繼2019年9月宣布量産8Gb DDR4後(hòu)，長(cháng)鑫存儲DDR4内存芯片産品日前已在官方網站上線，包括DDR4内存芯片、LPDDR4X内存芯片、DDR4模組等，并公布了具體産品資料。
據官網介紹，DDR4内存芯片是首顆國(guó)産DDR4内存芯片，是第四代雙倍速率同步動态随機存儲器。相較于上一代DDR3内存芯片，DDR4内存芯片擁有更快的數據傳輸速率、更穩定的性能(néng)和更低的能(néng)耗。長(cháng)鑫存儲自主研發(fā)的DDR4内存芯片滿足市場主流需求，可應用于PC、筆記本電腦、服務器、消費電子類産品等領域。
産品資料顯示，長(cháng)鑫存儲DDR4内存芯片單顆容量8Gb，2666 Mbps速率，工作電壓1.2V，工作溫度0 °C ~ 95 °C ，78 – ball FBGA與96 – ball FBGA兩(liǎng)種(zhǒng)封裝規格。長(cháng)鑫存儲稱該産品特點包括高速數據傳輸、多領域應用支持、多産品組合、可靠性保障等。
LPDDR4X内存芯片爲第四代超低功耗雙倍速率同步動态随機存儲器, 采用了LVSTL的低功耗接口及多項降低功耗的設計。在高速傳輸上，LPDDR4X内存芯片相較于第三代有着更優越出色的低耗表現，服務于性能(néng)更高、功耗更低的移動設備。參數方面(miàn)，長(cháng)鑫存儲LPDDR4X内存芯片有2GB和4GB兩(liǎng)種(zhǒng)容量，3733Mbps速率，工作電壓1.8V/1.1V/0.6V，工作溫度-30 °C ~ 85 °C，采用200ball FBGA封裝。
DDR4模組是第四代高速模組，相較于DDR3模組，性能(néng)和帶寬顯著提升，最高速率可達3200Mbps。長(cháng)鑫存儲表示，DDR4模組由其自主開(kāi)發(fā)設計、原廠内存顆粒，是目前内存市場主流産品，可服務于個人電腦和服務器等傳統市場，以及人工智能(néng)和物聯網等新興市場。參數方面(miàn)，DDR4模組容量8GB，2666 Mbps速率，工作電壓1.2V，工作溫度0 °C ~ 95 °C，260-pin SODIMM、288-pin SODIMM兩(liǎng)種(zhǒng)封裝規格。
官網信息顯示，長(cháng)鑫存儲上述産品已接受技術咨詢和銷售咨詢。
2016年5月，總投資約1500億元的長(cháng)鑫存儲内存芯片自主制造項目啓動建設，曆經(jīng)3年多時間，2019年9月長(cháng)鑫存儲正式宣布投産，與國(guó)際主流DRAM産品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計産能(néng)每月12萬片晶圓。