标簽：IGBT

近日，贛州經(jīng)開(kāi)區成(chéng)功舉行名冠微電子（贛州）有限公司功率芯片項目簽約儀式，與名芯有限公司（香港）、電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院正式簽訂功率芯片項目投資合同。

據贛州經(jīng)開(kāi)區微新聞報道(dào)，名冠微電子（贛州）有限公司功率芯片項目由名芯有限公司（香港）、贛州經(jīng)開(kāi)區管委會、電子科技大學(xué)廣東電子信息工程研究院共同投資，項目總投資約200億元，用地550畝。

據了解，該項目共分兩(liǎng)期建設：項目一期建設一條8英寸0.09-0.11μm功率晶圓生産線，投資約65億元（其中進(jìn)口晶圓制造設備約36億元、廠房約15億元），目标産能(néng)8萬片/月，目标年産值40億元；項目二期規劃建設第三代6/8英寸晶圓制造生産線或12英寸矽基晶圓制造生産線，投資約140億元，項目整體達産達标後(hòu)年産值過(guò)百億元。

項目涉及産品類型包括IGBT、功率MOS、功率IC、電源管理芯片等，覆蓋全球功率器件領域全部類别中80%品種(zhǒng)。項目建成(chéng)後(hòu)，將(jiāng)填補全省半導體晶圓生産線空白，也是全市首個總投資超200億元的電子信息産業項目。

贛州市委常委、贛州經(jīng)開(kāi)區黨工委書記李明生表示，贛州經(jīng)開(kāi)區是贛州“贛粵電子信息産業帶”的核心區和龍頭，規劃建設了總面(miàn)積32.5平方公裡(lǐ)的電子信息産業園，推進(jìn)了一大批項目投産達産，已具備較好(hǎo)的産業發(fā)展基礎和較完備的産業鏈條。

11月22日，深圳市藍海華騰技術股份有限公司（以下簡稱“藍海華騰”）發(fā)布《關于與深圳比亞迪微電子有限公司簽署戰略合作框架協議的公告》。公司于深圳比亞迪微電子有限公司（以下簡稱“比亞迪微電子”）就電機控制器單元、集成(chéng)式電控、IGBT模塊及晶圓、SiC模塊及晶圓、電流傳感器等産品的應用與推廣達成(chéng)合作共識，共同拟定戰略合作框架協議書。

資料顯示，藍海華騰成(chéng)立于2006年，2016年3月登陸深交所創業闆。公司主營業務從事(shì)工業自動化控制産品的研發(fā)、生産和銷售，掌握電機驅動的核心控制技術，同時具有完善的産業化設計和生産能(néng)力。截至2019年上半年，公司電動汽車電機控制器産品實現營業收入7086.10萬元，在營業收入總額中占比57.71%；中低壓變頻器産品實現營業收入5193.21萬元，在營業收入總額中占比42.29%。

比亞迪微電子成(chéng)立于2004年，專注于新型電力電子器件及模塊的開(kāi)發(fā)與生産。目前已形成(chéng)包括功率半導體器件、IGBT功率模塊、電源管理IC、CMOS圖像傳感器、指紋識别芯片、觸摸控制IC、LED、智能(néng)安防監控在内的完整産業鏈布局，産品已廣泛應用于汽車、能(néng)源、工業、通訊和消費類電子多個領域。

藍海華騰指出，公司與比亞迪微電子開(kāi)啓戰略合作，有利于實現公司向(xiàng)上遊核心原材料如IGBT模塊及晶圓、SiC模塊及晶圓等關鍵技術領域的戰略延伸，實現成(chéng)本優化控制和原材料供給保障，此外，雙方合作有利于公司在電動汽車電機控制器及相關産品的技術推動和産業布局。

11月21日，證監會第十八屆發(fā)審委會議審核結果顯示，嘉興斯達半導體股份有限公司（以下簡稱“斯達股份”）（首發(fā)）獲通過(guò)，意味着斯達股份即將(jiāng)在上海主闆上市。

2018年10月，證監會披露了斯達股份的招股書；今年10月，斯達股份更新招股書。招股書顯示，公司拟在上交所主闆發(fā)行股份數不超過(guò)4000萬股，募集資金8.20億元用于新能(néng)源汽車用IGBT模塊擴産項目等。

發(fā)審會上，發(fā)審委就斯達股份的收入和費用、自主研發(fā)芯片采購金額及數量占芯片采購總額比例快速增長(cháng)、實際控制人及副總經(jīng)理均具有同行業公司從業經(jīng)曆等相關問題提出詢問，要求斯達股份代表說明情況。

資料顯示，斯達股份成(chéng)立2005年4月，2011年11月底整體變更設立爲股份公司，其主營業務是以IGBT爲主的功率半導體芯片和模塊的設計研發(fā)和生産，并以IGBT模塊形式對(duì)外實現銷售。斯達股份分别于2011年和2015年成(chéng)功獨立地研發(fā)出NPT型芯片和FS-Trench芯片，并量産制造成(chéng)模塊，應用于工業控制及電源、新能(néng)源、變頻白色家電等行業。

招股書指出，目前國(guó)内IGBT模塊至今仍幾乎全部依賴進(jìn)口，市場主要由歐洲、日本及美國(guó)企業占領。相關數據顯示，斯達股份2017年在IGBT模塊全球市場份額占有率國(guó)際排名第10位，在中國(guó)企業中排名第1位；在IGBT行業，斯達股份占全球市場份額比率約爲2.0%，相比排名第一的英飛淩22.4%的市場份額仍有較大的差距。

随着全球制造業向(xiàng)中國(guó)的轉移，中國(guó)已逐漸成(chéng)爲全球最大的IGBT市場，IGBT國(guó)産化需求刻不容緩。目前，我國(guó)IGBT産業化水平有了一定提升、部分企業已實現量産，如斯達股份自主研發(fā)的第二代芯片（國(guó)際第六代芯片FS-Trench）已實現量産，成(chéng)功打破了國(guó)外跨國(guó)企業長(cháng)期以來對(duì)IGBT芯片的壟斷。

經(jīng)營業績方面(miàn)，2016年至2019年1-6月，斯達股份實現營業收入分别爲3.01億元、4.38億元、6.75億元、3.66億元；實現歸母淨利潤分别爲2146.47萬元、5271.96萬元、9674.28萬元、6438.43萬元；綜合毛利率分别爲27.97%、30.60%、29.41%、30.24%。

這(zhè)次申請登陸上交所，斯達股份拟發(fā)行股份數不超過(guò)4000萬股，募集資金8.20億元，將(jiāng)投資于以下項目：新能(néng)源汽車用IGBT模塊擴産項目、IPM模塊項目（年産700萬個）、技術研發(fā)中心擴建項目、補充流動資金。

其中，新能(néng)源汽車用IGBT模塊擴産項目總投資規模2.50億元，拟投入募集資金2.50億元，將(jiāng)形成(chéng)年産120萬個新能(néng)源汽車用IGBT模塊的生産能(néng)力；IPM模塊項目（年産700萬個）總投資規模2.20億元，拟投入募集資金2.20億元，將(jiāng)形成(chéng)年産700萬個IPM模塊的生産能(néng)力。

技術研發(fā)中心擴建項目總投資規模1.50億元，拟投入募集資金1.50億元，將(jiāng)建立具有IGBT 芯片設計和後(hòu)道(dào)工藝研發(fā)能(néng)力的技術研發(fā)中心。補充流動資金總投資規模2.00億元，拟投入募集資金2.00億元，有利于保證公司生産經(jīng)營所需資金、進(jìn)一步優化資産負債結構及降低财務風險。

斯達股份表示，此次募集資金運用全部圍繞主營業務進(jìn)行，以增強本公司在IGBT領域的競争優勢和市場地位，豐富完善本公司産品結構、提升産能(néng)及提高新技術和新産品的研發(fā)能(néng)力，滿足客戶對(duì)産品的需求。項目的實施將(jiāng)進(jìn)一步提高本公司盈利能(néng)力和市場競争地位，确保本公司持續穩定發(fā)展。

事(shì)實上，2012年斯達股份曾向(xiàng)證監會申請IPO，但最後(hòu)于2013年宣布終止審查。如今二度闖關終于成(chéng)功過(guò)會，斯達股份表示發(fā)行後(hòu)未來三年，將(jiāng)持續投入研發(fā)經(jīng)費，加強自主創新的研發(fā)能(néng)力，開(kāi)拓産品線、提升産品性能(néng)和拓寬産品應用領域，提升公司核心競争力，不斷完善和優化專業化營銷體系和管理流程，提升企業的品牌知名度，擴大區域及行業的覆蓋，積極開(kāi)拓國(guó)内外市場。

11月27日，由集邦咨詢旗下DRAMeXchange主辦的“2020存儲産業趨勢峰會”即將(jiāng)在深圳舉辦，歡迎參會。

近日，中芯圓綜合半導體生産基地項目簽約儀式在山東德州經(jīng)開(kāi)區舉行。

據悉，該項目由深圳熠宇科技有限公司投資1億美元建設，將(jiāng)成(chéng)爲開(kāi)發(fā)區發(fā)展外向(xiàng)型經(jīng)濟的生動實踐。項目占地面(miàn)積50畝，總規劃建築面(miàn)積4萬平方米，將(jiāng)購置國(guó)際先進(jìn)的生産及檢測、研發(fā)設備617台/套，主要生産半導體芯片等産品。

該項目在技術方面(miàn)擁有最新SJMOS芯片及IGBT芯片研發(fā)制造技術，能(néng)夠攻克現有中國(guó)半導體市場貨源不穩定、産品分散、電子波問題及應用方面(miàn)常見問題，預計前四年銷售額分别達到12億元、26億元、38億元和51億元，解決就業300人以上，經(jīng)濟效益和社會效益明顯。

德州經(jīng)開(kāi)區指出，中芯圓綜合半導體生産基地項目屬于新舊動能(néng)轉換範疇，是山東省支持産業，作爲有研半導體的下遊企業，能(néng)夠充分利用資源優勢，促進(jìn)半導體上下遊企業的引進(jìn)，具有良好(hǎo)的産業價值。

作爲浙江省第一條8英寸晶圓代工生産線，中芯國(guó)際紹興8英寸生産線項目正在有序進(jìn)行。

紹興集成(chéng)電路産業園官方平台消息，據中芯國(guó)際紹興8英寸生産線項目方負責人介紹，目前已經(jīng)有超過(guò)150台設備搬入工廠，單機調試已經(jīng)完成(chéng)50%，下個月進(jìn)行聯機調試，根據計劃將(jiāng)于2020年投産。

2018年3月1日，紹興市與國(guó)内晶圓代工龍頭中芯國(guó)際簽署協議，5月18日正式奠基開(kāi)工，僅用79天。2019年3月，項目完成(chéng)廠房結構封頂，6月19日，中芯紹興MEMS和功率器件芯片制造及封裝測試生産基地項目舉行主體工程結頂儀式。

資料顯示，中芯紹興項目已經(jīng)被列入浙江省市兩(liǎng)級重點項目，位于紹興集成(chéng)電路小鎮，是紹興集成(chéng)電路小鎮全産業鏈發(fā)展的關鍵性項目，最終將(jiāng)打造成(chéng)爲國(guó)内領先，世界一流的特色工藝半導體企業。

該首期總投資58.8億元，占地207.6畝，總建築面(miàn)積14.6萬平方米，引進(jìn)一條51萬片8英寸特色集成(chéng)電路制造生産線和一條年産模組19.95億顆封裝測試生産線。項目一期達産後(hòu)，可實現年産值45億元。主要産品包括MEMS、IGBT、MOSFET、RF等産品線。

10月17日，國(guó)電南瑞科技股份有限公司（以下簡稱“國(guó)電南瑞”）發(fā)布公告稱，拟與國(guó)家電網有限公司（以下簡稱“國(guó)網公司”）下屬科研單位全球能(néng)源互聯網研究院有限公司（以下簡稱“聯研院”）共同投資設立南瑞聯研功率半導體有限責任公司（以工商部門核準名稱爲準，以下簡稱“合資公司”），由該合資公司實施IGBT模塊産業化項目的部分投資。

公告指出，國(guó)電南瑞拟以IGBT模塊産業化項目的部分募集資金55,864.45萬元出資，占合資公司69.8305625%股權，聯研院以技術作價出資24,135.55萬元（該出資技術的評估值已經(jīng)國(guó)有資産管理單位備案），占合資公司30.17%股權。涉及變更實施主體的計劃投資額55,864.45萬元，占IGBT模塊産業化項目投資額的33.98%，占公司募集資金總籌資額的9.15%，相關募集資金用途、建設内容、地點等不變。

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是國(guó)家産業政策重點支持發(fā)展的功率半導體器件，技術難度大、研發(fā)及産線建設周期長(cháng)、資金投入大,核心技術一直被國(guó)外企業壟斷，目前國(guó)内高端人才缺乏，國(guó)内僅有少量廠商開(kāi)展高壓IGBT研制業務。聯研院是國(guó)家電網公司直屬科研單位，國(guó)内首家專業從事(shì)全球能(néng)源互聯網關鍵技術和設備開(kāi)發(fā)的高端科研機構。

聯研院于2010年開(kāi)始研究功率半導體器件，擁有100多人的技術團隊和先進(jìn)的功率器件中試線，是國(guó)内少數掌握高壓IGBT芯片設計技術的單位之一。在功率半導體器件領域，聯研院承擔國(guó)家科技重大專項（02專項）“國(guó)産高壓大功率IGBT模塊電力系統應用工程”等攻關任務，自主研發(fā)了1200V至4500V系列IGBT、FRD芯片及器件，其中3300V/1500A壓接式和焊接式IGBT器件，掌握成(chéng)套的設計、制備等核心技術，打破了國(guó)外技術壟斷，成(chéng)功研制1200V至6500V碳化矽二極管樣品，實現了新一代電力電子器件的重大創新突破。

國(guó)電南瑞指出，通過(guò)與聯研院合作，有利于公司降低IGBT等功率器件技術研發(fā)及産品批量化生産的風險，保障中低壓、加快高壓IGBT等功率半導體芯片及模塊研制和産業化進(jìn)程。爲加快公司産業鏈延伸和産業升級，增強企業核心競争力，提高公司募集資金使用效率和效果，降低公司募投項目投資風險，公司拟以“IGBT模塊産業化項目”部分募集資金出資與聯研院共同設立合資公司，并增加合資公司爲該項目的實施主體。

公告顯示，經(jīng)中國(guó)證券監督管理委員會《關于核準國(guó)電南瑞科技股份有限公司向(xiàng)南瑞集團有限公司等發(fā)行股份購買資産并募集配套資金的批複》（證監許可[2017]2224号）核準，公司以非公開(kāi)發(fā)行股份方式向(xiàng)7名特定投資者發(fā)行了人民币普通股381,693,558股，發(fā)行價格爲15.99元/股，本次發(fā)行募集資金總額爲61.03億元元，扣除各項發(fā)行費用83,23.94萬元，實際募集資金淨額爲60.2億元。上述募集資金已于2018年4月8日全部到位。

“IGBT模塊産業化項目”是上述募集資金投資項目之一，根據原計劃，“IGBT模塊産業化項目”全部由國(guó)電南瑞母公司實施，項目投資總額爲164,388萬元，項目建設期42個月，項目投産後(hòu)第7年達到本項目預計的生産能(néng)力。截止2019年8月31日，該項目已累計使用募集資金2,370.53萬元，占總投資1.44%，剩餘募集資金162,017.47萬元（不含利息）。

公告指出，公司本次拟增加“IGBT模塊産業化項目”的實施主體，以計劃用于該項目設備投資的部分募集資金出資，與聯研院以技術作價出資共同投資設立合資公司，即由該合資公司實施IGBT模塊産業化項目的部分投資。涉及變更實施主體的計劃投資額爲55864.45萬元，占“IGBT模塊産業化項目”投資額的33.98%，占公司募集資金總籌資額的9.15%，相關募集資金用途、建設内容、地點等不變。

國(guó)電南瑞表示，本次交易有利于募集資金投資項目的運作和實施、提高募集資金的使用效率、加快募集資金投資項目的實施進(jìn)度。

10月15日，思源電氣發(fā)布公告，以上海陸芯電子科技有限公司（下稱“陸芯科技”）投前整體估值1.75億元人民币向(xiàng)該公司增資共計1000萬元人民币，本次增資後(hòu)公司預計將(jiāng)持有陸芯科技4.444%的股份（最終持股比例以最終簽署的增資協議爲準）。

據介紹，陸芯科技成(chéng)立于2017年5月，聚焦于功率半導體的設計和應用，設計高性能(néng)、低成(chéng)本、覆蓋全電壓段的功率器件，産品拟覆蓋全電壓段的MOSFET、IGBT、Diodes、Power IC 以及寬禁帶功率器件（SiC、GaN），并提供整體的電源管理解決方案。

本次增資前上海武嶽峰集成(chéng)電路股權投資合夥企業（有限合夥）（下稱“上海武嶽峰”）持股陸芯科技14.894%。上海武嶽峰與上海承芯企業管理合夥企業（有限合夥）（下稱“上海承芯”）均爲武嶽峰資本平台的下屬企業。上海承芯目前持有公司總股份的9.08%，公司董事(shì) PETER QUAN XIONG（熊泉）先生目前爲陸芯科技董事(shì)。本次投資屬關聯投資，本次交易構成(chéng)關聯交易。

思源電氣表示，這(zhè)幾年公司無功補償大類中電力電子産品訂單和收入增長(cháng)良好(hǎo)，公司對(duì)功率半導體器件（如IGBT等）的需求随之增大。目前功率半導體器件依賴進(jìn)口，存在供給不足的問題。公司通過(guò)本次投資，有助于提升功率半導體器件的市場供給，有助于公司與目标公司建立在功率半導體應用方向(xiàng)的長(cháng)期穩定合作關系。

資料顯示，思源電氣成(chéng)立于1993年12月，是國(guó)内知名專業從事(shì)電力技術研發(fā)、設備制造、工程服務的上市公司，主要提供電氣設備與服務。此前思源電氣曾籌劃收購北京矽成(chéng)41.65%股權以轉型半導體領域，後(hòu)來宣布終止收購。

據南沙投資報道(dào)，近日，廣東芯聚能(néng)半導體有限公司在廣州南沙舉行奠基活動。

資料顯示，芯聚能(néng)半導體有限公司聚焦車規級功率半導體元器件研發(fā)、生産和銷售，將(jiāng)建成(chéng)面(miàn)向(xiàng)新能(néng)源汽車主驅動器的核心功率半導體芯片設計、器件與模塊産品的研發(fā)與産業化基地。

2018年9月，廣州南沙開(kāi)發(fā)區管委會和芯聚能(néng)半導體有限公司簽訂投資協議，标志着這(zhè)家企業正式落戶南沙，也标志着應用第三代半導體技術産業化基地在南沙落地。芯聚能(néng)將(jiāng)建設IGBT模塊和傳感器設計、研發(fā)與生産基地，IGBT模塊被業内稱之爲新能(néng)源汽車的“CPU”，即是控制新能(néng)源汽車電能(néng)的“大腦”。

據金羊網此前報道(dào)，芯聚能(néng)項目總投資達25億元。項目第一階段將(jiāng)建設用于新能(néng)源汽車的IGBT和SiC功率器件與模塊生産基地，同時實現工業級功率器件規模化生産。第二階段將(jiāng)面(miàn)向(xiàng)新能(néng)源汽車和自動駕駛的汽車功率模塊、半導體器件和系統産品，延伸并形成(chéng)從芯片到封裝、模塊的産業鏈聚集。