近日，甯波杭州灣新區與中國(guó)電子信息産業集團有限公司全資子公司——華大半導體有限公司完成(chéng)寬禁帶半導體材料項目簽約，爲“名城名灣”建設再添“芯”動能(néng)。
據甯波杭州灣新區發(fā)布指出，該項目系浙江省首個第三代半導體材料項目，項目總投資10.5億元，計劃年産8萬片4-6吋碳化矽襯底及外延片、碳化矽基氮化镓外延片，産品可廣泛應用于5G通訊、新能(néng)源汽車、軌道(dào)交通、智能(néng)電網等領域。
華大寬禁帶半導體材料項目專注半導體制造過(guò)程的前端工序——半導體材料，而且還(hái)是屬于時下發(fā)展大熱門的第三代半導體材料。
第三代半導體材料即以碳化矽、氮化镓爲代表的寬禁帶半導體材料，已成(chéng)爲半導體技術研究前沿和競争焦點。碳化矽更被列入“中國(guó)制造2025”規劃，是國(guó)家戰略性新興産業。
可以說，新時期集成(chéng)電路産業發(fā)展背景下，該項目的簽約對(duì)新區搶占下一代信息技術制高點具有較大發(fā)展意義。寬禁帶半導體材料項目的“落子”，蘊含着新區完善集成(chéng)電路全産業鏈，搶抓半導體材料技術叠代發(fā)展機遇的決心。