标簽：長(cháng)江存儲

據中新網8月3日報道(dào)， 國(guó)家存儲器基地項目(一期)二階段工程項目中低壓配電系統已經(jīng)受電成(chéng)功，終端機台的電力供給得到保證，芯片的目标量産指日可待。

據了解，長(cháng)江存儲科技有限責任公司是國(guó)家存儲器基地項目的實施主體。根據武漢市此前公布的2019年第一季度政府工作報告執行情況顯示，武漢東湖新技術開(kāi)發(fā)區在存儲器基地方面(miàn)取得了重大進(jìn)展，長(cháng)江存儲器基地一期已實現量産，一季度産能(néng)達到5000片/月，辦公人數已達3000人。同時國(guó)家先進(jìn)存儲産業創新中心也已完成(chéng)法人主體注冊。

2019年7月3日，湖北省委副書記、省長(cháng)王曉東在調研國(guó)家存儲器基地時指出，要優化環境、全力支持，更大力度争取國(guó)家支持并落實支持政策，完善服務機制，當好(hǎo)項目“秘書”，解決實際難題，全力保障國(guó)家存儲器基地建設，爲加快“一芯兩(liǎng)帶三區”區域和産業發(fā)展布局提供重要支撐。

據了解，國(guó)家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區武漢未來科技城，將(jiāng)建設3座全球單座潔淨面(miàn)積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其它若幹配套建築。

根據此前的資料顯示，長(cháng)江存儲今年底前將(jiāng)正式量産64層3D NAND産品，明年將(jiāng)直攻128層以縮減與其他供應商的差距。

國(guó)家存儲器基地的建立，以芯片制造環節爲突破口，集存儲器産品設計、技術研發(fā)、晶圓生産與測試、銷售于一體，建成(chéng)後(hòu)，還(hái)將(jiāng)帶動設計、封裝、制造、應用等芯片産業相關環節的發(fā)展，标志着芯片自主創新之路邁出可靠而重要的一步。

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目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數等公司中。國(guó)内主要有紫光旗下的長(cháng)江存儲專攻NAND閃存，小批量量産了32層堆棧的3D閃存，但對(duì)市場影響有限。今年該公司將(jiāng)量産64層堆棧的3D閃存，産能(néng)將(jiāng)會積極擴張。

來自集邦咨詢半導體研究中心 (DRAMeXchange) 的消息稱，預計長(cháng)江存儲到年底擴張達至少60K/m的投片量，與其他競争者動辄200K/m以上的産能(néng)并不算大，但預估NAND Flash市場價格仍會受到一定沖擊，進(jìn)而導緻跌價趨勢持續。

在技術方面(miàn)，爲了盡快縮短與國(guó)外廠商的差距，長(cháng)江存儲在閃存技術上采取了跳躍式發(fā)展，32層堆棧的隻是小量生産，64層堆棧是今明兩(liǎng)年生産的主力，再下一代則會直接進(jìn)入128層堆棧，跳過(guò)了三星、美光、東芝、Intel等公司現在力推的96層堆棧閃存，這(zhè)幾家公司預計在2020年才會推出128層堆棧的閃存。

在這(zhè)個問題上，去年長(cháng)江存儲推出了Xtacking結構的3D NAND閃存技術，該技術將(jiāng)爲3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能(néng)，更高的存儲密度，以及更短的産品上市周期。

采用Xtacking，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路。這(zhè)樣的加工方式有利于選擇合适的先進(jìn)邏輯工藝，以讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能(néng)。存儲單元同樣也將(jiāng)在另一片晶圓上被獨立加工。

此外，當兩(liǎng)片晶圓各自完工後(hòu)，創新的Xtacking技術隻需一個處理步驟就可通過(guò)數百萬根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯通道(dào))將(jiāng)二者鍵合接通電路，而且隻增加了有限的成(chéng)本。

性能(néng)上，長(cháng)江存儲表示“目前，世界上最快的3D NAND I/O速度的目标值是1.4Gbps，而大多數NAND供應商僅能(néng)供應1.0 Gbps或更低的速度。利用Xtacking技術我們有望大幅提升NAND I/O速度到3.0Gbps，與DRAM DDR4的I/O速度相當。這(zhè)對(duì)NAND行業來講將(jiāng)是颠覆性的。”

日前，在GSA Memory+高峰會議上，長(cháng)江存儲聯席CTO湯強發(fā)表了《三維閃存技術發(fā)展的展望》演講，表示爲了應對(duì)數據量增長(cháng)對(duì)存儲器的挑戰，長(cháng)江存儲將(jiāng)于今年8月正式推出Xtacking 2.0閃存技術，Xtacking依然會不斷進(jìn)化中。

4月29日，武漢市人民政府官網公布2019年第一季度政府工作報告執行情況。

其中，武漢東湖新技術開(kāi)發(fā)區在存儲器基地、芯片産業集群等方面(miàn)取得了一定進(jìn)展。

武漢市政府督查室透露，3月20日，武漢市長(cháng)周先旺專題調研長(cháng)江存儲器基地，3月22日周先旺市長(cháng)帶隊赴京争取工信部、國(guó)家集成(chéng)電路基金、紫光集團各方支持。

目前，長(cháng)江存儲器基地一期已實現量産，一季度産能(néng)達到5000片/月，辦公人數已達3000人。倒班宿舍區也在推進(jìn)各項驗收工作，盡快投入使用。國(guó)家先進(jìn)存儲産業創新中心已完成(chéng)法人主體注冊。

培育芯産業集群方面(miàn)：爲存儲器基地配套的企業科磊半導體于3月份在未來科技城正式開(kāi)業運營；新思科技研發(fā)産業園已進(jìn)入内部裝修階段。一季度已引進(jìn)總投資30億元的鼎龍控股半導體和顯示核心材料研發(fā)制造基地項目；海思光電子二期項目準備開(kāi)工；聯發(fā)科二期項目正在辦理開(kāi)工手續。

4月26日，武漢市第二批科技成(chéng)果轉化·中科院集成(chéng)電路光谷專場活動在東湖高新區成(chéng)功舉辦，中科院相關院所的14個集成(chéng)電路成(chéng)果項目簽約，其中包括與長(cháng)江存儲合作的新型存儲器研發(fā)項目。

活動現場，來自中科院微電子研究所、計算機所、電子學(xué)所、深圳先進(jìn)技術研究院等12家科研院所的30餘位集成(chéng)電路領域專家現場發(fā)布100餘項技術成(chéng)果，包括新型存儲器件及集成(chéng)、人臉識别、精密加工、紅外探測等。

其中，三維新型存儲器、自主可控SSD控制器芯片設計等7個項目上台路演，新型存儲器研發(fā)、非制冷紅外探測器晶圓級封裝技術研發(fā)、高硬度高熔點第三代半導體典型材料碳化矽晶圓超快激光多焦點隐切技術及裝備産業等14個項目現場簽約，簽約金額超過(guò)10億元。

據了解，武漢市科技成(chéng)果轉化局與中科院武漢分院于3月8日簽訂《關于推動中科院科技成(chéng)果在漢轉化合作協議》，深入推動中科院科技創新資源與武漢高質量發(fā)展的全面(miàn)對(duì)接，此次集成(chéng)電路專場正是落實協議的首場活動。

此次簽約金額最大的項目是由中科院院士劉明團隊所主導的新型存儲器研發(fā)項目，簽約金額爲2400萬元。資料顯示，劉明院士從事(shì)存儲研究多年，今年1月其領導的“新型存儲器件及集成(chéng)研究集體”獲得了2018年度中國(guó)科學(xué)院傑出科技成(chéng)就獎。

據介紹，這(zhè)次劉明院士團隊帶來的三維新型阻變存儲器項目，可在更小半導體器件尺寸條件下，探索多層堆疊的高密度存儲，把信息“堆”起(qǐ)來存。“如果說傳統存儲是大型室外停車場，那麼(me)3D存儲相當于多高層停車城，把車疊起(qǐ)來停，可停車量級大幅躍升”。劉明院士團隊成(chéng)員現場解釋時打比方。

值得一提的是，該項目的簽約方分别爲中科院微電子研究所和長(cháng)江存儲科技有限公司。

衆所周知，長(cháng)江存儲是我國(guó)三大存儲器基地之一，專注于3D NAND 閃存的設計與制造。2017年，長(cháng)江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成(chéng)電路制造工廠的基礎上，通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作相結合的方式，成(chéng)功設計并制造了中國(guó)首批3D NAND閃存芯片。

2018年8月，長(cháng)江存儲宣布推出其突破性技術——XtackingTM，并成(chéng)功將(jiāng)Xtacking TM技術應用于其第二代3D NAND産品的開(kāi)發(fā)。目前，長(cháng)江存儲已量産32層3D NAND，按照規劃將(jiāng)于今年量産64層3D NAND。

長(cháng)江日報等媒體報道(dào)稱，劉明院士的三維新型阻變存儲器項目，將(jiāng)助力國(guó)家存儲器基地對(duì)128層256Gb存儲器的研發(fā)。

據韓媒BusinessKorea最新報道(dào)，長(cháng)江存儲 (YMTC) 首席技術官程衛華，近日在接受媒體采訪時表示，公司將(jiāng)可能(néng)在今年年底前實現64層3D NAND閃存的大規模生産。

“我們有一個大規模生産計劃，”程衛華在接受《日經(jīng)亞洲評論》采訪時表示。目前，在中國(guó)政府的支持下，長(cháng)江存儲正在武漢建設一座價值240億美元的半導體工廠，用于大規模生産64層NAND閃存。

程衛華在采訪中僅提到：“長(cháng)江存儲的大規模生産NAND閃存的計劃進(jìn)展順利，沒(méi)有任何問題。”他并未正式宣布將(jiāng)在今年開(kāi)始量産64層NAND閃存。不過(guò)，行業觀察人士表示，程衛華已表示了當公司實現大規模生産計劃後(hòu)，今年將(jiāng)能(néng)夠生産64層NAND閃存。

目前來看，三星電子和SK海力士正在將(jiāng)90層工藝應用于3D NAND閃存的生産。其實，SK海力士在去年完成(chéng)研發(fā)後(hòu)，已開(kāi)始大規模生産96層NAND閃存。三星則計劃在今年下半年推出100層NAND閃存。如果長(cháng)江存儲在年底前成(chéng)功實現64層NAND量産，那麼(me)其與三星電子的技術差距將(jiāng)縮短至兩(liǎng)年左右。

此外，人們擔憂長(cháng)江存儲進(jìn)入NAND閃存行業後(hòu)的影響，因爲NAND跌價的幅度通常來說會比DRAM更大。另一方面(miàn)，部分專家仍對(duì)長(cháng)江存儲的64層NAND量産保持懷疑态度，因爲其未目前并未量産32層的産品。

不過(guò)總的來說，與DRAM領域不同，長(cháng)江存儲似乎在NAND領域裡(lǐ)正一切進(jìn)展順利。如果長(cháng)江存儲今年下半年向(xiàng)市場供應64層閃存，不排除中國(guó)政府可能(néng)會建議國(guó)産智能(néng)手機和PC制造商使用國(guó)産的NAND閃存。

如果真出現這(zhè)種(zhǒng)情況，那麼(me)將(jiāng)嚴重削弱NAND行業的利潤。這(zhè)正是三星、東芝、美光、SK海力士等閃存制造商所擔憂的。

20日，湖北武漢市召開(kāi)集成(chéng)電路領導小組第一次會議，市委副書記、市長(cháng)周先旺出席會議強調，要提高政治站位，落實“一芯兩(liǎng)帶三區”戰略布局，全力提速國(guó)家存儲器基地建設，打造世界級光電子信息産業集群。

長(cháng)江存儲科技有限公司負責人介紹了技術研發(fā)和項目建設情況，東湖新技術開(kāi)發(fā)區彙報了國(guó)家存儲器基地建設工作情況。周先旺指出，自國(guó)家存儲器基地落戶武漢以來，基地建設各項工作進(jìn)展順利，企業雷厲風行的作風令人敬佩，科技創新的成(chéng)果令人敬佩，勇攀高峰的志氣令人敬佩。希望大家再接再厲，勇攀存儲科技高峰，打造“一芯驅動”的策源地。

對(duì)企業提出項目建設中的問題，周先旺現場逐一進(jìn)行分析研究，要求按照市場規律，發(fā)揮各方面(miàn)主動能(néng)動性，抓住關鍵點和薄弱點，抓緊明确問題解決路徑，切實爲企業發(fā)展和項目建設排憂解難，推動國(guó)家存儲器基地建設取得實質性進(jìn)展。

爲貫徹落實湖北省“一芯兩(liǎng)帶三區”戰略布局，加快推進(jìn)該省芯片産業跨越發(fā)展，1月9日湖北省經(jīng)信廳在武漢組織召開(kāi)集成(chéng)電路産業發(fā)展座談會。

該座談會由省經(jīng)信廳黨組成(chéng)員陶紅兵，武漢市、襄陽市、宜昌市經(jīng)信委和東湖新技術開(kāi)發(fā)區管委會分管領導，華中科技大學(xué)武漢國(guó)際微電子學(xué)院、省半導體行業協會以及芯片設計、制造、封裝等骨幹企業負責人出席。

會議上，與會成(chéng)員深入地分析了湖北省集成(chéng)電路産業發(fā)展所處的國(guó)際國(guó)内環境以及面(miàn)臨的機遇和挑戰，結合湖北省集成(chéng)電路産業發(fā)展實際情況，就如何更好(hǎo)地推動該省集成(chéng)電路産業特色化定位、錯位化布局、差異化發(fā)展提出了相關意見和建議。

陶紅兵在會上強調，集成(chéng)電路是國(guó)之重器，發(fā)展集成(chéng)電路産業已成(chéng)爲國(guó)家重大戰略。湖北省委、省政府審時度勢、科學(xué)謀劃、重點部署了以“一芯驅動、兩(liǎng)帶支撐、三區協同”爲主要内容的高質量發(fā)展區域和産業發(fā)展戰略布局，爲湖北省高質量發(fā)展指明了方向(xiàng)，經(jīng)信系統和廣大企業一定要緊緊抓住這(zhè)個重要曆史性機遇，找準産業發(fā)展的突破點和發(fā)力點，以建設武漢國(guó)家存儲器基地爲契機，彙聚資源全力推進(jìn)集成(chéng)電路産業做大做強。

據了解，湖北省“一芯驅動”，即打造産業之“芯”，推動制造業高質量發(fā)展；“兩(liǎng)帶支撐”，就要以長(cháng)江綠色經(jīng)濟和創新驅動發(fā)展帶、漢随襄十制造業高質量發(fā)展帶爲紐帶，打造高質量發(fā)展的産業走廊；“三區協同”，即推動鄂西綠色發(fā)展示範區、江漢平原振興發(fā)展示範區、鄂東轉型發(fā)展示範區競相發(fā)展，形成(chéng)全省東、中、西三大片區高質量發(fā)展的戰略縱深。

陶紅兵表示，會後(hòu)省經(jīng)信廳將(jiāng)立即研究吸收大家提出的意見和建議，歸納整理報送省委省政府領導參閱。同時，圍繞集中産業、金融、土地、科技、人才等資源要素，研究出台支持集成(chéng)電路産業發(fā)展的相關政策，并組織彙編全省集成(chéng)電路企業産品名錄，以利于各地開(kāi)展招商引資，加強企業間的合作，形成(chéng)完整的集成(chéng)電路産業鏈，通過(guò)行業上下的共同努力，把湖北集成(chéng)電路産業推向(xiàng)一個新的高度。

此前，湖北省市已相繼出台了《武漢市人民政府關于進(jìn)一步鼓勵軟件産業和集成(chéng)電路産業發(fā)展的意見》、《湖北省集成(chéng)電路産業發(fā)展行動方案》等政策。目前，湖北省以存儲器制造爲核心，同時發(fā)展設計、封裝測試、材料、設備等集成(chéng)電路産業鏈環節，擁有長(cháng)江存儲、台基股份、烽火通信、光迅科技、台基股份、興福電子、鼎龍股份等企業。

近日，湖北省將(jiāng)加快國(guó)家存儲器基地建設寫入新政，提出加快國(guó)家存儲器基地項目建設，重點推動芯片設計、封裝測試、材料加工等方面(miàn)研發(fā)應用。