盤錦日報社報道(dào)，近日，遼甯百思特達半導體科技有限公司投資的氮化镓項目落戶盤錦高新區。
該項目計劃占地440畝，總投資15億元，以氮化镓半導體材料爲主，相關配套輔助産業爲輔，并在盤錦建立新材料閉環産業園。項目計劃于11月前動工建設，2021年6月前竣工投産。投産後(hòu)兩(liǎng)年内銷售産值每年不少于4億元，年上繳稅金不少于2000萬元。
近年來，興隆台區一直注重于新興産業的發(fā)展，在國(guó)内外尋求引進(jìn)電子信息等企業進(jìn)入興隆台區，從而形成(chéng)以中藍電子爲領軍的新興産業集群。遼甯百思特達半導體科技有限公司氮化镓項目的落戶、盤錦新材料閉環産業園的建立，爲興隆台區域戰略新興産業布局落下了重要一子。
資料顯示遼甯百思特達半導體科技有限公司是一家集研發(fā)、設計、生産、銷售、服務于一體的綜合性高科技企業。公司主要生産銷售LED全産業鏈産品，技術水平國(guó)内先進(jìn)。此次投資主要從事(shì)高亮度及超高亮度發(fā)光二極管LED外延片及芯片研發(fā)、設計、生産、銷售生産活動。
9月10日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，公司控股子公司聚能(néng)晶源（青島）半導體材料有限公司（以下簡稱“聚能(néng)晶源”）投資建設的第三代半導體材料制造項目（一期）已達到投産條件，于2019年9月10日正式投産。聚能(néng)晶源于同日舉辦了“8英寸GaN外延材料項目投産暨産品發(fā)布儀式”。從入駐到項目建成(chéng)投産，聚能(néng)晶源僅僅用了一年多的時間。
國(guó)家企業信用信息公示系統顯示，聚能(néng)晶源成(chéng)立于2018年6月，注冊資本5000萬元，由北京耐威科技股份有限公司、青島海絲民合半導體投資中心、青島民芯投資中心與袁理博士技術團隊共同投資成(chéng)立的第三代半導體材料研發(fā)與制造企業，其中耐威科技持股40%，青島海絲民和持股24%，袁理持股20%，青島民芯持股16%。主要從事(shì)半導體材料，尤其是氮化镓(GaN)外延材料的設計、開(kāi)發(fā)和生産。
根據耐威科技此前公告，聚能(néng)晶源預計本項目投資總額不少于約2億元人民币：2018年年底前投資總額不低于5000萬元人民币，2020年底前投資總額不低于1.5億元人民币。未來産品線將(jiāng)覆蓋功率與微波器件應用，打造世界級氮化镓（GaN）材料公司，項目主要産品有面(miàn)向(xiàng)功率器件應用的氮化镓（GaN）外延片，以及面(miàn)向(xiàng)微波器件應用的氮化镓（GaN）外延片等。
耐威科技指出，聚能(néng)晶源項目已投資5,200萬元人民币，項目一期建成(chéng)産能(néng)爲年産1萬片6-8英寸GaN外延晶圓，既可生産提供标準結構的GaN外延晶圓，也可根據客戶需求開(kāi)發(fā)、量産定制化外延晶圓，項目的投産將(jiāng)有利于聚能(néng)晶源正式進(jìn)入并不斷開(kāi)拓第三代半導體材料市場，同時有利于公司GaN功率與微波器件設計開(kāi)發(fā)業務的發(fā)展，最終增強公司在第三代半導體及物聯網領域的綜合競争實力。據了解，聚能(néng)晶源項目已經(jīng)被評爲青島市重點項目。
耐威科技董事(shì)長(cháng)楊雲春介紹，耐威科技自上市以來，積極在物聯網産業領域進(jìn)行布局，重點發(fā)展MEMS和GaN業務；其中在GaN領域，耐威科技在即墨投資設立了聚能(néng)晶源公司，專注GaN外延材料的研發(fā)生長(cháng)；在崂山投資設立了聚能(néng)創芯公司，專注GaN器件的開(kāi)發(fā)設計。
9月10日，聚能(néng)晶源(青島)半導體材料有限公司“8英寸GaN外延材料項目投産暨産品發(fā)布儀式”在青島市即墨區公司廠區舉行。據天眼查顯示，耐威科技持有公司40%股份，耐威科技董事(shì)長(cháng)楊雲春也是聚能(néng)晶源董事(shì)長(cháng)。
耐威科技業務闆塊有三，分别是MEMS、導航、航空電子，另外，公司也在布局第三代半導體、無人系統等潛力業務。而此次投産的聚能(néng)晶源，就是公司布局的第三代半導體業務。
楊雲春現場表示，耐威科技自上市以來，積極在物聯網産業領域進(jìn)行布局，重點發(fā)展MEMS和GaN業務；其中在GaN領域，耐威科技在即墨投資設立了聚能(néng)晶源公司，專注GaN外延材料的研發(fā)生長(cháng)；在崂山投資設立了聚能(néng)創芯公司，專注GaN器件的開(kāi)發(fā)設計。從入駐到項目建成(chéng)投産，聚能(néng)晶源僅僅用了一年多的時間。
楊雲春稱，耐威科技希望能(néng)以此爲契機，積極把握第三代半導體産業的國(guó)産替代機遇，在青島繼續建設第三代半導體材料生産基地及器件設計中心，繼續爲我國(guó)集成(chéng)電路産業的發(fā)展貢獻自己的力量。
盛世投資管理合夥人劉新玉介紹，第三代半導體材料具備獨特性能(néng)，在半導體産業的國(guó)産替代進(jìn)程中具有重要的戰略意義，作爲股東與戰略合作夥伴，很高興見到耐威科技在青島即墨投資落地的聚能(néng)晶源8英寸GaN外延材料項目能(néng)夠迅速建成(chéng)投産，希望該項目今後(hòu)能(néng)夠爲産業發(fā)展、爲地區經(jīng)濟發(fā)展做出貢獻。
聚能(néng)晶源總經(jīng)理袁理博士正式發(fā)布了多系列6-8英寸GaN外延晶圓産品，并對(duì)項目及産品做了相關介紹。
聚能(néng)晶源此次發(fā)布的相關産品包括8英寸矽基氮化镓外延晶圓與6英寸碳化矽基外延晶圓，可滿足下一代功率與微波電子器件對(duì)于大尺寸、高質量、高一緻性、高可靠性氮化镓外延材料的需求，爲5G通訊、雲計算、新型消費電子、智能(néng)白電、新能(néng)源汽車等領域提供核心元器件的材料保障。
聚能(néng)晶源項目掌握全球領先的8英寸矽基氮化镓外延與6英寸碳化矽基外延生長(cháng)技術。在功率器件應用領域，産品系列包括8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓與8英寸P-cap AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓。同時，聚能(néng)晶源將(jiāng)自有先進(jìn)8英寸GaN外延技術創新性地應用在微波領域，開(kāi)發(fā)出了兼具高性能(néng)與大尺寸、低成(chéng)本、可兼容标準8英寸器件加工工藝的8英寸AlGaN/GaN-on-HR Si外延晶圓。在矽基氮化镓之外，聚能(néng)晶源也擁有AlGaN/GaN-on-SiC外延晶圓産品線，滿足客戶在碳化矽基氮化镓外延材料方面(miàn)的需求。
以聚能(néng)晶源此次展示的HVA650/HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓産品爲例。該型GaN外延晶圓具有高晶體質量、低表面(miàn)粗糙度、高一緻性的材料特點。同時具有低導通電阻、高耐壓、低漏電、耐高溫的電學(xué)特性。值得一提的是，聚能(néng)晶源GaN外延晶圓具有優秀的材料可靠性，根據标準TDDB測試方法，其在标稱耐壓值下的長(cháng)時有效壽命達到了10的9次方小時，處于國(guó)際業界領先水平。
興業證券一名通信行業分析師告訴證券時報.e公司，作爲第三代半導體材料，與前兩(liǎng)代相比，氮化镓具有諸多優勢，應用前景較廣。
聚能(néng)晶源(青島)半導體材料有限公司成(chéng)立于2018年6月，是由北京耐威科技股份有限公司、青島海絲民合半導體投資中心、青島民芯投資中心與袁理博士技術團隊共同投資成(chéng)立的第三代半導體材料研發(fā)與制造企業。項目一期建成(chéng)産能(néng)爲年産1萬片6-8英寸GaN外延晶圓。
日前，華爲旗下哈勃投資入股山東天嶽的消息，以碳化矽（SiC）、氮化镓（GaN）爲代表的第三代半導體材料再次走入大衆視野，引起(qǐ)業界重點關注。
事(shì)實上，随着半導體技術不斷進(jìn)步，對(duì)半導體器件性能(néng)、效率、小型化要求的越來越高，傳統矽半導體材料逐漸無法滿足性能(néng)需求，碳化矽、氮化镓等第三代半導體材料憑借着優異的性能(néng)，早已成(chéng)爲當前世界各國(guó)競相布局的焦點，我國(guó)在加速發(fā)展集成(chéng)電路産業的同時，把發(fā)展第三代半導體技術列入國(guó)家戰略。
如今5G時代到來，將(jiāng)推動半導體材料實現革命性變化。其中，氮化镓器件以高性能(néng)特點廣泛應用于通信、國(guó)防等領域，其市場需求有望在5G時代迎來爆發(fā)式增長(cháng)。風口來臨，我國(guó)目前有哪些企業在布局？下面(miàn)將(jiāng)從襯底、外延片、制造及IDM幾大分類盤點國(guó)内氮化镓主要企業。
GaN襯底企業
· 東莞市中稼半導體科技有限公司
東莞市中镓半導體科技有限公司成(chéng)立于2009年1月，總部設于廣東東莞，總注冊資本爲1.3億元人民币，總部設立廠房辦公區等共17000多平方米，并在北京有大型研發(fā)中心，爲中國(guó)國(guó)内一家專業生産氮化镓襯底材料的企業。
官網顯示，中镓半導體已建成(chéng)國(guó)内首家專業的氮化镓襯底材料生産線，制備出厚度達1100微米的自支撐GaN襯底，并能(néng)夠穩定生産。2018年2月，中镓半導體實現4英寸GaN自支撐襯底的試量産。
· 東莞市中晶半導體科技有限公司
東莞市中晶半導體科技有限公司成(chéng)立于2010年，是廣東光大企業集團在半導體領域繼中镓半導體、中圖半導體後(hòu)布局的第三個重點産業化項目。
中晶半導體主要以HVPE設備等系列精密半導體設備制造技術爲支撐，以GaN襯底爲基礎，重點發(fā)展Mini/MicroLED外延、芯片技術，并向(xiàng)新型顯示模組方向(xiàng)延展；同時，中晶半導體將(jiāng)以GaN襯底材料技術爲基礎，孵化VCSEL、電力電子器件、化合物半導體射頻器件、車燈封裝模組、激光器封裝模組等國(guó)際前沿技術，并進(jìn)行全球産業布局。
· 蘇州納維科技有限公司
蘇州納維科技有限公司成(chéng)立于2007年，緻力于氮化镓單晶襯底的研發(fā)與産業化，實現了2英寸氮化镓單晶襯底的生産、完成(chéng)了4英寸産品的工程化技術開(kāi)發(fā)、突破了6英寸的關鍵技術，現在是國(guó)際上少數幾家能(néng)夠批量提供2英寸氮化镓單晶産品的單位之一。
據官網介紹，目前納維科技GaN單晶襯底産品已提供給300餘家客戶使用，正在提升産能(néng)向(xiàng)企業應用市場發(fā)展，重點突破方向(xiàng)是藍綠光半導體激光器、高功率電力電子器件、高可靠性高功率微波器件等重大領域。
· 镓特半導體科技（上海）有限公司
镓特半導體科技（上海）有限公司成(chéng)立于2015年4月，主要從事(shì)大尺寸的高質量、低成(chéng)本氮化镓襯底的生長(cháng)，以推動諸多半導體企業能(néng)夠以合理價來購買并使用氮化镓襯底。镓特半導體已自主研發(fā)出HVPE設備，并用以生長(cháng)高質量的氮化镓襯底。
官網顯示，借助自主研發(fā)的HVPE設備，镓特半導體已成(chéng)功生長(cháng)出4英寸的自支撐氮化镓襯底。镓特半導體表示，未來幾年内將(jiāng)建成(chéng)全球最大的氮化镓襯底生長(cháng)基地，以此進(jìn)一步推廣氮化镓襯底在半導體材料市場上的廣泛應用，并將(jiāng)依托自支撐GaN襯底進(jìn)行中下遊的高端LED、電力電子及其他器件的研發(fā)和制造。
GaN外延片企業
· 蘇州晶湛半導體有限公司
蘇州晶湛半導體有限公司成(chéng)立于2012年3月，緻力于氮化镓（GaN）外延材料的研發(fā)和産業化。2013年8月，晶湛半導體開(kāi)始在蘇州納米城建設GaN外延材料生産線，可年産150mm氮化镓外延片2萬片；2014年底，晶湛半導體發(fā)布其商品化8英寸矽基氮化镓外延片産品。
官網介紹稱，截至目前，晶湛半導體已完成(chéng)B輪融資用于擴大生産規模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月産能(néng)達1萬片。晶湛半導體現已擁有全球超過(guò)150家的著名半導體公司、研究院所客戶。
· 聚能(néng)晶源（青島）半導體材料有限公司
聚能(néng)晶源（青島）半導體材料有限公司成(chéng)立于2018年6月，專注于電力電子應用的外延材料增長(cháng)。針對(duì)外延材料市場，聚能(néng)晶源正在開(kāi)發(fā)矽基氮化镓材料生長(cháng)技術并銷售矽基氮化镓外延材料作爲産品。
2018年12月，聚能(néng)晶源成(chéng)功研制了達到全球業界領先水平的8英寸矽基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圓。該型外延晶圓在實現了650V/700V高耐壓能(néng)力的同時，保持了外延材料的高晶體質量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足産業界中高壓功率電子器件的應用需求。
· 北京世紀金光半導體有限公司
北京世紀金光半導體有限公司成(chéng)立于2010年12月，經(jīng)過(guò)多年發(fā)展，世紀金光已成(chéng)爲集半導體單晶材料、外延、器件、模塊的研發(fā)、設計、生産與銷售于一體的、貫通第三代半導體全産業鏈的企業。
在碳化矽領域，世紀金光已實現碳化矽全産業鏈貫通，氮化镓方面(miàn)，官網顯示其目前則以氮化镓基外延片爲主。
· 聚力成(chéng)半導體（重慶）有限公司
聚力成(chéng)半導體（重慶）有限公司成(chéng)立于2018年9月，是重慶捷舜科技有限公司在大足區設立的公司。2018年9月，重慶大足區政府與重慶捷舜科技有限公司簽約，拟在重慶建設“聚力成(chéng)外延片和芯片産線項目”。
2018年11月，聚力成(chéng)半導體（重慶）有限公司舉行奠基儀式，項目正式開(kāi)工。該項目占地500畝，計劃投資50億元，將(jiāng)在大足高新區建設集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研發(fā)與生産、封裝測試、産品設計應用爲一體的全産業鏈基地。2019年6月5日，該項目一期廠房正式啓用，預計將(jiāng)于今年10月開(kāi)始外延片的量産。
GaN制造企業
· 成(chéng)都(dōu)海威華芯科技有限公司
成(chéng)都(dōu)海威華芯科技有限公司成(chéng)立于2010年，是國(guó)内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成(chéng)電路的純晶圓代工企業。據了解，海威華芯由海特高新和央企中電科29所合資組建，2015年1月，海特高新以5.55億元收購海威華芯原股東股權，并以增資的方式取得海威華芯52.91%的股權成(chéng)爲其控股股東，從而涉足高端化合物半導體集成(chéng)電路芯片研制領域。
海威華芯6英寸第二代/第三代半導體集成(chéng)電路芯片生産線已于2016年8月投入試生産。官網顯示，海威華芯已開(kāi)發(fā)了5G中頻段小于6GHz的基站用氮化镓代工工藝、手機用砷化镓代工工藝，發(fā)布了毫米波頻段用0.15um砷化镓工藝。砷化镓VCSEL激光器工藝、電力電子用矽基氮化镓制造工藝在2019年也取得了較大的進(jìn)展。
· 廈門市三安集成(chéng)電路有限公司
廈門市三安集成(chéng)電路有限公司成(chéng)立于2014年，是LED芯片制造公司三安光電下屬子公司，基于氮化镓和砷化镓技術經(jīng)營業務，是一家專門從事(shì)化合物半導體制造的代工廠，服務于射頻、毫米波、功率電子和光學(xué)市場，具備襯底材料、外延生長(cháng)以及芯片制造的産業整合能(néng)力。
三安集成(chéng)項目總規劃用地281 畝，總投資額30億元，規劃産能(néng)爲30萬片/年GaAs高速半導體外延片、30萬片/年GaAs高速半導體芯片、6萬片/年GaN高功率半導體外延片、6萬片/年GaN高功率半導體芯片。官網顯示，三安集成(chéng)在微波射頻領域已建成(chéng)專業化、規模化的4英寸、6英寸化合物晶圓制造産線，在電子電路領域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二極管及矽基氮化镓功率器件。
· 華潤微電子有限公司
華潤微電子有限公司是華潤集團旗下負責微電子業務投資、發(fā)展和經(jīng)營管理的企業，亦是中國(guó)本土具有重要影響力的綜合性微電子企業，其聚焦于模拟與功率半導體等領域，業務包括集成(chéng)電路設計、掩模制造、晶圓制造、封裝測試及分立器件，目前擁有6-8英寸晶圓生産線5條、封裝生産線2條、掩模生産線1條、設計公司3家，爲國(guó)内擁有完整半導體産業鏈的企業。
2017年12月，華潤微電子完成(chéng)對(duì)中航（重慶）微電子有限公司（後(hòu)更名爲“華潤微電子（重慶）有限公司”）的收購，重慶華潤微電子采用8英寸0.18微米工藝技術進(jìn)行芯片生産，并在主生産線外建有獨立的MEMS和化合物半導體工藝線，具備氮化镓功率器件規模化生産制造能(néng)力。
· 杭州士蘭微電子股份有限公司
杭州士蘭微電子股份有限公司成(chéng)立于成(chéng)立于1997年，專業從事(shì)集成(chéng)電路芯片設計以及半導體相關産品制造，2001年開(kāi)始在杭州建了第一條5英寸芯片生産線，現已成(chéng)爲國(guó)内集成(chéng)電路芯片設計與制造一體（IDM）企業。
近年來，士蘭微逐步布局第三代化合物功率半導體。2017年，士蘭微打通一條6英寸的矽基氮化镓功率器件中試線。2018年10月，士蘭微廈門12英寸芯片生産線暨先進(jìn)化合物半導體生産線開(kāi)工，其中4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導體器件生産線總投資50億元，定位爲第三代功率半導體、光通訊器件、高端LED芯片等。
GaN IDM企業
· 蘇州能(néng)訊高能(néng)半導體公司
蘇州能(néng)訊高能(néng)半導體有限公司成(chéng)立于2011年，緻力于寬禁帶半導體氮化镓電子器件技術與産業化，爲5G移動通訊、寬頻帶通信等射頻微波領域和工業控制、電源、電動汽車等電力電子領域等兩(liǎng)大領域提供高效率的半導體産品與服務。
能(néng)訊半導體采用整合設計與制造（IDM）的模式，自主開(kāi)發(fā)了氮化镓材料生長(cháng)、芯片設計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性與應用電路技術，目前公司擁有專利256項。該公司在江蘇建有一座氮化镓（GaN）電子器件工廠，廠區占地55畝，累計投資10億元。
· 江蘇能(néng)華微電子科技發(fā)展有限公司
江蘇能(néng)華微電子科技發(fā)展有限公司成(chéng)立于2010年6月，是由國(guó)家千人計劃專家朱廷剛博士領銜的、由留美留澳留日歸國(guó)團隊創辦的一家專業設計、研發(fā)、生産、制造和銷售以氮化镓爲代表的複合半導體高性能(néng)晶圓、以及用其做成(chéng)的功率器件、芯片和模塊的高科技公司。
能(néng)華微電子先後(hòu)承擔了國(guó)家電子信息産業振興和技術改造專項的大功率GaN功率電子器件及其材料的産業化項目、國(guó)家重點研發(fā)計劃戰略性先進(jìn)電子材料重點專項的GaN基新型電力電子器件關鍵技術項目等。2017年，能(néng)華微電子建成(chéng)8英寸氮化镓芯片生産線并正式啓用。
· 英諾賽科（珠海）科技有限公司
英諾賽科（珠海）科技有限公司成(chéng)立于2015年12月，該公司采用IDM 全産業鏈模式，緻力于打造一個集研發(fā)、設計、外延生長(cháng)、芯片制造、測試與失效分析爲一體的第三代半導體生産平台。2017年11月，英諾賽科的8英寸矽基氮化镓生産線通線投産，成(chéng)爲國(guó)内首條實現量産的8英寸矽基氮化镓生産線，主要産品包括30V-650V氮化镓功率與5G射頻器件。
2018年6月，總投資60億元的英諾賽科蘇州半導體芯片項目開(kāi)工，今年8月30日項目主廠房封頂，預計12月底生産設備正式進(jìn)廠，2020年可實現規模化量産。該項目聚焦在氮化镓和碳化矽等核心産品，將(jiāng)打造將(jiāng)成(chéng)爲集研發(fā)、設計、外延生産、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全産業鏈研發(fā)生産平台。
· 大連芯冠科技有限公司
大連芯冠科技有限公司成(chéng)立于2016年3月，該公司采用整合設計與制造（IDM）的商業模式，主要從事(shì)第三代半導體矽基氮化镓外延材料及電力電子器件的研發(fā)、設計、生産和銷售，産品應用于電源管理、太陽能(néng)逆變器、電動汽車及工業馬達驅動等領域。
官網介紹稱，芯冠科技已建成(chéng)首條6英寸矽基氮化镓外延及功率器件晶圓生産線。2019年3月，芯冠科技在國(guó)内率先推出符合産業化标準的650伏矽基氮化镓功率器件産品（通過(guò)1000小時HTRB可靠性測試），并正式投放市場。
· 江蘇華功半導體有限公司
江蘇華功半導體有限公司成(chéng)立于2016年5月，注冊資本爲2億元人民币，一期投入10億元人民币。官網介紹稱，目前公司已全面(miàn)掌握大尺寸Si襯底高電導、高耐壓、高穩定性的GaN外延技術并掌握具有自主知識産權的增強型功率電子器件制造技術。
根據官網顯示，華功半導體可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率電子器件用外延片産品，并基于華功自有知識産權的GaN-on-Si外延技術設計和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。
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8月24日，中關村第三代半導體産業政策發(fā)布會召開(kāi)。據悉，爲促進(jìn)第三代半導體等産業在中關村順義園聚集發(fā)展，中關村和順義區將(jiāng)在企業研發(fā)創新、成(chéng)果轉化和産業化等方面(miàn)提供資金支持。其中，中關村管委會上限支持額度爲5000萬元，而順義區的支持額度不設上限。
今天，中關村科技園區、順義區人民政府聯合制定的《關于促進(jìn)中關村順義園第三代半導體等前沿半導體産業創新發(fā)展的若幹措施》（以下簡稱“《若幹措施》”）正式發(fā)布。據中關村管理委員會黨主任翟立新介紹，第三代半導體産業發(fā)展水平是一個國(guó)家現代經(jīng)濟與高科技力量的重要象征，也是當前世界各國(guó)科技競争的焦點之一。但是，第三代半導體産業的發(fā)展需要高強度、持續資金投入，且經(jīng)濟見效慢，這(zhè)就要求地方政府要能(néng)夠把握産業發(fā)展規律，給予支持。出台《若幹措施》的目的就是促進(jìn)第三代半導體等前沿半導體産業在中關村順義園集聚發(fā)展。
《若幹措施》的資金支持範圍覆蓋全産業鏈。例如，針對(duì)企業開(kāi)展新型半導體器件的設計和研發(fā)，對(duì)上一年度實際發(fā)生費用，按照不超過(guò)30%的比例，給予最高不超過(guò)2000萬元的資金支持；在成(chéng)果轉化環節，對(duì)上一年度開(kāi)展特定零部件采購、原材料和設備購置等實際支出，也按照不超過(guò)30%的比例，給予最高不超過(guò)2000萬元的資金支持。
此外，《若幹措施》圍繞第三代半導體等前沿半導體産業的突出需求，解決企業在研發(fā)、生産、公共設施配套、市場推廣等環節的關鍵問題。比如，支持海外頂尖科技人員或國(guó)内院士研發(fā)團隊在中關村順義園建立研發(fā)機構和院士專家工作站，每年給予最高不超過(guò)1000萬元的資金支持，并爲高科技人才安排配套公租房，提供住房補貼。
砷化镓(GaAs)及氮化镓(GaN)晶圓代工龍頭穩懋公告2019年第二季營收情形，營收金額來到1.41億美元。第二季營收相較于第一季成(chéng)長(cháng)20.2%，而年增(減)率情形持續受到中美貿易摩擦影響，小幅衰退6.9%；然而該事(shì)件影響幅度已有逐漸趨緩迹象，預估2019年第三季營收可望優于第二季表現，對(duì)比第二季營收有機會再成(chéng)長(cháng)30%左右。
5G通訊設備及基地台需求帶動下，穩懋營收已較2019年第一季明顯回升
由于受到中美貿易戰拖累影響，砷化镓及氮化镓晶圓代工龍頭大廠穩懋營收自2018年第三季開(kāi)始明顯遭遇到波及，相較2017年同期逐步出現衰退9.2%，甚至2018年第四季及2019年第一季相比于同期，下滑幅度更爲顯著，分别爲-25.8%與-23.3%。
在全球大環境充滿不确定及消費性商品需求疲軟之際，2019年第二季，穩懋受惠于5G在通訊相關設備與基地台設備部分營收相對(duì)抗跌，甚至出現逆勢成(chéng)長(cháng)。
GaN元件對(duì)于5G基地台需求加持，穩懋將(jiāng)逐漸擺脫中美貿易戰陰霾
憑借5G基礎建設發(fā)展，基地台相關設備中的功率放大器(Power Amplifier，PA)逐漸受到關注。由于基地台訊号傳遞距離及使用功率考量，相較于手機使用的PA元件(GaAs pHEMT)有所不同，基地台PA元件更需轉換爲可使用在更高頻、大功率之GaN HEMT元件爲主，藉此提升基地台設備之效能(néng)與耐用度。
若進(jìn)一步分析GaN on Si元件之基地台設備産業鏈(如下圖所示)，主要以Si基闆供應商、GaN磊晶廠、制造代工廠與封測代工廠等爲主，其中GaN制造代工廠的制程質量，將(jiāng)決定PA等基地台設備元件的功能(néng)表現。
由穩懋營收情形可知，基地台設備部分一直以來對(duì)于整體營收占比愈趨顯著，從原先2017年第四季的低點12%，逐漸成(chéng)長(cháng)至2019年第二季29%。
再以整體營收來看，可發(fā)現随着時間季度推進(jìn)，穩懋基地台設備産值更有逐季提升趨勢，甚至2019年第二季已達到高點4千1百萬美元，推升該季營收表現，因此雖受中美貿易戰影響，但現階段5G通訊設備發(fā)展與布局仍持續進(jìn)行中，對(duì)于穩懋GaN元件于基地台設備的使用與建置上，其營收方面(miàn)將(jiāng)逐漸擺脫中美摩擦陰霾。
