由于NAND Flash價格去年大跌，導緻三星、SK海力士、東芝及西數、美光及英特爾等四大陣營在去年底減少晶圓産出，下修今年資本支出并推遲96層3D NAND擴産計劃，的确讓第一季NAND Flash價格出現緩跌情況。不過(guò)，随着上遊原廠96層3D NAND新産能(néng)將(jiāng)在第二季後(hòu)開(kāi)出，加上三星、美光、東芝等新廠在下半年量産，業界預估供給過(guò)剩及跌價壓力仍在。
去年上半年因爲64層及72層3D TLC NAND産能(néng)開(kāi)出，且單顆NAND Flash容量上看256Gb/512Gb，與2D NAND制程的單顆NAND Flash容量僅128Gb/256Gb相較幾乎翻倍，也因此，去年NAND Flash價格一路走跌，去年底每GB價格跌破0.1美元并創下新低紀錄，NAND Flash廠也面(miàn)臨營業利益明顯縮水壓力。
爲了減緩NAND Flash跌價走勢，包括三星、美光等上遊原廠在去年底減少晶圓産出，并下修今年資本支出及推遲96層3D NAND新産能(néng)開(kāi)出速度。但因蘋果iPhone銷售不佳，智能(néng)型手機生産鏈進(jìn)入庫存調整，需求端明顯進(jìn)入衰退，讓上遊原廠減少供給的意圖大打折扣，第一季NAND Flash價格續跌，隻是跌幅略有縮小。
市場雖然預期智能(néng)型手機生産鏈第二季庫存去化完成(chéng)後(hòu)將(jiāng)重啓NAND Flash采購，且供給端并無新産能(néng)開(kāi)出，價格應可持穩，但因各家NAND Flash上遊原廠將(jiāng)在第二季開(kāi)出96層3D NAND新産能(néng)，且下半年後(hòu)新廠也將(jiāng)加入量産，模組業者對(duì)NAND Flash價格看法仍然保守，預期跌價情況恐會持續到今年中。
據業界消息，各家NAND Flash原廠的新廠將(jiāng)在下半年後(hòu)進(jìn)入量産階段，其中規模最大的是三星的西安廠第二期，第三季將(jiāng)量産512Gb容量96層3D NAND。美光Fab 10第三期預期會在今年第四季進(jìn)入量産，投産産品以512Gb容量96層3D NAND爲主。至于東芝及西數合資的Fab7將(jiāng)在會下半年完工，明年第一季512Gb容量96層3D NAND會開(kāi)始進(jìn)入量産階段。
集邦科技DRAMexchange指出，今年第一季NAND Flash市場均價季度跌幅可能(néng)達20%，第二季報價可能(néng)將(jiāng)續跌將(jiāng)近15%，下半年有旺季需求挹注，跌幅可望略微收斂。