标簽：耐威科技

9月10日，聚能(néng)晶源(青島)半導體材料有限公司“8英寸GaN外延材料項目投産暨産品發(fā)布儀式”在青島市即墨區公司廠區舉行。據天眼查顯示，耐威科技持有公司40%股份，耐威科技董事(shì)長(cháng)楊雲春也是聚能(néng)晶源董事(shì)長(cháng)。

耐威科技業務闆塊有三，分别是MEMS、導航、航空電子，另外，公司也在布局第三代半導體、無人系統等潛力業務。而此次投産的聚能(néng)晶源，就是公司布局的第三代半導體業務。

楊雲春現場表示，耐威科技自上市以來，積極在物聯網産業領域進(jìn)行布局，重點發(fā)展MEMS和GaN業務；其中在GaN領域，耐威科技在即墨投資設立了聚能(néng)晶源公司，專注GaN外延材料的研發(fā)生長(cháng)；在崂山投資設立了聚能(néng)創芯公司，專注GaN器件的開(kāi)發(fā)設計。從入駐到項目建成(chéng)投産，聚能(néng)晶源僅僅用了一年多的時間。

楊雲春稱，耐威科技希望能(néng)以此爲契機，積極把握第三代半導體産業的國(guó)産替代機遇，在青島繼續建設第三代半導體材料生産基地及器件設計中心，繼續爲我國(guó)集成(chéng)電路産業的發(fā)展貢獻自己的力量。

盛世投資管理合夥人劉新玉介紹，第三代半導體材料具備獨特性能(néng)，在半導體産業的國(guó)産替代進(jìn)程中具有重要的戰略意義，作爲股東與戰略合作夥伴，很高興見到耐威科技在青島即墨投資落地的聚能(néng)晶源8英寸GaN外延材料項目能(néng)夠迅速建成(chéng)投産，希望該項目今後(hòu)能(néng)夠爲産業發(fā)展、爲地區經(jīng)濟發(fā)展做出貢獻。

聚能(néng)晶源總經(jīng)理袁理博士正式發(fā)布了多系列6-8英寸GaN外延晶圓産品，并對(duì)項目及産品做了相關介紹。

聚能(néng)晶源此次發(fā)布的相關産品包括8英寸矽基氮化镓外延晶圓與6英寸碳化矽基外延晶圓，可滿足下一代功率與微波電子器件對(duì)于大尺寸、高質量、高一緻性、高可靠性氮化镓外延材料的需求，爲5G通訊、雲計算、新型消費電子、智能(néng)白電、新能(néng)源汽車等領域提供核心元器件的材料保障。

聚能(néng)晶源項目掌握全球領先的8英寸矽基氮化镓外延與6英寸碳化矽基外延生長(cháng)技術。在功率器件應用領域，産品系列包括8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓與8英寸P-cap AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓。同時，聚能(néng)晶源將(jiāng)自有先進(jìn)8英寸GaN外延技術創新性地應用在微波領域，開(kāi)發(fā)出了兼具高性能(néng)與大尺寸、低成(chéng)本、可兼容标準8英寸器件加工工藝的8英寸AlGaN/GaN-on-HR Si外延晶圓。在矽基氮化镓之外，聚能(néng)晶源也擁有AlGaN/GaN-on-SiC外延晶圓産品線，滿足客戶在碳化矽基氮化镓外延材料方面(miàn)的需求。

以聚能(néng)晶源此次展示的HVA650/HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圓産品爲例。該型GaN外延晶圓具有高晶體質量、低表面(miàn)粗糙度、高一緻性的材料特點。同時具有低導通電阻、高耐壓、低漏電、耐高溫的電學(xué)特性。值得一提的是，聚能(néng)晶源GaN外延晶圓具有優秀的材料可靠性，根據标準TDDB測試方法，其在标稱耐壓值下的長(cháng)時有效壽命達到了10的9次方小時，處于國(guó)際業界領先水平。

興業證券一名通信行業分析師告訴證券時報.e公司，作爲第三代半導體材料，與前兩(liǎng)代相比，氮化镓具有諸多優勢，應用前景較廣。

聚能(néng)晶源(青島)半導體材料有限公司成(chéng)立于2018年6月，是由北京耐威科技股份有限公司、青島海絲民合半導體投資中心、青島民芯投資中心與袁理博士技術團隊共同投資成(chéng)立的第三代半導體材料研發(fā)與制造企業。項目一期建成(chéng)産能(néng)爲年産1萬片6-8英寸GaN外延晶圓。

正值年底之際，近日耐威科技、北京君正等多家集成(chéng)電路企業公告稱獲得政府補助。

耐威科技：控股子公司獲政府補助1000萬元

12月27日，耐威科技發(fā)布公告，控股子公司聚能(néng)晶源（青島）半導體材料有限公司于近日收到政府補助金1000 萬元。

公告稱，根據公司與青島市即墨區人民政府、青島城市建設投資（集團）有限責任公司簽署的《合作框架協議書》以及聚能(néng)晶源與青島服裝工業園管理委員會簽訂的《合作協議》，青島服工委對(duì)聚能(néng)晶源新購設備款的50%給予補助并分二期兌現（累計金額不超過(guò)2000萬元）。聚能(néng)晶源于近日收到青島服工委給予的第一期補助1000萬元。

耐威科技表示，本次收到政府補助有利于公司第三代半導體，尤其是氮化镓（GaN）材料與器件項目的順利實施。

北京君正：全資子公司獲政府補助750萬元

12月27日，北京君正發(fā)布公告，根據《關于組織開(kāi)展 2018 年度省戰略性新興産業集聚發(fā)展基地資金支持項目申報的通知》，北京君正全資子公司合肥君正科技有限公司申報的“基于 28 納米工藝的視頻監控芯片研發(fā)項目”獲得立項批複。近日，合肥君正收到合肥高新技術産業 開(kāi)發(fā)區财政國(guó)庫支付中心撥付的政府補貼資金現金 750 萬元。

北京君正表示，根據合肥君正項目申請報告，該項目執行期爲自2018年1月至 2019年12月，合肥君正將(jiāng)自收到項目補助資金當月起(qǐ)至項目結束日分期結轉入其他收益，預計將(jiāng)會增加公司2018年度利潤約57.69萬元

士蘭微：控股子公司獲政府補助2729.92萬元

12月27日，士蘭微發(fā)布公告，杭州經(jīng)濟技術開(kāi)發(fā)區經(jīng)濟發(fā)展局和杭州經(jīng)濟技術開(kāi)發(fā)區财政局聯合下發(fā)了《關于下達杭州士蘭集成(chéng)電路有限公司8英寸集成(chéng)電路芯片生産線建設項目廠 房土建部分資助資金的通知》（杭經(jīng)開(kāi)經(jīng)[2018]219 号），公司控股子公司杭州士蘭集成(chéng)電路有限公司獲得8英寸集成(chéng)電路芯片生産線建設項目廠房土建部分資助資金2729.92萬元。 

公告稱，士蘭集成(chéng)已于2018年12月25日收到杭州經(jīng)濟技術開(kāi)發(fā)區财政局撥付的上述補助資金2729.92萬元。

國(guó)科微：公司及子公司獲政府補助4664.72萬元

12月26日，國(guó)科微發(fā)布公告，公司及子公司自2018年1月1日至2018年12月26 日獲得各項退稅及政府補助項目資金共計人民币4664.72萬元。

國(guó)科微表示，上述政府補助的取得預計增加公司2018年度稅前利潤4664.72萬元，補助資金將(jiāng)對(duì)公司2018年度業績産生一定影響。

近日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）發(fā)布公告稱，其控股子公司聚能(néng)晶源(青島)半導體材料有限公司（以下簡稱“聚能(néng)晶源”）成(chéng)功研制“8英寸矽基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圓”，聚能(néng)晶源也因此成(chéng)爲截至目前公司已知全球範圍内領先的可提供具備長(cháng)時可靠性的8英寸GaN外延晶圓的生産企業，但當期尚未實現量産。

第三代半導體材料氮化镓有何優勢？

據悉，與第二代半導體矽（Si）、砷化镓（GaAs）等材料相比，第三代半導體材料氮化镓（GaN）具有更大的禁帶寬度（>3 eV），一般也被稱爲寬禁帶半導體材料。得益于禁帶寬度的優勢，GaN材料在擊穿電場、本征載流子濃度、抗輻照能(néng)力方面(miàn)都(dōu)明顯優于Si、GaAs等傳統半導體材料。

此外，GaN材料在載流子遷移率、飽和載流子濃度等方面(miàn)也較Si更爲優異，因此特别适用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率與微波電子器件，在5G通訊、雲計算、快充電源、無線充電等領域具有廣泛的應用前景。

與此同時，將(jiāng)GaN外延生長(cháng)在矽襯底之上，可以有效地結合GaN材料的高性能(néng)以及成(chéng)熟Si晶圓的大尺寸、低成(chéng)本優勢。基于先進(jìn)的GaN-on-Si技術，可以在實現高性能(néng)GaN器件的同時將(jiāng)器件制造成(chéng)本控制在與傳統Si基器件相當的程度。

因此，GaN-on-Si技術也被業界認爲是新型功率與微波電子器件的主流技術。

設立子公司布局有成(chéng)效

2018年，公司先後(hòu)投資設立了聚能(néng)晶源、青島聚能(néng)創芯微電子有限公司，依托專業團隊優勢，聯合産業資源，積極布局并把握下一代功率與微波電子領域的市場機遇。

自成(chéng)立以來，聚能(néng)晶源積極投入研發(fā)，充分發(fā)揮核心團隊的技術優勢，先後(hòu)攻克了GaN與Si材料之間晶格失配、大尺寸外延應力控制、高耐壓GaN外延生長(cháng)等技術難關，成(chéng)功研制了達到全球業界領先水平的8英寸矽基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圓。

該型外延晶圓在實現了650V/700V高耐壓能(néng)力的同時，保持了外延材料的高晶體質量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足産業界中高壓功率電子器件的應用需求。

耐威科技表示，在采用國(guó)際業界嚴苛判據标準的情況下，聚能(néng)晶源研制的外延晶圓在材料、機械、電學(xué)、耐壓、耐高溫、壽命等方面(miàn)具有性能(néng)優勢，能(néng)夠保障相關材料與技術在5G通訊、雲計算、快充電源、無線充電等領域得到安全可靠的應用。

公告稱，本次“8英寸矽基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成(chéng)功，短期内不會對(duì)公司的生産經(jīng)營産生重大影響，但有利于公司加快在第三代半導體材料與器件領域的技術儲備，有利于增強公司核心競争力并把握市場機遇。