三星電子7日宣布，已開(kāi)發(fā)出業界首個12層的3D-TSV（Through Silicon Via）技術。此技術透過(guò)精确的定位，把12個DRAM芯片以超過(guò)6萬個以上的TSV孔，進(jìn)行3D的垂直互連，且厚度隻有頭發(fā)的二十分之一。
三星指出，該技術封裝的厚度與目前的第二代8層高頻寬存儲器（HBM2）産品相同，能(néng)協助客戶推出具有更高性能(néng)與容量的次世代儲存産品，且無需更改其系統配置。
此外，新3D封裝技術還(hái)具有比現有的引線鍵合技術短的芯片間數據傳輸時間，能(néng)顯着提高速度并降低功耗。
三星電子TSP（測試與系統封裝）執行副總裁Hong-Joo Baek表示，随着各種(zhǒng)新的高性能(néng)應用的出現（如AI和HPC），能(néng)整合所有複雜的超高性能(néng)存儲器的封裝技術變得越來越重要。随着摩爾定律達到其極限，預計3D-TSV技術的作用將(jiāng)變得更加關鍵。
此外，透過(guò)將(jiāng)堆疊層數從8個增加到12個，三星表示將(jiāng)很快能(néng)夠量産24GB高頻寬存儲器，其容量是當今市場上8GB的三倍。