格芯（GLOBALFOUNDRIES）的22nm FD-SOI（22FDX）平台上的嵌入式磁随機存取存儲器（eMRAM）已正式投入生産。同時格芯正與多家客戶共同合作，計劃于2020年實現多重下線生産。格芯樹立業界裡(lǐ)程碑，證明了eMRAM的可擴展性在物聯網、通用微控制器、邊緣AI和其他低功耗應用在進(jìn)階制程節點上是經(jīng)濟有效的選擇。
格芯的eMRAM，讓設計師能(néng)夠擴展現有的物聯網和微控制器單元架構，以取得28nm以下技術節點的功耗和密度優勢，并作爲大容量嵌入式NOR快閃存儲器的替代方案。
格芯的eMRAM是廣泛使用且堅固的嵌入式非揮發(fā)性存儲器（eNVM），已通過(guò)五項嚴格的實際回焊測試，在-40℃到125℃的溫度測試範圍，展現出10萬次循環耐久性和資料保存期限高達十年。FDX eMRAM解決方案通過(guò)AEC-Q100質量等級2之驗證标準。該解決方案的開(kāi)發(fā)正在進(jìn)行中，期望可以在明年通過(guò)符合AEC-Q100質量等級1解決方案之驗證标準。
格芯汽車與工業多市場部門資深副總暨總經(jīng)理Mike Hogan表示，格芯緻力于透過(guò)穩定、功能(néng)多元的解決方案讓FDX平台與衆不同，進(jìn)而讓客戶以高性能(néng)和低功耗之應用來開(kāi)發(fā)創新産品。格芯的差異化eMRAM，部署在業界最先進(jìn)的FDX平台上，爲易于整合的eMRAM解決方案提供獨一無二的高效能(néng)RF、低功耗邏輯和整合電源管理組合。讓客戶能(néng)夠提供新一代超高性能(néng)、低功耗的MCU和已連接的IoT應用。
格芯與設計合作夥伴今起(qǐ)提供客制化設計套件，其中包含可插式套件、4到48兆位矽驗證的MRAM巨集以及可選式MRAM支援内建測試功能(néng)。
eMRAM是一項可擴充的功能(néng)，預計將(jiāng)在FinFET和未來的FDX平台上應用，是eNVM的進(jìn)階規劃。格芯位于德國(guó)德勒斯登Fab1的先進(jìn)12吋晶圓生産線，將(jiāng)會采用MRAM來支援22FDX的批量生産。