功率半導體晶圓制造代工大廠漢磊，公布2019年第三季營收情形，由于2019年前3季市場遭遇去庫存及市況不佳等因素影響，第三季營收爲1.24億美元，年減21.2%。
面(miàn)對(duì)大環境不佳挑戰，漢磊總經(jīng)理莊淵棋表示：「2019年第三季開(kāi)始，營收表現將(jiāng)谷底反彈，并且随着功率半導體需求逐季回穩；預計到2020年第二季，整體産能(néng)利用率有機會回升至9成(chéng)。」
現行功率元件由于成(chéng)本考量，主要以Si與SiC晶圓并搭配磊晶技術爲主流
由于功率半導體所需的操作電壓較大，傳統Si元件因本身材料特性，崩潰電壓值(Breakdown Voltage)難以承受數百伏特以上，因而元件材料逐漸改由第三代半導體之寬能(néng)隙材料(SiC與GaN)取代。
另一方面(miàn)，由于晶圓(Substrate)成(chéng)本與制程條件等考量，Si晶圓無論在尺寸、價格上仍較SiC與GaN晶圓大且便宜許多，所以爲求有效降低晶圓成(chéng)本，磊晶生成(chéng)技術此時就變得格外重要。
目前制造功率半導體的主流晶圓，依然以尺寸較大、價格平價的Si晶圓爲大宗；而可承受高電壓但尺寸稍小、價格稍貴的SiC晶圓則爲次要。
選定晶圓材料(Si或SiC)後(hòu)，即可透過(guò)MOCVD或MBE機台，成(chéng)長(cháng)元件所需之SiC或GaN磊晶結構；随後(hòu)再進(jìn)行相關半導體前段制程(薄膜、顯影及蝕刻)步驟，最終完成(chéng)1顆功率元件。
全球資料中心與5G基地台建置需求，引領功率IDM廠與代工廠營收動能(néng)
根據現行功率半導體發(fā)展情形，目前主要以GaN(氮化镓)及SiC(碳化矽)等第三代半導體材料爲主。
其中，國(guó)際IDM大廠如英飛淩Infineon、科銳Cree、II-V等投入動作最積極，且相關廠商正試圖搶占全球寬能(néng)隙材料磊晶生成(chéng)與晶圓代工等市場。
近期搭上Server資料中心與5G基地台設備建置需求，預估到2019年第四季，國(guó)際IDM大廠于功率半導體與電源管理芯片等訂單需求將(jiāng)逐步提升，因而帶動底下制造代工廠商相關産能(néng)跟着擴張。
跟随此發(fā)展趨勢，漢磊爲第三代半導體中的制造代工大廠，雖然2019年前3季營收市場狀況表現略有不佳，但随着近期IDM大廠的逐步轉單挹注下，將(jiāng)驅使提升整體産能(néng)利用率，對(duì)于後(hòu)續經(jīng)營發(fā)展上將(jiāng)有一定程度上的助益。
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