20日在安徽合肥召開(kāi)的2019世界制造業大會上，總投資約1500億元的長(cháng)鑫存儲内存芯片自主制造項目宣布投産，其與國(guó)際主流DRAM産品同步的10納米級第一代8Gb DDR4首度亮相，一期設計産能(néng)每月12萬片晶圓。
該項目以打造設計和制造一體化的内存芯片國(guó)産化制造基地爲目标，2016年5月由合肥市政府旗下投資平台合肥産投與細分存儲器國(guó)産領軍企業兆易創新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業項目。目前，項目已通過(guò)層層評審，并獲得工信部旗下檢測機構中國(guó)電子技術标準化研究院的量産良率檢測報告。
國(guó)家重大專項01專項專家組組長(cháng)、清華大學(xué)微電子所所長(cháng)魏少軍，國(guó)家重大專項01專項專家組專家、中國(guó)科學(xué)技術大學(xué)特聘教授陳軍甯等業内權威專家表示，這(zhè)标志我國(guó)在内存芯片領域實現量産技術突破，擁有了這(zhè)一關鍵戰略性元器件的自主産能(néng)。
DRAM即動态随機存取存儲器，是芯片産業中産值占比最大的單一品類。2018年，中國(guó)芯片進(jìn)口額超過(guò)3000億美元，這(zhè)個單一品類就占到了其中的兩(liǎng)成(chéng)以上。其作爲最常見的内存芯片，被喻爲連接中央處理器的“數據高速公路”，廣泛應用于高性能(néng)計算、工業設備、消費電子等電子産品之中。
據魏少軍等專家介紹，我國(guó)雖是該芯片的最大應用市場，此前卻始終未能(néng)出現實現量産的國(guó)産項目，沒(méi)有掌握自主産能(néng)。
長(cháng)鑫存儲投産的産品是現在全球市場上的主流産品。“投産的8Gb DDR4通過(guò)了多個國(guó)内外大客戶的驗證，今年底正式交付，另有一款供移動終端使用的低功耗産品也即將(jiāng)投産。”大會現場，長(cháng)鑫存儲董事(shì)長(cháng)兼首席執行官朱一明手持一顆指甲蓋大小的芯片說。