無錫博報報道(dào)，4月18日，SK海力士半導體（中國(guó)）有限公司無錫工廠舉行擴建（C2F）竣工儀式。
作爲江蘇單體投資規模最大的外商投資企業，無錫SK海力士二工廠項目于2017年10月簽約，總投資86億美元，其中16億美元用于新建33000平米潔淨廠房及其附屬配套設施，70億美元用于購買全球最先進(jìn)的半導體生産設備。
項目建成(chéng)後(hòu)，無錫SK海力士二工廠將(jiāng)形成(chéng)月産18萬片12英寸晶圓的産能(néng)，年銷售額也計劃達到33億美元。
據悉，SK海力士與無錫已有15年的合作，一直在無錫重點推進(jìn)半導體前道(dào)工序和後(hòu)道(dào)工序相關事(shì)業，接下來將(jiāng)與江蘇省包括無錫市及高新區全面(miàn)戰略合作。
據韓媒BusinessKorea最新報道(dào)，長(cháng)江存儲 (YMTC) 首席技術官程衛華，近日在接受媒體采訪時表示，公司將(jiāng)可能(néng)在今年年底前實現64層3D NAND閃存的大規模生産。
“我們有一個大規模生産計劃，”程衛華在接受《日經(jīng)亞洲評論》采訪時表示。目前，在中國(guó)政府的支持下，長(cháng)江存儲正在武漢建設一座價值240億美元的半導體工廠，用于大規模生産64層NAND閃存。
程衛華在采訪中僅提到：“長(cháng)江存儲的大規模生産NAND閃存的計劃進(jìn)展順利，沒(méi)有任何問題。”他并未正式宣布將(jiāng)在今年開(kāi)始量産64層NAND閃存。不過(guò)，行業觀察人士表示，程衛華已表示了當公司實現大規模生産計劃後(hòu)，今年將(jiāng)能(néng)夠生産64層NAND閃存。
目前來看，三星電子和SK海力士正在將(jiāng)90層工藝應用于3D NAND閃存的生産。其實，SK海力士在去年完成(chéng)研發(fā)後(hòu)，已開(kāi)始大規模生産96層NAND閃存。三星則計劃在今年下半年推出100層NAND閃存。如果長(cháng)江存儲在年底前成(chéng)功實現64層NAND量産，那麼(me)其與三星電子的技術差距將(jiāng)縮短至兩(liǎng)年左右。
此外，人們擔憂長(cháng)江存儲進(jìn)入NAND閃存行業後(hòu)的影響，因爲NAND跌價的幅度通常來說會比DRAM更大。另一方面(miàn)，部分專家仍對(duì)長(cháng)江存儲的64層NAND量産保持懷疑态度，因爲其未目前并未量産32層的産品。
不過(guò)總的來說，與DRAM領域不同，長(cháng)江存儲似乎在NAND領域裡(lǐ)正一切進(jìn)展順利。如果長(cháng)江存儲今年下半年向(xiàng)市場供應64層閃存，不排除中國(guó)政府可能(néng)會建議國(guó)産智能(néng)手機和PC制造商使用國(guó)産的NAND閃存。
如果真出現這(zhè)種(zhǒng)情況，那麼(me)將(jiāng)嚴重削弱NAND行業的利潤。這(zhè)正是三星、東芝、美光、SK海力士等閃存制造商所擔憂的。
根據發(fā)改委《智能(néng)汽車創新發(fā)展戰略》征求意見稿，到2020年，智能(néng)汽車新車占比達到50％。汽車智能(néng)化發(fā)展將(jiāng)極大改變汽車對(duì)于數據存儲的需求。預測到2020年，每輛車對(duì)NAND Flash平均容量需求將(jiāng)增加到200GB，而無人駕駛汽車對(duì)NAND Flash存儲量將(jiāng)在TB級以上。
智能(néng)汽車新車市場預測
將(jiāng)視角轉換到現下的車載存儲市場，以新一代NAND Flash爲存儲介質的SSD、eMMC産品的優越性，主要表現在對(duì)傳統HDD、NOR Flash的升級、替代。NOR Flash因爲單位成(chéng)本高，許多應用已經(jīng)被NAND Flash取代。最大的NOR Flash制造商美光甚至有意退出該市場。而HDD則由于防震、抗摔、耐高溫等方面(miàn)存在先天劣勢，加之NAND Flash單位成(chéng)本也随技術進(jìn)步而不斷下降，車載應用設備制造商傾向(xiàng)于采用可靠性和性能(néng)更好(hǎo)的SSD産品。所以，在車載存儲領域，産品除了需要滿足性能(néng)、成(chéng)本、容量需求以外，更基礎的是必須能(néng)達到車規級标準，保證嚴酷行車環境下穩定、持久使用。
車載存儲應用領域
産品支持
佰維結合自身技術推出的系列工控存儲産品，具備高品質、高性能(néng)、高耐用性，完全适用于各類車載應用。以佰維2.5 SATA SSD産品爲例，該産品采用2.5寸SATA3接口，最大容量2TB，連續讀的最大速度爲540MB/s，連續寫的最大速度爲450MB/s，最大功耗10W，同時支持溫度感應、耐高低溫、固件備份、SMART監控、掉電保護等功能(néng)，可極大提升行車監控器、行車記錄儀等車載應用數據存儲的穩定性與可靠性。也正是由于這(zhè)樣的産品和技術支撐，佰維可根據接口标準、嵌入條件、讀寫速度、容量大小等需求提供定制化解決方案。
技術亮點
車載SSD最高2TB，支持大容量車載應用。
佰維車載SSD系列容量規格240G~2T。在3D NAND等技術的支持下，佰維車載存儲産品輕松滿足行車監控器、行車記錄儀、車載娛樂内容，以及自動駕駛高精度地圖等應用對(duì)大容量存儲的需求。
-40℃~85℃環境下正常工作，适應極端氣候變化。
汽車作爲交通工具，要能(néng)适應不同的地理環境，不同的氣候變化。所以，車載存儲的耐高低溫要求相對(duì)典型。爲了達到汽車的環境可靠性标準，佰維通過(guò)貼片前顆粒寬溫篩選，成(chéng)品寬溫篩選，保證每一片都(dōu)能(néng)在（-40℃~85℃）寬溫環境下正常工作。
佰維車載存儲技術特點
支持斷電保護20000次，應對(duì)車載供電異常。
行車環境複雜多變，車載供電系統電壓不穩，意外斷電情況時有發(fā)生。佰維車載SSD内置電源偵測芯片實時監控供電情況，一旦發(fā)現異常立即啓用斷電保護，保證 DRAM 中緩存的數據可靠地傳輸到閃存，從而避免了固件故障，爲車載應用存儲數據提供了可靠性保障。佰維車載SSD支持電壓波動3~18V，異常斷電保護20000次。
耐插拔設計、底部填充，穩固車載存儲物理連接。
對(duì)比HDD，SSD内無機械部件，抗損性方面(miàn)具有先天優勢。即便如此，佰維也對(duì)車載SSD進(jìn)行了多項加固設計，如：采用 IC底部填充技術，使PCB和芯片之間牢固粘連；采用高強度金屬外殼，保護内部元件；采用特殊定制的加固接口，不僅使物理連接穩固，而且具備超強的耐插拔性，能(néng)有效地降低接口故障率。最終，确保颠簸、震動行車環境下數據存儲的穩定性。
V-REC算法優化，支持多個高清攝像頭同時錄制。
行車記錄儀、行車監控器（主要應用于公交車）等車載視頻監控産品已經(jīng)十分普通，并朝更高像素、聯網、平台化發(fā)展。佰維針對(duì)此類大量數據、長(cháng)時間的讀寫需求，通過(guò)V-REC算法優化進(jìn)行專項的固件調校，可保持車載SSD在高密度的讀寫下不掉速，從而支持多個高清攝像頭同時錄制。
小結：
即便在極端環境條件下，也應該确保行車安全，與之相關的車載應用必須具備高度的可靠性。佰維車載SSD、eMMC等産品擁有大容量、低功耗、強固設計和寬溫、寬電壓等技術優勢，并通過(guò)了IATF 16949汽車質量管理體系認證。我們保證設計的解決方案适合您的車載應用程序。
關于IATF 16949
IATF16949:2016是由IATF（國(guó)際汽車工作組）在ISO9001:2015的基礎上，結合汽車行業的特殊要求制定出來的汽車行業質量管理體系标準。該技術标準注重落實和過(guò)程控制，綜合了全球頂尖汽車鏈企業最好(hǎo)的經(jīng)驗。目前，該标準已經(jīng)成(chéng)爲進(jìn)入汽車行業的通行證，不少全球知名車廠已強制要求其供應商通過(guò)IATF16949認證。
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憑借存儲和微控制器而聲名鵲起(qǐ)的兆易創新(GigaDevice)最近又悄悄的做了一件大事(shì)。
該公司日前宣布，其GD25全系列SPI NOR Flash産品已完成(chéng)AEC-Q100認證，是目前唯一的全國(guó)産化車規閃存産品，可爲汽車前裝市場以及需要車規級産品的特定應用提供高性能(néng)和高可靠性的閃存解決方案。
汽車業爲國(guó)産閃存敞開(kāi)大門
盡管沒(méi)有三星、美光等廠商名号響亮，但作爲中國(guó)國(guó)内第一款靜态存儲器及IP技術、第一款SPI NOR Flash、第一款SPI NAND Flash、……這(zhè)一個個開(kāi)創中國(guó)存儲器IC設計先河的重要産品的創造者，自2005年4月成(chéng)立以來，兆易創新憑借卓越的創新精神，占據了全球NOR Flash領域8%的市場份額，全球排名第五。同時，兆易創新也是世界第三大SPI NOR FLASH供應商，累計出貨量達100億顆。
在外界看來，兆易創新很多時候不過(guò)是在近乎飽和的存儲和微控制器市場中從事(shì)着“撿芝麻”的工作。但兆易創新汽車市場總監史有強卻并不這(zhè)樣認爲，他在接受媒體專訪時表示，GD25全系列SPI NOR Flash産品通過(guò)認證，意味着每個産品都(dōu)需要進(jìn)行單獨的設計、制造和認證，需要合理部署大批量認證資源以及認證時間。此外，除了基礎的AEC-Q100标準認證外，日本、歐洲、北美Tier 1的客戶都(dōu)還(hái)有自己的專有标準，需要跟他們進(jìn)行密切溝通和進(jìn)一步的測試。當然，整個公司的質量體系認證也非常重要，跟産品品質認證同樣重要。
AEC-Q100是AEC汽車電子協會組織所制訂的車用可靠性測試标準，主要是針對(duì)車載應用、汽車零部件、汽車車載電子實施标準規範，預防可能(néng)發(fā)生各種(zhǒng)狀況或潛在的故障狀态，特别對(duì)産品功能(néng)與性能(néng)進(jìn)行标準規範測試。
目前GD25全系列SPI NOR Flash産品現已量産，更高性能(néng)的大容量産品(1Gbit)以及高可靠性SPI/SLC NAND産品的擴展認證也在密切進(jìn)行中。接下來，兆易創新將(jiāng)開(kāi)始着手調研和申請準備其他車規如ISO26262的芯片需求。
不過(guò)，對(duì)于整車廠而言，兆易創新仍然屬于初出茅廬的新軍，如何打消整車廠對(duì)公司在産品、供貨、支持等方面(miàn)的種(zhǒng)種(zhǒng)顧慮，是擺在史有強及其團隊面(miàn)前的巨大挑戰之一。
他對(duì)此回應稱，自2014年以來，兆易創新開(kāi)始布局汽車行業，多年來在車載應用領域的耕耘積累了雄厚的技術開(kāi)發(fā)基礎以及市場調研經(jīng)驗。更重要的是，公司在NOR Flash存儲器行業耕耘了14年，累計全球出貨量超過(guò)100億顆，熟悉了解各個應用領域對(duì)Flash存儲器的要求及行業規範，并針對(duì)不同的應用領域定義了相應的産品系列。
在生态系統建設方面(miàn)，兆易創新目前與國(guó)内Tier 1大廠和模塊廠商均實現了緊密合作，其産品和方案得到了國(guó)内車廠的廣泛采用。同時，也在積極接觸日本與歐美車廠，力圖針對(duì)其需求在産品定義上做出突破。
考慮到成(chéng)爲汽車電子供應商的準入門檻非常高，保證十年以上的供貨和支持能(néng)力是必選項。兆易創新爲此專門制訂了Flash存儲器産品的長(cháng)期供貨協議(Product Longevity Program)，此協議中涵蓋的産品都(dōu)嚴格按照行業要求提供長(cháng)期供貨。在生産制造方面(miàn)，2017年9月，兆易創新與中芯國(guó)際簽署《戰略合作協議》，約定至2018年底采購金額爲12億元或以上，以确保産品的質量和供貨及時、可靠，并且符合汽車行業的嚴苛标準。此外，兆易創新還(hái)具有成(chéng)熟的本地及全球的供應鏈部署以及技術支持團隊，可以保證對(duì)客戶的需求進(jìn)行快速響應。
NOR Flash的春天
車載娛樂系統(智能(néng)座艙)、車聯網、無人駕駛是兆易創新未來最爲關注的三大汽車應用領域。在史有強看來，随着自動駕駛、車聯網和新能(néng)源汽車的發(fā)展，汽車産業對(duì)存儲器的需求與日俱增，成(chéng)爲存儲芯片中重要的新興增長(cháng)點和決定市場格局的重要力量。同時，實現汽車的智能(néng)化需要更多的環境感知，随着傳感器和更多MCU集成(chéng)到系統中，汽車電子各功能(néng)單元的數據、程序存儲都(dōu)需要更高性能(néng)的閃存，從而對(duì)非易失性存儲器件的需求形成(chéng)海量增長(cháng)。
衆所周知，由于使用環境惡劣，汽車電子應用對(duì)存儲器的要求非常高。而NOR Flash之所以能(néng)夠受到汽車電子的青睐，主要源于其優異的高速随機讀取性能(néng)和高可靠性。以目前大熱的無人駕駛爲例，需要存儲器具備快速的反應能(néng)力和絕對(duì)的可靠性，這(zhè)些隻有NOR Flash才可以滿足。
而且NOR Flash在高溫條件下擦寫次數可達10萬次，數據保留時間長(cháng)，不會産生壞塊，最大限度保證了數據可靠性，十分适合在汽車、工業等對(duì)于可靠性要求更高的應用場景。當前，還(hái)沒(méi)有其他的成(chéng)熟存儲器技術可以取代NOR Flash，雖然有一些新的技術處于研發(fā)狀态，但還(hái)沒(méi)有實現大規模生産。
其實，并非隻有汽車電子領域需要更短的啓動時間和更快的數據與圖形訪問。按照業内專家的說法，“幾乎整個嵌入式設計都(dōu)普遍有此需求，都(dōu)需要具備更快啓動速度、更高訪問質量與可靠性的NOR方案。”因爲如此的高速度能(néng)實現更快的啓動時間，也可實現程序的片内執行，更少的代碼映射，從而整體上減少了RAM内存容量。對(duì)消費者而言，這(zhè)將(jiāng)意味着他們的應用將(jiāng)具有更強大的功能(néng)性、互動性與性能(néng)。
不過(guò)，在NOR Flash領域，盡管2017年2月美光科技宣布剝離旗下NOR芯片業務，全面(miàn)轉向(xiàng)DRAM和NAND Flash。但同年4月，賽普拉斯卻表示將(jiāng)退出中低容量的NOR Flash市場，全力沖刺高容量車用和工業領域。顯然，面(miàn)對(duì)國(guó)際大廠的競争，兆易創新要準确找到突破點并實現突圍，并非說說這(zhè)麼(me)簡單。
史有強對(duì)此并不否認。他說中國(guó)本土IC公司往往喜歡將(jiāng)“具備高性價比”作爲産品的最大優勢之一，但在車載應用中，這(zhè)招并不好(hǎo)使。因爲所有産品必須要保證高質量和高可靠性，企業必須要付出更多成(chéng)本，低價不是關鍵競争要素，品質才是第一要素。
“我們當然更看重品質而不是低價，通過(guò)高性能(néng)的産品、優質的服務和可靠的質量爲客戶提供滿足他們需求的解決方案。同時，合理的成(chéng)本優化也是芯片行業的必需性，但是絕對(duì)不能(néng)對(duì)産品品質要求有任何松懈。”史有強認爲兆易創新的競争力，一是來自于始終緻力于提供一站式服務，在靈活度和産品更新度上都(dōu)會優于友商；二是彙集和培養了一批國(guó)内在半導體存儲器領域，尤其是在Flash 技術、産品和管理領域的優秀人才，并擁有豐富的技術專利，涵蓋NOR Flash、NAND Flash、MCU等芯片關鍵技術領域。
近日獲悉，日本半導體巨頭東芝存儲器控股公司（東京）將(jiāng)從三菱日聯銀行、三井住友銀行及瑞穗銀行三家大型銀行借貸合計1萬億日元（約合人民币603億元）。此外還(hái)將(jiāng)接受日本政策投資銀行的3000億日元注資，總共籌措1.3萬億日元。該筆資金除了對(duì)來自三大銀行等的現有共計6000億日元貸款實施借新還(hái)舊，還(hái)將(jiāng)用來回購美國(guó)蘋果公司等交易對(duì)象持有的優先股以減少财務上的不穩定因素，從而有利于東京證交所的上市審查。
首次公開(kāi)募股（IPO）的時間此前預計在今年9月，但看來將(jiāng)會推遲至11月以後(hòu)。交易對(duì)象持股在上市審查中被視爲不利因素，因此公司將(jiāng)回購股票創造穩定的經(jīng)營環境。半官方基金INCJ（原産業革新機構）將(jiāng)放棄注資。
陷入經(jīng)營不振的東芝公司以約2萬億日元價格把東芝存儲器出售給了以美國(guó)基金貝恩資本爲主的“日美韓聯合體”。加入該聯合體的除蘋果、戴爾等美國(guó)IT巨頭外，還(hái)有韓國(guó)半導體巨頭SK海力士。東芝也再次出資約3500億日元。
作爲一家全球巨頭，除了主要的四日市工廠（三重縣四日市市）外，東芝存儲器還(hái)正在岩手縣北上市建設新工廠。3月已過(guò)渡爲控股公司制。
根據外媒BusinessKorea最新消息，SK海力士位于中國(guó)無錫的擴建晶圓廠 (二廠) 將(jiāng)于本月全面(miàn)投入運營。一旦這(zhè)個耗資95億韓元的擴建項目完工，海力士無錫工廠的産能(néng)將(jiāng)增加至每月180,000片晶圓。
然而，SK海力士表示，公司擴大生産線目的單純是爲了引入DRAM的微制造，而不是增加其産能(néng)。這(zhè)意味着海力士將(jiāng)繼續控制芯片供應量，來緩解市場供給過(guò)剩的現狀。
SK海力士一位内部人士表示，“初次生産的晶圓片在今年初就已進(jìn)入工廠，而這(zhè)次，産量已達到了标準。” 等未來設備全部安裝完善時，SK海力士無錫工廠將(jiāng)擁有每月180,000片的10納米級DRAM晶圓的産能(néng)。
在無錫工廠的擴建上，SK海力士已經(jīng)獲得資金支持。今年3月25日，SK海力士與中國(guó)開(kāi)發(fā)銀行牽頭組建了一批中資銀行的銀團貸款舉行了簽字儀式。貸款金額估計高達35億美元，是江蘇省外币貸款曆史上最大的一筆。
在無錫擴建工廠全面(miàn)投入運營之前，SK海力士副董事(shì)長(cháng)樸成(chéng)旭于3月29日訪問了無錫，并會見了無錫市委書記李小敏。 “随着第二工廠項目的完成(chéng)，SK海力士已經(jīng)在無錫工廠投資了140億美元，”樸成(chéng)旭在會上提到。“經(jīng)過(guò)14年的合作，海力士與無錫的關系與橡樹一樣強勁。”
行業觀察人士也正密切關注着無錫擴建工廠將(jiāng)給DRAM的供給和價格帶來什麼(me)影響。
根據DRAMexchange (集邦咨詢半導體研究中心) 最新數據，3月份DDR4 8Gb DRAM的合約價較上月下降了 11.1％ 至 4.56 美元。
這(zhè)與2016年12月的4.19美元的價格接近，當時正是存儲器行業剛開(kāi)始蓬勃發(fā)展的時期。相應地，美光也宣布將(jiāng)分别削減DRAM和NAND閃存産量的5％。
存儲器大廠美光 (Micron) 26 日宣布，在世界通訊行動大會 (MWC) 上發(fā)布全球容量最大的 microSD 記憶卡──Micron c200 系列的 1TB MicroSDXC UHS-I 閃存卡。
美光表示，該産品爲高性能(néng)的可抽取式儲存解決方案，提供高達 1TB 的儲存容量，爲業界首款采用美光的 96 層堆棧 QLC (四階儲存單元) 3D NAND 技術的 microSD 閃存卡，而且符合 A2 應用程序性能(néng)等級規格标準，能(néng)縮短安裝在該卡上的應用程序及遊戲載入時間，有效提升 Android 合并儲存空間 (Android Adoptable Storage) 功能(néng)的使用者體驗。
另外，美光 c200系列 1TB microSD 閃存卡每秒讀取速度可達到 100 MB，每秒寫入速度可達 95 MB，符合 UHS-I 速度等級 (U3) 與影片速度等級30 (V30) 的标準。c200 1TB microSD 閃存卡將(jiāng)在 2019 年第 2 季起(qǐ)廣泛于市面(miàn)上供應。
美光嵌入式産品事(shì)業部 NAND 解決方案資深總監 Aravind Ramamoorthy 表示，美光透過(guò)研發(fā) CuA (CMOS under the Array) 架構和 96 層 QLC 技術，站穩 3D NAND 領域的領導地位，并成(chéng)功開(kāi)發(fā)出全球首款 1TB microSD 閃存卡。這(zhè)款全新的 c200 系列 1TB microSD 閃存卡將(jiāng)滿足消費者對(duì)行動裝置黏着度高的生活方式，輔助用戶自由撷取、分享、儲存和享受更多内容。
Forward Insights 總裁 Gregory Wong 則表示，預期 3D QLC NAND 技術時代來臨，將(jiāng)帶動市場對(duì)高容量消費性儲存裝置的需求增長(cháng)。美光推出的 1TB microSD 閃存卡爲可抽取式儲存裝置市場劃下重要的裡(lǐ)程碑，將(jiāng)有助于加速行動裝置和遊戲裝置轉換成(chéng)高容量儲存裝置。
存儲器大廠美光 (Micron) 26 日宣布，在世界通訊行動大會 (MWC) 上發(fā)布全球容量最大的 microSD 記憶卡──Micron c200 系列的 1TB MicroSDXC UHS-I 閃存卡。
美光表示，該産品爲高性能(néng)的可抽取式儲存解決方案，提供高達 1TB 的儲存容量，爲業界首款采用美光的 96 層堆棧 QLC (四階儲存單元) 3D NAND 技術的 microSD 閃存卡，而且符合 A2 應用程序性能(néng)等級規格标準，能(néng)縮短安裝在該卡上的應用程序及遊戲載入時間，有效提升 Android 合并儲存空間 (Android Adoptable Storage) 功能(néng)的使用者體驗。
另外，美光 c200系列 1TB microSD 閃存卡每秒讀取速度可達到 100 MB，每秒寫入速度可達 95 MB，符合 UHS-I 速度等級 (U3) 與影片速度等級30 (V30) 的标準。c200 1TB microSD 閃存卡將(jiāng)在 2019 年第 2 季起(qǐ)廣泛于市面(miàn)上供應。
美光嵌入式産品事(shì)業部 NAND 解決方案資深總監 Aravind Ramamoorthy 表示，美光透過(guò)研發(fā) CuA (CMOS under the Array) 架構和 96 層 QLC 技術，站穩 3D NAND 領域的領導地位，并成(chéng)功開(kāi)發(fā)出全球首款 1TB microSD 閃存卡。這(zhè)款全新的 c200 系列 1TB microSD 閃存卡將(jiāng)滿足消費者對(duì)行動裝置黏着度高的生活方式，輔助用戶自由撷取、分享、儲存和享受更多内容。
Forward Insights 總裁 Gregory Wong 則表示，預期 3D QLC NAND 技術時代來臨，將(jiāng)帶動市場對(duì)高容量消費性儲存裝置的需求增長(cháng)。美光推出的 1TB microSD 閃存卡爲可抽取式儲存裝置市場劃下重要的裡(lǐ)程碑，將(jiāng)有助于加速行動裝置和遊戲裝置轉換成(chéng)高容量儲存裝置。
存儲器大廠美光 (Micron) 26 日宣布，在世界通訊行動大會 (MWC) 上發(fā)布全球容量最大的 microSD 記憶卡──Micron c200 系列的 1TB MicroSDXC UHS-I 閃存卡。
美光表示，該産品爲高性能(néng)的可抽取式儲存解決方案，提供高達 1TB 的儲存容量，爲業界首款采用美光的 96 層堆棧 QLC (四階儲存單元) 3D NAND 技術的 microSD 閃存卡，而且符合 A2 應用程序性能(néng)等級規格标準，能(néng)縮短安裝在該卡上的應用程序及遊戲載入時間，有效提升 Android 合并儲存空間 (Android Adoptable Storage) 功能(néng)的使用者體驗。
另外，美光 c200系列 1TB microSD 閃存卡每秒讀取速度可達到 100 MB，每秒寫入速度可達 95 MB，符合 UHS-I 速度等級 (U3) 與影片速度等級30 (V30) 的标準。c200 1TB microSD 閃存卡將(jiāng)在 2019 年第 2 季起(qǐ)廣泛于市面(miàn)上供應。
美光嵌入式産品事(shì)業部 NAND 解決方案資深總監 Aravind Ramamoorthy 表示，美光透過(guò)研發(fā) CuA (CMOS under the Array) 架構和 96 層 QLC 技術，站穩 3D NAND 領域的領導地位，并成(chéng)功開(kāi)發(fā)出全球首款 1TB microSD 閃存卡。這(zhè)款全新的 c200 系列 1TB microSD 閃存卡將(jiāng)滿足消費者對(duì)行動裝置黏着度高的生活方式，輔助用戶自由撷取、分享、儲存和享受更多内容。
Forward Insights 總裁 Gregory Wong 則表示，預期 3D QLC NAND 技術時代來臨，將(jiāng)帶動市場對(duì)高容量消費性儲存裝置的需求增長(cháng)。美光推出的 1TB microSD 閃存卡爲可抽取式儲存裝置市場劃下重要的裡(lǐ)程碑，將(jiāng)有助于加速行動裝置和遊戲裝置轉換成(chéng)高容量儲存裝置。
國(guó)内知名存儲器品牌BIWIN佰維科技將(jiāng)于2月26 -28日在德國(guó)紐倫堡舉行的全球嵌入系統盛會Embedded World，爲觀衆展示旗下全系列特存SSD和嵌入式存儲芯片産品。
随着存儲器使用領域的延伸以及對(duì)存儲設備高性能(néng)和小型化的剛需加劇，對(duì)存儲産品在高性能(néng)、大容量與寬溫适應上提出新的要求。佰維緊随技術與市場的發(fā)展，采用最新技術對(duì)産品進(jìn)行升級，拓展産品市場廣度。
在常規的SSD和嵌入式芯片的之外，面(miàn)向(xiàng)工控領域，提供包括工業用固态硬盤、嵌入式存儲芯片、存儲卡、内存模組以及與之相關的綜合的解決方案和定制化服務，覆蓋全系列工業級嵌入式存儲的應用領域，适配各整機廠商多樣化的存儲産品選擇。
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佰維專注爲客戶提供優質的存儲産品，緻力于成(chéng)爲行業一流的存儲解決方案提供商。佰維堅持以存儲技術爲核心，具備存儲IC設計、軟硬件和固件開(kāi)發(fā)能(néng)力，積極響應市場需求，爲客戶提供更具競争優勢、高品質的軟硬件存儲方案。爲确保産品品質的穩定性，佰維自建完整的封裝、測試、生産産線，确保産品具備絕佳和穩定的性能(néng)，且符合各項國(guó)際認證。佰維以“全球布局，本地服務”的理念，第一時間響應當地的客戶需求。
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