第三季度全球NAND閃存市場明顯複蘇，三星、铠俠（原東芝存儲）、美光等主要存儲廠商的出貨量均有較大幅度增長(cháng)。在此情況下，各大廠商之間加緊了競争卡位，以期在新一輪市場競争中占據有利位置。三星、美光、SK海力士均發(fā)布了128層3D NAND閃存芯片，將(jiāng)NAND閃存的堆疊之争推進(jìn)到了新的層級。
市場回暖，閃存業現10.2%正增長(cháng)
受益于年底購物季到來，消費電子終端廠商提前備貨，加上高企的庫存被逐漸消化，NAND閃存持續一年有餘的市場寒冬終于在第三季度開(kāi)始轉暖。根據集邦咨詢的調查，2019年第三季度NAND閃存出貨量增長(cháng)，增長(cháng)率接近15%，營業收入平均增長(cháng)10.2%，達到約119億美元。
幾家存儲大廠營業狀況也表現良好(hǎo)。三星第三季度出貨量比第二季度增長(cháng)10%，由于庫存水位表現平穩，因此産品銷售單價跌幅也收斂到5%，營收達到39.87億美元，比第二季度增長(cháng)5.9%。SK海力士由于第二季度出貨大幅增長(cháng)40%，第三季度出貨量略有放緩，環比減少了1%，但是因爲銷售價格穩定，因此整體營收也比較穩定，達11.46億美元，環比增長(cháng)3.5%。至于铠俠雖然此前的四日市工廠斷電事(shì)故餘波仍在，但在整個大市轉暖的影響下，營收達到22.27億美元，季增長(cháng)14.3%。西部數據第三季度出貨量環比增長(cháng)9%，營收達16.32億美元，環比增長(cháng)8.4%。美光第三季度收入增長(cháng)4.7%，達15.3億美元。
總之，在年底銷售旺季的推動下，加上對(duì)庫存的消化，NAND市場已經(jīng)逐漸回暖，整體市況正在向(xiàng)好(hǎo)的方向(xiàng)發(fā)展。集邦咨詢在對(duì)第四季度展望中表示，旺季市場需求回溫將(jiāng)有助于各供應商獲利表現的改善。
技術之争升級，3D NAND上看128層
技術升級一向(xiàng)是存儲芯片公司間競争的主要策略。随着存儲市場由弱轉強，處于新舊轉換的節點，美光、三星、SK海力士、英特爾等紛紛加大新技術工藝的推進(jìn)力度，以圖通過(guò)新舊世代的産品交替克服危機，并在新一輪市場競争中占據有利地位。目前來看，NAND閃存的技術工藝之争已經(jīng)推進(jìn)到了128層。
10月初，美光宣布第一批第四代3D NAND存儲芯片流片出樣。第四代3D NAND基于美光的RG架構，采用128層工藝，預計2020年開(kāi)始商用。在“Mircon Insight2019”技術大會上，美光科技執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana表示，128層3D NAND如果被廣泛使用，將(jiāng)大大降低産品每比特成(chéng)本。
SK海力士也在11月宣布開(kāi)始出樣128層3D NAND閃存産品，該産品不久將(jiāng)開(kāi)始出現在最終用戶設備中。一年前，SK海力士推出了96層3D NAND産品。
相比而言，三星的動作更快。今年8月，三星即宣布推出首個100+層的新一代3D NAND閃存。 據三星介紹，該産品采用“通道(dào)孔蝕刻”技術，使前代96層的堆疊架構增加了約40%的存儲單元。同時，三星還(hái)優化了電路設計，使其可實現最快的數據傳輸速度，寫入操作的數據傳輸速度低于450μs，讀取速度低于45μs。
從進(jìn)度表來看，128層3D NAND需要到明年才能(néng)大量進(jìn)入企業存儲市場，逐漸成(chéng)爲主流。但是從此亦可看出，存儲廠商間的新一輪技術升級之争亦將(jiāng)變得更加激烈。半導體專家莫大康指出，存儲芯片具有高度标準化的特性，且品種(zhǒng)單一，較難實現産品的差異化。這(zhè)導緻各廠商需要在工藝技術和生産規模上比拼競争力。因此，每當市場格局出現新舊轉換時，廠商往往打出技術牌，以期通過(guò)新舊世代産品的改變，提高産品密度，降低制造成(chéng)本，取得競争優勢。
追趕國(guó)際水平，量産能(néng)力是關鍵
相比國(guó)際先進(jìn)水平，中國(guó)存儲業有多大差距呢？今年9月，長(cháng)江存儲宣布量産64層3D NAND。長(cháng)江存儲表示，未來將(jiāng)擴大産量，但并沒(méi)有發(fā)布具體擴産計劃。有業内人士預估，到明年年底晶圓産量將(jiāng)達到每月6萬片的規模，約可占全球産量的5%。
在市場方面(miàn)，紫光旗下的新華三集團表示將(jiāng)引入紫光存儲SSD的産品，應用于其企業級服務器産品中。另有消息人士稱，長(cháng)江存儲的NAND閃存已接到其他部分知名企業的訂單，如聯想計劃在其電腦中使用NAND閃存芯片。
盡管有所進(jìn)展，但中國(guó)存儲産業仍然弱小。莫大康認爲，表面(miàn)來看，國(guó)内企業64層3D NAND與國(guó)際大廠128層僅相差兩(liǎng)代。實際的差距卻并不止此。考量因素不僅包括技術的開(kāi)發(fā)、量産工藝的精進(jìn)、成(chéng)品率的提升，也包括市場占有率的擴大等。2020年年底産能(néng)能(néng)否達到量産6萬片/月十分關鍵，是否能(néng)在産能(néng)提升的同時提高成(chéng)品率，産能(néng)爬坡速度對(duì)企業來說是一個痛點。
技術上從2D到3D的改變，對(duì)中國(guó)存儲業來說是一個難得的發(fā)展機遇，但是如何抓住這(zhè)個機遇仍具挑戰。國(guó)外資深半導體分析師Mark Li表示：“未來12個月將(jiāng)是關鍵時期。”