日前，華爲旗下哈勃投資入股山東天嶽的消息，以碳化矽（SiC）、氮化镓（GaN）爲代表的第三代半導體材料再次走入大衆視野，引起(qǐ)業界重點關注。
事(shì)實上，随着半導體技術不斷進(jìn)步，對(duì)半導體器件性能(néng)、效率、小型化要求的越來越高，傳統矽半導體材料逐漸無法滿足性能(néng)需求，碳化矽、氮化镓等第三代半導體材料憑借着優異的性能(néng)，早已成(chéng)爲當前世界各國(guó)競相布局的焦點，我國(guó)在加速發(fā)展集成(chéng)電路産業的同時，把發(fā)展第三代半導體技術列入國(guó)家戰略。
如今5G時代到來，將(jiāng)推動半導體材料實現革命性變化。其中，氮化镓器件以高性能(néng)特點廣泛應用于通信、國(guó)防等領域，其市場需求有望在5G時代迎來爆發(fā)式增長(cháng)。風口來臨，我國(guó)目前有哪些企業在布局？下面(miàn)將(jiāng)從襯底、外延片、制造及IDM幾大分類盤點國(guó)内氮化镓主要企業。
GaN襯底企業
· 東莞市中稼半導體科技有限公司
東莞市中镓半導體科技有限公司成(chéng)立于2009年1月，總部設于廣東東莞，總注冊資本爲1.3億元人民币，總部設立廠房辦公區等共17000多平方米，并在北京有大型研發(fā)中心，爲中國(guó)國(guó)内一家專業生産氮化镓襯底材料的企業。
官網顯示，中镓半導體已建成(chéng)國(guó)内首家專業的氮化镓襯底材料生産線，制備出厚度達1100微米的自支撐GaN襯底，并能(néng)夠穩定生産。2018年2月，中镓半導體實現4英寸GaN自支撐襯底的試量産。
· 東莞市中晶半導體科技有限公司
東莞市中晶半導體科技有限公司成(chéng)立于2010年，是廣東光大企業集團在半導體領域繼中镓半導體、中圖半導體後(hòu)布局的第三個重點産業化項目。
中晶半導體主要以HVPE設備等系列精密半導體設備制造技術爲支撐，以GaN襯底爲基礎，重點發(fā)展Mini/MicroLED外延、芯片技術，并向(xiàng)新型顯示模組方向(xiàng)延展；同時，中晶半導體將(jiāng)以GaN襯底材料技術爲基礎，孵化VCSEL、電力電子器件、化合物半導體射頻器件、車燈封裝模組、激光器封裝模組等國(guó)際前沿技術，并進(jìn)行全球産業布局。
· 蘇州納維科技有限公司
蘇州納維科技有限公司成(chéng)立于2007年，緻力于氮化镓單晶襯底的研發(fā)與産業化，實現了2英寸氮化镓單晶襯底的生産、完成(chéng)了4英寸産品的工程化技術開(kāi)發(fā)、突破了6英寸的關鍵技術，現在是國(guó)際上少數幾家能(néng)夠批量提供2英寸氮化镓單晶産品的單位之一。
據官網介紹，目前納維科技GaN單晶襯底産品已提供給300餘家客戶使用，正在提升産能(néng)向(xiàng)企業應用市場發(fā)展，重點突破方向(xiàng)是藍綠光半導體激光器、高功率電力電子器件、高可靠性高功率微波器件等重大領域。
· 镓特半導體科技（上海）有限公司
镓特半導體科技（上海）有限公司成(chéng)立于2015年4月，主要從事(shì)大尺寸的高質量、低成(chéng)本氮化镓襯底的生長(cháng)，以推動諸多半導體企業能(néng)夠以合理價來購買并使用氮化镓襯底。镓特半導體已自主研發(fā)出HVPE設備，并用以生長(cháng)高質量的氮化镓襯底。
官網顯示，借助自主研發(fā)的HVPE設備，镓特半導體已成(chéng)功生長(cháng)出4英寸的自支撐氮化镓襯底。镓特半導體表示，未來幾年内將(jiāng)建成(chéng)全球最大的氮化镓襯底生長(cháng)基地，以此進(jìn)一步推廣氮化镓襯底在半導體材料市場上的廣泛應用，并將(jiāng)依托自支撐GaN襯底進(jìn)行中下遊的高端LED、電力電子及其他器件的研發(fā)和制造。
GaN外延片企業
· 蘇州晶湛半導體有限公司
蘇州晶湛半導體有限公司成(chéng)立于2012年3月，緻力于氮化镓（GaN）外延材料的研發(fā)和産業化。2013年8月，晶湛半導體開(kāi)始在蘇州納米城建設GaN外延材料生産線，可年産150mm氮化镓外延片2萬片；2014年底，晶湛半導體發(fā)布其商品化8英寸矽基氮化镓外延片産品。
官網介紹稱，截至目前，晶湛半導體已完成(chéng)B輪融資用于擴大生産規模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月産能(néng)達1萬片。晶湛半導體現已擁有全球超過(guò)150家的著名半導體公司、研究院所客戶。
· 聚能(néng)晶源（青島）半導體材料有限公司
聚能(néng)晶源（青島）半導體材料有限公司成(chéng)立于2018年6月，專注于電力電子應用的外延材料增長(cháng)。針對(duì)外延材料市場，聚能(néng)晶源正在開(kāi)發(fā)矽基氮化镓材料生長(cháng)技術并銷售矽基氮化镓外延材料作爲産品。
2018年12月，聚能(néng)晶源成(chéng)功研制了達到全球業界領先水平的8英寸矽基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圓。該型外延晶圓在實現了650V/700V高耐壓能(néng)力的同時，保持了外延材料的高晶體質量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足産業界中高壓功率電子器件的應用需求。
· 北京世紀金光半導體有限公司
北京世紀金光半導體有限公司成(chéng)立于2010年12月，經(jīng)過(guò)多年發(fā)展，世紀金光已成(chéng)爲集半導體單晶材料、外延、器件、模塊的研發(fā)、設計、生産與銷售于一體的、貫通第三代半導體全産業鏈的企業。
在碳化矽領域，世紀金光已實現碳化矽全産業鏈貫通，氮化镓方面(miàn)，官網顯示其目前則以氮化镓基外延片爲主。
· 聚力成(chéng)半導體（重慶）有限公司
聚力成(chéng)半導體（重慶）有限公司成(chéng)立于2018年9月，是重慶捷舜科技有限公司在大足區設立的公司。2018年9月，重慶大足區政府與重慶捷舜科技有限公司簽約，拟在重慶建設“聚力成(chéng)外延片和芯片産線項目”。
2018年11月，聚力成(chéng)半導體（重慶）有限公司舉行奠基儀式，項目正式開(kāi)工。該項目占地500畝，計劃投資50億元，將(jiāng)在大足高新區建設集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研發(fā)與生産、封裝測試、産品設計應用爲一體的全産業鏈基地。2019年6月5日，該項目一期廠房正式啓用，預計將(jiāng)于今年10月開(kāi)始外延片的量産。
GaN制造企業
· 成(chéng)都(dōu)海威華芯科技有限公司
成(chéng)都(dōu)海威華芯科技有限公司成(chéng)立于2010年，是國(guó)内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成(chéng)電路的純晶圓代工企業。據了解，海威華芯由海特高新和央企中電科29所合資組建，2015年1月，海特高新以5.55億元收購海威華芯原股東股權，并以增資的方式取得海威華芯52.91%的股權成(chéng)爲其控股股東，從而涉足高端化合物半導體集成(chéng)電路芯片研制領域。
海威華芯6英寸第二代/第三代半導體集成(chéng)電路芯片生産線已于2016年8月投入試生産。官網顯示，海威華芯已開(kāi)發(fā)了5G中頻段小于6GHz的基站用氮化镓代工工藝、手機用砷化镓代工工藝，發(fā)布了毫米波頻段用0.15um砷化镓工藝。砷化镓VCSEL激光器工藝、電力電子用矽基氮化镓制造工藝在2019年也取得了較大的進(jìn)展。
· 廈門市三安集成(chéng)電路有限公司
廈門市三安集成(chéng)電路有限公司成(chéng)立于2014年，是LED芯片制造公司三安光電下屬子公司，基于氮化镓和砷化镓技術經(jīng)營業務，是一家專門從事(shì)化合物半導體制造的代工廠，服務于射頻、毫米波、功率電子和光學(xué)市場，具備襯底材料、外延生長(cháng)以及芯片制造的産業整合能(néng)力。
三安集成(chéng)項目總規劃用地281 畝，總投資額30億元，規劃産能(néng)爲30萬片/年GaAs高速半導體外延片、30萬片/年GaAs高速半導體芯片、6萬片/年GaN高功率半導體外延片、6萬片/年GaN高功率半導體芯片。官網顯示，三安集成(chéng)在微波射頻領域已建成(chéng)專業化、規模化的4英寸、6英寸化合物晶圓制造産線，在電子電路領域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二極管及矽基氮化镓功率器件。
· 華潤微電子有限公司
華潤微電子有限公司是華潤集團旗下負責微電子業務投資、發(fā)展和經(jīng)營管理的企業，亦是中國(guó)本土具有重要影響力的綜合性微電子企業，其聚焦于模拟與功率半導體等領域，業務包括集成(chéng)電路設計、掩模制造、晶圓制造、封裝測試及分立器件，目前擁有6-8英寸晶圓生産線5條、封裝生産線2條、掩模生産線1條、設計公司3家，爲國(guó)内擁有完整半導體産業鏈的企業。
2017年12月，華潤微電子完成(chéng)對(duì)中航（重慶）微電子有限公司（後(hòu)更名爲“華潤微電子（重慶）有限公司”）的收購，重慶華潤微電子采用8英寸0.18微米工藝技術進(jìn)行芯片生産，并在主生産線外建有獨立的MEMS和化合物半導體工藝線，具備氮化镓功率器件規模化生産制造能(néng)力。
· 杭州士蘭微電子股份有限公司
杭州士蘭微電子股份有限公司成(chéng)立于成(chéng)立于1997年，專業從事(shì)集成(chéng)電路芯片設計以及半導體相關産品制造，2001年開(kāi)始在杭州建了第一條5英寸芯片生産線，現已成(chéng)爲國(guó)内集成(chéng)電路芯片設計與制造一體（IDM）企業。
近年來，士蘭微逐步布局第三代化合物功率半導體。2017年，士蘭微打通一條6英寸的矽基氮化镓功率器件中試線。2018年10月，士蘭微廈門12英寸芯片生産線暨先進(jìn)化合物半導體生産線開(kāi)工，其中4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導體器件生産線總投資50億元，定位爲第三代功率半導體、光通訊器件、高端LED芯片等。
GaN IDM企業
· 蘇州能(néng)訊高能(néng)半導體公司
蘇州能(néng)訊高能(néng)半導體有限公司成(chéng)立于2011年，緻力于寬禁帶半導體氮化镓電子器件技術與産業化，爲5G移動通訊、寬頻帶通信等射頻微波領域和工業控制、電源、電動汽車等電力電子領域等兩(liǎng)大領域提供高效率的半導體産品與服務。
能(néng)訊半導體采用整合設計與制造（IDM）的模式，自主開(kāi)發(fā)了氮化镓材料生長(cháng)、芯片設計、晶圓工藝、封裝測試、可靠性與應用電路技術，目前公司擁有專利256項。該公司在江蘇建有一座氮化镓（GaN）電子器件工廠，廠區占地55畝，累計投資10億元。
· 江蘇能(néng)華微電子科技發(fā)展有限公司
江蘇能(néng)華微電子科技發(fā)展有限公司成(chéng)立于2010年6月，是由國(guó)家千人計劃專家朱廷剛博士領銜的、由留美留澳留日歸國(guó)團隊創辦的一家專業設計、研發(fā)、生産、制造和銷售以氮化镓爲代表的複合半導體高性能(néng)晶圓、以及用其做成(chéng)的功率器件、芯片和模塊的高科技公司。
能(néng)華微電子先後(hòu)承擔了國(guó)家電子信息産業振興和技術改造專項的大功率GaN功率電子器件及其材料的産業化項目、國(guó)家重點研發(fā)計劃戰略性先進(jìn)電子材料重點專項的GaN基新型電力電子器件關鍵技術項目等。2017年，能(néng)華微電子建成(chéng)8英寸氮化镓芯片生産線并正式啓用。
· 英諾賽科（珠海）科技有限公司
英諾賽科（珠海）科技有限公司成(chéng)立于2015年12月，該公司采用IDM 全産業鏈模式，緻力于打造一個集研發(fā)、設計、外延生長(cháng)、芯片制造、測試與失效分析爲一體的第三代半導體生産平台。2017年11月，英諾賽科的8英寸矽基氮化镓生産線通線投産，成(chéng)爲國(guó)内首條實現量産的8英寸矽基氮化镓生産線，主要産品包括30V-650V氮化镓功率與5G射頻器件。
2018年6月，總投資60億元的英諾賽科蘇州半導體芯片項目開(kāi)工，今年8月30日項目主廠房封頂，預計12月底生産設備正式進(jìn)廠，2020年可實現規模化量産。該項目聚焦在氮化镓和碳化矽等核心産品，將(jiāng)打造將(jiāng)成(chéng)爲集研發(fā)、設計、外延生産、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全産業鏈研發(fā)生産平台。
· 大連芯冠科技有限公司
大連芯冠科技有限公司成(chéng)立于2016年3月，該公司采用整合設計與制造（IDM）的商業模式，主要從事(shì)第三代半導體矽基氮化镓外延材料及電力電子器件的研發(fā)、設計、生産和銷售，産品應用于電源管理、太陽能(néng)逆變器、電動汽車及工業馬達驅動等領域。
官網介紹稱，芯冠科技已建成(chéng)首條6英寸矽基氮化镓外延及功率器件晶圓生産線。2019年3月，芯冠科技在國(guó)内率先推出符合産業化标準的650伏矽基氮化镓功率器件産品（通過(guò)1000小時HTRB可靠性測試），并正式投放市場。
· 江蘇華功半導體有限公司
江蘇華功半導體有限公司成(chéng)立于2016年5月，注冊資本爲2億元人民币，一期投入10億元人民币。官網介紹稱，目前公司已全面(miàn)掌握大尺寸Si襯底高電導、高耐壓、高穩定性的GaN外延技術并掌握具有自主知識産權的增強型功率電子器件制造技術。
根據官網顯示，華功半導體可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率電子器件用外延片産品，并基于華功自有知識産權的GaN-on-Si外延技術設計和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。
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