标簽：SK海力士

集邦咨詢DRAMeXchange研究副總經(jīng)理：郭祚榮

供給端方面(miàn)，郭祚榮分析認爲全球2020年内存市場的年成(chéng)長(cháng)預估僅爲12.2%，這(zhè)個數字在年成(chéng)長(cháng)動辄25%、甚至40%-50%的傳統内存産業是非常低的。三星、SK海力士、美光等内存廠商明年獲利爲主要目标，資本支出也會減少。

具體而言，在标準型内存、服務器内存、行動式内存、繪圖用内存、利基型内存這(zhè)5大類産品中，明年份額比重最大的是行動式内存，占比約39.7%，主要因爲智能(néng)手機本身需求量大，加上明年5G的興起(qǐ)將(jiāng)帶來強勁的換機潮；其次爲服務器内存、占比約爲34.9%，郭祚榮指出，服務器内存的份額比重每年逐步上升，未來3-5年服務器内存的份額比重可能(néng)會超過(guò)行動式内存，成(chéng)爲全部内存産品份額比重最高的産品。

其他産品類别的份額比重情況，PC方面(miàn)（标準型内存）在逐年下降，雖然遊戲電腦的需求在提升，但占比不高；繪圖用内存目前需求還(hái)可以，預估明年狀況會很好(hǎo)；利基型内存方面(miàn)，每年的增長(cháng)大概是7%-8%。

至于投片情況，郭祚榮指出今年第四季度全球内存廠晶圓投片量預估爲1200多K，明年第四季度預計是1300多K，從投片角度看，明年的成(chéng)長(cháng)隻有5%左右，這(zhè)其實并不高，與明年的供給成(chéng)長(cháng)隻有12.2%相呼應。

其中，三星明年第四季度投片量與今年第四季度投片量相比，成(chéng)長(cháng)隻有大概30K（即3萬片左右），以三星的整體規模看相當于幾乎沒(méi)有新産能(néng)産出；SK海力士的投片量是不增反減，今年第一季度350K、到明年第四季度隻有340K；美光方面(miàn)，今年第四季度和明年第四季度相比，投片量相差不多。

雖然投片量沒(méi)有顯著增加，但爲何明年供給端仍有12.2%的年成(chéng)長(cháng)？郭祚榮表示這(zhè)是因爲制程上的提升增加了顆粒的産出量。明年三星、SK海力士、美光等全球三大廠商的産出量仍有成(chéng)長(cháng)，三星預估成(chéng)長(cháng)12.6%，SK海力士由于今年轉1Ynm不順、把量轉到明年，因此明年預估有14.1%的成(chéng)長(cháng)，美光預估成(chéng)長(cháng)10.3%。

制程轉進(jìn)方面(miàn)，三星大部分供應已集中在1Xnm，1Ynm也有17%，明年三星將(jiāng)繼續轉1Ynm，1Xnm則會繼續減少。目前，三星也有在做1Znm産品，但還(hái)是會先轉1Ynm，1Znm的轉進(jìn)會視後(hòu)面(miàn)市場情況決定。

郭祚榮認爲，制程最先進(jìn)的是三星、SK海力士次之、美光第三。但據其了解到的新信息，美光的1Znm制程工藝十分先進(jìn)，甚至可跟三星齊頭并進(jìn)，有可能(néng)在明年或者後(hòu)年、在1Znm變成(chéng)規模較大時，可能(néng)是美光制程工藝的反轉點。

再看需求端，郭祚榮分析認爲，明年全球内存需求端仍出現微幅衰退，其中筆記本將(jiāng)衰退0.6%、PC將(jiāng)衰退0.7%；服務器和智能(néng)手機是明年唯二呈現成(chéng)長(cháng)趨勢的産品類别，其中服務器這(zhè)幾年都(dōu)在上升，明年將(jiāng)成(chéng)長(cháng)3.8%；智能(néng)手機今年是負4%，明年預計爲0.1%。

具體而言，全球2020年内存需求達17.5%，其中智能(néng)手機和服務器的需求比重最大，無論是今年或是明年，兩(liǎng)者需求比重總和都(dōu)占據了總需求七成(chéng)左右份額，其他如PC比重將(jiāng)越來越低，利基市場大概每年維持差不多的比重。

根據全球内存供需狀況分析，2020年Demand bit Growth預計增長(cháng)17.6%、Supply Bit Growth預計增長(cháng)12.2%，Sufficiency ratio則有0.5%的增長(cháng)，價格有可能(néng)會反轉；今年價格跌了將(jiāng)近50%-60%，這(zhè)是因爲目前供過(guò)于求將(jiāng)近5.4%，對(duì)市場來講是十分嚴峻的。

以PC DRAM DDR4 8GB産品爲例，今年年初價格爲50元，到今年年底預計價格隻剩24元，價格下跌近一半。郭祚榮認爲，明年第一季度内存價格呈現小跌的可能(néng)性較高，但這(zhè)并不影響明年下半年的價格趨勢，畢竟供給真的有所減少，其預估内存價格在明年第二季度會開(kāi)始反彈，一直延續到年底，但明年全年可能(néng)也隻漲20%-30%。

具體到各類别産品，郭祚榮預估明年漲幅最高的内存産品應該是PC DRAM和Graphic DRAM，其次是服務器内存；移動設備方面(miàn)，相對(duì)其他的産品要平穩一些，是5大類别産品裡(lǐ)面(miàn)漲幅最小的，另外一個漲幅較小的是利基型産品。

整體而言，郭祚榮預估全部産品的利潤明年至少有20%的上漲、甚至可能(néng)有機會達到30%，但最重要的還(hái)是取決于市場需求狀況。對(duì)于價格，郭祚榮的結論是，明年價格會上漲，最快第二季度可以看到，但不會漲得非常兇或者非常高，將(jiāng)呈現緩漲趨勢。

集邦咨詢于2019年11月27日成(chéng)功舉辦2020存儲産業趨勢峰會（MTS 2020），在此特别感謝金邦科技、芝奇國(guó)際、宏旺半導體、時創意電子、金泰克半導體、紫光存儲、廈門銀行等企業對(duì)本次會議的大力支持。

PS：本次峰會集邦咨詢分析師演講講義現已對(duì)外分享，如有需要請關注“全球半導體觀察”微信公衆号并回複分析師名字即可領取，如“葉茂盛”、“郭祚榮”。同時，歡迎識别下方二維碼或在微信公衆号回複”峰會”觀看峰會完整視頻回放。

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比爾·蓋茨(Bill Gates)在1999年出版的《未來時速》（Business @ the Speed of Thought）一書中描繪了一種(zhǒng)“數字神經(jīng)系統(Digital Nervous System)”，并把它比作爲一個跨越時空界限的互聯世界。基于“數字神經(jīng)系統”這(zhè)一必要條件，他又提出了如何以思維速度（Speed of Thoughts）經(jīng)營企業的想法。這(zhè)在當時看來似乎是不可能(néng)的事(shì)，但如今科技的快速進(jìn)步已經(jīng)讓這(zhè)個預言成(chéng)爲可能(néng)。超高速存儲器半導體的時代已經(jīng)來臨，IT技術正向(xiàng)人類大腦的思考速度發(fā)起(qǐ)挑戰。

TSV技術：解鎖HBM無可比拟的“容量和速度”

各大制造商已經(jīng)紛紛引進(jìn)了高帶寬存儲器 (High Bandwidth Memory, 簡稱HBM），采用矽通孔（Through Silicon Via, 簡稱TSV）技術進(jìn)行芯片堆疊，以增加吞吐量并克服單一封裝内帶寬(Bandwidth)的限制。在這(zhè)一趨勢下，SK海力士早在2013年便率先開(kāi)始了HBM的研發(fā)，以嘗試提高容量和數據傳輸速率。SK海力士現已充分發(fā)揮了最新HBM2E的潛能(néng)，通過(guò)TSV將(jiāng)8個16Gb芯片縱向(xiàng)連接，從而實現了16GB傳輸速率。

TSV由一個電路芯片和一個“Interposer”（即位于電路闆和芯片之間的功能(néng)包）上方的多層DRAM組成(chéng)。簡單來說，TSV可以比喻成(chéng)一幢公寓式建築結構，建築地基（Interposer）上方是社區活動中心（邏輯芯片），再往上是層層疊加的公寓房間（DRAM）。與傳統方法不同，TSV技術就好(hǎo)比在芯片上鑽孔，然後(hòu)一個一個地堆疊起(qǐ)來。作爲一種(zhǒng)封裝技術，它通過(guò)這(zhè)些孔内的導電電極連接芯片，由此數據可以垂直移動，仿佛安裝了一台數據電梯。與傳統的采用金線鍵合技術生産的芯片相比，這(zhè)種(zhǒng)技術連接更短，因而信号路徑更短，具有更低功耗的高速性能(néng)。另外，與傳統方法相比，穿透芯片可以在芯片之間形成(chéng)更多通道(dào)。

從HBM到HBM2E的進(jìn)化

相比依賴于有線處理的DRAM封裝技術，HBM在數據處理速度方面(miàn)顯示出了高度的改良。不同于金線縫合的方式，通過(guò)TSV技術，HBM可將(jiāng)超過(guò)5,000個孔鑽入相互縱向(xiàng)連接的DRAM芯片中。在這(zhè)樣一個快速崛起(qǐ)的行業趨勢下，SK海力士于2019年8月開(kāi)發(fā)出了具有超高速性能(néng)的HBM2E。這(zhè)是目前行業中擁有最高性能(néng)的一項技術。與之前的HBM2标準對(duì)比，HBM2E將(jiāng)提高50%的數據處理速度。由于這(zhè)一高度改良，它將(jiāng)成(chéng)爲新一代HBM DRAM産品。

不同于傳統結構采用模塊形式封裝存儲芯片并在系統闆上進(jìn)行連接，HBM芯片與芯片與圖像處理器(Graphics Processing Unit, 簡稱GPU)和邏輯芯片等處理器緊密地相互連接。在這(zhè)樣一個僅有幾微米單元的距離下，數據可被更快地進(jìn)行傳輸。這(zhè)種(zhǒng)全新的結構在芯片之間創造了更短的路徑，從而更進(jìn)一步加快了數據處理速度。

随着數據不斷增加，對(duì)于高性能(néng)存儲器的需求將(jiāng)在第四次工業革命中持續增長(cháng)。HBM已經(jīng)在GPU中被使用。HBM2E或將(jiāng)成(chéng)爲包括新一代GPU、高性能(néng)計算機處理、雲計算、計算機網絡、以及超級計算機在内等高性能(néng)裝置中的一種(zhǒng)高端存儲器半導體，以滿足這(zhè)些裝置對(duì)于超高速運作這(zhè)一特性的要求。除此之外，HBM2E也將(jiāng)在一些高科技行業中扮演重要角色，例如機器學(xué)習和AI系統等。另外，随着遊戲産業中對(duì)圖形應用的日益擴大，HBM技術的采用也相應增加，以此可以處理大屏幕下更多像素的需求。通過(guò)更高的計算機處理速度，HBM也爲高端遊戲提供了更好(hǎo)的穩定性。

10月24日 – SK海力士今日宣布截止2019年9月30日的2019年第三季度财務報告。第三季度結合并收入爲6.84萬億韓元，營業利潤爲4726億韓元，淨利潤爲4955億韓元。本季度的營業利潤率爲7%，淨利潤率爲7%。

第三季度，由于出現恢複需求的動向(xiàng)，收入環比增長(cháng)6%，但在收益性方面(miàn)，盡管DRAM的單位成(chéng)本降低，但市場價格下降幅度卻沒(méi)有完全抵消，營業利潤環比下降26%。

對(duì)于DRAM，公司積極響應移動新産品，并随着一些數據中心客戶的購買量也所增加，DRAM比特出貨量(bit shipments)環比增加23%，但價格持續疲軟，平均銷售價下降了16%。但是，平均銷售價下降幅度比上一季度有所減少。

對(duì)于NAND閃存，公司積極應對(duì)持續需求複蘇的高容量移動和SSD等解決方案市場，但由于公司減少上一季度暫時增加的單品銷售，導緻比特出貨量環比下降1%。但由于減少了價格相對(duì)較低的單品銷售比重，平均銷售價格環比增長(cháng)了4%。

SK海力士計劃，在滿足日益增長(cháng)的客戶要求的同時，并有效應對(duì)外部不确定性引起(qǐ)的需求波動，將(jiāng)根據市場情況靈活調整生産和投資。

SK海力士正在其利川M10廠的一部分生産線轉換爲批量生産CMOS圖像傳感器(CIS)的生産線，同時減少2D NAND閃存的生産量。結果，于去年相比，明年的DRAM和NAND閃存的生産容量預計將(jiāng)減少。于今年相比，明年的投資額也將(jiāng)相當減少。

另外，SK海力士計劃，持續開(kāi)發(fā)新一代微細工程技術，并通過(guò)擴大高容量附加值産品的銷售來擴展其他産品組合，以在市場改善時實現更大的增長(cháng)。

SK海力士計劃將(jiāng)第二代10納米(1Y)DRAM的生産比重到明年末提高至10%初，并計劃對(duì)最近開(kāi)發(fā)的第三代10納米(1Z)工程的産品進(jìn)行批量生産。此外，該公司計劃積極應對(duì)LPDDR5和HBM2E市場。預計這(zhè)些産品將(jiāng)于明年被客戶積極采用。

公司將(jiāng)把96層4D NAND閃存産品的生産比重到年末擴大到10%中後(hòu)半，并推進(jìn)128層 4D NAND閃存的批量生産和銷售準備。此外，公司重點攻略高配置智能(néng)手機和SSD市場，預計SK海力士的NAND閃存銷售額中SSD所占的比重在第四季度將(jiāng)增加到30%。

SK海力士攸關者表示 :“我們將(jiāng)基于這(zhè)次市場低迷的經(jīng)驗，將(jiāng)把事(shì)業的波動性最小化。同時，加大努力實現可持續成(chéng)長(cháng)。”

■ 2019财年第三季度業績                         

10月21日，SK海力士宣布開(kāi)發(fā)适用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。

這(zhè)款實現了單一芯片标準内業界最大容量的16Gb，在一張晶圓中能(néng)生産的存儲量也是現存的DRAM内最大。于第二代1Y産品相比，該産品的生産效率提高了27%，并且可以在不适用超高價的EUV（極紫外光刻）曝光工藝的情況下進(jìn)行生産，結果具有成(chéng)本競争力。

該款1Z納米 DRAM還(hái)穩定支持最高3200Mbps的數據傳輸速率，這(zhè)是DDR4規格内最高速度。 功耗也顯着提高，與基于第二代8Gb産品的相同容量模組相比，將(jiāng)功耗降低了約40％。

特别是，第三代産品适用前一代生産工藝中從來沒(méi)使用過(guò)的新材料，將(jiāng)DRAM操作的關鍵要素靜電容量（Capacitance）最大化。此外，還(hái)引進(jìn)了新的設計技術，提高了動作穩定性。

DRAM 1Z 開(kāi)發(fā)事(shì)業TF長(cháng) 李廷燻表示：“第三代10納米級DDR4 DRAM擁有業界最高水平的容量和速度, 再加上功耗, 是最适合于購買高性能(néng)/高容量DRAM的客戶需求變化。計劃年内完成(chéng)批量生産，從明年開(kāi)始正式供應， 積極應對(duì)市場需求。”

另一方面(miàn)，SK海力士計劃對(duì)于下一代移動DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多種(zhǒng)應用領域擴大适用第三代10納米級微細工程技術。