近日,中微半導體設備(上海)有限公司董事(shì)長(cháng)兼CEO尹志堯表示,全球半導體設備市場,在2013年到2018年增長(cháng)了兩(liǎng)倍,從318億美金的市場變了621億美金的市場。而我國(guó)的半導體設備市場,2013年規模是34億美元,2018年爲128億美元,增長(cháng)了4倍。中國(guó)半導體設備廠商迎來了新的發(fā)展機遇。
尹志堯認爲人類工業的革命隻有兩(liǎng)代,一是從五六百年英國(guó)開(kāi)始的手工勞動變成(chéng)機械化的工業革命。二是上世紀五六十年代從美國(guó)矽谷開(kāi)始的用電腦替代人腦的工業革命,現在已經(jīng)不僅僅是電腦,而是用各種(zhǒng)各樣的微觀器件代替人的腦子和人的一切感官。
而在這(zhè)個過(guò)程中有三個基本要素:微觀的材料就是化學(xué)薄膜、物理薄膜等。微觀加工即光刻、等離子體刻蝕等。新能(néng)源及節能(néng)包括核能(néng)、太陽能(néng)、LED等。美國(guó)最近有一個預測,到明年數碼時代的産值相當于全世界企業總産值的41%,預計到2035年可能(néng)數碼産業的産值會超過(guò)傳統工業的産值。在這(zhè)樣一個巨大的數碼産業市場裡(lǐ),是被芯片産業支撐的,所以芯片産業非常重要。而在芯片産業中,半導體設備是起(qǐ)了非常核心的作用。在如果建一條生産線,投資設備的百分比是刻蝕設備占20%,最高占到25%,薄膜占15%,最高占到15%,檢測設備最高占到13%。
全球半導體設備市場,在2013年到2018年增長(cháng)了兩(liǎng)倍,從318億美金的市場變了621億美金的市場。而我國(guó)的半導體設備市場,2013年規模是34億美元,2018年爲128億美元,增長(cháng)了4倍。國(guó)内半導體設備和材料的增長(cháng)遠遠高于國(guó)際市場。
最近五年半導體産業發(fā)展呈現了一些新的趨勢也對(duì)設備市場帶來了新的挑戰和機會,比如存儲器件從2D 到3D 結構的轉變使等離子體刻蝕成(chéng)爲最關鍵的加工步驟,3D 閃存器件從64對(duì)到128對(duì)氧化矽/氮化矽層狀結構,需要CVD多層沉積和極深寬比等離子體刻蝕,這(zhè)樣給CVD薄膜設備提供了新的機會,因爲原來是兩(liǎng)維的,光刻完了薄膜刻,3:1:1的次序,現在做非常深孔,現在要刻一個小時,很自然的薄膜市場就會漲得很快。5納米器件總加工步驟是20納米器件加工的2倍,等離子體刻蝕步驟是3倍。
尹志堯對(duì)中國(guó)發(fā)展半導體設備材料的産業發(fā)展提出了五點建議:一是我國(guó)在芯片生産線的投資和在設備和材料的投資嚴重的不對(duì)稱。建議芯片生産線投資,芯片設計、應用公司、設備材料的投資要達到60:20:20 的比例,而不是設備和材料投資不到芯片生産線投資的二十分之一。
二是資金的投入,必須在股本金、長(cháng)期低息貸款和研發(fā)資助上有合理的搭配。目前幾乎全部是股本金的資本結構是很不健康的。最好(hǎo)的搭配是40%股本金,40%低息貸款,20%的研發(fā)資助。國(guó)内公司靠自己的銷售支撐的研發(fā)費用,是很難迎頭趕上的。
三是在我國(guó)的設備和材料公司一定要盡快的合并集中,統一步調,提高管理水平,提高研發(fā)能(néng)力,實現趕超和跨越發(fā)展。
四是集成(chéng)電路和泛半導體産業鏈上的每一個環節和公司都(dōu)要主動地推動本土化的進(jìn)程,制定本土化率的指标,盡快的協助上下遊企業提供本土化的解決方案。
五是願意和國(guó)内設備和材料公司合作的國(guó)際設備材料公司,我們應該采取歡迎的态度,通過(guò)各種(zhǒng)合作方式,包括代理,合作,合資,并購等方式,幫助他們本土化,使他們能(néng)積極參與我國(guó)集成(chéng)電路産業鏈的發(fā)展。