年上半年能(néng)解除的情況下，恢複正常市況。
最後(hòu)在消費型終端産品方面(miàn)，李培瑛也表示，短期需求受美中貿易因素困擾而需求不振。但全年機上盒、智能(néng)音箱、SSD、IP CAM 等應用搭載 DARM 的數量成(chéng)長(cháng)，也帶動需求穩定爬升。因此，基于以上的因素、在 2019 年的産品規劃上，李培瑛還(hái)表示，除了規劃將(jiāng)導入服務器及一系列低功率用産品，進(jìn)一步多樣化産品應用及提升競争率。其中，在服務器的産品上，目前已經(jīng)通過(guò)一家國(guó)際級服務器廠商的認證，而其他的認證則是目前在進(jìn)行中，至于英特爾服務器的認證上，則預計在 2019 年的第 2 季完成(chéng)認證。不過(guò)，李培瑛還(hái)是坦承，2019 年要想追上 2018 年的營收水平，會有很大的困難。
而因爲連續第 2 年獲利達到 1 個股本，因此李培瑛表示，2019 年的股利也會將(jiāng)發(fā)放率規劃在 50% 左右。如過(guò)能(néng)達到 6 元以上的水平，則將(jiāng)創下南亞科的曆史新高紀錄。
集邦咨詢：2019年第一季DRAM合約價跌幅擴大至近20%
根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2018年12月正值歐美年節時期，DRAM成(chéng)交量清淡，因此不列入合約價計算，意味着12月份合約價與11月份大緻持平。主流模組8GB均價仍在60美元左右，而4GB約在30美元水位，但兩(liǎng)種(zhǒng)模組的最低價分别已跌破60與30美元關卡。
DRAMeXchange指出，2019年第一季合約價已于去年12月開(kāi)始議定，綜合庫存過(guò)高、需求比原先預估更爲疲弱，以及短中期經(jīng)濟展望不明朗等因素，買賣雙方已有8GB均價降至55美元或更低的共識，預期1月份合約價將(jiāng)較上一個月份下跌至少10%，并且2、3月持續下探的可能(néng)性極高。整體來看，第一季價格跌幅將(jiāng)由原先預估較前一季衰退15%，擴大到近20%，尤其以服務器内存的下修最爲明顯。
目前DRAM市場最大問題并非供給端的增加，而是需求端在2018年第四季提前進(jìn)入淡季，使得庫存攀升問題提早浮現。以2018年第四季來看，所有供貨商當中以美光降價幅度最大，因此部分偏高的庫存水位得以适時去化。而韓系廠因爲降價幅度較小，導緻出貨量萎縮，庫存持續累積至2019年第一季將(jiāng)相當可觀。短期之内，生産位元成(chéng)長(cháng)(supply bit growth)將(jiāng)持續大于銷售位元成(chéng)長(cháng)(sales bit growth)，庫存水位的不斷上升，成(chéng)爲價格的最大壓力。預期自2018年第四季開(kāi)始的DRAM價格跌勢恐怕將(jiāng)延續四個季度以上。
上肥下瘦，模組廠獲利空間遭壓縮
雖然DRAM價格自2018年下半年開(kāi)始走跌，但由于産業集中度高，削價競争隻會侵蝕目前豐厚的獲利，因此，2019年各廠紛紛計劃減少資本支出，以穩定DRAM價格并平衡市場供需環境。
值得注意的是，上遊原廠享有高毛利，但下遊的内存模組廠與客戶的獲利空間卻遭到壓縮，這(zhè)使地整體内存産業獲利表現在2018年呈現上肥下瘦。2017年因DRAM價格在短期大幅上漲，模組廠受惠于手中持有的低價庫存得以轉爲實際獲利，大多數模組廠獲利表現相當優異。但從2018年開(kāi)始，DRAM價格已處于高檔水位，顆粒價差獲利空間變小，模組廠僅能(néng)從加工費用中獲利。加上DRAM價格于下半年開(kāi)始下跌，下遊模組廠手上持有的庫存損失則拖累獲利，不少下遊廠商2018年的實際獲利較前一年相比僅剩一成(chéng)水平，甚至開(kāi)始虧損。由此，DRAMeXchange預期2019年模組廠的生存將(jiāng)面(miàn)臨更嚴峻的考驗。
即使市場對(duì)于 2019 年整體景氣依舊存有雜音，但台灣地區廠商對(duì)于投資擴廠的計劃依舊沒(méi)有改變。繼日前台股股王大立光在法說會上宣布，針對(duì)擴産計劃將(jiāng)持續進(jìn)行之外，存儲器大廠華邦電也在 14 日宣布，完成(chéng)由台灣銀行主辦、總計 19 家金融機構所參與聯貸案。該聯貸案總金額將(jiāng)達到新台币 420 億元，將(jiāng)用于華邦電南科路竹基地新 12 寸廠的興建與設備購置用途上。
華邦電表示，14 日上午于台北寒舍艾美酒店，舉行 7 年期新台币 420 億元聯合授信簽約典禮。簽約典禮由華邦電董事(shì)長(cháng)焦佑鈞及台灣銀行董事(shì)長(cháng)呂桔誠共同主持。本聯合授信案委由台灣銀行、中國(guó)信托商業銀行、第一商業銀行、台新國(guó)際商業銀行、兆豐國(guó)際商業銀行、合作金庫商業銀行、彰化商業銀行及星展銀行共同主辦，總計 19 家經(jīng)營績效良好(hǎo)的金融機構共同參與。
華邦電進(jìn)一步指出，本聯合授信案主要用途爲興建南科高雄廠的廠房及購置機器設備所需，未來華邦電將(jiāng)以穩健腳步進(jìn)行新廠規劃與投資，以滿足持續增長(cháng)的客戶需求。據了解，此聯合授信案深獲銀行團支持并踴躍參貸，獲超額認購 193 %，最後(hòu)以 420 億元順利籌募完成(chéng)，充分顯現銀行團對(duì)于華邦電的營運與獲利表現給予高度肯定。
華邦電表示，目前公司正緻力于全方位存儲器解決方案，爲全球前五大自有品牌 DRAM 制造商，亦爲全球領導的 NOR Flash 供應商，爲全球少數同時擁有 DRAM 及 Flash 産品線的存儲器廠商。随着存儲器産品應用廣泛多元，華邦電子在新廠産能(néng)挹注下，配合自主技術及靈活配置的生産優勢，將(jiāng)使公司充分掌握市場契機，提升在存儲器産業的市占率及地位。
南亞科將(jiāng)于周二 (15 日) 召開(kāi)法說會，公布第 4 季與全年獲利表現，市場將(jiāng)聚焦南亞科對(duì)第 1 季及今年整體市況展望。南亞科去年全年營收創新高、達到 847.21 億元（新台币，下同），法人預期，南亞科第 4 季每股純益可望達 2.5 元，全年每股純益上看 12.5 元，可望寫下曆史次高成(chéng)績。
南亞科去年第 4 季受到美中貿易摩擦影響市場需求，加上 CPU 缺貨等因素影響，且 DRAM 銷售單價也下修，在價量同步走弱下，使營運表現受到影響，第 4 季營收爲 169.57 億元，季減 3 成(chéng)，不過(guò)，由于前 3 季營運表現相當不錯，帶動去年全年合并營收達 847.22 億元，年增率 54.3%，改寫曆史新高。
從南亞科大股東南亞公告的第 4 季财報來看，共認列南亞科投資收益 23.2 億元，法人推估，南亞科第 4 季獲利將(jiāng)達 79 億至 80 億元，雖然獲利季減幅度可能(néng)超過(guò) 3 成(chéng)，但單季每股純益可望達 2.5 元，全年每股純益則預期將(jiāng)超過(guò) 12.5 元，寫下曆史次高紀錄。
今年市況方面(miàn)，據集邦咨詢半導體研究中心 DRAMeXchange 最新調查，繼去年第 4 季 DRAM 合約價格較前一季大幅修正約 1 成(chéng)後(hòu)，受到終端産品需求疲軟影響，DRAM 主要供應商紛紛放緩新增産能(néng)腳步，以期減緩價格跌勢，今年 DRAM 産業用于生産的資本支出總金額約 180 億美元，年減約 1 成(chéng)，爲近年來最保守的投資水位。
南亞科去年第 4 季起(qǐ)，開(kāi)始延緩産能(néng)擴充與資本支出，去年全年資本支出也由原先的近 240 億元、下調至 210 億元，調幅逾 1 成(chéng)，預期在市況未有太大變化之下，加上三星半導體、SK 海力士與美光均同步下修今年資本支出，南亞科今年資本支出可望比去年更保守。
DRAMeXchange 預期，今年 DRAM 價格仍將(jiāng)逐季修正，第 1 季價格下修幅度約 15%，第 2 季收斂至 10% 以内，下半年除非需求明顯改善，否則價格仍將(jiāng)維持約 5% 的季度下修。
