4月26日,武漢市第二批科技成(chéng)果轉化·中科院集成(chéng)電路光谷專場活動在東湖高新區成(chéng)功舉辦,中科院相關院所的14個集成(chéng)電路成(chéng)果項目簽約,其中包括與長(cháng)江存儲合作的新型存儲器研發(fā)項目。
活動現場,來自中科院微電子研究所、計算機所、電子學(xué)所、深圳先進(jìn)技術研究院等12家科研院所的30餘位集成(chéng)電路領域專家現場發(fā)布100餘項技術成(chéng)果,包括新型存儲器件及集成(chéng)、人臉識别、精密加工、紅外探測等。
其中,三維新型存儲器、自主可控SSD控制器芯片設計等7個項目上台路演,新型存儲器研發(fā)、非制冷紅外探測器晶圓級封裝技術研發(fā)、高硬度高熔點第三代半導體典型材料碳化矽晶圓超快激光多焦點隐切技術及裝備産業等14個項目現場簽約,簽約金額超過(guò)10億元。
據了解,武漢市科技成(chéng)果轉化局與中科院武漢分院于3月8日簽訂《關于推動中科院科技成(chéng)果在漢轉化合作協議》,深入推動中科院科技創新資源與武漢高質量發(fā)展的全面(miàn)對(duì)接,此次集成(chéng)電路專場正是落實協議的首場活動。
此次簽約金額最大的項目是由中科院院士劉明團隊所主導的新型存儲器研發(fā)項目,簽約金額爲2400萬元。資料顯示,劉明院士從事(shì)存儲研究多年,今年1月其領導的“新型存儲器件及集成(chéng)研究集體”獲得了2018年度中國(guó)科學(xué)院傑出科技成(chéng)就獎。
據介紹,這(zhè)次劉明院士團隊帶來的三維新型阻變存儲器項目,可在更小半導體器件尺寸條件下,探索多層堆疊的高密度存儲,把信息“堆”起(qǐ)來存。“如果說傳統存儲是大型室外停車場,那麼(me)3D存儲相當于多高層停車城,把車疊起(qǐ)來停,可停車量級大幅躍升”。劉明院士團隊成(chéng)員現場解釋時打比方。
值得一提的是,該項目的簽約方分别爲中科院微電子研究所和長(cháng)江存儲科技有限公司。
衆所周知,長(cháng)江存儲是我國(guó)三大存儲器基地之一,專注于3D NAND 閃存的設計與制造。2017年,長(cháng)江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成(chéng)電路制造工廠的基礎上,通過(guò)自主研發(fā)和國(guó)際合作相結合的方式,成(chéng)功設計并制造了中國(guó)首批3D NAND閃存芯片。
2018年8月,長(cháng)江存儲宣布推出其突破性技術——XtackingTM,并成(chéng)功將(jiāng)Xtacking TM技術應用于其第二代3D NAND産品的開(kāi)發(fā)。目前,長(cháng)江存儲已量産32層3D NAND,按照規劃將(jiāng)于今年量産64層3D NAND。
長(cháng)江日報等媒體報道(dào)稱,劉明院士的三維新型阻變存儲器項目,將(jiāng)助力國(guó)家存儲器基地對(duì)128層256Gb存儲器的研發(fā)。