标簽：長(cháng)江存儲

日前，湖北省兩(liǎng)會召開(kāi)。在首場新聞發(fā)布會上，湖北省總結了2019年發(fā)展成(chéng)績，其中包括“芯屏端網”企業近400家，規模突破3000億元；此外，集成(chéng)電路、新型顯示器件、下一代信息網絡、生物醫藥四個産業集群入選國(guó)家首批戰略性新興産業集群；國(guó)家存儲器基地項目取得階段性成(chéng)果等。

發(fā)布會上，湖北省政協委員、長(cháng)江存儲科技有限責任公司副董事(shì)長(cháng)楊道(dào)虹表示，2019年國(guó)家存儲器基地項目基于自主知識産權研發(fā)生産的64層三維閃存産品已實現量産。随着國(guó)家存儲器基地項目一期的實施，區域産業帶動成(chéng)效初顯。

楊道(dào)虹進(jìn)一步指出，國(guó)家存儲器基地近年來堅持研究布局新型存儲器、特種(zhǒng)存儲器、物聯網芯片（5G芯片）以及智能(néng)芯片産品的研發(fā)，增強核心競争力。此外，還(hái)聯合國(guó)内70餘家集成(chéng)電路産業鏈上下遊企業和科研院所，牽頭組建半導體三維集成(chéng)制造創新中心，成(chéng)立中國(guó)半導體三維集成(chéng)制造産業聯盟。

值得注意的是，據楊道(dào)虹透露，當前及今後(hòu)一段時間，他們的核心任務是推動産能(néng)爬坡提升，將(jiāng)盡早達成(chéng)64層三維閃存産品月産能(néng)10萬片并按期建成(chéng)30萬片/月産能(néng)，提升國(guó)家存儲器基地的規模效應，帶動全省集成(chéng)電路産業發(fā)展。

楊道(dào)虹還(hái)表示，展望未來，爲國(guó)家存儲器基地落戶武漢打下基礎的武漢新芯集成(chéng)電路制造有限公司，將(jiāng)面(miàn)向(xiàng)需求量巨大的物聯網、人工智能(néng)與5G市場，研發(fā)生産獨具特色的物聯網芯片産品，建成(chéng)國(guó)内物聯網芯片的領導型企業。

國(guó)家存儲器基地項目由紫光集團聯合國(guó)家集成(chéng)電路産業投資基金、湖北集成(chéng)電路産業投資基金、湖北科投共同投資建設，長(cháng)江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長(cháng)江存儲”）爲項目實施主體。

2017年，長(cháng)江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成(chéng)電路制造工廠的基礎上，通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作相結合的方式，成(chéng)功設計并制造了中國(guó)首批3D NAND閃存芯片；2019年9月，長(cháng)江存儲宣布量産基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，這(zhè)是中國(guó)首款64層3D NAND閃存。

日前有消息顯示，長(cháng)江存儲正在進(jìn)行新一輪設備采購。據了解，2019年第四季度中微半導體獲得長(cháng)江存儲3台設備訂單，2020年1月2日，中微半導體再中标長(cháng)江存儲9台刻蝕設備訂單。媒體報道(dào)稱，這(zhè)次訂單主要是長(cháng)江存儲爲應對(duì)2019年第四季度及2020年第一季度擴産訂單周期使用。

根據湖北省2020年政府工作報告，湖北將(jiāng)加快培育壯大以“芯屏端網”爲重點的世界級産業集群，加快國(guó)家存儲器基地二期、天馬G6二期等重大項目建設。

金橋企業又傳來重磅消息：2020年1月2日，中微中标長(cháng)江存儲 9 台刻蝕設備訂單（2019 年中微全年中标長(cháng)江存儲 13 台）。中微開(kāi)年獲長(cháng)江存儲大額訂單表明國(guó)産IC設備行業迎來超長(cháng)景氣周期，同時國(guó)内IC設備龍頭企業將(jiāng)陸續突破盈利拐點，邁向(xiàng)成(chéng)長(cháng)期新階段。

2018、2019、2020 年長(cháng)江存儲對(duì)中微收入貢獻分别爲2台、5台、10台+，保持翻倍以上的快速成(chéng)長(cháng)。從中微訂單中，可以反應國(guó)産設備龍頭企業伴随存儲等IC産線産能(néng)釋放，正逐步進(jìn)入業績快速兌現期。

2020年後(hòu)續訂單不斷，長(cháng)江存儲、華虹系、粵芯、積塔半導體、合肥長(cháng)鑫以及中芯國(guó)際等多條産線均啓動國(guó)産設備采購周期，且每條産線拉動效應預計均不弱于長(cháng)江存儲 2019 年水平，拉動效應數倍增大。助力中微半導體業績成(chéng)長(cháng)。

中微半導體是金橋企業當中又一顆耀眼的明星，也是我國(guó)集成(chéng)電路設備行業的領先企業。中微半導體一直聚焦用于集成(chéng)電路、LED芯片等微觀器件領域的等離子體刻蝕設備、深矽刻蝕設備和MOCVD設備等關鍵設備的研發(fā)、生産和銷售。從刻蝕設備打破國(guó)際領先企業在中國(guó)市場的壟斷，到成(chéng)爲全球MOCVD龍頭，再到5nm等離子體刻蝕設備應用到全球最領先的晶圓制造廠，中微半導體在中國(guó)創“芯”的當下，一直勇立潮頭，用技術創新來爲“中國(guó)芯”保駕護航。

2019年7月22日，科創闆正式開(kāi)閘，首批25家企業挂牌上市，中微半導體就是其中一員。中微半導體，上市首日開(kāi)盤暴漲超300%，總市值超過(guò)600億元。

根據中國(guó)半導體行業協會披露的《2017年半導體十大名單》顯示，中微半導體入圍“2017年中國(guó)半導體設備五強企業”，名列第三。

11月23日，祿億半導體項目在湖北黃石市開(kāi)發(fā)區·鐵山區舉行奠基儀式。

資料顯示，祿億半導體項目（即LVG晶圓再生）于2019年6月簽約落戶黃石市開(kāi)發(fā)區·鐵山區，計劃總投資23.13億元，其中設備投資總額爲21億元，主要從事(shì)半導體級矽單晶生長(cháng)、晶片切割、磨抛、清洗等。

項目共分四期建設，其中一期投資7.78億元，將(jiāng)建設一條晶圓再生生産線，建成(chéng)達産後(hòu)，可實現月産10萬片的産能(néng)規模；二期投資4.86億元，將(jiāng)增設一條晶圓再生生産線，達産後(hòu)可實現月産20萬片的産能(néng)規模；而三期、四期均投資5.245億元，將(jiāng)分别再增設一條晶圓再生生産線。

據湖北日報報道(dào)，四期全部建成(chéng)達産後(hòu)，可實現月産40萬片的産能(néng)規模，年營業收入可達10.08億元，年稅收1.43億元，將(jiāng)爲長(cháng)江存儲、中芯國(guó)際等國(guó)内集成(chéng)電路企業配套提供測試片、擋控片等晶圓的再生服務。

随着雲計算、大數據、物聯網等領域的發(fā)展，未來市場對(duì)存儲器的需求會持續增加。有數據顯示，我國(guó)存儲器的消耗量占全球總消耗量的三成(chéng)以上（2019年第一季度世界半導體貿易統計WSTS 發(fā)布的統計數據），其中大部分存儲器芯片需要進(jìn)口，可以說，在中國(guó)芯片産業的發(fā)展過(guò)程中，存儲芯片是十分關鍵的發(fā)展領域。

近日，紫光旗下新華三集團正式攜手中國(guó)閃存芯片領軍企業——長(cháng)江存儲，整合中國(guó)頂尖的存儲芯片資源，共同推動在中國(guó)市場自主創新存儲芯片的研發(fā)與應用，成(chéng)功地將(jiāng)3D NAND芯片産品融入服務器産品之中，進(jìn)一步加速了服務器的自主創新之路。

衆所周知，芯片是信息時代的糧食，其中存儲器芯片應用領域十分廣泛。作爲中國(guó)存儲芯片的領頭羊，長(cháng)江存儲從成(chéng)立至今，在短短3年時間内先後(hòu)研發(fā)成(chéng)功并量産了國(guó)内首款32層3D NAND閃存和64層3D NAND閃存，同時憑借着國(guó)内龐大的内需市場、優秀的自主研發(fā)能(néng)力，以及國(guó)際水準的産能(néng)，擔負起(qǐ)推動國(guó)内存儲器自主創新、加速發(fā)展的重要使命。此次新華三集團與長(cháng)江存儲攜手，正是將(jiāng)這(zhè)些國(guó)内領先的研發(fā)技術和存儲芯片引入到服務器産品中，推動優秀自主創新方案的落地生根，更好(hǎo)的滿足企業對(duì)高速、大容量存儲解決方案的需求。

2017年，長(cháng)江存儲成(chéng)功研發(fā)了中國(guó)首顆擁有自主知識産權的32層MLC 3D NAND閃存芯片，實現了中國(guó)三維閃存産業“零”的突破。該芯片的存儲容量爲8GB至32GB，目前已通過(guò)企業級驗證并進(jìn)行小規模的批量生産，主要應用在U盤，SD卡，機頂盒及固态硬盤等領域。

此後(hòu)，長(cháng)江存儲基于不斷的自主研發(fā)和創新，推出了第二代具備完全自主知識産權的64層256Gb TLC 3D NAND閃存，它擁有全球同代産品中最高的存儲密度，將(jiāng)廣泛應用在智能(néng)手機，個人電腦，服務器等領域。長(cháng)江存儲64層三維閃存既是全球首款基于Xtacking®架構設計并實現量産的閃存産品，也是中國(guó)企業首次實現64層3D NAND閃存芯片的量産，标志着長(cháng)江存儲已成(chéng)功走出了一條高端芯片設計制造的創新之路。

提到Xtacking® 技術，不得不說，這(zhè)是長(cháng)江存儲在3D NAND閃存架構上的一次重大創新，在世界閃存發(fā)展史上具有舉足輕重的意義。通過(guò)芯片架構設計上的變化，Xtacking®能(néng)夠使3D NAND閃存擁有更快的I/O傳輸速度，使3D NAND閃存能(néng)擁有更高的存儲密度，相比傳統架構，芯片面(miàn)積可減少約25%。同時，Xtacking®技術還(hái)實現了模塊化的設計工藝，能(néng)夠有效提升了研發(fā)效率并縮短了生産周期，爲NAND閃存的定制化提供了更多可能(néng)。目前，Xtacking®技術被主要應用在長(cháng)江存儲64層及更高規格的三維閃存上。

爲了給行業用戶帶來更多的價值，長(cháng)江存儲未來還(hái)將(jiāng)推出Xtacking® 2.0創新架構。作爲升級換代技術，Xtacking®2.0將(jiāng)夠進(jìn)一步提升NAND芯片的吞吐速率、提升系統級存儲的綜合性能(néng)、開(kāi)拓定制化NAND全新商業模式等。未來，Xtacking®2.0技術將(jiāng)應用在長(cháng)江存儲第三代3D NAND閃存産品中，會廣泛應用于數據中心，企業級服務器、個人電腦和移動設備等領域，這(zhè)將(jiāng)開(kāi)啓高性能(néng)、定制化NAND解決方案的全新篇章。

新華三集團將(jiāng)領先的長(cháng)江存儲閃存引入服務器産品線，將(jiāng)在應用實踐中加速中國(guó)存儲芯片與服務器的融合發(fā)展，進(jìn)一步推動計算産品和架構的叠代。新華三也將(jiāng)在10月24日以“至極之道(dào)，智造未來”爲主題的計算節期間，重點展示長(cháng)江存儲産品自主創新的領先技術，以及更加安全、可靠、可信的計算産品。這(zhè)些産品將(jiāng)在新華三“至簡，至信，至慧”的智慧計算理念下，更好(hǎo)的滿足企業用戶的不同需求，爲企業的數字化轉型賦能(néng)。

前不久，随着量産64層3D NAND閃存消息發(fā)布，長(cháng)江存儲再次成(chéng)爲業界關注的焦點，紫光集團對(duì)其産業整合的問題再次被提及。

在投資者關系互動平台上，有投資者向(xiàng)紫光國(guó)微發(fā)起(qǐ)提問，紫光集團曾經(jīng)承諾在适當時機將(jiāng)長(cháng)江存儲并入紫光國(guó)微的計劃是否有變。

對(duì)此，紫光國(guó)微近日回複稱，長(cháng)江存儲設立時，爲避免潛在的同業競争，紫光集團承諾，在本公司未來規劃發(fā)展存儲器芯片制造業務時，有權對(duì)長(cháng)江存儲進(jìn)行産業整合。不過(guò)，鑒于紫光集團在存儲器領域的戰略布局，公司目前沒(méi)有計劃涉足存儲器芯片制造業務，也沒(méi)有整合長(cháng)江存儲的計劃。

資料顯示，長(cháng)江存儲成(chéng)立于2016年12月，由紫光集團的控股子公司湖北紫光國(guó)器聯合國(guó)家大基金、湖北國(guó)芯産業基金和湖北省科技投資集團共同出資設立，湖北紫光國(guó)器持有其51.04%的股權，爲其控股股東。

2017年2月，紫光國(guó)微宣布籌劃收購長(cháng)江存儲全部或部分股權，同年7月，紫光國(guó)微宣布停止收購長(cháng)江存儲股權。紫光國(guó)微當時表示，與交易對(duì)方經(jīng)友好(hǎo)協商達成(chéng)一緻意見，認爲收購長(cháng)江存儲股權的條件尚不夠成(chéng)熟，同意終止本次股權收購，繼續由紫光集團來推進(jìn)實施國(guó)家存儲器基地項目的建設工作。

當時紫光國(guó)微指出，爲避免潛在同業競争，紫光集團已承諾，紫光國(guó)微未來規劃發(fā)展存儲器芯片制造業務時，在滿足條件的情況下，紫光國(guó)微有權通過(guò)非公開(kāi)發(fā)行、重大資産重組等方式對(duì)長(cháng)江存儲進(jìn)行産業整合。

如今兩(liǎng)年過(guò)去，紫光國(guó)微再次表态，目前沒(méi)有整合長(cháng)江存儲的計劃。值得一提的是，今年紫光國(guó)微將(jiāng)其旗下負責DRAM存儲器芯片設計業務的西安紫光國(guó)芯76%股權轉讓給了北京紫光存儲。

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近日，紫光集團旗下長(cháng)江存儲科技有限責任公司宣布，開(kāi)始量産基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。産品將(jiāng)應用于固态硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用。這(zhè)是中國(guó)首次實現64層3D NAND閃存芯片的量産，將(jiāng)大幅拉近中國(guó)與全球一線存儲廠商間的技術差距。

大幅縮短與國(guó)際先進(jìn)水平差距

紫光集團聯席總裁刁石京表示，長(cháng)江存儲進(jìn)入到這(zhè)個領域之前，國(guó)内一直沒(méi)有大規模存儲芯片的生産，未來，随着雲計算、大數據的發(fā)展，人類對(duì)數據存儲要求是越來越高，3D NAND是高端芯片一個重要領域，它的量産标志着中國(guó)離國(guó)際先進(jìn)水平又大大跨進(jìn)一步。

長(cháng)江存儲由紫光集團和國(guó)家集成(chéng)電路産業投資基金股份有限公司在2016年7月共同出資成(chéng)立。按照規劃，長(cháng)江存儲的主要産品爲3D NAND以及DRAM等存儲器芯片。2018年，長(cháng)江存儲實現了32層3D NAND的小批量量産。而此次64層3D NAND則是中國(guó)企業首次在存儲器主流産品上實現批量化生産。

在NAND閃存從平面(miàn)向(xiàng)三維演進(jìn)的過(guò)程中，64層被普遍認爲是首個在性價比上超過(guò)2D NAND的産品，因此曾是國(guó)際一線廠商生産的主力産品之一。長(cháng)江存儲64層3D NAND的量産，將(jiāng)中國(guó)企業與國(guó)際先進(jìn)水平的差距拉近到了一代至兩(liǎng)代。

據悉，長(cháng)江存儲將(jiāng)推出集成(chéng)64層3D NAND的固态硬盤、UFS等産品，用于數據中心、企業級服務器、個人電腦和移動設備之中，爲用戶提供完整的存儲解決方案及服務。長(cháng)江存儲聯席首席技術官、技術研發(fā)中心高級副總裁程衛華表示：“随着5G、人工智能(néng)和超大規模數據中心時代的到來，NAND閃存市場的需求將(jiāng)持續增長(cháng)。長(cháng)江存儲64層3D NAND産品的量産將(jiāng)爲全球存儲器市場健康發(fā)展注入新動力。”

明年有望量産128層

在國(guó)際範圍内，存儲芯片市場的競争一向(xiàng)十分激烈。盡管當前存儲器市場遇冷，價格下跌，在一定程度上抑制了廠商們的擴産動作，但是在新技術的推進(jìn)上，國(guó)際一線廠商卻毫不縮手。

今年以來，三星電子已宣布量産96層3D NAND 閃存，并將(jiāng)陸續投資70億美元在西安設立第二座NAND閃存制造工廠。項目建成(chéng)後(hòu)，可以生産NAND閃存芯片6.5萬片/月。預計2019年年底廠房建設完工，設備搬入并開(kāi)始量産。

SK海力士也宣布將(jiāng)投資大約1.22萬億韓元用于加強與合作夥伴公司和半導體生态系統的雙赢關系。此前，SK海力士已宣布將(jiāng)韓國(guó)的龍仁、利川和清州作爲半導體3軸。龍仁將(jiāng)作爲DRAM/下一代存儲器生産基地和半導體雙赢生态系統基地，利川將(jiāng)作爲總部、研發(fā)中心主廠區和DRAM生産基地，清洲則將(jiāng)作爲NAND Flash生産基地，以追求公司的中長(cháng)期增長(cháng)。

對(duì)此，有專家分析指出，之所以幾家國(guó)際大廠如此重視NAND閃存，是因爲DRAM産業在經(jīng)曆了汰弱留強後(hòu)全球僅剩下三星、美光與SK海力士等三大巨擘，三星更是占據全球DRAM近5成(chéng)市場，相比而言NAND産業仍處于戰國(guó)群雄各自割據的階段，全球廠商大緻可以劃分爲三星、SK海力士、東芝與西部數據、美光與英特爾等四大陣營，并沒(méi)有出現一家大廠一騎絕塵之勢。這(zhè)也給了中國(guó)企業發(fā)展的機會。

長(cháng)江存儲64層3D NAND的量産有望使中國(guó)存儲芯片打破在美日韓大廠壟斷。業界預測，長(cháng)江存儲最快明年將(jiāng)跳過(guò)96層直接進(jìn)入128層3D NAND閃存的生産，這(zhè)將(jiāng)有望接近甚至追趕上國(guó)際先進(jìn)水平。

量産時點或是良機

随着長(cháng)江存儲實現量産，業界的關注焦點開(kāi)始轉向(xiàng)企業能(néng)夠盈利，或者說是能(néng)否應對(duì)國(guó)際廠商的競争壓力，畢竟目前處于存儲器市場的淡季，存儲芯片價格位于低位。但是具體分析可以發(fā)現，長(cháng)江存儲選擇目前這(zhè)個時機實現規模量産也并非完全不利。

根據集邦咨詢發(fā)布數據，第二季度NAND閃存合約價跌幅仍相當顯著，第三季度仍將(jiāng)維持跌勢。但是，從中長(cháng)期來看，多數業者卻看好(hǎo)未來存儲市場前景。美光科技高級副總裁兼移動産品事(shì)業部總經(jīng)理拉傑·塔魯裡(lǐ)在接受記者采訪看好(hǎo)5G對(duì)智能(néng)手機的拉動以及自動駕駛、VR/AR對(duì)存儲器的長(cháng)期需求，預測未來幾年無論DRAM還(hái)是NAND在手機中的容量都(dōu)將(jiāng)進(jìn)一步增長(cháng)，其中DRAM平均增長(cháng)率將(jiāng)達到15%-17%，NAND將(jiāng)達到25%-30%。

集邦咨詢則預測，随着超大規模數據中心的成(chéng)長(cháng)，將(jiāng)帶動存儲器需求增加，DRAM與NAND的價格有望在2020年止跌反彈。甚至有樂觀者估計，第四季度NAND 閃存價格就將(jiāng)止跌回升。

國(guó)際存儲器大廠如三星往往選擇在下行周期時加大投資，業界稱之爲逆周期投資。長(cháng)江存儲選擇在這(zhè)個時機量産，量産爬升需要一段時間，當産量達到一定規模時，市場有可能(néng)正好(hǎo)轉暧，選擇這(zhè)個時間規模量産，并非不利。中國(guó)是全球最主要NAND閃存市場之一，中國(guó)也不應有所退縮，真正存儲芯片市場決勝的時間往往在下一個周期展開(kāi)。

Xtacking 2.0將(jiāng)被開(kāi)發(fā)

技術創新才是決定企業成(chéng)敗的關鍵因素。長(cháng)江存儲量産64層3D NAND采用了自主研發(fā)的Xtacking架構。Xtacking是長(cháng)江存儲在去年FMS(閃存技術峰會)首次公開(kāi)的3D NAND架構，榮獲當年“Best of Show”獎項。其獨特之處在于，可在一片晶圓上獨立加工負責數據I/O及記憶單元操作的外圍電路，這(zhè)樣的加工方式有利于選擇合适的先進(jìn)邏輯工藝，讓NAND獲取更高的I/O接口速度及更多的操作功能(néng)。

長(cháng)江存儲聯席首席技術官、技術研發(fā)中心高級副總裁程衛華表示：“通過(guò)將(jiāng)Xtacking架構引入批量生産，能(néng)夠顯著提升産品性能(néng)，縮短開(kāi)發(fā)周期和生産制造周期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發(fā)展。”

長(cháng)江存儲還(hái)宣布正在開(kāi)發(fā)下一代Xtacking2.0技術，Xtacking 2.0將(jiāng)進(jìn)一步提升NAND的吞吐速率、提升系統級存儲的綜合性能(néng)、開(kāi)啓定制化NAND全新商業模式等。未來搭載Xtacking 2.0技術的長(cháng)江存儲第三代産品將(jiāng)被廣泛應用于數據中心，企業級服務器、個人電腦和移動設備等領域。

港媒稱，紫光集團旗下長(cháng)江存儲近日宣布，已開(kāi)始量産基于自主研發(fā)Xtacking架構的64層三維閃存（3D NAND），容量爲256Gb，以滿足固态硬盤（SSD）嵌入式存儲等主流市場應用的需求，這(zhè)也是中國(guó)首款64層三維閃存芯片，將(jiāng)使中國(guó)與世界一線三維閃存企業的技術差距縮短到兩(liǎng)年以内，被視爲中國(guó)打破美日韓壟斷關鍵一戰。

據香港《大公報》近日報道(dào)，長(cháng)江存儲官網消息，上海中國(guó)國(guó)際半導體博覽會舉行前夕，公司宣布已開(kāi)始量産基于XtackingR架構的64層“三階儲存單元”3D NAND閃存。作爲中國(guó)首款64層3D NAND閃存，該産品將(jiāng)亮相博覽會紫光集團展台。

所謂3D NAND是通過(guò)將(jiāng)原本平鋪的儲存單元堆疊起(qǐ)來，形成(chéng)多層結構提供容量，使原本隻有1層的儲存單元堆疊成(chéng)64層或更多層。

縮短産品上市周期

報道(dào)指出，長(cháng)江存儲64層三維閃存是全球首款基于Xtacking架構設計并實現量産的閃存産品，擁有同代産品中最高存儲密度。創新的Xtacking技術隻需一個處理步驟就可通過(guò)數十億根垂直互聯通道(dào)（VIA）將(jiāng)兩(liǎng)片晶圓鍵合，相比傳統三維閃存架構可帶來更快的傳輸速度、更高的存儲密度和更短的産品上市周期。

長(cháng)江存儲相關負責人向(xiàng)《大公報》表示，長(cháng)江存儲64層三維閃存産品的量産，將(jiāng)使中國(guó)與世界一線三維閃存企業的技術差距縮短到兩(liǎng)年以内。

紫光集團聯席總裁刁石京表示，長(cháng)江存儲進(jìn)入到這(zhè)個領域之前，國(guó)内一直沒(méi)有大規模存儲芯片的生産，未來，随着雲計算、大數據的發(fā)展，人類對(duì)數據存儲要求是越來越高，三維閃存存儲芯片是高端芯片一個重要領域，它的量産也标志着中國(guó)離國(guó)際先進(jìn)水平又大大跨近一步，把中國(guó)産品水平跟海外的先進(jìn)水平縮短到了一代。

明年底月産六萬片晶圓

報道(dào)稱，存儲芯片競争激烈，三星、海力士、東芝、西部數據、美光、英特爾等巨頭在産能(néng)上持續投入。2018年，64層、72層的3D NAND閃存就已經(jīng)是主力産品，2019年開(kāi)始量産92層、96層的産品，到2020年，大廠們即將(jiāng)進(jìn)入128層3D NAND閃存的量産。

業界有關人士分析，長(cháng)江儲存發(fā)展迅速，但目前表态保守，其雖然未公布量産規模，預計2020年底其可望將(jiāng)産能(néng)提升至月産6萬片晶圓的水平。

據報道(dào)，長(cháng)江存儲64層三維閃存産品的量産有望使中國(guó)存儲芯片自産率從8%提升至40%。在美日韓大廠壟斷下，長(cháng)江存儲的64層3D NAND閃存量産消息别具意義。

業界預測，長(cháng)江存儲最快明年跳過(guò)96層直接進(jìn)入128層三維閃存，實現彎道(dào)超車。據悉，長(cháng)江存儲已推出Xtacking2.0規劃，借以提升NAND吞吐速率、提升系統級存儲的綜合性能(néng)、開(kāi)啓定制化NAND全新商業模式等，相關産品將(jiāng)被廣泛應用于數據中心，企業級服務器、個人電腦和移動設備等領域。

近日， 2019世界人工智能(néng)大會“生态引領、智鏈浦東”峰會在世博中心召開(kāi)。峰會上，上海市超高清視頻産業金橋示範基地、金橋5G産業生态園正式揭牌。全球首個華爲5G創新中心、阿裡(lǐ)雲計算、中國(guó)移動5G聯合創新基地等50個項目落地浦東。其中，長(cháng)江存儲上海研發(fā)中心、彙頂科技上海研發(fā)中心落子上海集成(chéng)電路設計産業園。

在2019WAIC世界人工智能(néng)大會閉幕式上，張江高科參與上海市人工智能(néng)重大産業項目與合作簽約儀式。

紫光長(cháng)存（上海）集成(chéng)電路有限公司與張江高科簽約的長(cháng)江存儲上海研發(fā)中心爲自主研發(fā)存儲芯片項目，屬芯片領域卡脖子關鍵産品，預計研發(fā)投入每年不低于1億元。

集成(chéng)電路産業是未來人工智能(néng)産業的基石。具備集成(chéng)電路設計、制造、封裝測試完整産業鏈的張江正在向(xiàng)全球産業鏈高端延伸。自2018年11月，上海集成(chéng)電路設計産業園揭牌以來，已吸引一批産業項目計劃或确認落戶。上海肇觀電子科技有限公司就是其中之一，該公司緻力于計算機視覺處理器芯片和人工智能(néng)應用産品的創新和研發(fā)，并爲機器人、無人機、無人車、安防監控等專業領域提供專業的解決方案。

上海集成(chéng)電路設計産業園目前正在實施“千億百萬”工程，目标于2025年集聚千家企業、形成(chéng)千億規模、彙聚十萬人才、打造百萬空間。張江高科負責人透露，今年上半年設計園落地項目12個，包括集成(chéng)電路設計行業的龍頭企業1家，細分領域龍頭企業3家，行業新興企業8家。目前正積極推進(jìn)國(guó)際知名企業的戰略落地。

2019年9月2日，紫光集團旗下長(cháng)江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長(cháng)江存儲”） 在IC China 2019前夕宣布，公司已開(kāi)始量産基于Xtacking®架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固态硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。作爲中國(guó)首款64層3D NAND閃存，該産品將(jiāng)亮相IC China 2019紫光集團展台。

長(cháng)江存儲64層3D NAND閃存晶圓

長(cháng)江存儲64層3D NAND閃存是全球首款基于Xtacking®架構設計并實現量産的閃存産品，擁有同代産品中最高的存儲密度。Xtacking®可實現在兩(liǎng)片獨立的晶圓上分别加工外圍電路和存儲單元，這(zhè)樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當兩(liǎng)片晶圓各自完工後(hòu)，創新的Xtacking®技術隻需一個處理步驟就可通過(guò)數十億根垂直互聯通道(dào)(VIA)將(jiāng)兩(liǎng)片晶圓鍵合。相比傳統3D NAND閃存架構，Xtacking®可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲密度和更短的産品上市周期。

作爲集成(chéng)器件制造商(IDM – Integrated Device Manufacturer)，長(cháng)江存儲緻力于爲全球客戶提供完整的存儲解決方案及服務，并計劃推出集成(chéng)64層3D NAND閃存的固态硬盤、UFS等産品，以滿足數據中心，以及企業級服務器、個人電腦和移動設備制造商的需求。

長(cháng)江存儲一貫重視核心技術的自主研發(fā)和創新，Xtacking®技術的研發(fā)成(chéng)功和64層3D NAND閃存的批量生産标志着長(cháng)江存儲已成(chéng)功走出了一條高端芯片設計制造的創新之路。

今後(hòu)，長(cháng)江存儲仍將(jiāng)持續投入研發(fā)資源，以通過(guò)技術和産品的叠代，使每一代産品都(dōu)具備強勁的市場競争力，更好(hǎo)地滿足全球客戶的需求。

長(cháng)江存儲聯席首席技術官、技術研發(fā)中心高級副總裁程衛華表示：“通過(guò)將(jiāng)Xtacking®架構引入批量生産，能(néng)夠顯著提升産品性能(néng)，縮短開(kāi)發(fā)周期和生産制造周期，從而推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發(fā)展。”程衛華還(hái)提到，“随着5G，人工智能(néng)和超大規模數據中心時代的到來，閃存市場的需求將(jiāng)持續增長(cháng)。長(cháng)江存儲64層3D NAND閃存産品的量産將(jiāng)爲全球存儲器市場健康發(fā)展注入新動力。”

8月26日，紫光集團在第二屆中國(guó)國(guó)際智能(néng)産業博覽會上展出了最新的技術和産品，涵蓋存儲芯片、移動芯片、安全芯片等集成(chéng)電路新産品。

其中在芯片領域，紫光集團展示了紫光展銳排名全球AI芯片榜單AI Benchmark榜首的虎贲T710。

在5G技術和物聯網領域，紫光集團展出了紫光展銳首款5G基帶芯片春藤510、以及春藤8908A和春藤5882S等物聯網明星芯片。

而在存儲芯片領域，紫光旗下長(cháng)江存儲的64層3D NAND閃存芯片也首次公開(kāi)展出。

紫光旗下長(cháng)江存儲64層三維閃存晶圓（Source：紫光集團）

此前有消息顯示，長(cháng)江存儲今年年底預計正式量産64層堆棧的3D閃存，明年開(kāi)始逐步提升産能(néng)，預計2020年底可望將(jiāng)産能(néng)提升到月産6萬片晶圓的規模。此外，長(cháng)江存儲也將(jiāng)在2020年生産128層堆棧3D閃存。

按照國(guó)家存儲器基地項目規劃，長(cháng)江存儲預計到2020年形成(chéng)月産能(néng)30萬片的生産規模，到2030年建成(chéng)每月100萬片的産能(néng)。

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