9月10日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，公司控股子公司聚能(néng)晶源（青島）半導體材料有限公司（以下簡稱“聚能(néng)晶源”）投資建設的第三代半導體材料制造項目（一期）已達到投産條件，于2019年9月10日正式投産。聚能(néng)晶源于同日舉辦了“8英寸GaN外延材料項目投産暨産品發(fā)布儀式”。從入駐到項目建成(chéng)投産，聚能(néng)晶源僅僅用了一年多的時間。
國(guó)家企業信用信息公示系統顯示，聚能(néng)晶源成(chéng)立于2018年6月，注冊資本5000萬元，由北京耐威科技股份有限公司、青島海絲民合半導體投資中心、青島民芯投資中心與袁理博士技術團隊共同投資成(chéng)立的第三代半導體材料研發(fā)與制造企業，其中耐威科技持股40%，青島海絲民和持股24%，袁理持股20%，青島民芯持股16%。主要從事(shì)半導體材料，尤其是氮化镓(GaN)外延材料的設計、開(kāi)發(fā)和生産。
根據耐威科技此前公告，聚能(néng)晶源預計本項目投資總額不少于約2億元人民币：2018年年底前投資總額不低于5000萬元人民币，2020年底前投資總額不低于1.5億元人民币。未來産品線將(jiāng)覆蓋功率與微波器件應用，打造世界級氮化镓（GaN）材料公司，項目主要産品有面(miàn)向(xiàng)功率器件應用的氮化镓（GaN）外延片，以及面(miàn)向(xiàng)微波器件應用的氮化镓（GaN）外延片等。
耐威科技指出，聚能(néng)晶源項目已投資5,200萬元人民币，項目一期建成(chéng)産能(néng)爲年産1萬片6-8英寸GaN外延晶圓，既可生産提供标準結構的GaN外延晶圓，也可根據客戶需求開(kāi)發(fā)、量産定制化外延晶圓，項目的投産將(jiāng)有利于聚能(néng)晶源正式進(jìn)入并不斷開(kāi)拓第三代半導體材料市場，同時有利于公司GaN功率與微波器件設計開(kāi)發(fā)業務的發(fā)展，最終增強公司在第三代半導體及物聯網領域的綜合競争實力。據了解，聚能(néng)晶源項目已經(jīng)被評爲青島市重點項目。
耐威科技董事(shì)長(cháng)楊雲春介紹，耐威科技自上市以來，積極在物聯網産業領域進(jìn)行布局，重點發(fā)展MEMS和GaN業務；其中在GaN領域，耐威科技在即墨投資設立了聚能(néng)晶源公司，專注GaN外延材料的研發(fā)生長(cháng)；在崂山投資設立了聚能(néng)創芯公司，專注GaN器件的開(kāi)發(fā)設計。