标簽：格芯

晶圓代工大廠格芯(GlobalFoundries)于16日宣布，將(jiāng)與Arm合作藉由基于格芯旗下FD-SOI的22FDX平台，爲蜂巢式物聯網應用程序提供安全的系統SoC解決方案。

格芯表示，随着逆向(xiàng)工程和其他對(duì)IP的非法威脅與日俱增，必須使用包括加密核心、硬件信任和高速協議引擎等方式的硬件安全IP解決方案，以求在基礎上保護複雜的電子系統。而格芯的22FDX平台具有Arm CryptoIsland芯片安全隔離區，提供同芯片和硬件安全的解決方案，可將(jiāng)前端模塊（FEM）、射頻（RF）、基帶、嵌入式MRAM和加密功能(néng)輕松整合到一個物聯網SoC中，同時大幅度降低成(chéng)本。

對(duì)此，Arm新興業務副總裁暨總經(jīng)理Vincent Korstanje表示，世界上有數十億台設備産生關于智慧城市、農村環境和數位轉型行業的數據，爲了提供正确的洞見，安全性是不可或缺的。設計行動裝置和物聯網應用程序的客戶將(jiāng)受益于格芯的22FDX高度整合、高效能(néng)平台的CryptoIsland技術，因其提供全新等級的安全性，而其易于部署的特性將(jiāng)反映在成(chéng)本比例上。

而格芯工業與多重市場副總裁Ed Kaste也指出，有這(zhè)麼(me)多物聯網的渠道(dào)，再加上網絡攻擊防禦的重要性與日俱增，相信未來幾年，芯片安全對(duì)業界和客戶會越來越重要。運用格芯的22FDX平台和Arm強大的CryptoIsland安全子系統，可以爲共同客戶提供高度整合的安全解決方案，這(zhè)將(jiāng)突破蜂巢式物聯網以往的水平，爲蜂巢式物聯網應用程序提供新的安全識别功能(néng)。

格芯指出，旗下的22FDX提供快速的産品解決方案，包括符合矽标準的IP。目前，格芯在德國(guó)德勒斯登一号晶圓廠，透過(guò)最先進(jìn)的12吋晶圓産線，開(kāi)發(fā)22FDX安全解決方案。

自格芯2019年8月26日在美國(guó)與德國(guó)提出對(duì)台積電的侵權訴訟後(hòu)，各界都(dōu)在關注台積電的應對(duì)策略。而在美國(guó)時間2019年9月26日，美國(guó)國(guó)際貿易委員會正式基于格芯的侵權申訴，對(duì)包含台積電在内的22家半導體廠商啓動337調查，似乎也促使台積電加快應對(duì)腳步，采取正式的法律手段以捍衛自身權益。

2019年9月30日台積電正式對(duì)格芯提出侵權訴訟，至此，過(guò)去全球前兩(liǎng)大晶圓代工廠或將(jiāng)正式對(duì)簿公堂，掀起(qǐ)市場對(duì)雙方策略布局的諸多讨論，也讓晶圓代工産業再次增添話題性。

台積電提出訴訟反擊格芯，然而和解方案或許對(duì)雙方影響最小

根據台積電公布的新聞稿，台積電于2019年9月30日在美國(guó)、德國(guó)及新加坡三地對(duì)格芯提出多項專利侵權訴訟，控告格芯侵犯台積電涵蓋成(chéng)熟及先進(jìn)制程技術核心功能(néng)的25項專利，涉及技術包括FinFET設計、淺溝槽隔離技術、雙重曝光方法、先進(jìn)密封環及閘極結構，以及創新的接觸蝕刻停止層設計等，這(zhè)些技術廣泛應用在40nm、28nm、22nm、14nm及12nm等制程。

此外，台積電此訴訟中亦要求法院核發(fā)禁制令，禁止格芯生産及銷售侵權的半導體産品，以及對(duì)非法使用台積電半導體專利技術與銷售侵權産品的格芯尋求實質性的損害賠償。

對(duì)台積電而言，提出侵權訴訟舉動不單是台面(miàn)上的反擊，更有機會迫使格芯評估彼此在冗長(cháng)訴訟過(guò)程可能(néng)造成(chéng)的損失。

目前台積電未公布确切侵權的專利号碼，但從專利包含的技術層面(miàn)來看，與格芯提出的頗有些相似之處，因此在侵權判斷上可能(néng)會依循相同的邏輯或判斷原則，代表若一項專利侵權勝訴，相對(duì)應或類似的另一項專利也有勝訴可能(néng)，反之亦然。

如此一來，或許較難定義出絕對(duì)的勝利者。假使這(zhè)類情況出現，不管對(duì)格芯或台積電都(dōu)將(jiāng)會是兩(liǎng)面(miàn)刃，損傷對(duì)方戰力的同時卻不一定能(néng)利己，有鑒于此，雙方尋求和解或互相撤銷告訴的機會就可能(néng)增加，將(jiāng)彼此的損失做最小化處理方爲上策。

台積電與格芯訴訟涉及重點制程，若出現利益傷害則競争對(duì)手或有受惠可能(néng)

分析雙方提出訴訟涉及的制程範圍來看，格芯瞄準台積電的主要是極具産品競争力的制程，即28nm、16nm、12nm、10nm及7nm，在2019年第二季占比達45%，尤其台積電7nm業績良好(hǎo)，産能(néng)持續擴增，估計28nm以下制程營收占比將(jiāng)持續上升，是格芯瞄準能(néng)牽制台積電的重要目标。

此外，格芯是目前市場上極力推廣SOI相關産品的廠商之一，在台積電鮮少着墨SOI技術的情況下，或許也希望藉由專利侵權訴訟效果來提升自家的FD-SOI技術市占率。

另一方面(miàn)，台積電訴訟涉及的制程範圍雖影響不到格芯的FD-SOI相關産品，但範圍擴及格芯的成(chéng)熟制程40nm，且在格芯停止研發(fā)7nm制程後(hòu)，轉而力求優化12nm制程效能(néng)表現，因此台積電提出有關FinFET閘極設計、雙重曝光方法及接觸蝕刻停止層設計等相關專利，對(duì)格芯也就有着不小的潛在可能(néng)影響；倘若專利證實侵權，等于又進(jìn)一步抑制格芯在晶圓代工第二梯隊的競争優勢。

值得一提的是，雙方瞄準的制程範圍影響層面(miàn)廣且重要性之高，或許也會讓競争對(duì)手尋找得利的機會點。

無論從技術發(fā)展或營收來看，Samsung與聯電正好(hǎo)是台積電與格芯最主要的競争對(duì)手，若此番訴訟的結果讓雙方互傷元氣，可能(néng)給予Samsung與聯電追趕的契機，尤其聯電與格芯在技術與營收上相近，加上聯電在日本完成(chéng)的收購計劃與格芯 2020年將(jiāng)交割廠房，倘若格芯在法律過(guò)程中有所損失，相信會縮小領先聯電差距，甚或有被聯電超越的機會。

商務合作咨詢：18128855903（微信同号）

根據 《華爾街日報》 的報導指出，晶圓代工大廠格芯 (GlobalFoundries) 執行長(cháng) Tom Caulfield 日前指出，該公司目前正計劃藉由在 2022 年出售該公司的少數股權的方式，來達成(chéng)上市的目的。外界預估，這(zhè)將(jiāng)會是格芯向(xiàng)外界募資，以減輕财務壓力的方式之一。

格芯是在 2009 年由阿布達比主權财富基金，從 AMD 手上拆分購買而來。後(hòu)來，AMD 在不斷減少持股的情況下，至今已經(jīng)與格芯完全沒(méi)有任何的經(jīng)營關系。再加上格芯 2018 年宣布退出先進(jìn)制程的研發(fā)之後(hòu)，AMD 的訂單轉由台積電來生産，使得 AMD 與格芯在生意上的往來也越來越平淡。不過(guò)，格芯目前位于美國(guó)紐約州 Malta 的 Fab 8 半導體晶圓廠，仍擁有 3,000 名員工，是該公司目前最大的生産基地。

就在阿布達比主權财富基金 2009 年收購格芯之際，格芯唯一的制造工廠是 AMD 在德國(guó)的一家工廠。而本次談及的美國(guó)紐約州 Fab 8 晶圓廠，則是阿布達比主權财富基金投資之後(hòu)，在紐約州斥資約 14 億美元金額下所建造的。另外，在之後(hòu)的收購交易中，格芯還(hái)收購了 IBM 位于紐約州和佛蒙特州的晶圓廠以外，還(hái)有新加坡特許半導體的制造工廠。

雖然，之前格芯大幅度的投資，但是卻沒(méi)有爲公司帶來獲利。這(zhè)使得 Caulfield 這(zhè)位曾經(jīng)是 IBM 的高層，後(hòu)來成(chéng)爲格芯 Fab 8 晶圓廠的總經(jīng)理，直到之前才升任格芯執行長(cháng)上任後(hòu)，不斷削減格芯的資本支出，使得格芯在先進(jìn)制程上的發(fā)展屢屢受挫，影響了公司的獲利。所以，很多人將(jiāng) Caulfield 的削減資本支出是爲謀求上市，以進(jìn)一步改善财務壓力前的準備，如今則終于證實了這(zhè)一部分。

不過(guò)，Caulfield 指出，上市隻是爲了證明格芯已經(jīng)成(chéng)年，并且能(néng)夠成(chéng)爲一家真正充滿活力的企業的方式。因此，并沒(méi)有承認格芯是藉上市來纾解财務壓力，而且也沒(méi)有說明公司將(jiāng)通過(guò)上市來籌集多少資金。事(shì)實上，外界也分析，上市也是格芯必須要走的路，因爲阿布達比主權财富基金很可能(néng)已經(jīng)停止了對(duì)格芯的資助，而 Caulfield 爲了使得公司經(jīng)營下去，除了減資之外，上市也是募資的好(hǎo)辦法。

然而，近期因爲格芯因爲财務壓力，陸續出售旗下的資産，對(duì)外來的發(fā)展還(hái)有多少前景已經(jīng)令市場質疑，所以過(guò)去一直以來都(dōu)有打包出售的傳言。加上日前對(duì)晶圓代工龍頭台積電及其相關客戶發(fā)動侵權訴訟，市場評估這(zhè)一做法目前還(hái)不一定能(néng)取得官司上的勝利前，但是就先將(jiāng)市場上的一票客戶包括蘋果、博通（Broadcom）、聯發(fā)科、nVidia、高通（Qualcomm）、賽靈思（Xilinx）等都(dōu)合作不愉快的情況下，未來經(jīng)營的路程恐將(jiāng)越來越狹窄，這(zhè)使得上市之路能(néng)否順利，恐怕還(hái)在未定之天。

格芯的戰略是爲快速增長(cháng)市場中的客戶提供高度差異化、高附加值的解決方案，而踐行這(zhè)一承諾的實際成(chéng)果就是我們的22nmFD-SOI(22FDX)嵌入式MRAM非易失性存儲器(NVM)技術。多家物聯網大客戶已經(jīng)進(jìn)入這(zhè)項技術的試驗性生産階段。

與Everspin Technologies, Inc.合作開(kāi)發(fā)的嵌入式STT-MRAM（自旋轉移力矩磁阻RAM）技術旨在滿足物聯網、通用微控制器、汽車、邊緣AI和其他應用對(duì)于低功耗運行以及快速、可靠、非易失性代碼與數據存儲所提出的關鍵性要求。

格芯eMRAM技術的獨特之處在于它是一種(zhǒng)可靠的MRAM解決方案，能(néng)夠作爲高容量嵌入式閃存(eFlash)的替代品。格芯eMRAM通過(guò)了嚴格的實際生産測試，并能(néng)夠在更加寬泛的溫度範圍中提供持久數據保留和耐久性。這(zhè)一特性對(duì)于微控制器應用和無線連接物聯網至關重要，因爲嵌入式存儲器必須能(néng)在高溫下保留代碼和數據，包括在PCB組裝時以260°C的高溫進(jìn)行回流焊。

與eFlash相比，格芯eMRAM將(jiāng)擦除和（重新）寫入速度提高了一個數量級（200納秒與10微秒），同時能(néng)保持相當的讀取速度，這(zhè)使其能(néng)在許多應用中提供優于eFlash的功率優勢。

最初使用格芯的低功耗22FDX工藝進(jìn)行開(kāi)發(fā)，是在“後(hòu)段制程”金屬化步驟中部署MRAM，這(zhè)使得用戶可以利用FDX和格芯FinFET技術規劃可靠的衍生的産品路線圖。這(zhè)是因爲在用作存儲器技術時，STT-MRAM能(néng)夠支持用于調整存儲器位單元的工藝變化。因此，我們將(jiāng)會提供兩(liǎng)種(zhǒng)“類型”的eMRAM：22FDX上的eMRAM-F，用于代碼/數據存儲；作爲工作存儲器的eMRAM-S，用于在未來增加1x節點的SRAM。

格芯正與多家客戶開(kāi)展合作，在基于22FDX的設計中采用eMRAM運行多項目晶圓(MPW)，并計劃在未來三個季度安排多次生産流片。格芯和我們的設計合作夥伴將(jiāng)聯合提供定制設計服務，22FDXeMRAM工藝設計套件的模塊密度範圍將(jiāng)覆蓋4Mb到32Mb（對(duì)于單個模塊）。單體密度爲48Mb的模塊也計劃在2019年第四季度發(fā)布。

行業正處于轉型點

目前推動嵌入式NVM替代技術的巨大動力源于行業正處于轉型點：28nm節點可能(néng)是eFlash最後(hòu)一個經(jīng)濟高效的節點。在向(xiàng)22nm過(guò)渡中，必須找到适合全新的和快速增長(cháng)的低功耗應用的替代方案。

許多新eNVM存儲器技術看起(qǐ)來可能(néng)非常先進(jìn)，但還(hái)無法投入量産。例如，通過(guò)改變電介質的電阻來存儲數據的RRAM（電阻RAM）是許多研究和開(kāi)發(fā)的主題，但是它在2xnm工藝節點上的成(chéng)熟度限制了它的普及。同樣，PCM存儲器的普及受限于制程低于28nm的代工廠支持的缺失。

相比之下，格芯eMRAM是一個特别引人注目且及時的解決方案。雖然這(zhè)項技術非常複雜，并且需要大量時間和成(chéng)本來開(kāi)發(fā)和部署，但它能(néng)夠提供出色的性能(néng)和多樣性。除了通過(guò)基于功率高效的FDXSOI工藝與eMRAM相結合所獲得的功率優勢之外，格芯的FDX工藝還(hái)具有業界領先的射頻連接功能(néng)，以及格芯提供的廣泛IP。這(zhè)一切將(jiāng)成(chéng)就獨特的高性能(néng)、高集成(chéng)度、低功耗和小尺寸解決方案，進(jìn)而爲客戶帶來巨大價值。

事(shì)實上，格芯在采用第三代MRAM技術生産22nmeMRAM産品的同時，也生産Everspin的256Mb40nm和1Gb28nm獨立MRAM産品（作爲聯合開(kāi)發(fā)工作的一部分）。

除了eMRAM技術，格芯還(hái)爲客戶提供eFlash和系統級封裝閃存(SIPFlash)嵌入式存儲器，基于從130nm至28nm的豐富技術範圍，以滿足廣泛的應用需求。

一個成(chéng)功的戰略

22FDXeMRAM技術的推出切實展示了格芯在差異化領域和能(néng)夠幫助客戶增值的領域加大投資的成(chéng)果。

晶圓代工廠商格芯于美國(guó)時間2019年8月26日突然宣布，在美國(guó)與德國(guó)法院對(duì)以台積電爲首等20餘家廠商提起(qǐ)16項專利侵權訴訟，并要求美國(guó)政府祭出進(jìn)口管制令，此舉引起(qǐ)業界嘩然，适逢美中貿易沖突越演越烈之際，再爲半導體産業供應鏈增添一項不确定因素。

格芯侵權訴訟牽涉廠商層面(miàn)廣泛，台積電謹慎應對(duì)

此次格芯提出的訴訟總計有16項專利侵權訴訟，13件屬于美國(guó)專利，3項屬于德國(guó)專利。此些專利橫跨的廠商包括晶圓代工廠(台積電)、IC設計廠商(Apple、Broadcom、聯發(fā)科、NVIDIA、Qualcomm、Xilinx)、電子元件批發(fā)商(Avnet/EBV、Digi-key、Mouser)，以及消費者産品制造商(Arista、華碩、BLU、Cisco、Google、海信、聯想、Motorola、TCL、OnePlus)；制程技術則涵蓋台積電28nm/16nm/12nm/10nm/7nm主力營收奈米節點，對(duì)于台積電及其主要客戶的影響範圍着實不小。

從台積電營收分布來看，美國(guó)地區營收占比高達6成(chéng)，供應美國(guó)許多主要科技大廠的芯片需求，尤其在7nm先進(jìn)制程方面(miàn)的市占率更接近9成(chéng)，對(duì)發(fā)展新興産業技術如5G、AIoT、HPC等廠商來說，台積電更是重要的合作夥伴。

美國(guó)的進(jìn)口管制令一旦進(jìn)入考慮實施階段，可說是一把雙面(miàn)刃，雖然降低台積電營收表現或讓客戶有未來轉單的考慮，此舉固然有利于格芯，但對(duì)美國(guó)科技廠商亦會造成(chéng)廣泛沖擊，從消費性電子産品到企業設備皆會受到影響；加上在侵權訴訟案件中，除非有确保日後(hòu)勝訴的可能(néng)，不然若貿然實施禁令最後(hòu)以敗訴收場，被控方的損失也不一定是當初的控訴方所能(néng)賠償，因此在這(zhè)些因素考量下，短期内會出現進(jìn)口管制令的可能(néng)性并不高。

另一方面(miàn)，台積電也在2019年8月27日發(fā)布聲明，強調自身在半導體矽智财的自主性與專利數目，否認任何專利侵權事(shì)宜。從過(guò)去台積電的制程技術發(fā)展看來，幾乎都(dōu)在台灣新竹的研發(fā)中心做最新制程技術的開(kāi)發(fā)，專利申請與批準的數目也屬業界翹楚，與競争對(duì)手的重疊性并不高，或許在專利的大方向(xiàng)上有相似之處，但畢竟台積電與格芯在納米節點上并不完全一緻，若細究在制程産在線的實際應用仍有所區别，是否侵權仍有待美國(guó)國(guó)際貿易委員會與美國(guó)德州西部地方法院針對(duì)收到的訴訟文件進(jìn)一步審視。

格芯侵權訴訟或將(jiāng)引發(fā)與中美貿易摩擦相關的負面(miàn)效應

格芯對(duì)台積電提起(qǐ)的專利侵權訴訟，除非是希望經(jīng)由勝訴來改善格芯目前的财務狀況，但從客戶層面(miàn)來說似乎看不到明顯的吸引效果，也不大可能(néng)讓格芯重新投入先進(jìn)制程開(kāi)發(fā)，因此除了冀望财務上能(néng)有持續性的權利金收入外，在現下中美貿易摩擦變化劇烈之際，不免也令人憂慮有額外負面(miàn)效應産生。

2019年5月底，美國(guó)將(jiāng)華爲和其旗下70家相關企業列入美國(guó)商務部的出口實體清單(Entity List)，提到技術含量比例若有超過(guò)25%源自美國(guó)即必須遵守禁運條款，停止供貨給華爲與相關企業，當時除了美系企業遵守外，也不乏非美系的廠商宣布暫停供貨，徹查其産品内所含的「美國(guó)成(chéng)分」。

而當時台積電則是立即表明，經(jīng)過(guò)詳細計算後(hòu)，符合美國(guó)技術比例低于限制規範仍可繼續供貨，也讓華爲海思免于斷貨危機。先前美國(guó)僅暫時延長(cháng)對(duì)華爲的管制禁令時間，并非取消禁令，同時進(jìn)一步增加實體清單中與華爲相關的廠商。

倘若格芯的專利侵權訴訟勝訴，代表台積電采用的主要制程(28～7nm)皆增加包含美國(guó)技術，屆時制程技術的美國(guó)含量比例就極有可能(néng)上調，若超過(guò)25%或美國(guó)降低比例上限，可能(néng)讓台積電很難繼續供貨給華爲。

倘若訴訟時間拖延，或許也會成(chéng)爲台積電與客戶合作關系中的潛在壓力，讓台積電在中美貿易關系中的平衡點傾斜，不得不做出選擇，畢竟營收占比超過(guò)6成(chéng)的美系企業具有的話語權相對(duì)較高。

就目前觀察格芯對(duì)台積電的專利權訴訟不一定有十足把握，但在現下的時間點與市場狀況，提出此專利侵權訴訟确實可能(néng)産生額外效果，不論是話題性或影響程度都(dōu)將(jiāng)被放大檢視。

而面(miàn)對(duì)2019下半年整體半導體市況在此情況下仍不明朗，台積電或許將(jiāng)盡快提出抵禦專利侵權的有力證據，以避免任何意外的負面(miàn)效果産生。

8月26日，晶圓代工廠格芯發(fā)布新聞稿，格芯總部在美國(guó)和德國(guó)提起(qǐ)多起(qǐ)訴訟，指控台灣積體電路制造股份有限公司（以下簡稱“台積電”）所使用的半導體生産技術侵犯了16項格芯專利。

在提起(qǐ)法律訴訟的同時，格芯還(hái)申請了法院禁制令，以阻止台積電使用侵權技術生産的産品被進(jìn)口至美國(guó)和德國(guó)，并表示基于台積電使用格芯專有技術而産生的數百億美元的銷售額而向(xiàng)台積電提出了巨額的損害賠償請求。

格芯在官網聲明中表示，這(zhè)些法律訴訟要求格芯指明台積電的主要客戶以及下遊電子公司，後(hòu)者在大多數情況下才是包含了台積電侵權技術産品的實際進(jìn)口人。

根據格芯官網公示的說明資料，這(zhè)次訴訟除了台積電外，涉及的下遊客戶包括芯片設計廠商蘋果、博通、聯發(fā)科、英偉達、高通、賽靈思，元器件分銷商Avnet / EBV、Digi-key、Mouser，以及消費電子廠商Arista、華碩、BLU、思科、谷歌、HiSense、聯想、摩托羅拉、TCL、OnePlus。

格芯的工程及技術副總裁Gregg Bartlett在聲明表示，盡管半導體生産在持續地向(xiàng)亞洲轉移，但格芯在美國(guó)和歐洲的半導體行業進(jìn)行了大量投資。在過(guò)去的十年中，格芯共在美國(guó)投資超過(guò)150億美元，并在歐洲最大的半導體生産基地投資超過(guò)60億美元。

“我們提起(qǐ)法律訴訟的目的在于保護這(zhè)些投資，以及在背後(hòu)驅動着這(zhè)些投資的基于美國(guó)和歐洲的技術創新。”Gregg Bartlett如是說。

對(duì)于格芯提起(qǐ)訴訟一事(shì)，台積電方面(miàn)亦向(xiàng)媒體作出了回應。台積電方面(miàn)表示，目前尚未收到法院文件，所以不清楚格芯的起(qǐ)訴内容，并強調台積電一直注重知識産權，所有技術都(dōu)是自主研發(fā)、沒(méi)有侵權。

報道(dào)稱，台積電方面(miàn)還(hái)表示，既然對(duì)方已提出訴訟且進(jìn)入司法程序，台積電會提出有利證明捍衛權益，一切會由司法程序證明，不便多做評論。

衆所周知，台積電和格芯均爲全球知名的晶圓代工廠商。集邦咨詢旗下拓墣産業研究院報告顯示，2019年第二季度晶圓代工市占率排名前三分别爲台積電、三星與格芯，作爲競争對(duì)手，台積電與格芯之間已不是第一次出現訴訟糾紛。

不過(guò)這(zhè)次訴訟涉及範圍甚廣，目前對(duì)相關企業的影響尚未明朗，業界認爲若不能(néng)及時解決或有可能(néng)影響供貨，同時也再次提醒半導體企業注意規避專利侵權風險。

近日，全球第二大晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布，采用12nm FinFET工藝，成(chéng)功流片了基于ARM架構的高性能(néng)3D封裝芯片。這(zhè)意味着格芯亦投身于3D封裝領域，將(jiāng)與英特爾、台積電等公司一道(dào)競争異構計算時代的技術主動權。

放棄7nm 格芯轉攻3D封裝

據報道(dào)，格芯攜手ARM公司驗證了3D設計測試（DFT）方法，可以在芯片上集成(chéng)多種(zhǒng)節點技術，優化邏輯電路、内存帶寬和射頻性能(néng)，可向(xiàng)用戶提供更多差異化的解決方案。格芯平台首席技術專家John Pellerin表示：“在大數據與認知計算時代，先進(jìn)封裝的作用遠甚以往。AI的使用與高吞吐量節能(néng)互連的需求，正通過(guò)先進(jìn)封裝技術推動加速器的增長(cháng)。”

随着運算的複雜化，異構計算大行其道(dào)，更多不同類型的芯片需要被集成(chéng)在一起(qǐ)，而依靠縮小線寬的辦法已經(jīng)無法同時滿足性能(néng)、功耗、面(miàn)積以及信号傳輸速度等多方面(miàn)的要求。在此情況下，越來越多的半導體廠商開(kāi)始把注意力放在系統集成(chéng)層面(miàn)，通過(guò)封裝技術尋求解決方案。這(zhè)使得3D封裝成(chéng)爲當前國(guó)際上幾大主流半導體晶圓制造廠商重點發(fā)展的技術。

雖然格芯在去年宣布放棄繼續在7nm以及更加先進(jìn)的制造工藝方向(xiàng)的研發(fā)，但這(zhè)并不意味着其在新技術上再也無所作爲。此次在3D封裝技術上的發(fā)力，正是格芯在大趨勢下所做出的努力，其新開(kāi)發(fā)的3D封裝解決方案不僅可爲IC設計公司提供異構邏輯和邏輯/内存集成(chéng)途徑，還(hái)可以優化生産節點制造，從而實現更低延遲、更高帶寬和更小特征尺寸。

3D封裝成(chéng)半導體巨頭發(fā)展重點

同爲半導體巨頭的英特爾、台積電在3D封裝上投入更早，投入的精力也更大。去年年底，英特爾在其“架構日”上首次推出全球第一款3D封裝技術Foveros，在此後(hòu)不久召開(kāi)的CES2019大展上展出了采用Foveros技術封裝而成(chéng)的Lakefield芯片。根據英特爾的介紹，該項技術的最大特點是可以在邏輯芯片上垂直堆疊另外一顆邏輯芯片，實現了真正意義上的3D堆疊。

而在日前召開(kāi)的SEMICON West大會上，英特爾再次推出了一項新的封裝技術Co-EMIB。這(zhè)是一個將(jiāng)EMIB和Foveros技術相結合的創新應用。它能(néng)夠讓兩(liǎng)個或多個Foveros元件互連，并且基本達到單芯片的性能(néng)水準。設計人員也能(néng)夠利用Co-EMIB技術實現高帶寬和低功耗的連接模拟器、内存和其他模塊。

台積電在3D封裝上的投入也很早。業界有一種(zhǒng)說法，正是因爲台積電對(duì)先進(jìn)封裝技術的重視，才使其在與三星的競争中占得優勢，獲得了蘋果的訂單。無論這(zhè)個說法是否爲真，封裝技術在台積電技術版圖中的重要性已越來越突出。

在日前舉辦的2019中國(guó)技術論壇（TSMC2019 Technology Symposium）上，台積電集中展示了從CoWoS、InFO的2.5D封裝到SoIC的3D封裝技術。CoWoS和InFO采用矽中介層把芯片封裝到矽載片上，并使用矽載片上的高密度走線進(jìn)行互連，從而實現亞3D級别的芯片堆疊效果。SoIC則是台積電主推的3D封裝技術，它通過(guò)晶圓對(duì)晶圓（Wafer-on-wafer）的鍵合方式，可以將(jiāng)不同尺寸、制程技術及材料的小芯片堆疊在一起(qǐ)。相較2.5D封裝方案，SoIC的凸塊密度更高，傳輸速度更快，功耗更低。

對(duì)此，半導體專家莫大康表示，半導體廠商希望基于封裝技術（而非前道(dào)制造工藝），將(jiāng)不同類型的芯片和小芯片集成(chéng)在一起(qǐ)，從而接近甚至是達到系統級單芯片（SoC）的性能(néng)。這(zhè)在異構計算時代，面(miàn)對(duì)多種(zhǒng)不同類型的芯片集成(chéng)需求，是一種(zhǒng)非常有效的解決方案。

封裝子系統“IP”或將(jiāng)成(chéng)趨勢之一

産品功能(néng)、成(chéng)本與上市時間是半導體公司關注的最主要因素。随着需求的不斷增加，如果非要把所有電路都(dōu)集成(chéng)在一顆芯片之上，必然導緻芯片的面(miàn)積過(guò)大，同時增加設計成(chéng)本和工藝複雜度，延長(cháng)産品周期，因此會增大制造工藝複雜度，也會讓制造成(chéng)本越來越高。這(zhè)也是異構計算時代，人們面(miàn)臨的主要挑戰。因此，從技術趨勢來看，主流半導體公司依托3D封裝技術，可以對(duì)複雜的系統級芯片加以實現。

根據莫大康的介紹，人們還(hái)在探索采用多芯片異構集成(chéng)的方式把一顆複雜的芯片分解成(chéng)若幹個子系統，其中一些子系統可以實現标準化，然後(hòu)就像IP核一樣把它們封裝在一起(qǐ)。這(zhè)或許成(chéng)爲未來芯片制造的一個發(fā)展方向(xiàng)。當然，這(zhè)種(zhǒng)方式目前并非沒(méi)有障礙。首先是散熱問題。芯片的堆疊會讓散熱問題變得更加棘手，設計人員需要更加精心地考慮系統的結構，以适應、調整各個熱點。

更進(jìn)一步，這(zhè)將(jiāng)影響到整個系統的架構設計，不僅涉及物理架構，也有可能(néng)會影響到芯片的設計架構。此外，測試也是一個挑戰。可以想象在一個封裝好(hǎo)的芯片組中，即使每一顆小芯片都(dōu)能(néng)正常工作，也很難保證集成(chéng)在一起(qǐ)的系統級芯片保持正常。對(duì)其進(jìn)行正确測試需要花費更大功夫，這(zhè)需要從最初EDA的工具，到仿真、制造以及封裝各個環節的協同努力。

之前放棄7納米及其以下先進(jìn)制程研發(fā)，又陸續出售旗下晶圓廠的晶圓代工廠商格芯(Globalfoundries)，14日又在其公司官網上公布，準備將(jiāng)旗下的光罩業務出售給日本Toppan的子公司Toppan Photomasks，這(zhè)是格芯近年來在出售多項資産之後(hòu)，再一次出售旗下業務，也進(jìn)一步引發(fā)市場人士的關注。

根據公布的資料顯示，在Toppan收購格芯位于美國(guó)佛蒙特州伯靈頓的光罩業務部分設備與資産之後(hòu)，雙方也將(jiāng)透過(guò)簽屬一項多年的供應協議，使Toppan將(jiāng)持續提供格芯目前所需要的光罩和相關服務。

換句話而言，格芯將(jiāng)光罩業務售給Toppan之後(hòu)，雙方還(hái)是繼續合作，由Toppan供應美國(guó)晶圓廠的光罩産品及服務。不過(guò)，格芯在公告内容中并沒(méi)有提及這(zhè)次交易的具體金額。

另外，之前雙方在德國(guó)的勒斯登合資的先進(jìn)光罩中心(AMTC)，預計將(jiāng)會接收此次格芯出售光罩業務的相關設備與資産，而且接下來幾個月内，雙方將(jiāng)會合作完成(chéng)這(zhè)項轉移的工作。

事(shì)實上，爲了解決自身的财務問題，自2018年到現在，格芯已經(jīng)進(jìn)行了多次改革與瘦身計劃。其中，包括出售旗下的多座晶圓廠。

以2019年爲例，1月份格芯就以2.4億美元的價格將(jiāng)位于新加坡的Fab 3E 8英寸晶圓廠出售給台積電旗下的世界先進(jìn)半導體。

2月份，傳出格芯在中國(guó)成(chéng)都(dōu)投資100億美元的晶圓廠計劃生變。

4月份，格芯則是宣布與安森美半導體達成(chéng)了協議，將(jiāng)位于美國(guó)紐約州的Fab 10 12寸晶圓廠出售給安森美，價格是4.3億美元。

而5月份，格芯則是再次將(jiāng)旗下的IC設計公司Avera半導體出售給Marvell，代價爲7.4億美元。

面(miàn)對(duì)格芯多次的出售資産，外界認爲是大股東阿布達比投資公司已經(jīng)無法忍受格芯遲遲無法獲利的情況。因此，甚至有韓國(guó)媒體點名，將(jiāng)有中資廠商將(jiāng)接手格芯的打包出售。不過(guò)，對(duì)于這(zhè)樣的市場傳言，格芯已經(jīng)表示沒(méi)有打包出售的計劃，而且大股東也將(jiāng)全力支持。

至于相關資産的出售轉移，隻是爲了配合格芯在制程上移往專業領域發(fā)展的過(guò)程，并將(jiāng)客戶的需求進(jìn)行調整而已。所以，格芯未來將(jiāng)會有甚麼(me)樣的轉變，值得繼續觀察下去。