近年來，随着國(guó)内積極發(fā)展集成(chéng)電路産業以及市場需求提升，各地出現了不少晶圓生産線擴産項目及新項目，以下將(jiāng)盤點目前國(guó)内各地在建晶圓生産線項目情況——
北京
燕東微電子8英寸集成(chéng)電路研發(fā)産業化及封測平台建設項目（8英寸）
項目單位：北京燕東微電子科技有限公司
項目内容：燕東微電子8英寸集成(chéng)電路研發(fā)産業化及封測平台建設項目總投資48億元，以研發(fā)自主可控的8英寸LCD驅動IC、LDMOS、IGBT等産品爲主要目标，建成(chéng)後(hòu)將(jiāng)形成(chéng)月産5萬片晶圓芯片、年封裝超過(guò)23億隻集成(chéng)電路産品的産業化能(néng)力。
項目進(jìn)展：2016年9月，燕東微電子正式啓動8英寸集成(chéng)電路研發(fā)産業化及封測平台建設項目；2018年6月，該項目主體結構FAB1廠房封頂；2019年6月25日，該項目迎來首台設備搬入。
賽萊克斯北京8英寸MEMS國(guó)際代工線建設項目（8英寸）
項目單位：賽萊克斯微系統科技(北京)有限公司
項目内容：賽萊克斯北京8英寸MEMS國(guó)際代工線建設項目總投資近26億元，建設内容包括一座8英寸晶圓生産廠房以及研發(fā)樓，此外還(hái)將(jiāng)建設動力廠房、化學(xué)品庫、危險品庫、矽烷站等配套設施。該項目主要開(kāi)展8英寸MEMS半導體晶圓加工工藝，項目最終達産後(hòu)將(jiāng)形成(chéng)年投片3萬片/月的生産能(néng)力。
項目進(jìn)展：2018年11月，賽萊克斯北京8英寸MEMS國(guó)際代工線建設項目進(jìn)行主廠房上梁，有望在2019年12月建成(chéng)通線，進(jìn)行産品試生産。
無錫
華虹無錫集成(chéng)電路研發(fā)和制造基地（一期）（12英寸）
項目單位：華虹半導體（無錫）有限公司
項目内容：華虹無錫集成(chéng)電路研發(fā)和制造基地項目占地約700畝，總投資100億美元，一期項目總投資約25億美元，新建一條工藝等級90～65納米、月産能(néng)約4萬片的12英寸特色工藝集成(chéng)電路生産線，支持5G和物聯網等新興領域的應用。華虹無錫基地項目將(jiāng)分期建設數條12英寸集成(chéng)電路生産線，首期項目實施後(hòu)將(jiāng)适時啓動第二條生産線建設。
項目進(jìn)展：華虹無錫集成(chéng)電路研發(fā)和制造基地項目（一期）于2018年3月2日正式啓動建設，2019年6月6日實現首批光刻機搬入，預計將(jiāng)于2019年9月建成(chéng)投片。
海辰半導體新建8英寸非存儲晶圓廠房項目（8英寸）
項目單位：海辰半導體（無錫）有限公司
項目内容：海辰半導體是由SK海力士旗下晶圓代工廠SK海力士System IC公司與無錫産業發(fā)展集團有限公司合資建立，主要由SK海力士System IC提供8英寸晶圓生産設備等有形與無形資産，無錫産業集團則主要提供廠房、用水等必要基礎設施，規劃月産能(néng)爲10萬片8英寸晶圓。
項目進(jìn)展：海辰半導體新建8英寸非存儲晶圓廠房項目于2018年5月23日開(kāi)工，2019年2月28日廠房封頂。
淮安
德淮半導體年産24萬片12英寸集成(chéng)電路芯片生産線項目（12英寸）
項目單位：德淮半導體有限公司
項目内容：德淮半導體有限公司成(chéng)立于2016年1月，總投資450億元，項目首期預計投入120億元，爲年産24萬片的12英寸晶圓廠，占地257畝，是第一家專注于CMOS影像傳感器（CMOS Image Sensor，CIS）的半導體公司。
項目進(jìn)展：2018年12月，報道(dào)稱德淮半導體項目一期廠房工程順利通過(guò)消防驗收；今年3月，淮安日報報道(dào)稱德淮半導體項目處于設備進(jìn)場調試階段。
江蘇時代芯存相變存儲器項目（12英寸）
項目單位：江蘇時代芯存半導體有限公司
項目内容：江蘇時代芯存相變存儲器項目總投資130億元，一期投資43億元，占地276畝。全面(miàn)建成(chéng)後(hòu)將(jiāng)達到年産10萬片12英寸相變存儲器的産能(néng)，預計年可實現銷售45億元，利稅3億元。
項目進(jìn)展：江蘇時代芯存相變存儲器項目于2017年3月動工，2017年11月主廠房封頂，2018年3月工廠竣工運營；今年3月，淮安日報報道(dào)稱該項目部分産品的前端工藝已在代工方投片，今年第三季度將(jiāng)正式下線。
中璟航天半導體全産業鏈項目（8英寸）
項目單位：江蘇中璟航天半導體實業發(fā)展有限公司
項目内容：中璟航天半導體全産業鏈項目總投資120億元，占地703畝。其中將(jiāng)建設2條年産24萬片8英寸CMOS圖像傳感器晶圓廠，總投資60億元，占地203畝，廠房面(miàn)積爲13.71萬平方米，其中最大單體廠房面(miàn)積爲3.96萬平方米，同時設立CMOS圖像傳感器設計公司以及相關封裝測試廠和模組廠。
項目進(jìn)展：中璟航天半導體全産業鏈項目于2017年12月10日正式開(kāi)工奠基，目前正在建設第一條生産線。
武漢
長(cháng)江存儲國(guó)家存儲器基地項目（12英寸）
項目單位：長(cháng)江存儲科技有限責任公司
項目内容：長(cháng)江存儲國(guó)家存儲器基地項目位于武漢東湖高新區的武漢未來科技城，項目總投資240億美元，占地面(miàn)積1968畝，將(jiāng)建設3座全球單座潔淨面(miàn)積最大的3D NAND Flash 生産廠房，其核心生産廠房和設備每平方米的投資強度超過(guò)3萬美元。該項目將(jiāng)分三期建設，其中一期項目産能(néng)規劃爲10萬片/月，整個項目完成(chéng)後(hòu)總産能(néng)將(jiāng)達到30萬片/月，年産值將(jiāng)超過(guò)100億美元。
項目進(jìn)展：長(cháng)江存儲國(guó)家存儲器基地項目（一期）于2016年12月30日正式開(kāi)工建設，2017年9月一号生産及動力廠房，2018年4月生産機台正式進(jìn)場安裝，32層3D NAND閃存芯片已研發(fā)成(chéng)功，預計將(jiāng)于今年年底量産64層3D NAND閃存芯片。
武漢弘芯半導體制造項目（12英寸）
項目單位：武漢弘芯半導體制造有限公司
項目内容：武漢弘芯半導體制造有限公司是目前全國(guó)半導體邏輯制程單廠中投資規?模最大，技術水平最先進(jìn)的12英寸晶圓片生産基地。其中項目一期設計月産能(néng)4.5?萬片，預計2019年底投産；二期采用最新的制程工藝技術，設計月産能(néng)4.5萬?片，預計2021年第四季度投産。?
項目進(jìn)展：媒體報道(dào)稱，弘芯半導體項目一期、二期相繼于2018年4月、2018年9月開(kāi)工；2019年7月4日，武漢弘芯半導體制造項目103廠房主體結構封頂。
上海
積塔半導體特色工藝生産線項目（8英寸&12英寸）
項目單位：上海積塔半導體有限公司
項目内容：積塔半導體特色工藝生産線項目占地面(miàn)積23萬平方米，項目總投資359億元，目标是建設月産能(néng)6萬片的8英寸生産線和5萬片12英寸特色工藝生産線。産品重點面(miàn)向(xiàng)工控、汽車、電力、能(néng)源等領域，將(jiāng)顯著提升中國(guó)功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競争力和規模化生産能(néng)力。
項目進(jìn)展：積塔半導體特色工藝生産線項目于2018年8月正式開(kāi)工，2019年5月21日該項目廠房結構封頂，力争今年年底前完成(chéng)設備搬入。
天津
中芯國(guó)際天津産能(néng)擴充項目（8英寸）
項目單位：中芯國(guó)際集成(chéng)電路制造（天津）有限公司
項目内容：中芯國(guó)際天津産能(néng)擴充項目是對(duì)中芯國(guó)際天津晶圓廠原有産能(néng)4.5萬/月産能(néng)的8英寸集成(chéng)電路生産線進(jìn)行産能(néng)擴充，該擴建項目預計投資金額15億美元，項目全部達産後(hòu)，中芯天津8英寸晶圓月産能(néng)將(jiāng)達15萬片，産品主要應用方向(xiàng)包括物聯網相關、指紋識别、電源管理、數模信号處理、汽車電子等。
項目進(jìn)展：2016年10月，中芯國(guó)際正式啓動中芯天津産能(néng)擴充項目；2017年7月，該産能(néng)擴充項目中體量最大的單體項目T1B主生産廠房正式破土動工；2018年4年，T1B主生産廠房正式封頂，2018年7月首台設備進(jìn)駐。
南京
紫光南京集成(chéng)電路基地項目一期（12英寸）
項目單位：南京紫光存儲科技有限公司
項目内容：南京紫光存儲器生産線項目將(jiāng)分爲一期、二期、三期三個建設階段，本項目建設階段爲一期，是紫光集團的第2條存儲芯片生産線。本項目將(jiāng)建成(chéng)12英寸（3D NAND）存儲器生産線，并開(kāi)展存儲器及關聯産品（模塊、解決方案的研發(fā)、制造和銷售），設計産能(néng)爲10萬片/月。
項目進(jìn)展：紫光南京集成(chéng)電路基地項目一期已于2018年9月30日進(jìn)行樁基工程開(kāi)工，根據規劃，2019年該項目將(jiāng)進(jìn)行主體施工建設。
成(chéng)都(dōu)
紫光成(chéng)都(dōu)集成(chéng)電路基地項目（一期）（12英寸）
項目單位：成(chéng)都(dōu)紫光國(guó)芯存儲科技有限公司
項目内容：紫光成(chéng)都(dōu)集成(chéng)電路基地項目（一期）總投資702.31億元，主要新建1條12英寸晶圓代工生産線，主要從事(shì)12英寸存儲器芯片3D NAND生産，本項目建成(chéng)後(hòu)，將(jiāng)形成(chéng)年産12英寸存儲器芯片（3D NAND Flash儲存器芯片）120萬片的生産能(néng)力。
項目進(jìn)展：紫光成(chéng)都(dōu)集成(chéng)電路基地項目（一期）于2018年10月正式開(kāi)工建設。
青島
芯恩（青島）集成(chéng)電路項目（8英寸&12英寸）
項目單位：芯恩（青島）集成(chéng)電路有限公司
項目内容：芯恩（青島）集成(chéng)電路項目是中國(guó)首個協同式集成(chéng)電路制造(CIDM)項目，總投資約150億元，該項目建成(chéng)後(hòu)可實現8英寸芯片、12英寸芯片、光掩膜版等集成(chéng)電路産品的量産。其中一期總投資約81億元，將(jiāng)新建8英寸集成(chéng)電路生産線1條、12英寸集成(chéng)電路生産線1條、光掩膜版生産線1條，規劃年産8英寸芯片36萬片、12英寸芯片3.6萬片、光掩膜版1.2萬片。
項目進(jìn)展：2018年5月，芯恩（青島）集成(chéng)電路項目一期正式開(kāi)工，項目計劃2019年底一期整線投産、2022年滿産。
重慶
重慶萬國(guó)半導體12英寸功率半導體芯片制造及封裝測試生産基地項目（12英寸）
項目單位：重慶萬國(guó)半導體科技有限公司
項目内容：重慶萬國(guó)半導體項目于2016年由美國(guó)AOS、重慶戰略性新興産業股權投資基金和重慶兩(liǎng)江新區戰略性新興産業股權投資基金共同出資組建。該項目一期投資5億美元，主要建設規模爲月産2萬片12英寸功率半導體芯片、月産500KK功率半導體芯片封裝測試。二期計劃投資5億美元，建設月産5萬片12英寸功率半導體芯片、月産1250KK功率半導體芯片封裝測試。
項目進(jìn)展：重慶萬國(guó)半導體項目于2017年2月動工建設，其中封測廠于2018年1月開(kāi)始搬入設備并裝機，晶圓廠于2018年3月開(kāi)始搬入設備并裝機，項目現已進(jìn)入試生産。
廣州
粵芯半導體12英寸集成(chéng)電路生産線項目（12英寸）
項目單位：廣州粵芯半導體技術有限公司
項目内容：粵芯半導體項目投資70億元，新建廠房及配套設施共占地14萬平方米。建成(chéng)達産後(hòu)，粵芯半導體將(jiāng)實現月産40000片12英寸晶圓的生産能(néng)力，産品包括微處理器、電源管理芯片、模拟芯片、功率分立器件等，滿足物聯網、汽車電子、人工智能(néng)、5G等創新應用的模拟芯片需求。
項目進(jìn)展：粵芯半導體項目于2018年3月開(kāi)始打樁，2018年10月完成(chéng)主廠封頂，目前粵芯半導體第一階段的生産線調試已完成(chéng)，首批樣品已出貨，按計劃將(jiāng)于9月量産。
廈門
士蘭微廈門12英寸芯片生産線暨先進(jìn)化合物半導體生産線（12英寸）
項目單位：廈門士蘭集科微電子有限公司
項目内容：士蘭微與廈門半導體投資集團有限公司共同投資220億元人民币，在廈門規劃建設兩(liǎng)條12英寸90～65nm的特色工藝芯片生産線和一條4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導體器件生産線。其中兩(liǎng)條12英寸特色工藝芯片生産線總投資170億元，第一條總投資70億元，規劃産能(néng)8萬片/月，分兩(liǎng)期實施；第二條芯片制造生産線預計總投資100億元。
項目進(jìn)展：該項目于2018年10月正式開(kāi)工建設，半化合物半導體芯片及12英寸特色工藝半導體芯片制造生産線分别計劃在今年第四季度和明年試投産。
甯波
中芯國(guó)際8英寸特種(zhǒng)工藝産線項目（8英寸）
項目單位：中芯集成(chéng)電路（甯波）有限公司
項目内容：中芯國(guó)際8英寸特種(zhǒng)工藝産線項目總投資額約55億元人民币，規劃用地約192畝，目前有N1（小港）與N2（柴橋）兩(liǎng)個項目，將(jiāng)建成(chéng)中國(guó)最大的模拟半導體特種(zhǒng)工藝的研發(fā)、制造産業基地，采用專業化晶圓代工與定制産品代工相結合的新型商業模式，并提供相關産品設計服務平台。
項目進(jìn)展：中芯集成(chéng)電路（甯波）有限公司正式揭牌于2016年11月正式揭牌成(chéng)立，2018年11月中芯甯波N1項目正式投産，N2項目也已開(kāi)工建設。
紹興
中芯集成(chéng)電路制造（紹興）項目（8英寸）
項目單位：中芯集成(chéng)電路制造（紹興）有限公司
項目内容：中芯集成(chéng)電路制造（紹興）項目總投資58.8億元，用地207.6畝，新建14.65萬平米的廠房，建設一條集成(chéng)電路8寸芯片制造生産線和一條模組封裝生産線，一期規劃建設總用地面(miàn)積138386平方米，建成(chéng)達産後(hòu)將(jiāng)形成(chéng)芯片年出貨51萬片和模組年出貨19.95億顆的産業規模，規模化量産麥克風、慣性、射頻、MOSFET以及IGBT等産品的芯片和模組。
項目進(jìn)展：2018年5月18日，中芯集成(chéng)電路制造（紹興）項目正式開(kāi)工奠基，主體工程今年6月已結頂，媒體報道(dào)稱將(jiāng)于明年3月實現主要産品量産。
濟南
富能(néng)高功率芯片生産項目（8英寸&6英寸）
項目單位：濟南富能(néng)半導體有限公司
項目内容：富能(néng)高功率芯片生産項目將(jiāng)建設8英寸晶圓廠功率半導體器件（主要生産MOSFET、CoolMos、IGBT器件）和6英寸晶圓廠碳化矽器件的研發(fā)、生産基地，項目一期用地317.92畝，建築面(miàn)積約24.5萬平方米，投資50.53億元。
項目進(jìn)展：今年3月15日，富能(néng)半導體高功率器件項目開(kāi)工。
合肥
長(cháng)鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目（300mm）
項目單位：合肥長(cháng)鑫集成(chéng)電路有限責任公司
項目内容：長(cháng)鑫12吋存儲器研發(fā)項目總占地1582畝，總投資約80億美元（約550億元），規劃月産12.5萬片DRAM存儲器晶圓。項目采取一次規劃、分三期實施，首期計劃投資約180億元，建設12吋存儲器研發(fā)線。
項目進(jìn)展：合肥長(cháng)鑫項目一期已于2018年1月完成(chéng)建設一廠并開(kāi)始安裝設備，2018年7月16日項目投片。按照規劃，該項目將(jiāng)于2019年末實現産能(néng)每月2萬片。
大連
宇宙半導體8英寸功率半導體器件生産線項目（8英寸）
項目單位：大連宇宙半導體有限公司
項目内容：宇宙半導體8英寸功率半導體器件生産線項目投資24億元，計劃年産24萬片8英寸功率半導體器件芯片，産品主要應用于新能(néng)源發(fā)電、儲能(néng)、超級計算機、雲計算網絡、服務器、個人電腦、UPS電源、物聯網等領域。
項目進(jìn)展：該項目于2016年9月開(kāi)工，2017年3月進(jìn)入土地夯實平整階段，暫未搜索到更多信息。
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