标簽：内存

近日，三星官方宣布，公司將(jiāng)量産全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據了解，三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對(duì)未來智能(néng)手機，優化其5G和AI功能(néng)。

此外，三星還(hái)表示，在7月底即將(jiāng)大量生産12Gb的LPDDR5模組，每個模組都(dōu)包含8個12Gb芯片，總計達到96Gb的容量，以滿足高端智能(néng)手機制造商對(duì)更高手機性能(néng)和容量的需求。

三星指出，采用第2代10納米等級制程的新款12Gb LPDDR5 DRAM，傳輸速度可達到5500Mbps，是現有LPDDR 4X速率（4266Mbps）的1.3倍。

三星指出，在本次12Gb LPDDR5 DRAM大量生産之後(hòu)，2020年將(jiāng)量産16Gb的LPDDR5 DRAM顆粒。因此，未來很有可能(néng)會出現16Gb LPDDR5規格的模組。

三星進(jìn)一步指出，憑藉在産業中領先的速度和能(néng)效，三星的新型行動式DRAM可使下一代高端智能(néng)手機充分發(fā)揮5G和AI的功能(néng)，包括高畫質影像的錄制和機器學(xué)習功能(néng)，同時極大化電池的續航力。

日韓貿易戰，引發(fā)存儲器喊漲效應，存儲器景氣是否提早翻多，還(hái)待觀察。

日本對(duì)南韓實施限制三項電子關鍵材料出口，引起(qǐ)後(hòu)續材料恐短缺疑慮，激勵DRAM與NAND Flash現貨價應聲上漲，帶動南亞科、旺宏、華邦電等存儲器族群昨股價帶量上漲，這(zhè)是存儲器史上第一次因貿易戰引發(fā)價格看漲，但存儲器景氣是否提早翻多還(hái)有待觀察。

存儲器模組大廠威剛董事(shì)長(cháng)陳立白表示，日韓貿易戰牽動存儲器價格上漲，這(zhè)種(zhǒng)情況爲史上第一次。1993年間，日本住友化學(xué)曾爆發(fā)環氧樹脂廠爆炸、造成(chéng)封裝材料短缺，意外事(shì)件牽動南韓、日本、美國(guó)與台灣大廠DRAM價格大漲。

至于此次日本對(duì)南韓實施限制三項電子關鍵材料出口，業界傳出，龍頭大廠三星評估對(duì)上遊材料料源還(hái)無法明确掌握，已對(duì)現貨市場停止出貨；美光近兩(liǎng)天也已停止報價。陳立白原預估今年第三季DRAM可望因旺季出現現貨價小漲，明年才可能(néng)大漲，但受到日韓貿易戰沖擊，他昨改口說，「7月提早起(qǐ)漲，8、9月也都(dōu)看漲」。

業界看法分歧

但業界有的持保守看法。因存儲器市況供過(guò)于求，加上三星電子副會長(cháng)李在镕親自赴日協商材料供貨也傳出有解，影響DRAM現貨價昨僅出現小漲，存儲器後(hòu)續漲價效應還(hái)有待觀察。

南亞科總經(jīng)理李培瑛日前也指出，DRAM三大供應商庫存仍偏高，預估第三季逢旺季到來，整體需求會增加，但因消化庫存，合約價格將(jiāng)續跌，不過(guò)跌勢會縮小。對(duì)于日韓貿易戰，李培瑛說，到底會是短期或可能(néng)長(cháng)期紛争還(hái)需觀察，未來幾周是關鍵。一位供應鏈業者表示，上半年因美中貿易大戰，存儲器價格大跌，最近隻能(néng)說止跌，回升還(hái)要看後(hòu)續發(fā)展而定。

旺宏預計7月25日舉行法說會，公布第二季财報與第三季展望。

華邦集團旗下的微控制器大廠新唐科技 24 日公告指出，將(jiāng)由華邦電副總經(jīng)理陳沛銘接替任期已滿的華邦電董事(shì)長(cháng)暨執行長(cháng)焦佑鈞，擔任新唐科技的董事(shì)長(cháng)。

根據華邦電的官網顯示，畢業于成(chéng)功大學(xué)電機系，并且取得美國(guó)底特律大學(xué)電機工程碩士學(xué)位的陳沛銘，曾經(jīng)經(jīng)曆華邦電産品中心二協理，以及銷售中心副總經(jīng)理，目前擔任 DRAM 産品事(shì)業群副總經(jīng)理的職務。

另外，本屆新唐科技新任董事(shì)當選名單，包括焦佑鈞、陳沛銘、盧克修、魏啓林、靳蓉等 5 位董事(shì)，及徐善可、杜書全、洪裕鈞、許介立等 4 位獨立董事(shì)。

英國(guó)蘭開(kāi)斯特大學(xué)研究人員最近宣布，他們和西班牙同行合作開(kāi)發(fā)出一種(zhǒng)新型數據存儲設備，兼具當前内存和閃存兩(liǎng)類設備的優點，并且能(néng)耗超低。

這(zhè)所大學(xué)發(fā)布新聞公報說，新設備屬于通用型存儲器，既可充當供随時讀寫的活動内存，也能(néng)穩定長(cháng)期保存數據。它有助節約能(néng)源，緩解“數字技術能(néng)源危機”，還(hái)可改善電子設備使用體驗，比如電腦可以幾秒鍾内完成(chéng)啓動。

當前用作内存的動态随機存取存儲器（DRAM）讀寫速度快，但有易失性，即突然斷電後(hòu)内容就會消失，即使不斷電也必須每隔幾十毫秒就刷新一次，總能(néng)耗非常高。閃存裡(lǐ)的數據可以長(cháng)期保存，代價是寫入和擦除需要較高電壓，能(néng)耗高、速度慢，且容易損壞。兼具非易失性、低能(néng)耗和高速度的新型存儲器，是當前的研究熱點。

研究人員在新一期英國(guó)《科學(xué)報告》雜志上發(fā)表論文說，新設備采用與閃存類似的浮栅構造，但不像閃存那樣使用金屬氧化物半導體，而是由砷化铟、銻化鋁和銻化镓三種(zhǒng)材料組成(chéng)。其底部是630納米厚的銻化镓，上面(miàn)是多個交錯的銻化鋁和砷化铟薄層，厚度從幾納米到幾十納米不等，呈現“千層餅”一樣的異質結構。

實驗發(fā)現，由于這(zhè)三種(zhǒng)半導體材料的量子力學(xué)特性，新設備能(néng)在低電壓下運作，同時實現非易失性存儲。由于電壓和電容需求都(dōu)很低，該設備的單位面(miàn)積能(néng)耗分别是DRAM和閃存的百分之一和千分之一。此外，它需要進(jìn)行刷新的時間間隔至少比DRAM長(cháng)100萬倍，數據保存期限理論上比宇宙的年齡還(hái)長(cháng)。

随着信息技術發(fā)展，電腦和其他電子設備需要處理的數據越來越多，存儲容量飛速增長(cháng)，存儲器能(néng)耗問題卻對(duì)運行效率和使用體驗構成(chéng)嚴重制約。研究人員說，作爲一種(zhǒng)新型存儲設備，該技術有很大潛力。