10月17日，國(guó)電南瑞科技股份有限公司（以下簡稱“國(guó)電南瑞”）發(fā)布公告稱，拟與國(guó)家電網有限公司（以下簡稱“國(guó)網公司”）下屬科研單位全球能(néng)源互聯網研究院有限公司（以下簡稱“聯研院”）共同投資設立南瑞聯研功率半導體有限責任公司（以工商部門核準名稱爲準，以下簡稱“合資公司”），由該合資公司實施IGBT模塊産業化項目的部分投資。
公告指出，國(guó)電南瑞拟以IGBT模塊産業化項目的部分募集資金55,864.45萬元出資，占合資公司69.8305625%股權，聯研院以技術作價出資24,135.55萬元（該出資技術的評估值已經(jīng)國(guó)有資産管理單位備案），占合資公司30.17%股權。涉及變更實施主體的計劃投資額55,864.45萬元，占IGBT模塊産業化項目投資額的33.98%，占公司募集資金總籌資額的9.15%，相關募集資金用途、建設内容、地點等不變。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是國(guó)家産業政策重點支持發(fā)展的功率半導體器件，技術難度大、研發(fā)及産線建設周期長(cháng)、資金投入大,核心技術一直被國(guó)外企業壟斷，目前國(guó)内高端人才缺乏，國(guó)内僅有少量廠商開(kāi)展高壓IGBT研制業務。聯研院是國(guó)家電網公司直屬科研單位，國(guó)内首家專業從事(shì)全球能(néng)源互聯網關鍵技術和設備開(kāi)發(fā)的高端科研機構。
聯研院于2010年開(kāi)始研究功率半導體器件，擁有100多人的技術團隊和先進(jìn)的功率器件中試線，是國(guó)内少數掌握高壓IGBT芯片設計技術的單位之一。在功率半導體器件領域，聯研院承擔國(guó)家科技重大專項（02專項）“國(guó)産高壓大功率IGBT模塊電力系統應用工程”等攻關任務，自主研發(fā)了1200V至4500V系列IGBT、FRD芯片及器件，其中3300V/1500A壓接式和焊接式IGBT器件，掌握成(chéng)套的設計、制備等核心技術，打破了國(guó)外技術壟斷，成(chéng)功研制1200V至6500V碳化矽二極管樣品，實現了新一代電力電子器件的重大創新突破。
國(guó)電南瑞指出，通過(guò)與聯研院合作，有利于公司降低IGBT等功率器件技術研發(fā)及産品批量化生産的風險，保障中低壓、加快高壓IGBT等功率半導體芯片及模塊研制和産業化進(jìn)程。爲加快公司産業鏈延伸和産業升級，增強企業核心競争力，提高公司募集資金使用效率和效果，降低公司募投項目投資風險，公司拟以“IGBT模塊産業化項目”部分募集資金出資與聯研院共同設立合資公司，并增加合資公司爲該項目的實施主體。
公告顯示，經(jīng)中國(guó)證券監督管理委員會《關于核準國(guó)電南瑞科技股份有限公司向(xiàng)南瑞集團有限公司等發(fā)行股份購買資産并募集配套資金的批複》（證監許可[2017]2224号）核準，公司以非公開(kāi)發(fā)行股份方式向(xiàng)7名特定投資者發(fā)行了人民币普通股381,693,558股，發(fā)行價格爲15.99元/股，本次發(fā)行募集資金總額爲61.03億元元，扣除各項發(fā)行費用83,23.94萬元，實際募集資金淨額爲60.2億元。上述募集資金已于2018年4月8日全部到位。
“IGBT模塊産業化項目”是上述募集資金投資項目之一，根據原計劃，“IGBT模塊産業化項目”全部由國(guó)電南瑞母公司實施，項目投資總額爲164,388萬元，項目建設期42個月，項目投産後(hòu)第7年達到本項目預計的生産能(néng)力。截止2019年8月31日，該項目已累計使用募集資金2,370.53萬元，占總投資1.44%，剩餘募集資金162,017.47萬元（不含利息）。
公告指出，公司本次拟增加“IGBT模塊産業化項目”的實施主體，以計劃用于該項目設備投資的部分募集資金出資，與聯研院以技術作價出資共同投資設立合資公司，即由該合資公司實施IGBT模塊産業化項目的部分投資。涉及變更實施主體的計劃投資額爲55864.45萬元，占“IGBT模塊産業化項目”投資額的33.98%，占公司募集資金總籌資額的9.15%，相關募集資金用途、建設内容、地點等不變。
國(guó)電南瑞表示，本次交易有利于募集資金投資項目的運作和實施、提高募集資金的使用效率、加快募集資金投資項目的實施進(jìn)度。