如果矽基走到了盡頭,全球半導體産業“續命”的新材料是?

如果矽基走到了盡頭,全球半導體産業“續命”的新材料是?

如果矽基走到了盡頭,那麼(me)全球半導體産業必須找到新的材料“續命”。2009年,半導體技術發(fā)展路線圖委員會(ITRS)將(jiāng)碳基納米材料列入延續摩爾定律的未來集成(chéng)電路技術選項,但是在其後(hòu)的時間裡(lǐ),碳納米材料的研究進(jìn)展并沒(méi)有給業界交出滿意答卷。

近日,中國(guó)科學(xué)院院士、北京大學(xué)電子學(xué)系教授彭練矛和張志勇教授團隊宣布他們把碳基半導體技術從實驗室研究向(xiàng)産業化應用推進(jìn)了一大步。5月22日,該團隊在《科學(xué)》(Science)雜志發(fā)表《用于高性能(néng)電子學(xué)的高密度半導體碳納米管平行陣列》論文,介紹了其最新發(fā)展的多次提純和維度限制自組裝方法。由于解決了長(cháng)期困擾碳基半導體材料制備的問題,這(zhè)個方法的成(chéng)果令業界振奮,但從實驗室到産業化還(hái)必須經(jīng)曆漫長(cháng)的路。

高性能(néng)碳納米管的重大飛躍

每一種(zhǒng)技術都(dōu)有它的生命周期,現有的矽基芯片制造技術即將(jiāng)觸碰其極限,碳納米管技術被認爲是後(hòu)摩爾技術的重要選項之一。

相對(duì)于傳統的矽基CMOS晶體管,碳管晶體管具有明顯的速度和功耗綜合優勢。IBM的理論計算表明,若完全按照現有二維平面(miàn)框架設計,碳管技術相較矽基技術具有15代、至少30年以上的優勢。斯坦福大學(xué)的系統層面(miàn)的模拟表明,碳管技術還(hái)有望將(jiāng)常規的二維矽基芯片技術發(fā)展成(chéng)爲三維芯片技術,將(jiāng)目前的芯片綜合性能(néng)提升1000倍以上。

業界對(duì)碳納米管寄予厚望,2017年在台積電IEDM大會上,台積電CTO孫元成(chéng)就報告了關于碳納米管的消息。

但碳管技術“理想很豐滿,現實很骨感”,碳基在理論上和模拟層面(miàn)的理想值曾讓IBM和英特爾爲此進(jìn)行了很多年的探索,但是都(dōu)遇到了瓶頸。2005年,Intel的器件專家發(fā)表論文,結論是無法制備出性能(néng)超越矽基n型晶體管的碳納米管器件,其後(hòu)Intel放棄了碳基集成(chéng)電路技術。在技術路線上,IBM與英特爾都(dōu)選擇了傳統的“摻雜”工藝制備碳納米管晶體管。

彭練矛院士和張志勇團隊在2001年進(jìn)入該領域,選擇了與英特爾IBM不同的另外一條路,發(fā)展了一整套碳納米管CMOS集成(chéng)電路和光電器件的“無摻雜制備技術”。在2017年首次制備出栅長(cháng)5納米的碳管晶體管這(zhè)一世界上迄今爲止最小的高性能(néng)晶體管,綜合性能(néng)比當時最好(hǎo)的矽基晶體管領先10倍,接近了量子極限,該成(chéng)果的論文發(fā)表在2017年的《科學(xué)》雜志上。

2018年,該團隊再次突破了傳統的理論極限,發(fā)展出新原理的超低功耗的狄拉克源晶體管,能(néng)夠滿足未來超低功耗集成(chéng)電路的需要,爲超低功耗納米電子學(xué)的發(fā)展奠定了基礎,該論文發(fā)表在2018年的《科學(xué)》雜志上。

在今年5月22日發(fā)表在《科學(xué)》雜志的論文上,彭練矛院士和張志勇教授團隊闡述了其最新發(fā)展的多次提純和維度限制自組裝方法。這(zhè)個方法解決了長(cháng)期困擾碳基半導體材料制備的材料純度、密度和面(miàn)積問題,純度達到了99.99997%左右,密度從5納米到10納米,每微米100根到200根碳納米管,這(zhè)個材料基本上具備了做大規模集成(chéng)電路的可能(néng)性。

在此論文發(fā)表後(hòu),杜克大學(xué)教授Aaron Franklin說,10年前他幫助IBM公司确定了碳納米管純度和密度的目标,當時很多人認爲這(zhè)無法實現。現在彭練矛和張志勇團隊實現了突破,“這(zhè)确實是一項了不起(qǐ)的成(chéng)就,是高性能(néng)碳納米管晶體管的重大飛躍。”Aaron Franklin表示。

北京碳基集成(chéng)電路研究院的技術人員向(xiàng)記者表示,碳基技術有着比矽基技術更優的性能(néng)和更低的功耗,性能(néng)功耗綜合優勢在5到10倍,這(zhè)意味着碳基芯片性能(néng)比相同技術節點的矽基芯片領先三代以上。比如采用90納米工藝的碳基芯片有望制備出性能(néng)和集成(chéng)度相當于28納米技術節點的矽基芯片;采用28納米工藝的碳基芯片則可以實現等同于7納米技術節點的矽基芯片。這(zhè)爲已經(jīng)走在極限值邊緣的全球半導體産業打開(kāi)了另外一扇大門。

對(duì)于彭練矛院士團隊的突破,元禾璞華管理合夥人、投委會主席陳大同表示:“彭院士團隊對(duì)于碳基半導體的研究絕對(duì)是世界級原創性技術,具有前瞻性,未來在半導體材料和芯片領域有非常大的優勢和機會。”2019年,中國(guó)科學(xué)院微電子所葉甜春所長(cháng)在參觀完4英寸碳基半導體實驗線時曾表示:“碳基半導體的研究和工業化實踐是中國(guó)第三代半導體産業中不可缺少的一個重要組成(chéng)部分。”

碳基半導體需穿越“死亡谷”

世界的進(jìn)步需要科學(xué)家不斷發(fā)現新物質規律和新理論,但從一扇窗變成(chéng)一條新路,需要龐大的創新鏈齊心協力。在矽基的技術路線上我們一直跟随,在碳基路線上中國(guó)科學(xué)家已經(jīng)從理論和實驗上實現了世界級的突破。接下來我們該如何從實驗室的“123”,穿過(guò)“456”的“死亡谷”,進(jìn)入到産業化的“789”呢?

記者還(hái)記得2017年采訪彭練矛院士和張志勇教授時他們的焦慮:一個颠覆性技術,從實驗室到産業界,中間還(hái)需要進(jìn)行工程化研究,隻有工程化、成(chéng)熟化的技術,産業界才敢接手。

北京碳基集成(chéng)電路研究院于2018年9月正式登記成(chéng)立,它的發(fā)起(qǐ)單位有北京大學(xué)、中科院微電子所等多家單位,彭練矛院士擔任院長(cháng)。業内人士都(dōu)知道(dào)著名的比利時IMEC(大學(xué)校際微電子研究中心)實驗室,早期是由政府投資,現在其80%的收入來自企業,這(zhè)個頂級的實驗室對(duì)于全球集成(chéng)電路發(fā)展做出了巨大貢獻。包括英特爾、ARM、台積電等許多業界巨頭都(dōu)是它的客戶,這(zhè)些巨頭的新技術在進(jìn)入大規模生産線之前,其新技術工程化都(dōu)交給IMEC來完成(chéng)。碳基集成(chéng)電路的發(fā)展同樣需要這(zhè)樣的機構。目前來看,北京碳基集成(chéng)電路研究院的目标是希望成(chéng)爲碳基集成(chéng)電路産業的“IMEC”。

彭練矛對(duì)《中國(guó)電子報》記者表示:“北京碳基集成(chéng)電路研究院希望能(néng)夠在工程化方向(xiàng)上不斷前進(jìn),做技術成(chéng)熟度由4到8的事(shì)情,最終將(jiāng)技術轉給企業。産業化和商業化的事(shì)情一定要由公司來做,研究院是做技術研發(fā)的。”

應該說,這(zhè)次北京碳基集成(chéng)電路研究院的“多次提純和維度限制自組裝方法”問世,將(jiāng)碳基技術從實驗室向(xiàng)工業化推進(jìn)了一大步,那麼(me)下一步還(hái)有哪些挑戰,還(hái)有哪些“死亡谷”需要穿越?

行業分析人士對(duì)《中國(guó)電子報》記者表示:“這(zhè)是很令人興奮的事(shì)情,但是從論文到新技術再到産品到商品有很長(cháng)的路要走,需要進(jìn)一步加大研發(fā)。目前已經(jīng)有很多新材料被研發(fā)出來,包括氮化镓、碳化矽等,但從長(cháng)期來看,矽還(hái)是難以被取代的。”

半導體業内分析人士韓曉敏認爲,碳基是集成(chéng)電路重要發(fā)展方向(xiàng)之一,但是目前産業生态中願意跟進(jìn)的企業還(hái)不多。還(hái)需進(jìn)一步突破成(chéng)本限制,在設備和器件等工藝方面(miàn)還(hái)需建立成(chéng)熟的規範流程,在産品方向(xiàng)上,與矽基芯片結合不緊密的領域有望最先突破。

從實驗室到産業化,中間的“死亡谷”有哪些“陷阱”和挑戰?本源量子是中國(guó)一家量子計算領域的創業公司,本源量子副總經(jīng)理張輝在接受《中國(guó)電子報》記者采訪時表示,從科研品到工業品,其中面(miàn)臨的挑戰包括資金的持續保證、理念的轉變以及與現有産業的兼容等。“與現有産業的兼容至關重要,如果現有半導體産業從儀器、設備、工藝流程上可大部分借用,那麼(me)將(jiāng)大大提升産業跟進(jìn)的速度。”他說。

事(shì)實上,矽基集成(chéng)電路産業之所以有今天的豐富、成(chéng)熟生态,每一個環節都(dōu)投入巨大。英特爾每年的研發(fā)投入占銷售收入超過(guò)20%,台積電過(guò)去5年的研發(fā)投入是3440億元。也正是因爲如此,産業鏈很難“棄矽另起(qǐ)爐竈”,所以兼容至關重要。

那麼(me)矽基生态鏈上相關技術與工藝設備流程,比如光刻機、軟件設計工具、測試儀器、生産工藝流程等,在碳基上是否能(néng)用?彭練矛院士給出的答案是:“使用率大約能(néng)達到80%~90%,但碳管材料的清洗、刻蝕等步驟需要特殊處理,碳管器件的模型需要單獨建立。”

目前解決了碳納米材料的純度、密度問題。“下一步還(hái)需要确保材料的工藝穩定性和均勻性,更重要的是和其他器件和IC制備的良好(hǎo)兼容性,這(zhè)是一個綜合的事(shì)情。現代芯片制備有上千個步驟,其中一步做不好(hǎo),就沒(méi)有好(hǎo)的産品。最後(hòu)是一個系統優化的問題,材料、器件、芯片設計等密不可分。”彭練矛說。

碳納米管未來有很好(hǎo)的應用前景。“由于碳基材質的特殊性,它能(néng)讓電路做到像創可貼一樣柔軟,這(zhè)樣的柔性器械如果應用于醫療領域,將(jiāng)使患者擁有更加舒适的檢查體驗;在一些高輻射、高溫度的極端環境裡(lǐ),碳基材質所制造出的機器人可以更好(hǎo)地代替人類執行危險系數高的任務;碳基技術若應用到智能(néng)手機上,因其擁有更低的功耗,將(jiāng)使待機時間延長(cháng)。”張志勇向(xiàng)記者介紹說。

5月26日,北京碳基集成(chéng)電路研究院舉行成(chéng)果發(fā)布儀式。TCL等幾家大企業的工業研究院相關人員也有到場,工業界關注的焦點是什麼(me)?“工業界還(hái)是關注技術何時能(néng)夠成(chéng)熟到可以被使用,包括成(chéng)本和可靠性等工程問題。”彭練矛表示,這(zhè)本就是企業該做的。

而工業界很難在一項技術還(hái)沒(méi)看到投資回報時進(jìn)行投入,如果碳基技術想要工程化,需要北京碳基集成(chéng)電路研究院成(chéng)爲碳基領域的“IMEC”。記者了解到,如果要繼續往前推進(jìn),北京碳基集成(chéng)電路研究院按照200人的規模,再加上實驗平台,每年需要的資金約爲2億元,并且需要确保十年以上的資金投入,約爲20億元。但是直到現在,還(hái)沒(méi)有企業關注到該研究院的價值。

不久前,阿裡(lǐ)巴巴宣布未來3年將(jiāng)投入2000億元來研發(fā)芯片、雲操作系統等,而騰訊雲宣布將(jiāng)投入5000億元進(jìn)行新基建相關技術的研發(fā)。在雲計算的競争越來越激烈的當下,從雲操作系統到芯片全線布局,正在成(chéng)爲越來越多的巨頭的選擇。目前阿裡(lǐ)巴巴已經(jīng)有了“平頭哥”這(zhè)家芯片公司,那麼(me)未來騰訊有沒(méi)有可能(néng)也會進(jìn)入芯片領域呢?如果有可能(néng),期望中國(guó)的巨頭企業能(néng)夠看到這(zhè)樣的信息,能(néng)夠關注到“碳基”集成(chéng)電路的新機會。

如果矽基走到了盡頭,全球半導體産業“續命”的新材料是?

如果矽基走到了盡頭,全球半導體産業“續命”的新材料是?

如果矽基走到了盡頭,那麼(me)全球半導體産業必須找到新的材料“續命”。2009年,半導體技術發(fā)展路線圖委員會(ITRS)將(jiāng)碳基納米材料列入延續摩爾定律的未來集成(chéng)電路技術選項,但是在其後(hòu)的時間裡(lǐ),碳納米材料的研究進(jìn)展并沒(méi)有給業界交出滿意答卷。

近日,中國(guó)科學(xué)院院士、北京大學(xué)電子學(xué)系教授彭練矛和張志勇教授團隊宣布他們把碳基半導體技術從實驗室研究向(xiàng)産業化應用推進(jìn)了一大步。5月22日,該團隊在《科學(xué)》(Science)雜志發(fā)表《用于高性能(néng)電子學(xué)的高密度半導體碳納米管平行陣列》論文,介紹了其最新發(fā)展的多次提純和維度限制自組裝方法。由于解決了長(cháng)期困擾碳基半導體材料制備的問題,這(zhè)個方法的成(chéng)果令業界振奮,但從實驗室到産業化還(hái)必須經(jīng)曆漫長(cháng)的路。

高性能(néng)碳納米管的重大飛躍

每一種(zhǒng)技術都(dōu)有它的生命周期,現有的矽基芯片制造技術即將(jiāng)觸碰其極限,碳納米管技術被認爲是後(hòu)摩爾技術的重要選項之一。

相對(duì)于傳統的矽基CMOS晶體管,碳管晶體管具有明顯的速度和功耗綜合優勢。IBM的理論計算表明,若完全按照現有二維平面(miàn)框架設計,碳管技術相較矽基技術具有15代、至少30年以上的優勢。斯坦福大學(xué)的系統層面(miàn)的模拟表明,碳管技術還(hái)有望將(jiāng)常規的二維矽基芯片技術發(fā)展成(chéng)爲三維芯片技術,將(jiāng)目前的芯片綜合性能(néng)提升1000倍以上。

業界對(duì)碳納米管寄予厚望,2017年在台積電IEDM大會上,台積電CTO孫元成(chéng)就報告了關于碳納米管的消息。

但碳管技術“理想很豐滿,現實很骨感”,碳基在理論上和模拟層面(miàn)的理想值曾讓IBM和英特爾爲此進(jìn)行了很多年的探索,但是都(dōu)遇到了瓶頸。2005年,Intel的器件專家發(fā)表論文,結論是無法制備出性能(néng)超越矽基n型晶體管的碳納米管器件,其後(hòu)Intel放棄了碳基集成(chéng)電路技術。在技術路線上,IBM與英特爾都(dōu)選擇了傳統的“摻雜”工藝制備碳納米管晶體管。

彭練矛院士和張志勇團隊在2001年進(jìn)入該領域,選擇了與英特爾IBM不同的另外一條路,發(fā)展了一整套碳納米管CMOS集成(chéng)電路和光電器件的“無摻雜制備技術”。在2017年首次制備出栅長(cháng)5納米的碳管晶體管這(zhè)一世界上迄今爲止最小的高性能(néng)晶體管,綜合性能(néng)比當時最好(hǎo)的矽基晶體管領先10倍,接近了量子極限,該成(chéng)果的論文發(fā)表在2017年的《科學(xué)》雜志上。

2018年,該團隊再次突破了傳統的理論極限,發(fā)展出新原理的超低功耗的狄拉克源晶體管,能(néng)夠滿足未來超低功耗集成(chéng)電路的需要,爲超低功耗納米電子學(xué)的發(fā)展奠定了基礎,該論文發(fā)表在2018年的《科學(xué)》雜志上。

在今年5月22日發(fā)表在《科學(xué)》雜志的論文上,彭練矛院士和張志勇教授團隊闡述了其最新發(fā)展的多次提純和維度限制自組裝方法。這(zhè)個方法解決了長(cháng)期困擾碳基半導體材料制備的材料純度、密度和面(miàn)積問題,純度達到了99.99997%左右,密度從5納米到10納米,每微米100根到200根碳納米管,這(zhè)個材料基本上具備了做大規模集成(chéng)電路的可能(néng)性。

在此論文發(fā)表後(hòu),杜克大學(xué)教授Aaron Franklin說,10年前他幫助IBM公司确定了碳納米管純度和密度的目标,當時很多人認爲這(zhè)無法實現。現在彭練矛和張志勇團隊實現了突破,“這(zhè)确實是一項了不起(qǐ)的成(chéng)就,是高性能(néng)碳納米管晶體管的重大飛躍。”Aaron Franklin表示。

北京碳基集成(chéng)電路研究院的技術人員向(xiàng)記者表示,碳基技術有着比矽基技術更優的性能(néng)和更低的功耗,性能(néng)功耗綜合優勢在5到10倍,這(zhè)意味着碳基芯片性能(néng)比相同技術節點的矽基芯片領先三代以上。比如采用90納米工藝的碳基芯片有望制備出性能(néng)和集成(chéng)度相當于28納米技術節點的矽基芯片;采用28納米工藝的碳基芯片則可以實現等同于7納米技術節點的矽基芯片。這(zhè)爲已經(jīng)走在極限值邊緣的全球半導體産業打開(kāi)了另外一扇大門。

對(duì)于彭練矛院士團隊的突破,元禾璞華管理合夥人、投委會主席陳大同表示:“彭院士團隊對(duì)于碳基半導體的研究絕對(duì)是世界級原創性技術,具有前瞻性,未來在半導體材料和芯片領域有非常大的優勢和機會。”2019年,中國(guó)科學(xué)院微電子所葉甜春所長(cháng)在參觀完4英寸碳基半導體實驗線時曾表示:“碳基半導體的研究和工業化實踐是中國(guó)第三代半導體産業中不可缺少的一個重要組成(chéng)部分。”

碳基半導體需穿越“死亡谷”

世界的進(jìn)步需要科學(xué)家不斷發(fā)現新物質規律和新理論,但從一扇窗變成(chéng)一條新路,需要龐大的創新鏈齊心協力。在矽基的技術路線上我們一直跟随,在碳基路線上中國(guó)科學(xué)家已經(jīng)從理論和實驗上實現了世界級的突破。接下來我們該如何從實驗室的“123”,穿過(guò)“456”的“死亡谷”,進(jìn)入到産業化的“789”呢?

記者還(hái)記得2017年采訪彭練矛院士和張志勇教授時他們的焦慮:一個颠覆性技術,從實驗室到産業界,中間還(hái)需要進(jìn)行工程化研究,隻有工程化、成(chéng)熟化的技術,産業界才敢接手。

北京碳基集成(chéng)電路研究院于2018年9月正式登記成(chéng)立,它的發(fā)起(qǐ)單位有北京大學(xué)、中科院微電子所等多家單位,彭練矛院士擔任院長(cháng)。業内人士都(dōu)知道(dào)著名的比利時IMEC(大學(xué)校際微電子研究中心)實驗室,早期是由政府投資,現在其80%的收入來自企業,這(zhè)個頂級的實驗室對(duì)于全球集成(chéng)電路發(fā)展做出了巨大貢獻。包括英特爾、ARM、台積電等許多業界巨頭都(dōu)是它的客戶,這(zhè)些巨頭的新技術在進(jìn)入大規模生産線之前,其新技術工程化都(dōu)交給IMEC來完成(chéng)。碳基集成(chéng)電路的發(fā)展同樣需要這(zhè)樣的機構。目前來看,北京碳基集成(chéng)電路研究院的目标是希望成(chéng)爲碳基集成(chéng)電路産業的“IMEC”。

彭練矛對(duì)《中國(guó)電子報》記者表示:“北京碳基集成(chéng)電路研究院希望能(néng)夠在工程化方向(xiàng)上不斷前進(jìn),做技術成(chéng)熟度由4到8的事(shì)情,最終將(jiāng)技術轉給企業。産業化和商業化的事(shì)情一定要由公司來做,研究院是做技術研發(fā)的。”

應該說,這(zhè)次北京碳基集成(chéng)電路研究院的“多次提純和維度限制自組裝方法”問世,將(jiāng)碳基技術從實驗室向(xiàng)工業化推進(jìn)了一大步,那麼(me)下一步還(hái)有哪些挑戰,還(hái)有哪些“死亡谷”需要穿越?

行業分析人士對(duì)《中國(guó)電子報》記者表示:“這(zhè)是很令人興奮的事(shì)情,但是從論文到新技術再到産品到商品有很長(cháng)的路要走,需要進(jìn)一步加大研發(fā)。目前已經(jīng)有很多新材料被研發(fā)出來,包括氮化镓、碳化矽等,但從長(cháng)期來看,矽還(hái)是難以被取代的。”

半導體業内分析人士韓曉敏認爲,碳基是集成(chéng)電路重要發(fā)展方向(xiàng)之一,但是目前産業生态中願意跟進(jìn)的企業還(hái)不多。還(hái)需進(jìn)一步突破成(chéng)本限制,在設備和器件等工藝方面(miàn)還(hái)需建立成(chéng)熟的規範流程,在産品方向(xiàng)上,與矽基芯片結合不緊密的領域有望最先突破。

從實驗室到産業化,中間的“死亡谷”有哪些“陷阱”和挑戰?本源量子是中國(guó)一家量子計算領域的創業公司,本源量子副總經(jīng)理張輝在接受《中國(guó)電子報》記者采訪時表示,從科研品到工業品,其中面(miàn)臨的挑戰包括資金的持續保證、理念的轉變以及與現有産業的兼容等。“與現有産業的兼容至關重要,如果現有半導體産業從儀器、設備、工藝流程上可大部分借用,那麼(me)將(jiāng)大大提升産業跟進(jìn)的速度。”他說。

事(shì)實上,矽基集成(chéng)電路産業之所以有今天的豐富、成(chéng)熟生态,每一個環節都(dōu)投入巨大。英特爾每年的研發(fā)投入占銷售收入超過(guò)20%,台積電過(guò)去5年的研發(fā)投入是3440億元。也正是因爲如此,産業鏈很難“棄矽另起(qǐ)爐竈”,所以兼容至關重要。

那麼(me)矽基生态鏈上相關技術與工藝設備流程,比如光刻機、軟件設計工具、測試儀器、生産工藝流程等,在碳基上是否能(néng)用?彭練矛院士給出的答案是:“使用率大約能(néng)達到80%~90%,但碳管材料的清洗、刻蝕等步驟需要特殊處理,碳管器件的模型需要單獨建立。”

目前解決了碳納米材料的純度、密度問題。“下一步還(hái)需要确保材料的工藝穩定性和均勻性,更重要的是和其他器件和IC制備的良好(hǎo)兼容性,這(zhè)是一個綜合的事(shì)情。現代芯片制備有上千個步驟,其中一步做不好(hǎo),就沒(méi)有好(hǎo)的産品。最後(hòu)是一個系統優化的問題,材料、器件、芯片設計等密不可分。”彭練矛說。

碳納米管未來有很好(hǎo)的應用前景。“由于碳基材質的特殊性,它能(néng)讓電路做到像創可貼一樣柔軟,這(zhè)樣的柔性器械如果應用于醫療領域,將(jiāng)使患者擁有更加舒适的檢查體驗;在一些高輻射、高溫度的極端環境裡(lǐ),碳基材質所制造出的機器人可以更好(hǎo)地代替人類執行危險系數高的任務;碳基技術若應用到智能(néng)手機上,因其擁有更低的功耗,將(jiāng)使待機時間延長(cháng)。”張志勇向(xiàng)記者介紹說。

5月26日,北京碳基集成(chéng)電路研究院舉行成(chéng)果發(fā)布儀式。TCL等幾家大企業的工業研究院相關人員也有到場,工業界關注的焦點是什麼(me)?“工業界還(hái)是關注技術何時能(néng)夠成(chéng)熟到可以被使用,包括成(chéng)本和可靠性等工程問題。”彭練矛表示,這(zhè)本就是企業該做的。

而工業界很難在一項技術還(hái)沒(méi)看到投資回報時進(jìn)行投入,如果碳基技術想要工程化,需要北京碳基集成(chéng)電路研究院成(chéng)爲碳基領域的“IMEC”。記者了解到,如果要繼續往前推進(jìn),北京碳基集成(chéng)電路研究院按照200人的規模,再加上實驗平台,每年需要的資金約爲2億元,并且需要确保十年以上的資金投入,約爲20億元。但是直到現在,還(hái)沒(méi)有企業關注到該研究院的價值。

不久前,阿裡(lǐ)巴巴宣布未來3年將(jiāng)投入2000億元來研發(fā)芯片、雲操作系統等,而騰訊雲宣布將(jiāng)投入5000億元進(jìn)行新基建相關技術的研發(fā)。在雲計算的競争越來越激烈的當下,從雲操作系統到芯片全線布局,正在成(chéng)爲越來越多的巨頭的選擇。目前阿裡(lǐ)巴巴已經(jīng)有了“平頭哥”這(zhè)家芯片公司,那麼(me)未來騰訊有沒(méi)有可能(néng)也會進(jìn)入芯片領域呢?如果有可能(néng),期望中國(guó)的巨頭企業能(néng)夠看到這(zhè)樣的信息,能(néng)夠關注到“碳基”集成(chéng)電路的新機會。

如果矽基走到了盡頭,全球半導體産業“續命”的新材料是?

如果矽基走到了盡頭,全球半導體産業“續命”的新材料是?

如果矽基走到了盡頭,那麼(me)全球半導體産業必須找到新的材料“續命”。2009年,半導體技術發(fā)展路線圖委員會(ITRS)將(jiāng)碳基納米材料列入延續摩爾定律的未來集成(chéng)電路技術選項,但是在其後(hòu)的時間裡(lǐ),碳納米材料的研究進(jìn)展并沒(méi)有給業界交出滿意答卷。

近日,中國(guó)科學(xué)院院士、北京大學(xué)電子學(xué)系教授彭練矛和張志勇教授團隊宣布他們把碳基半導體技術從實驗室研究向(xiàng)産業化應用推進(jìn)了一大步。5月22日,該團隊在《科學(xué)》(Science)雜志發(fā)表《用于高性能(néng)電子學(xué)的高密度半導體碳納米管平行陣列》論文,介紹了其最新發(fā)展的多次提純和維度限制自組裝方法。由于解決了長(cháng)期困擾碳基半導體材料制備的問題,這(zhè)個方法的成(chéng)果令業界振奮,但從實驗室到産業化還(hái)必須經(jīng)曆漫長(cháng)的路。

高性能(néng)碳納米管的重大飛躍

每一種(zhǒng)技術都(dōu)有它的生命周期,現有的矽基芯片制造技術即將(jiāng)觸碰其極限,碳納米管技術被認爲是後(hòu)摩爾技術的重要選項之一。

相對(duì)于傳統的矽基CMOS晶體管,碳管晶體管具有明顯的速度和功耗綜合優勢。IBM的理論計算表明,若完全按照現有二維平面(miàn)框架設計,碳管技術相較矽基技術具有15代、至少30年以上的優勢。斯坦福大學(xué)的系統層面(miàn)的模拟表明,碳管技術還(hái)有望將(jiāng)常規的二維矽基芯片技術發(fā)展成(chéng)爲三維芯片技術,將(jiāng)目前的芯片綜合性能(néng)提升1000倍以上。

業界對(duì)碳納米管寄予厚望,2017年在台積電IEDM大會上,台積電CTO孫元成(chéng)就報告了關于碳納米管的消息。

但碳管技術“理想很豐滿,現實很骨感”,碳基在理論上和模拟層面(miàn)的理想值曾讓IBM和英特爾爲此進(jìn)行了很多年的探索,但是都(dōu)遇到了瓶頸。2005年,Intel的器件專家發(fā)表論文,結論是無法制備出性能(néng)超越矽基n型晶體管的碳納米管器件,其後(hòu)Intel放棄了碳基集成(chéng)電路技術。在技術路線上,IBM與英特爾都(dōu)選擇了傳統的“摻雜”工藝制備碳納米管晶體管。

彭練矛院士和張志勇團隊在2001年進(jìn)入該領域,選擇了與英特爾IBM不同的另外一條路,發(fā)展了一整套碳納米管CMOS集成(chéng)電路和光電器件的“無摻雜制備技術”。在2017年首次制備出栅長(cháng)5納米的碳管晶體管這(zhè)一世界上迄今爲止最小的高性能(néng)晶體管,綜合性能(néng)比當時最好(hǎo)的矽基晶體管領先10倍,接近了量子極限,該成(chéng)果的論文發(fā)表在2017年的《科學(xué)》雜志上。

2018年,該團隊再次突破了傳統的理論極限,發(fā)展出新原理的超低功耗的狄拉克源晶體管,能(néng)夠滿足未來超低功耗集成(chéng)電路的需要,爲超低功耗納米電子學(xué)的發(fā)展奠定了基礎,該論文發(fā)表在2018年的《科學(xué)》雜志上。

在今年5月22日發(fā)表在《科學(xué)》雜志的論文上,彭練矛院士和張志勇教授團隊闡述了其最新發(fā)展的多次提純和維度限制自組裝方法。這(zhè)個方法解決了長(cháng)期困擾碳基半導體材料制備的材料純度、密度和面(miàn)積問題,純度達到了99.99997%左右,密度從5納米到10納米,每微米100根到200根碳納米管,這(zhè)個材料基本上具備了做大規模集成(chéng)電路的可能(néng)性。

在此論文發(fā)表後(hòu),杜克大學(xué)教授Aaron Franklin說,10年前他幫助IBM公司确定了碳納米管純度和密度的目标,當時很多人認爲這(zhè)無法實現。現在彭練矛和張志勇團隊實現了突破,“這(zhè)确實是一項了不起(qǐ)的成(chéng)就,是高性能(néng)碳納米管晶體管的重大飛躍。”Aaron Franklin表示。

北京碳基集成(chéng)電路研究院的技術人員向(xiàng)記者表示,碳基技術有着比矽基技術更優的性能(néng)和更低的功耗,性能(néng)功耗綜合優勢在5到10倍,這(zhè)意味着碳基芯片性能(néng)比相同技術節點的矽基芯片領先三代以上。比如采用90納米工藝的碳基芯片有望制備出性能(néng)和集成(chéng)度相當于28納米技術節點的矽基芯片;采用28納米工藝的碳基芯片則可以實現等同于7納米技術節點的矽基芯片。這(zhè)爲已經(jīng)走在極限值邊緣的全球半導體産業打開(kāi)了另外一扇大門。

對(duì)于彭練矛院士團隊的突破,元禾璞華管理合夥人、投委會主席陳大同表示:“彭院士團隊對(duì)于碳基半導體的研究絕對(duì)是世界級原創性技術,具有前瞻性,未來在半導體材料和芯片領域有非常大的優勢和機會。”2019年,中國(guó)科學(xué)院微電子所葉甜春所長(cháng)在參觀完4英寸碳基半導體實驗線時曾表示:“碳基半導體的研究和工業化實踐是中國(guó)第三代半導體産業中不可缺少的一個重要組成(chéng)部分。”

碳基半導體需穿越“死亡谷”

世界的進(jìn)步需要科學(xué)家不斷發(fā)現新物質規律和新理論,但從一扇窗變成(chéng)一條新路,需要龐大的創新鏈齊心協力。在矽基的技術路線上我們一直跟随,在碳基路線上中國(guó)科學(xué)家已經(jīng)從理論和實驗上實現了世界級的突破。接下來我們該如何從實驗室的“123”,穿過(guò)“456”的“死亡谷”,進(jìn)入到産業化的“789”呢?

記者還(hái)記得2017年采訪彭練矛院士和張志勇教授時他們的焦慮:一個颠覆性技術,從實驗室到産業界,中間還(hái)需要進(jìn)行工程化研究,隻有工程化、成(chéng)熟化的技術,産業界才敢接手。

北京碳基集成(chéng)電路研究院于2018年9月正式登記成(chéng)立,它的發(fā)起(qǐ)單位有北京大學(xué)、中科院微電子所等多家單位,彭練矛院士擔任院長(cháng)。業内人士都(dōu)知道(dào)著名的比利時IMEC(大學(xué)校際微電子研究中心)實驗室,早期是由政府投資,現在其80%的收入來自企業,這(zhè)個頂級的實驗室對(duì)于全球集成(chéng)電路發(fā)展做出了巨大貢獻。包括英特爾、ARM、台積電等許多業界巨頭都(dōu)是它的客戶,這(zhè)些巨頭的新技術在進(jìn)入大規模生産線之前,其新技術工程化都(dōu)交給IMEC來完成(chéng)。碳基集成(chéng)電路的發(fā)展同樣需要這(zhè)樣的機構。目前來看,北京碳基集成(chéng)電路研究院的目标是希望成(chéng)爲碳基集成(chéng)電路産業的“IMEC”。

彭練矛對(duì)《中國(guó)電子報》記者表示:“北京碳基集成(chéng)電路研究院希望能(néng)夠在工程化方向(xiàng)上不斷前進(jìn),做技術成(chéng)熟度由4到8的事(shì)情,最終將(jiāng)技術轉給企業。産業化和商業化的事(shì)情一定要由公司來做,研究院是做技術研發(fā)的。”

應該說,這(zhè)次北京碳基集成(chéng)電路研究院的“多次提純和維度限制自組裝方法”問世,將(jiāng)碳基技術從實驗室向(xiàng)工業化推進(jìn)了一大步,那麼(me)下一步還(hái)有哪些挑戰,還(hái)有哪些“死亡谷”需要穿越?

行業分析人士對(duì)《中國(guó)電子報》記者表示:“這(zhè)是很令人興奮的事(shì)情,但是從論文到新技術再到産品到商品有很長(cháng)的路要走,需要進(jìn)一步加大研發(fā)。目前已經(jīng)有很多新材料被研發(fā)出來,包括氮化镓、碳化矽等,但從長(cháng)期來看,矽還(hái)是難以被取代的。”

半導體業内分析人士韓曉敏認爲,碳基是集成(chéng)電路重要發(fā)展方向(xiàng)之一,但是目前産業生态中願意跟進(jìn)的企業還(hái)不多。還(hái)需進(jìn)一步突破成(chéng)本限制,在設備和器件等工藝方面(miàn)還(hái)需建立成(chéng)熟的規範流程,在産品方向(xiàng)上,與矽基芯片結合不緊密的領域有望最先突破。

從實驗室到産業化,中間的“死亡谷”有哪些“陷阱”和挑戰?本源量子是中國(guó)一家量子計算領域的創業公司,本源量子副總經(jīng)理張輝在接受《中國(guó)電子報》記者采訪時表示,從科研品到工業品,其中面(miàn)臨的挑戰包括資金的持續保證、理念的轉變以及與現有産業的兼容等。“與現有産業的兼容至關重要,如果現有半導體産業從儀器、設備、工藝流程上可大部分借用,那麼(me)將(jiāng)大大提升産業跟進(jìn)的速度。”他說。

事(shì)實上,矽基集成(chéng)電路産業之所以有今天的豐富、成(chéng)熟生态,每一個環節都(dōu)投入巨大。英特爾每年的研發(fā)投入占銷售收入超過(guò)20%,台積電過(guò)去5年的研發(fā)投入是3440億元。也正是因爲如此,産業鏈很難“棄矽另起(qǐ)爐竈”,所以兼容至關重要。

那麼(me)矽基生态鏈上相關技術與工藝設備流程,比如光刻機、軟件設計工具、測試儀器、生産工藝流程等,在碳基上是否能(néng)用?彭練矛院士給出的答案是:“使用率大約能(néng)達到80%~90%,但碳管材料的清洗、刻蝕等步驟需要特殊處理,碳管器件的模型需要單獨建立。”

目前解決了碳納米材料的純度、密度問題。“下一步還(hái)需要确保材料的工藝穩定性和均勻性,更重要的是和其他器件和IC制備的良好(hǎo)兼容性,這(zhè)是一個綜合的事(shì)情。現代芯片制備有上千個步驟,其中一步做不好(hǎo),就沒(méi)有好(hǎo)的産品。最後(hòu)是一個系統優化的問題,材料、器件、芯片設計等密不可分。”彭練矛說。

碳納米管未來有很好(hǎo)的應用前景。“由于碳基材質的特殊性,它能(néng)讓電路做到像創可貼一樣柔軟,這(zhè)樣的柔性器械如果應用于醫療領域,將(jiāng)使患者擁有更加舒适的檢查體驗;在一些高輻射、高溫度的極端環境裡(lǐ),碳基材質所制造出的機器人可以更好(hǎo)地代替人類執行危險系數高的任務;碳基技術若應用到智能(néng)手機上,因其擁有更低的功耗,將(jiāng)使待機時間延長(cháng)。”張志勇向(xiàng)記者介紹說。

5月26日,北京碳基集成(chéng)電路研究院舉行成(chéng)果發(fā)布儀式。TCL等幾家大企業的工業研究院相關人員也有到場,工業界關注的焦點是什麼(me)?“工業界還(hái)是關注技術何時能(néng)夠成(chéng)熟到可以被使用,包括成(chéng)本和可靠性等工程問題。”彭練矛表示,這(zhè)本就是企業該做的。

而工業界很難在一項技術還(hái)沒(méi)看到投資回報時進(jìn)行投入,如果碳基技術想要工程化,需要北京碳基集成(chéng)電路研究院成(chéng)爲碳基領域的“IMEC”。記者了解到,如果要繼續往前推進(jìn),北京碳基集成(chéng)電路研究院按照200人的規模,再加上實驗平台,每年需要的資金約爲2億元,并且需要确保十年以上的資金投入,約爲20億元。但是直到現在,還(hái)沒(méi)有企業關注到該研究院的價值。

不久前,阿裡(lǐ)巴巴宣布未來3年將(jiāng)投入2000億元來研發(fā)芯片、雲操作系統等,而騰訊雲宣布將(jiāng)投入5000億元進(jìn)行新基建相關技術的研發(fā)。在雲計算的競争越來越激烈的當下,從雲操作系統到芯片全線布局,正在成(chéng)爲越來越多的巨頭的選擇。目前阿裡(lǐ)巴巴已經(jīng)有了“平頭哥”這(zhè)家芯片公司,那麼(me)未來騰訊有沒(méi)有可能(néng)也會進(jìn)入芯片領域呢?如果有可能(néng),期望中國(guó)的巨頭企業能(néng)夠看到這(zhè)樣的信息,能(néng)夠關注到“碳基”集成(chéng)電路的新機會。

南大光電披露光刻膠項目最新進(jìn)展

南大光電披露光刻膠項目最新進(jìn)展

近日,江蘇南大光電材料股份有限公司(以下簡稱“南大光電”)在股票交易異常波動的公告中披露了其光刻膠項目最新進(jìn)展。

公告顯示,南大光電承接的國(guó)家“02專項”之“ArF光刻膠産品的開(kāi)發(fā)和産業化項目”的基礎建設按計劃進(jìn)行;2019年底完成(chéng)一條生産線的安裝,正在調試階段。2020年4月,公司采購的用于檢測ArF(193nm)光刻膠産品性能(néng)的光刻機運入甯波南大光電工廠,5月開(kāi)始進(jìn)行安裝調試,預計安裝調試需要4-5個月的時間。公司制備ArF(193nm)光刻膠用的高純原材料來源于自主研發(fā),研制出的ArF(193nm)光刻膠樣品正在供客戶測試。

目前“ArF光刻膠開(kāi)發(fā)和産業化項目”正處于光刻膠樣品驗證階段,驗證過(guò)程預計需要12-18個月,甚至更長(cháng)的時間。南大光電還(hái)指出,ArF(193nm)光刻膠産品開(kāi)發(fā)技術突破難度大、工藝要求高,且實現穩定量産周期較長(cháng),後(hòu)續是否能(néng)取得下遊客戶的訂單,能(néng)否大規模進(jìn)入市場仍存在較多的不确定性。

據了解,南大光電ArF光刻膠産品的開(kāi)發(fā)和産業化項目總投資額爲6.56億元,其中,國(guó)撥資金1.93億元,地方配套資金1.97億元,項目實施主體爲南大光電全資子公司甯波南大光電。

2019年12月14日,南大光電再次發(fā)布公告稱,通過(guò)增資擴股的方式甯波南大光電進(jìn)行增資2.6億元,增資事(shì)項完成(chéng)後(hòu),甯波南大光電的注冊資本由4000萬元增加到3億元。對(duì)于甯波南大光電增資擴股并引入外部投資者,南大光電稱,有利于加快公司ArF光刻膠産品的開(kāi)發(fā)與産業化項目的建設進(jìn)度,推動光刻膠闆塊的戰略布局。

根據最初規劃,ArF光刻膠産品的開(kāi)發(fā)和産業化項目拟通過(guò)3年的建設、投産及實現銷售,達到年産25噸193nm(ArF幹式和浸沒(méi)式)光刻膠産品的生産規模,産品滿足集成(chéng)電路行業需求标準。同時建成(chéng)先進(jìn)光刻膠分析測試中心和高分辨率光刻膠研發(fā)中心。

總投資3.2億元的電子特種(zhǒng)氣體研發(fā)産業化基地項目開(kāi)工

總投資3.2億元的電子特種(zhǒng)氣體研發(fā)産業化基地項目開(kāi)工

日前,天津綠菱氣體有限公司綠菱電子研發(fā)産業化基地項目舉行奠基儀式。随着一鍬鍬土的培下,又一項濱海新區重點建設項目建成(chéng)指日可待。該項目位于天津經(jīng)濟技術開(kāi)發(fā)區南港工業區,預計明年3月投入運行,研發(fā)生産産品將(jiāng)解決國(guó)家關鍵半導體材料的“卡脖子”技術難題,滿産後(hòu)預計年銷售收入超過(guò)25億元。

電子氣體是發(fā)展集成(chéng)電路、光電子、微電子,特别是超大規模集成(chéng)電路、液晶顯示器件、半導體發(fā)光器件和半導體材料制造過(guò)程中不可缺少的基礎性支撐性原材料。綠菱集團公司是國(guó)内領先的特種(zhǒng)氣體産品與服務提供商,爲國(guó)内及全球多個著名芯片制造商提供産品和服務,公司打破了此前中國(guó)特種(zhǒng)氣體被國(guó)外壟斷的曆史,爲中國(guó)集成(chéng)電路産業發(fā)展與關鍵材料突破提供堅實支撐。

正在建設中的綠菱電子研發(fā)産業化基地是綠菱集團重要生産基地之一,拟建成(chéng)年産6000噸、47種(zhǒng)電子特種(zhǒng)氣體産品,服務于半導體集成(chéng)電路、光伏、光纖等高精尖領域。項目占地54455.89㎡,建築面(miàn)積24453.36㎡,總建設投資3.2億元,年度計劃投資2億元,計劃于2021年3月建成(chéng)。滿産後(hòu),項目預計年銷售收入25.68億元,利稅2.12億元,解決就業崗位150個。

“項目建成(chéng)後(hòu),有3個車間、5個庫房,還(hái)有配套的綜合樓、公用配套設施等。”作爲項目負責人,天津綠菱氣體有限公司總經(jīng)理馬建修指着項目施工圖紙告訴記者。

“2008年,綠菱集團在天津武清區投資設廠,研發(fā)、生産各種(zhǒng)電子特種(zhǒng)氣體。近年來,天津大力發(fā)展半導體産業,形成(chéng)了良好(hǎo)的産業基礎。我們實際上就是要緊跟半導體産業發(fā)展步伐,進(jìn)行産品技術更新叠代,綠菱電子研發(fā)産業化基地建成(chéng)後(hòu),將(jiāng)大大擴展産品種(zhǒng)類,搶占市場先機。”綠菱集團副總裁王新鵬表示。随着半導體先進(jìn)制程的更新換代,日益緊迫的材料國(guó)産化替代進(jìn)程,綠菱氣體有限公司將(jiāng)加大研發(fā)力度,加快研發(fā)的進(jìn)度,爲天津半導體産業的發(fā)展提供更好(hǎo)的産品和配套服務,不斷推動新一代特種(zhǒng)氣體在我國(guó)高精尖領域的應用。 

據馬建修介紹,項目研發(fā)生産的關鍵電子特種(zhǒng)氣體主要解決我國(guó)超大規模集成(chéng)電路先進(jìn)制程中的材料制約問題,爲國(guó)家集成(chéng)電路配套新材料産業提供重要保障。天津綠菱氣體有限公司將(jiāng)與京津冀相關集成(chéng)電路制造企業實現協同發(fā)展,形成(chéng)半導體産業聚集效應,推動天津傳統制造業向(xiàng)高端智能(néng)制造轉型升級。

神工股份:公司募投項目産品目标客戶群體爲芯片制造商

神工股份:公司募投項目産品目标客戶群體爲芯片制造商

5月21日,錦州神工半導體股份有限公司(以下簡稱“神工股份”)在互動平台上表示,公司募投項目産品目标客戶群體爲芯片制造商,主要包括台灣積體電路制造股份有限公司、中芯國(guó)際集成(chéng)電路制造有限公司等。

截止2020年2月17日,神工股份實際向(xiàng)社會公開(kāi)發(fā)行人民币普通股(A股)4,000萬股,募集資金總額8.67億元。補充發(fā)行費用後(hòu)拟用于8英寸半導體級矽單晶抛光片生産建設項目與研發(fā)中心建設項目兩(liǎng)大募集項目。

其中,8英寸半導體級矽單晶抛光片生産建設項目計劃建設的8英寸半導體級矽單晶抛光片生産線,建設完成(chéng)并順利達産後(hòu),將(jiāng)達到年産180萬片8英寸半導體級矽單晶抛光片以及36萬片半導體級矽單晶陪片的産能(néng)規模。

資料顯示,神工半導體成(chéng)立于2013年7月,主要業務爲半導體級單晶矽材料的研發(fā)、生産和銷售,核心産品爲大尺寸高純度半導體級單晶矽材料,産品形态包括矽棒、矽筒、矽環和矽盤。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展,神工股份在半導體級單晶矽材料領域已建立起(qǐ)完整的研發(fā)、生産和銷售體系,産品質量已可滿足7nm先進(jìn)制程芯片制造刻蝕環節對(duì)矽材料的工藝要求。

證監會同意金宏氣體科創闆IPO注冊

證監會同意金宏氣體科創闆IPO注冊

5月21日,據證監會發(fā)布消息,近日,證監會按法定程序同意蘇州金宏氣體股份有限公司(以下簡稱“金宏氣體”)科創闆首次公開(kāi)發(fā)行股票注冊。金宏氣體及其承銷商將(jiāng)分别與上海證券交易所協商确定發(fā)行日程,并陸續刊登招股文件。

據悉,金宏氣體曾挂牌新三闆,于2014年12月15日正式在股轉系統挂牌并公開(kāi)轉讓,證券簡稱“金宏氣體”,證券代碼“831450”。2019年12月12日起(qǐ),金宏氣體股票在股轉系統暫停轉讓。同日,金宏氣體向(xiàng)上海證券交易所提交科創闆申請材料。

根據此前發(fā)布的招股書顯示,金宏氣體本次拟發(fā)行不超過(guò)1.21億股流通股,拟募集資金9.98億元。其中,2.06億元用于張家港金宏氣體有限公司超大規模集成(chéng)電路用高純氣體項目,2939.66萬元用于蘇州金宏氣體股份有限公司研發(fā)中心項目,6872.28萬元用于年充裝392.2萬瓶工業氣體項目,5278.21萬元用于年充裝125萬瓶工業氣體項目,4042.31萬元用于智能(néng)化運營項目,6.00億元用于發(fā)展與科技儲備資金。

資料顯示,金宏氣體成(chéng)立于1999年10月,是一家專業從事(shì)氣體研發(fā)、生産、銷售和服務的環保集約型綜合氣體供應商,能(néng)夠爲客戶提供特種(zhǒng)氣體、大宗氣體和天然氣三大類100多個氣體品種(zhǒng),其中超純氨、高純氫、高純氧化亞氮、矽烷混合氣、八氟環丁烷等特種(zhǒng)氣體以及電子級的氧、氮是電子半導體行業不可或缺的關鍵原材料。

金宏氣體把應用于電子半導體領域的特種(zhǒng)氣體和大宗氣體作爲重點研發(fā)方向(xiàng),公司研發(fā)并投産的超純氨、高純氧化亞氮等超高純氣體得到了國(guó)内知名電子半導體廠商的認可,集成(chéng)電路行業的客戶包括晶方半導體、上海新傲、廈門聯芯等。

民進(jìn)中央兩(liǎng)會提案:推動中國(guó)功率半導體産業科學(xué)發(fā)展

民進(jìn)中央兩(liǎng)會提案:推動中國(guó)功率半導體産業科學(xué)發(fā)展

據人民網發(fā)布的中國(guó)統一戰線新聞網聯合中國(guó)共産黨新聞網推出的“2020年全國(guó)兩(liǎng)會各民主黨派提案選登”報道(dào)顯示,民進(jìn)中央拟提交“關于推動中國(guó)功率半導體産業科學(xué)發(fā)展的提案”。

提案指出,當前從全球功率半導體市場看,一方面(miàn)傳統的矽材料功率半導體仍然有巨大的發(fā)展空間,有研 究顯示全球市場的碳化矽及氮化镓等新材料功率半導體芯片市場應用量是約3億多美金,矽材料功率半導體芯片市場應用量超過(guò)200億美金。國(guó)際市場的IGBT芯片主流是矽材料5代、6代及7代産品,國(guó)際功率半導體行業認爲,矽材料功率半導體材料已經(jīng)有30多年的大規模市場應用驗證,穩定可靠,價格低,尚有技術發(fā)展空間等特點,在未來至少7至8年左右仍是市場應用主流。

另一方面(miàn)以碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)爲代表的第三代半導體材料正蓬勃發(fā)展,而我國(guó)碳化矽、氮化镓功率半導體器件研發(fā)起(qǐ)步晚,在技術上仍有很大差距。可喜的是,在國(guó)家多項科研計劃的扶持下,這(zhè)方面(miàn)已經(jīng)大幅縮小了與國(guó)際的技術差距,并取得了不少成(chéng)就。

随着工業、汽車、無線通訊和消費電子等領域新應用的不斷湧現以及節能(néng)減排需求日益迫切,我國(guó)功率半導體有龐大的市場需求,容易催生新産業新技術,在國(guó)家政策利好(hǎo)下,功率半導體將(jiāng)成(chéng)爲“中國(guó)芯”的最好(hǎo)突破口。爲此,民進(jìn)中央提出以下建議:

一、進(jìn)一步完善功率半導體産業發(fā)展政策,大力扶持矽材料功率半導體芯片技術攻關,立項支持矽材料功率半導體材料、芯片、器件等設計和制造工藝流程技術。經(jīng)過(guò)多年布局和發(fā)展,我國(guó)在矽材料 IGBT芯片技術方面(miàn)有一定的技術基礎和沉澱,可以將(jiāng)集中突破矽材料6代功率芯片産品設計及批量制造工藝技 術作爲發(fā)展重點,采取先易後(hòu)難、解決“有無”問題的發(fā)展策略,盡快實現功率半導體芯片自主供給。

二、加大新材料科技攻關。大數據傳輸、雲計算、AI 技術、物聯網,包括下一步的能(néng)源傳輸,對(duì)網絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求,大功率芯片的市場需求非常大。從産業發(fā)展趨勢看,碳化矽、氮化镓等新材料應用于功率半導體優勢明顯,是下一代功率半導體的核心技術方向(xiàng)。目前碳化矽、氮化镓市場處于起(qǐ)步階段,國(guó)内廠商與海外傳統巨頭之間差距較小,國(guó)内企業有望在本土市場應用中實現彎道(dào)超車。 一是要把功率半導體新材料研發(fā)列入國(guó)家計劃,全面(miàn)部署,竭力搶占戰略制高點。二是引導企業積極滿足未來的應用需求,進(jìn)行前瞻性布局。推動功率半導體龍頭企業着力攻克一批産業發(fā)展關鍵技術、應用技術難題,在國(guó)際競争中搶占先機。三是要避免對(duì)新概念的過(guò)熱炒作。新材料從發(fā)現潛力到産業化,需要建立起(qǐ)高效的産學(xué)研體系,打造更加開(kāi)放包容的投資環境。

三、謹慎支持收購國(guó)外功率半導體企業。通過(guò)收購很難實現完全學(xué)會和掌握國(guó)際先進(jìn)的功率半導體芯 片設計及制造工藝技術,同時海外工廠制造的産品仍然存在着無法出口到中國(guó)的危險。

109.74億元!中環股份控股股東100%股權拟挂牌轉讓

109.74億元!中環股份控股股東100%股權拟挂牌轉讓

5月20日,天津中環電子信息集團有限公司(下稱“中環集團”)100%股權的轉讓信息,在天津産權交易中心披露。中環集團的持股方爲天津津智國(guó)有資本投資運營有限公司(以下簡稱“津智資本”,持有中環集團51%股權)、天津渤海國(guó)有資産經(jīng)營管理有限公司(以下簡稱“渤海國(guó)資”,持有中環集團49%股權),此次中環集團兩(liǎng)大股東拟共同轉讓所持中環集團的股權,轉讓比例合計爲100%,轉讓底價爲109.74億元。

資料顯示,中環集團爲是天津市政府授權經(jīng)營國(guó)有資産的大型企業集團,現擁有國(guó)有全資、國(guó)有控股及參股企業250餘家。其中,上市公司4家,新三闆挂牌企業3家。而中環股份成(chéng)立于1999年,前身爲天津市第三半導體器件廠,2007年在深交所上市,目前已是單晶矽片龍頭企業。

據悉,中環集團是中環股份的控股股東,中環股份表示,此次中環集團開(kāi)展國(guó)有企業混合所有制改革拟通過(guò)股權轉讓形式引入投資者,導緻其股權結構發(fā)生重大變化,可能(néng)將(jiāng)會導緻公司的實際控制人發(fā)生變更。

此外,本次混合所有制改革將(jiāng)在天津産權交易中心以公開(kāi)挂牌方式進(jìn)行,是否有受讓方成(chéng)功摘牌存在不确定性。公司將(jiāng)持續關注本次混合所有制改革的進(jìn)展情況,并按照相關法律法規的規定及時履行信息披露義務。

容大感光:新建募投項目光刻膠及其配套化學(xué)品預計5月底投産

容大感光:新建募投項目光刻膠及其配套化學(xué)品預計5月底投産

深圳市容大感光科技股份有限公司(以下簡稱“容大感光”)股票交易價格連續3個交易日内(2020年5月15日、2020年5月18日、2020年5月19日)收盤價格漲幅偏離值累計超過(guò)20%,根據《深圳證券交易所交易規則》 的有關規定,屬于股票交易異常波動的情況。

爲此,該公司5月19日發(fā)布公告稱,公司發(fā)現近日光刻膠闆塊股票維持活躍,代表公司如新萊應材、藍英裝備、晶瑞股份、飛凱材料、南大光電、強力新材等,均有較高漲幅,公司與上述公司股價漲跌幅對(duì)比如下:

據了解,容大感光的光刻膠項目已經(jīng)研發(fā)多年,但與國(guó)際相關競争對(duì)手相比,公司在研發(fā)水平、産品性能(néng)、資金投入等方面(miàn)仍存在較大的差距。因此,未來公司産品能(néng)否大規模進(jìn)入市場,能(néng)否逐步縮小與國(guó)際競争對(duì)手的差距,仍然面(miàn)臨諸多的技術挑戰并需要持續的資金投入。在相當長(cháng)的時期内,光刻膠項目對(duì)我公司來說依然面(miàn)臨較多不确定性和風險,需要我們做好(hǎo)長(cháng)期的攻堅準備。

容大感光表示,公司新建的募投項目光刻膠及其配套化學(xué)品還(hái)未正式投産,尚未實現經(jīng)濟效益。預計該項目5月底前可以正式投産,投産後(hòu)會提高公司在光刻膠市場的知名度和市場份額,滿足客戶國(guó)産化的需求,預計對(duì)公司未來業績會産生積極的影響,但具體影響的金額和程度還(hái)存在很多不确定性因素。