聯電打入三星供應鏈 工藝路線差異化轉型持續取得進(jìn)展

聯電打入三星供應鏈 工藝路線差異化轉型持續取得進(jìn)展

11月19日,業界有消息傳出,聯電獲得了三星LSI的28納米5G智能(néng)手機圖像系統處理器(ISP)大單,明年開(kāi)始進(jìn)入量産。此外,聯電還(hái)將(jiāng)爲韓國(guó)AnaPass代工28納米OLED面(miàn)闆驅動IC,爲韓國(guó)Magnachip代工40納米OLED面(miàn)闆驅動IC及80納米TDDI,這(zhè)兩(liǎng)家公司均是三星OLED面(miàn)闆主要芯片供應商。一系列消息顯示,聯電自2017年啓動的強化成(chéng)熟工藝市場、實現差異化轉型策略正在取得進(jìn)展。未來,聯電的盈利表現將(jiāng)有進(jìn)一步的提升。

市場轉型成(chéng)功,業績向(xiàng)好(hǎo)

日前,有消息稱,聯電已争取到了OLED面(miàn)闆驅動IC、整合觸控功能(néng)面(miàn)闆驅動IC(TDDI)等新訂單,包括爲韓國(guó)AnaPass代工28納米OLED面(miàn)闆驅動IC,爲韓國(guó)Magnachip代工40納米OLED面(miàn)闆驅動IC及80納米TDDI。由于AnaPass及Magnachip是三星OLED面(miàn)闆的主要芯片供應商。這(zhè)意味着聯電打入了三星的供應鏈。

近日又有消息傳出,三星LSI設計專用ISP已在近期完成(chéng)設計定案,并將(jiāng)在明年第一季度交由聯電代工,季度投片量約爲2萬片。随着三星及其芯片供應鏈對(duì)聯電陸續釋放出新的28納米或40納米訂單,聯電8英寸及12英寸産能(néng)利用率將(jiāng)持續提高,明年第一季度有望達滿載水平。

加上聯電10月1日完成(chéng)了對(duì)日本三重富士通半導體的12英寸晶圓廠的100%并購,讓聯電在晶圓代工市場占有率突破10%,重回全球第二大廠寶座。淡季不淡,一系列亮眼的業績表明,聯電此前開(kāi)啓的市場轉型策略正在取得成(chéng)效。

2017年7 月,聯電開(kāi)始采用共同總經(jīng)理制,新接任的王石和簡山傑進(jìn)行了重大市場策略調整,逐漸淡出先進(jìn)制程的較量,轉向(xiàng)發(fā)揮在主流邏輯和特殊制程技術方面(miàn)的優勢,強化對(duì)成(chéng)熟及差異化工藝市場的開(kāi)發(fā)。上述情況顯示,聯電專注于成(chéng)熟及差異化工藝的市場策略正在取得成(chéng)功。這(zhè)對(duì)下季度及明年的營收獲利將(jiāng)有正面(miàn)效益。

根據三季度财報,聯電對(duì)第四季度業績展望樂觀,包括在5G智能(néng)手機中所使用的射頻IC、OLED面(miàn)闆驅動IC、及用于電腦周邊和固态硬盤(SSD)的電源管理IC等需求回升,加上增加日本新廠貢獻,預估第四季度晶圓出貨較上季增加10%,産能(néng)利用率接近90%。預估聯電第四季度合并營收將(jiāng)季增10%幅度,可望創下季度營收曆史新高。

聯電的這(zhè)一轉變也獲得了資本市場的認可。摩根斯坦利分析師詹家鴻在7月份的報告中認爲,聯電是“把錢花在正确的地方”,上調聯電的投資評等;UBS(瑞銀集團)也給予買進(jìn)評級。

中國(guó)大陸市場,將(jiāng)爲有力支撐

在此情況下,聯電對(duì)于中國(guó)大陸市場非常重視,持續投入中國(guó)市場發(fā)展。和艦芯片副總經(jīng)理林偉聖此前接受記者采訪時曾表示,聯電的發(fā)展戰略仍是以提升公司整個獲利與市占爲優先。在中國(guó)大陸,聯電與廈門政府及福建省電子信息集團合資成(chéng)立了聯芯集成(chéng)的12英寸晶圓代工廠。聯電在中國(guó)大陸也有8英寸廠支持成(chéng)熟特色工藝。聯電將(jiāng)把相關産品做得尺寸更小、功耗更低、性能(néng)更高,以滿足市場需求。

據了解,因市場需求旺盛,聯電蘇州和艦8英寸廠和廈門聯芯12英寸廠都(dōu)産能(néng)爆滿,供不應求。業界看好(hǎo)中國(guó)大陸市場物聯網、人工智能(néng)、通信、消費電子等需求,預計未來這(zhè)部分需求將(jiāng)會進(jìn)一步增加,將(jiāng)爲聯電的轉型發(fā)展提供有力支撐。

成(chéng)熟制程上角力 聯電攜手智原推22納米知識産權挑戰格芯地位

成(chéng)熟制程上角力 聯電攜手智原推22納米知識産權挑戰格芯地位

晶圓代工大廠聯電與台灣地區知識産權大廠智原科技于18日宣布,推出基于聯電22納米超低功耗(ULP)與22納米超低漏電(ULL)制程的基礎元件IP解決方案。該22ULP/ULL基礎元件IP已成(chéng)功通過(guò)矽驗證,包含多重電壓标準元件庫、ECO元件庫、IO元件庫、PowerSlash低功耗控制套件以及存儲器編譯器,可大幅降低芯片功耗,以滿足新一代的SoC設計需求。

根據兩(liǎng)家廠商表示,針對(duì)低功耗SoC需求,智原的22ULP/ULL基礎元件IP具備進(jìn)階的繞線架構,以及優化的功率、性能(néng)和面(miàn)積設計。相較28納米技術,22納米元件庫可以在相同性能(néng)下減少10%芯片面(miàn)積,或降低超過(guò)30%功耗。此外,該标準元件庫可于0.6V至1.0V廣域電壓下運作,亦支援SoC内的Always-on電路維持超低漏電,多樣的IO元件庫包括通用IO、多重電壓IO、RTC IO、OSC IO和類比ESD IO,存儲器編譯器具有雙電源軌功能(néng)、多重省電模式、和讀寫輔助功能(néng)等特色。

智原科技研發(fā)協理簡丞星表示,智原透過(guò)與聯電的長(cháng)期合作以及豐富的ASIC經(jīng)驗,爲客戶提供專業的聯電制程IP選用服務。透過(guò)藉由聯電22納米技術推出全新的邏輯元件庫和存儲器編譯器IP,能(néng)夠協助客戶在成(chéng)本優勢下開(kāi)發(fā)低功耗SoC以布局物聯網、人工智能(néng)、通訊及多媒體等新興應用攫取商機。

聯電知識産權研發(fā)暨設計支援處林子惠處長(cháng)表示,在許多應用中,SoC設計師都(dōu)需要針對(duì)各種(zhǒng)應用的節能(néng)解決方案。随着智原在聯電22納米可量産的特殊制程上推出的基礎元件IP解決方案,讓客戶可在我們具有競争力的22納米平台上,獲得包括超低漏電(22ULL)和超低功耗(22ULP)的全面(miàn)設計支援,享有适用于物聯網及其他低功耗産品的完整平台。

市場人士指出,事(shì)實上在聯電與格芯兩(liǎng)家晶圓代工大廠放棄先進(jìn)制程的研發(fā)之後(hòu),成(chéng)熟制程的發(fā)展就成(chéng)爲這(zhè)兩(liǎng)家廠商的競争重點。其中,格芯曾經(jīng)表示,22FDX制程技術是格芯最重要的技術平台之一,它提供了一個集合了性能(néng)、低功耗、低成(chéng)本物聯網與主流移動設備、無線通訊互聯以及網絡的優秀搭配。使得22FDX制程技術具備的功能(néng),可滿足連接、行動、物聯網、可穿戴設備、網路和汽車等應用領域下一代産品的需求。

格芯還(hái)在2018年7月表示,其22FDX技術在全球獲利了超過(guò)20億美元的營收,并在超過(guò)50項客戶設計中得到采用。因此,22FDX技術可說是在格芯擱置7納米及其以下先進(jìn)制程研發(fā)後(hòu)最重要的制程平台。

相較于格芯在22納米制程上的積極布局,聯電方面(miàn)也不甘示弱,當前與合作夥伴智原科技推出基于聯電22納米超低功耗(ULP)與22納米超低漏電(ULL)制程的基礎元件IP解決方案。随着智原在聯電22納米可量産的特殊制程上推出的基礎元件IP解決方案,可以讓客戶在具有競争力的22納米平台上,獲得包括超低漏電(22ULL)和超低功耗(22ULP)的全面(miàn)設計支援,亦可享有适用于物聯網及其他低功耗産品的完整平台。

聯電驚喜打入三星供應鏈

聯電驚喜打入三星供應鏈

晶圓專工大廠聯電專注于成(chéng)熟制程的特殊和邏輯技術的業務擴展,近期傳出接下大單好(hǎo)消息。業界傳出,聯電已獲得三星LSI的28納米5G智能(néng)手機影像訊号處理器(ISP)大單,明年開(kāi)始進(jìn)入量産,加上三星手機OLED面(miàn)闆采用的28納米或40納米OLED面(miàn)闆驅動IC訂單到位,第一季産能(néng)利用率可望達到滿載水準。

聯電10月1日完成(chéng)100%并購日本三重富士通半導體的12英寸晶圓廠,讓聯電在晶圓代工市場占有率突破10%,并重回全球第二大廠寶座,而在認列新廠營收及9月遞延晶圓在10月順利出貨等情況下,聯電10月合并營收月增34.7%達145.87億元(新台币,下同),創下單月營收曆史新高,較去年同期成(chéng)長(cháng)16.0%,累計前10個月合并營收1,209.40億元,年減率已降至5.8%。

■本季晶圓出貨估季增10%

聯電對(duì)第四季展望樂觀,包括在5G智能(néng)手機中所使用的射頻IC、OLED面(miàn)闆驅動IC、及用于電腦周邊和固态硬盤(SSD)的電源管理IC等需求回升,加上增加日本新廠貢獻,預估第四季晶圓出貨較上季增加10%,平均美元價格與上季持平,産能(néng)利用率接近90%。法人預估聯電第四季合并營收將(jiāng)季增10%幅度,可望創下季度營收曆史新高。

雖然下半年仍面(miàn)臨28納米及40納米晶圓代工市場産能(néng)過(guò)剩壓力,但聯電已突破困境,明年上半年可望獲得三星LSI、三星5G手機芯片供應商的晶圓代工訂單,第一季産能(néng)利用率可望達到滿載水準。

■28及40納米皆獲三星下單

據業界消息,聯電已争取到OLED面(miàn)闆驅動IC、整合觸控功能(néng)面(miàn)闆驅動IC(TDDI)等新訂單,包括爲韓國(guó)AnaPass代工28納米OLED面(miàn)闆驅動IC,爲韓國(guó)Magnachip代工40納米OLED面(miàn)闆驅動IC及80納米TDDI。由于AnaPass及Magnachip是三星OLED面(miàn)闆主要芯片供應商,聯電等于打進(jìn)三星供應鏈。

另外,三星明年將(jiāng)力推5G智能(néng)手機,其中多鏡頭及飛時測距(ToF)功能(néng),備受市場矚目。業界亦傳出,三星透過(guò)旗下三星LSI設計專用ISP,已在近期完成(chéng)設計定案,明年第一季將(jiāng)委由聯電以28納米制程生産,季度投片量約達2萬片。

法人表示,三星及其芯片供應鏈對(duì)聯電釋出新的28納米或40納米訂單,聯電第一季8英寸及12英寸産能(néng)利用率將(jiāng)達滿載水準,顯示其專注成(chéng)熟及差異化制程市場策略成(chéng)功,對(duì)明年營收及獲利都(dōu)有正面(miàn)效益。

聯電策略轉型 拉升市占率

聯電策略轉型 拉升市占率

聯電近兩(liǎng)年不再追逐12納米以下先進(jìn)制程,此舉也宣告聯電營運策略大轉型,主攻以車用5G、IoT爲主,在今年10月1日聯電取得日本三重富士通半導體(MIFS)所有股權,將(jiāng)能(néng)提升聯電市占率,并擴大特殊及邏輯技術。

聯電共同總經(jīng)理王石曾表示,在先進(jìn)制程戰争中,聯電的客戶群縮小,但先進(jìn)制程每個世代,産能(néng)投資成(chéng)本愈來愈高,所以很容易發(fā)生聯電趕上最新制程時,這(zhè)項新制程已過(guò)了價格最高的黃金時期,因此大膽將(jiāng)重點放在成(chéng)熟制程;聯電今年獲準并購與富士通半導體(FSL)合資的12寸晶圓廠MIFS全部股權,在10月1日完成(chéng)并購,未來將(jiāng)爲聯電年營收增加10%~12%,提升晶圓代工市占率。

日本三重富士通12英寸廠,爲客戶提供90納米、65納米及40納米制程産品,月産能(néng)3.6萬片,主要應用在車用、物聯網等,順利并購後(hòu)讓聯電在12納米以上制程的全球市占率有望突破10%。

聯電轉型計劃也影響毛利率,随無線通訊市場回溫,第3季毛利率重返回17%以上。

聯電策略轉型 拉升市占率

聯電策略轉型 拉升市占率

聯電近兩(liǎng)年不再追逐12納米以下先進(jìn)制程,此舉也宣告聯電營運策略大轉型,主攻以車用5G、IoT爲主,在今年10月1日聯電取得日本三重富士通半導體(MIFS)所有股權,將(jiāng)能(néng)提升聯電市占率,并擴大特殊及邏輯技術。

聯電共同總經(jīng)理王石曾表示,在先進(jìn)制程戰争中,聯電的客戶群縮小,但先進(jìn)制程每個世代,産能(néng)投資成(chéng)本愈來愈高,所以很容易發(fā)生聯電趕上最新制程時,這(zhè)項新制程已過(guò)了價格最高的黃金時期,因此大膽將(jiāng)重點放在成(chéng)熟制程;聯電今年獲準并購與富士通半導體(FSL)合資的12寸晶圓廠MIFS全部股權,在10月1日完成(chéng)并購,未來將(jiāng)爲聯電年營收增加10%~12%,提升晶圓代工市占率。

日本三重富士通12英寸廠,爲客戶提供90納米、65納米及40納米制程産品,月産能(néng)3.6萬片,主要應用在車用、物聯網等,順利并購後(hòu)讓聯電在12納米以上制程的全球市占率有望突破10%。

聯電轉型計劃也影響毛利率,随無線通訊市場回溫,第3季毛利率重返回17%以上。

聯電策略轉型 拉升市占率

聯電策略轉型 拉升市占率

聯電近兩(liǎng)年不再追逐12納米以下先進(jìn)制程,此舉也宣告聯電營運策略大轉型,主攻以車用5G、IoT爲主,在今年10月1日聯電取得日本三重富士通半導體(MIFS)所有股權,將(jiāng)能(néng)提升聯電市占率,并擴大特殊及邏輯技術。

聯電共同總經(jīng)理王石曾表示,在先進(jìn)制程戰争中,聯電的客戶群縮小,但先進(jìn)制程每個世代,産能(néng)投資成(chéng)本愈來愈高,所以很容易發(fā)生聯電趕上最新制程時,這(zhè)項新制程已過(guò)了價格最高的黃金時期,因此大膽將(jiāng)重點放在成(chéng)熟制程;聯電今年獲準并購與富士通半導體(FSL)合資的12寸晶圓廠MIFS全部股權,在10月1日完成(chéng)并購,未來將(jiāng)爲聯電年營收增加10%~12%,提升晶圓代工市占率。

日本三重富士通12英寸廠,爲客戶提供90納米、65納米及40納米制程産品,月産能(néng)3.6萬片,主要應用在車用、物聯網等,順利并購後(hòu)讓聯電在12納米以上制程的全球市占率有望突破10%。

聯電轉型計劃也影響毛利率,随無線通訊市場回溫,第3季毛利率重返回17%以上。

聯電策略轉型 拉升市占率

聯電策略轉型 拉升市占率

聯電近兩(liǎng)年不再追逐12納米以下先進(jìn)制程,此舉也宣告聯電營運策略大轉型,主攻以車用5G、IoT爲主,在今年10月1日聯電取得日本三重富士通半導體(MIFS)所有股權,將(jiāng)能(néng)提升聯電市占率,并擴大特殊及邏輯技術。

聯電共同總經(jīng)理王石曾表示,在先進(jìn)制程戰争中,聯電的客戶群縮小,但先進(jìn)制程每個世代,産能(néng)投資成(chéng)本愈來愈高,所以很容易發(fā)生聯電趕上最新制程時,這(zhè)項新制程已過(guò)了價格最高的黃金時期,因此大膽將(jiāng)重點放在成(chéng)熟制程;聯電今年獲準并購與富士通半導體(FSL)合資的12寸晶圓廠MIFS全部股權,在10月1日完成(chéng)并購,未來將(jiāng)爲聯電年營收增加10%~12%,提升晶圓代工市占率。

日本三重富士通12英寸廠,爲客戶提供90納米、65納米及40納米制程産品,月産能(néng)3.6萬片,主要應用在車用、物聯網等,順利并購後(hòu)讓聯電在12納米以上制程的全球市占率有望突破10%。

聯電轉型計劃也影響毛利率,随無線通訊市場回溫,第3季毛利率重返回17%以上。

聯電出手收購三重富士通,全球代工廠即將(jiāng)洗牌

聯電出手收購三重富士通,全球代工廠即將(jiāng)洗牌

全球半導體晶圓代工廠排名或將(jiāng)發(fā)生變化。9月25日,聯華電子宣布收購三重富士通半導體股份有限公司(MIFS)全部的股權。據集邦拓墣研究院最新數據,聯電在2019年世界集成(chéng)電路晶圓代工廠位列第四,僅次于第三名格芯。據相關數據,聯電2019年第二季度營收1160百萬美元,略低于格芯1336百萬美元。如今,聯電出手收購MIFS,全球晶圓代工廠或將(jiāng)重新洗牌。

36.1億元收購MIFS剩餘股權

聯華電子于25日宣布,該公司已獲批購買與富士通半導體(FSL)所合資的12英寸晶圓廠——三重富士通半導體股份有限公司的全部的股權,完成(chéng)并購的日期訂定于2019年10月1日。早在2014年,富士通半導體和聯華電子兩(liǎng)家公司已經(jīng)達成(chéng)協議,聯電可以分階段逐步購買三重富士通半導體15.9%的股權。今日,聯電獲準以544億日元(約36.1億元)的價格購買三重富士通半導體剩餘84.1%的股權。據官方信息,三重富士通半導體在成(chéng)爲聯華電子完全獨資的子公司後(hòu),將(jiāng)更名爲United Semiconductor Japan Co.,Ltd。(USJC)。

富士通半導體和聯電除了三重富士通半導體股權投資之外,在40nm技術上也有授權合作。目前MIFS已建設40nm邏輯生産線,此次三重富士通半導體整合至聯華電子旗下,將(jiāng)推動聯電在日本半導體業的整體實力,深挖潛質,鞏固聯電業務根基,拓寬聯電業務覆蓋面(miàn)積。聯華電子共同總經(jīng)理王石認爲,此次并購將(jiāng)在聯華電子員工數十年的豐富制造經(jīng)驗的基礎之上,結合聯電的經(jīng)濟規模及晶圓專工的專業技術,達到雙赢的效果。未來聯電對(duì)于新老客戶,將(jiāng)提供更強更有力的支持服務。“聯華電子全球客戶將(jiāng)充分利用此次收購的日本12英寸晶圓廠”王石說。

此外,王石表示,此次收購符合聯電布局亞太12英寸晶圓廠生産基地産能(néng)多元化的策略。“展望未來,我們將(jiāng)持續專注于聯電在特殊制程技術上的優勢,通過(guò)内部和外部對(duì)擴張機會的評價,尋求與此策略相符的成(chéng)長(cháng)機會。”王石說。

全球晶圓廠排名或將(jiāng)重新洗牌

據了解,日本三重富士通半導體的月産能(néng)爲3.6萬片12英寸晶圓,主要應用在汽車、物聯網(IoT)等,并以40納米、65納米制程等成(chéng)熟制程爲生産的主力。在吸收了該廠後(hòu),聯電在全球的排名或將(jiāng)再進(jìn)一步。

根據集邦咨詢旗下拓墣産業研究院統計,第三季度全球晶圓代工總産值預計將(jiāng)比第二季度高13%。市占率排名前三名分别爲台積電(TSMC) 50.5%、三星(Samsung) 18.5%與格芯(GlobalFoundries) 8%。聯電位列第四。不過(guò)爲了穩定投片,格芯近期出售了部分廠房和芯片業務,以期待通過(guò)RF SOI技術來提高通訊領域的營收。不過(guò),有分析師認爲,格芯未來交割廠房,後(hòu)可能(néng)使營收減少,加上AMD積極布局7納米産品線,都(dōu)將(jiāng)影響格芯在12/14納米制程的營收表現。

反觀聯電,第二季度受利于通訊類産品,包括低、中端手機AP,開(kāi)關組件與路由器相關芯片等需求的影響,聯電産能(néng)利用率提升,出貨量穩定增加,集邦咨詢分析預估聯電第三季度有望維持營收成(chéng)長(cháng)。在此基礎之上,聯電又宣布收購三重富士通半導體。

“一方面(miàn),聯電擴充了自己的産線,聯電12英寸廠從三座變成(chéng)了四座,主要業務面(miàn)向(xiàng)車規級産品,爲以後(hòu)的人工智能(néng)、自動駕駛做好(hǎo)鋪墊。另一方面(miàn),這(zhè)是聯電在日本的第一座12英寸晶圓廠,可以更好(hǎo)地幫助聯電開(kāi)拓日本客戶。”分析師楊俊剛對(duì)《中國(guó)電子報》記者說。

“此次收購,會幫助聯電滿足富士康以前難以滿足的客戶需求,幫助聯電拓展在日本的市場。未來,聯電或將(jiāng)成(chéng)爲全球第三位的晶圓代工廠。”楊俊剛向(xiàng)記者表示,以目前的形勢來看,格芯在經(jīng)營上的壓力要大于聯電,聯電此次的收購或將(jiāng)影響全球代工廠排名。

“全球晶圓代工廠排名或許變成(chéng)第一名台積電、第二名三星、第三名聯電。如果聯電想要趕超前兩(liǎng)位,一方面(miàn)需要更加努力的拓展市場客戶,另一方面(miàn)要加強研發(fā),發(fā)展多元化工藝。”楊俊剛說。

544億日元 聯電并購日本富士通三重12英寸晶圓廠

544億日元 聯電并購日本富士通三重12英寸晶圓廠

聯華電子昨日(25日)宣布,該公司已符合所有相關政府機構的成(chéng)交條件而獲得最終批準,購買與富士通半導體(FSL)所合資的12英寸晶圓廠三重富士通半導體股份有限公司 (MIFS) 全部的股權,完成(chéng)并購的日期訂定于2019年10月1日。

富士通半導體(FSL)和聯華電子(UMC) 兩(liǎng)家公司于2014年達成(chéng)協議,由聯華電子通過(guò)分階段逐步從FSL取得MIFS 15.9%的股權;FSL現已獲準將(jiāng)剩餘84.1% MIFS的股份轉讓給聯華電子,收購剩餘股份最終的交易總金額爲544億日元。MIFS成(chéng)爲聯華電子完全獨資的子公司後(hòu),將(jiāng)更名爲United Semiconductor Japan Co.,Ltd。(USJC)。

FSL和聯華電子除了MIFS股權投資之外,雙方更透過(guò)聯華電子40納米技術的授權,以及于MIFS建置40納米邏輯生産線,進(jìn)一步擴大了彼此的合作夥伴關系。

經(jīng)過(guò)多年的合作營運,鑒于聯華電子爲半導體領先業界的晶圓專工廠,廣闊的客戶組合、先進(jìn)的制造能(néng)力和廣泛的産品技術,雙方一緻肯定將(jiāng)MIFS整合至聯華電子旗下,可將(jiāng)其潛力發(fā)揮到最大,提高在日本半導體業的競争力,同時有助于鞏固聯電業務根基,爲聯電的利害關系人創造最高的價值。

聯華電子共同總經(jīng)理王石表示:“這(zhè)樁并購案結合了USJC世界級的生産品質标準和聯華電子員工數十年的豐富制造經(jīng)驗、聯電的經(jīng)濟規模及晶圓專工的專業技術,將(jiāng)達到雙赢的綜效,可爲新的及現有的日本客戶提供更強有力的支持。同時,聯華電子的全球客戶也將(jiāng)可充分運用日本的12英寸晶圓廠。”

王石總經(jīng)理進(jìn)一步指出,“USJC的加入,正符合聯電布局亞太12英寸廠生産基地産能(néng)多元化的策略。展望未來,我們將(jiāng)持續專注于聯電在特殊制程技術上的優勢,通過(guò)内部和外部對(duì)擴張機會的評估,尋求與此策略相符的成(chéng)長(cháng)機會。”

聯電、Cadence合作開(kāi)發(fā)28納米HPC+制程認證

聯電、Cadence合作開(kāi)發(fā)28納米HPC+制程認證

聯電昨(6)日宣布,Cadence類比/混合信号(AMS)芯片設計流程已獲得聯電28納米HPC+制程的認證。透過(guò)此認證,Cadence和聯電的共同客戶可以于28納米HPC+制程上利用全新的AMS解決方案,去設計汽車、工業物聯網(IoT)和人工智能(néng)(AI)芯片。

聯電矽智财研發(fā)暨設計支援處處長(cháng)林子惠表示,透過(guò)與Cadence的合作,結合Cadence AMS流程和聯電設計套件,開(kāi)發(fā)了一個全面(miàn)而獨特的設計流程,爲在28納米HPC+制程技術的芯片設計客戶提供可靠與高效的流程。

上述完整的AMS流程是基于聯電的晶圓設計套件(FDK)所設計的,其中包括具有高度自動化的電路設計、布局、簽核和驗證流程的一個實際示範電路,讓客戶可在28納米的HPC+制程上實現更無縫的芯片設計。

Cadence AMS流程結合經(jīng)定制化确認的類比/數位驗證平台,并支持更廣泛的Cadence智能(néng)系統設計策略,加速SoC設計。AMS流程具有整合标準元件數位化的功能(néng),适合數位輔助類比的設計,客戶可使用28納米HPC+制程,開(kāi)發(fā)汽車、工業物聯網和AI應用。