日前，新三闆企業無錫新潔能(néng)股份有限公司（以下簡稱“新潔能(néng)”）發(fā)布首次公開(kāi)發(fā)行股票招股說明書，拟在上交所上市。
根據招股書，新潔能(néng)本次拟公開(kāi)發(fā)行股票不超過(guò)2530萬股，不低于發(fā)行後(hòu)總股本的25%，拟募資10.21億元用于超低能(néng)耗高可靠性半導體功率器件研發(fā)升級及産業化等項目。
資料顯示，新潔能(néng)爲國(guó)内半導體功率器件設計企業之一，采用Fabless模式并向(xiàng)封裝測試環節延伸産業鏈，主營業務爲MOSFET、IGBT等半導體功率器件的研發(fā)設計及銷售，産品包括芯片及封測成(chéng)品，廣泛應用于消費電子、汽車電子、工業電子以及新能(néng)源汽車/充電樁、智能(néng)裝備制造、物聯網、光伏新能(néng)源等領域。
在中國(guó)半導體行業協會發(fā)布的2016年及2017年中國(guó)半導體功率器件企業排行榜中，新潔能(néng)均名列“中國(guó)半導體功率器件十強企業”。
具體而言，新潔能(néng)主要産品包括溝槽型功率 MOSFET、超結功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET和IGBT等半導體功率器件，已擁有覆蓋12V~1350V電壓範圍、0.3A~300A電流範圍的多系列細分型号産品，截至目前已擁有近1000種(zhǒng)細分型号産品，并形成(chéng)了具有自主知識産權的核心技術體系。
此外，其600V和1200V的溝槽型場截止IGBT（Trench FS IGBT）、500V-900V的第三代超結功率MOSFET（Super Junction MOSFET）、30V-300V 的屏蔽栅功率MOSFET（SGT MOSFET）、12V-250V 的溝槽型功率MOSFET（Trench MOSFET）均已實現量産及系列化。
新潔能(néng)于2016年9月正式于新三闆挂牌上市，持有5%以上股份的股東爲朱袁正、達晨創投、上海貝嶺、國(guó)聯創投、金浦新投，其中朱袁正爲公司控股股東及實際控制人。目前新潔能(néng)擁有新潔能(néng)香港、電芯聯智控、電基集成(chéng)3家全資子公司以及新潔能(néng)深圳分公司1家分公司，無參股子公司。
業績方面(miàn)，2015年至2018年1-6月，新潔能(néng)分别實現營業收入3.06億元、4.22億元、5.04億元、3.61億元，淨利潤分别爲1507.89萬元、3619.75萬元、5228.00萬元、8193.63 萬元，主營業務收入占比爲99%以上。
據招股書所稱，新潔能(néng)是國(guó)内8英寸工藝平台芯片投片量最大的半導體功率器件設計公司之
一。其芯片代工供應商包括華虹宏力、華潤上華、中芯集成(chéng)和台灣茂矽以及其他境内外領先企業，封裝測試供應商包括長(cháng)電科技、安靠、通富微電、上海捷敏等企業。
這(zhè)次新潔能(néng)拟登陸上交所，申請公開(kāi)發(fā)行人民币普通股A股，發(fā)行數量爲不超過(guò)2530.00萬股，募集資金總額將(jiāng)根據市場情況和向(xiàng)詢價對(duì)象的詢價情況确定。募集資金將(jiāng)用于“超低能(néng)耗高可靠性半導體功率器件研發(fā)升級及産業化項目”、“半導體功率器件封裝測試生産線建設項目”、“碳化矽寬禁帶半導體功率器件研發(fā)及産業化項目”、“研發(fā)中心建設項目”和“補充流動資金項目”共計五個募投項目。
上述五個募投項目合計投資總額約10.21億元，募集資金使用金額約10.21億元。新潔能(néng)董事(shì)會稱，截至2018年6月30日公司資産總額5.43億元，具有管理大規模資産及投資項目的經(jīng)驗和能(néng)力，本次募集資金投資項目建成(chéng)後(hòu)，公司將(jiāng)進(jìn)一步豐富産品結構并提升技術開(kāi)發(fā)、工藝改進(jìn)能(néng)力，提高公司競争力。
新潔能(néng)表示，未來將(jiāng)進(jìn)一步依托技術、品牌、渠道(dào)等綜合優勢，全力推進(jìn)高端功率MOSFET、IGBT 的研發(fā)與産業化，持續布局半導體功率器件最先進(jìn)的技術領域，并投入對(duì)SiC 寬禁帶半導體的研發(fā)及産業化，提升公司核心産品競争力和國(guó)内外市場地位。