标簽：中芯國(guó)際

國(guó)内集成(chéng)電路封測龍頭企業長(cháng)電科技即將(jiāng)迎來新一屆董事(shì)會。

長(cháng)電科技發(fā)布公告，4月25公司召開(kāi)第六屆董事(shì)會第二十三次會議，會議由董事(shì)長(cháng)王新潮先生主持。會議審議通過(guò)了一系列議案，其中包括《董事(shì)會換屆選舉的議案》，鑒于長(cháng)電科技第六屆董事(shì)會任期已屆滿，根據《公司法》和《公司章程》的規定，須進(jìn)行換屆選舉。

王新潮退出下一屆董事(shì)會

根據公告，長(cháng)電科技第七屆董事(shì)會由9名董事(shì)組成(chéng)。經(jīng)提名委員會審核，同意提名周子學(xué)、高永崗、張春生、任凱、Choon Heung Lee（李春興）、 羅宏偉爲公司第七屆董事(shì)會非獨立董事(shì)候選人；同時，同意提名石瑛、 PAN QING（潘青）、李建新爲公司第七屆董事(shì)會獨立董事(shì)候選人。

資料顯示，長(cháng)電科技第六屆董事(shì)會亦由9名董事(shì)組成(chéng)，王新潮、張文義、張春生、任凱、高永崗、劉銘爲非獨立董事(shì)，蔣守雷、範永明、潘青爲獨立董事(shì)。

對(duì)比第六屆董事(shì)會，不難發(fā)現這(zhè)次董事(shì)會提名名單出現較大變動。

現任董事(shì)長(cháng)王新潮、副董事(shì)長(cháng)張文義、董事(shì)劉銘未出現在名單上，獨立董事(shì)蔣守雷、範永明也于2018年12月30日屆滿離任。同時，提名名單上新增非獨立董事(shì)周子學(xué)、李春興、羅宏偉以及獨立董事(shì)石瑛、李建新。

從名單人數上看，第七屆董事(shì)會的9名董事(shì)名額已齊，這(zhè)也就意味着，王新潮、張文義、劉銘將(jiāng)無緣第七屆董事(shì)會，王新潮繼去年辭任長(cháng)電科技CEO一職後(hòu)，也即將(jiāng)不再擔任長(cháng)電科技董事(shì)長(cháng)職務。

據了解，1990年，王新潮臨危受命接任長(cháng)電科技的前身江陰晶體管廠廠長(cháng)，帶領長(cháng)電科技實現“逆襲翻盤”成(chéng)長(cháng)爲國(guó)内封測龍頭，其亦通過(guò)江蘇新潮集團控股長(cháng)電科技、成(chéng)爲長(cháng)電科技實際控制人。

2015年，大基金、中芯國(guó)際攜手投資長(cháng)電科技、助其收購星科金朋，中芯國(guó)際全資子公司芯電半導體成(chéng)爲長(cháng)電科技第一大股東，長(cháng)電科技變更爲無控股股東、無實際控制人。2018年，長(cháng)電科技完成(chéng)36.19億元增發(fā)，大基金成(chéng)爲第一大股東，江蘇新潮集團從第二大股東變更爲第三大股東。

如今王新潮即將(jiāng)退出董事(shì)會，他與江蘇新潮集團在長(cháng)電科技的影響力可能(néng)將(jiāng)進(jìn)一步稀釋。

中芯國(guó)際董事(shì)長(cháng)周子學(xué)加入

在長(cháng)電科技新一屆董事(shì)會提名名單中，周子學(xué)的加入引起(qǐ)了業界的廣泛關注。

半導體業界對(duì)周子學(xué)并不陌生，其是現任中芯國(guó)際董事(shì)長(cháng)、執行董事(shì)及中芯國(guó)際若幹附屬公司的董事(shì)，同時亦任中國(guó)電子信息行業聯合會副會長(cháng)兼秘書長(cháng)、中國(guó)半導體行業協會理事(shì)長(cháng)。

長(cháng)電科技指出，周子學(xué)在在工業和信息化領域有逾三十年的經(jīng)濟運行調節、管理工作經(jīng)驗。出任現職前，周子學(xué)在工業和信息化部工作，曾任總經(jīng)濟師、财務司司長(cháng)等職；在此之前，周子學(xué)曾于信息産業部、電子工業部、機械電子工業部的不同部門和國(guó)營東光電工廠工作。

周子學(xué)的履曆無疑十分豐富，但最受業界關注的是其同時爲中芯國(guó)際董事(shì)長(cháng)身份。事(shì)實上，中芯國(guó)際與長(cháng)電科技原本就有着較爲緊密的合作關系，目前中芯國(guó)際全資子公司芯電半導體是長(cháng)電科技的第二大股東、持股14.28%，此外2014年中芯國(guó)際與長(cháng)電科技還(hái)共同組建了合營公司中芯長(cháng)電。

可預見的是，随着周子學(xué)加入長(cháng)電科技董事(shì)會，國(guó)内最大晶圓代工廠中芯國(guó)際和最大封測廠長(cháng)電科技之間的合作將(jiāng)更加密切。

某業内人士分析認爲，中芯國(guó)際將(jiāng)給長(cháng)電科技帶來更多的訂單，有利于進(jìn)一步提高國(guó)内制造與封測兩(liǎng)個環節之間的協同性；此外，兩(liǎng)者更進(jìn)一步的合作亦將(jiāng)提高長(cháng)電科技在先進(jìn)封裝方面(miàn)的能(néng)力，因爲先進(jìn)封裝會用到前端的技術和設備，與其他OSAT相比可進(jìn)一步增強優勢。

紹興日報消息顯示，自中芯國(guó)際項目簽約落地紹興臯埠集成(chéng)電路小鎮（IC小鎮）後(hòu)，不少産業鏈企業跟随而至，日前天毅半導體等多個項目分别簽訂落戶框架協議。

據介紹，天毅半導體全稱廣東天毅半導體技術有限公司，是一家集新能(néng)源芯片設計、控制技術爲一體，同時具備半導體設計、封裝、控制器軟硬件及特種(zhǒng)材料自主研發(fā)及制造能(néng)力的企業，主導産品爲IPM模塊、IGBT模塊、變頻模組、電動汽車變頻模組等。

天毅半導體IGBT項目拟在在紹興投資建設IGBT、MOSFE模塊、IPM模塊一體機、變頻一體機等電子産品的設計、研發(fā)和生産制造基地，項目總投資5億元。紹興日報稱，該項目屬于中芯國(guó)際項目的關聯産業項目，中芯國(guó)際項目預計2019年6月主廠房結構封頂，9月工藝設備調試，2020年一季度正式量産。

目前，紹興IC小鎮布局招引了中芯國(guó)際等30餘個重點項目，計劃總投資超300億元，上海韋爾、吉姆半導體等企業項目亦即將(jiāng)落地，拟打造國(guó)内知名的集成(chéng)電路産業集群高地。根據規劃，該小鎮目标將(jiāng)于2020年實現産值300億元，2022年突破500億元，2025年突破1000億元。 

3月31日，國(guó)内晶圓代工大廠中芯國(guó)際宣布出售其意大利8英寸晶圓廠LFoundry。

公告顯示，3月29日，中芯國(guó)際全資附屬公司SMIC Shanghai (Cayman) Corporation拟向(xiàng)江蘇中科君芯科技有限公司（以下簡稱“中科君芯”）出售目标公司中芯國(guó)際香港（國(guó)際）有限公司100%股份，出售代價爲1.13億美元。

目标集團包括目标公司、LFoundry、SMIC Sofia、LFoundry Sofia EOOD及Consorzio Delta Ti Research。目标公司爲于香港注冊成(chéng)立有限公司，主要從事(shì)攝像頭芯片的開(kāi)發(fā)及生産，其擁有占LFoundry70%已發(fā)行及流通在外企業資本的限額。該公司于2016年7月收購LFoundry 70%的企業資本。

資料顯示，LFoundry是一家專業晶圓代工廠，總部位于古歐洲的中心意大利阿韋紮諾，主要提供最先進(jìn)的模拟制造服務，晶圓月産量超過(guò)4萬片。該工廠擁有先進(jìn)的200mm生産線和150nm和110 nm工藝制程，提供MPW和MLM服務。

SMIC Sofia 爲設計服務中心，開(kāi)發(fā)汽車相關知識産權平台，由目标公司全資擁有；LF Sofia EOOD從事(shì)開(kāi)發(fā)設計及技術解決方案，專注于生産感測器及集成(chéng)電路，由LFoundry全資擁有。Consorzio Delta Ti Research從事(shì)納米技術闆塊的研發(fā)，LFoundry擁有其50%權益。

甩掉包袱，聚集先進(jìn)制程及特色工藝

事(shì)實上，LFoundry是中芯國(guó)際前兩(liǎng)年收購而來。

2016年7月，中芯國(guó)際以4900萬歐元的價格收購LFoundry 70%的企業資本。當時中芯國(guó)際表示，這(zhè)是中芯國(guó)際在全球戰略上邁出的重要一步，雙方將(jiāng)實現在技術、産品、人才、市場方面(miàn)的優勢互補。彼時業界亦認爲收購LFoundry對(duì)中芯國(guó)際而言可增産增量，是個不錯的選擇。

那麼(me)如今時隔不過(guò)兩(liǎng)年多，中芯國(guó)際爲何要出售LFoundry？對(duì)于這(zhè)次交易的理由，中芯國(guó)際表示，本公司基于自身運營與未來整體發(fā)展的考慮，決定出售目标集團。該交易的好(hǎo)處在于使管理層可以集中着眼于公司的未來發(fā)展，以及從該業務投資中獲得正面(miàn)投資回報。

業界認爲，對(duì)于中芯國(guó)際而言，這(zhè)或是甩包袱減負。某不具名的業内人士表示，一來歐洲市場并不是中芯國(guó)際的主場、占比較小，二來LFoundry持續虧損，數據顯示，2018年度及2017年度分别虧損810萬美元及1490萬美元，出售LFoundry的行爲并不難理解。

在他看來，如今全球半導體市場不景氣，中芯國(guó)際适當收縮一下或是好(hǎo)事(shì)，而且目前主戰場國(guó)内仍有很多産能(néng)急需填滿，還(hái)不如把LFoundry賣掉然後(hòu)押注到主戰場來。

中芯國(guó)際稱，目标集團于2018年12月31日的未經(jīng)審核資産總值爲256.2百萬美元，基于扣減淨資産賬面(miàn)值的代價，這(zhè)次交易預期將(jiāng)錄得交易收益77.0百萬美元（未經(jīng)審核）。經(jīng)計及相關交易成(chéng)本約2百萬美元後(hòu)，交易的所得款項淨額將(jiāng)約爲174百萬美元，本公司有意將(jiāng)其用于先進(jìn)制程工藝技術及特色成(chéng)熟工藝。

根據剛發(fā)布的2018年業績報告，中芯國(guó)際現已完成(chéng)了28納米HKC+以及14納米FinFET技術的研發(fā)，并開(kāi)始相關客戶導入的工作，預計于2019年内實現生産。此外，中芯國(guó)際也成(chéng)功開(kāi)發(fā)出了國(guó)内第一套14納米級光罩，具備了國(guó)内最先進(jìn)的光罩生産能(néng)力，今年可爲客戶 提供14納米光罩制造服務。

在持續推進(jìn)先進(jìn)制程的同時，中芯國(guó)際在特色工藝方面(miàn)亦在不斷布局，其中芯甯波特種(zhǒng)工藝N1項目已于2018年11月正式投産，N2項目亦已開(kāi)工建設；此外，聚集微機電（MEMS）和功率器件等特色工藝的中芯集成(chéng)（紹興）項目亦預計將(jiāng)于今年設備搬入。

中科君芯轉型IDM

這(zhè)次的買方——中科君芯成(chéng)立于2011年，是一家專注于IGBT、FRD等新型電力電子芯片研發(fā)的中外合資高科技企業。

據了解，中科君芯是國(guó)内率先國(guó)内率先開(kāi)發(fā)出溝槽栅場截止型（Trench FS）技術并真正實現量産的企業，其IGBT芯片、單管和模塊産品從600V至6500V，覆蓋了目前主要電壓段及電流段，已批量應用于感應加熱、逆變焊機、工業變頻、新能(néng)源等領域。

上述業内人士指出，中科君芯此番收購LFoundry，無疑是爲了從芯片設計向(xiàng)IDM轉型。該人士指出，在國(guó)内IGBT芯片設計領域，中科君芯的設計能(néng)力較強，LFoundry在這(zhè)方面(miàn)原本就有所積累，收購LFoundry可助其大幅提升競争力，并進(jìn)一步提升工藝技術、積累經(jīng)驗。

不過(guò)，該人士亦認爲，中科君芯的主要客戶在國(guó)内、LFoundry工廠位于歐洲，後(hòu)續若能(néng)將(jiāng)LFoundry搬回國(guó)内或是更好(hǎo)。

但無論如何，這(zhè)起(qǐ)交易若最終得以實現，中國(guó)IGBT産業將(jiāng)誕生一家新的本土IDM廠商。根據公告，該交易預計于今年6月底完成(chéng)。

3月31日，中芯國(guó)際公告，2019年3月29日，公司全資附屬SMIC Shanghai (Cayman) Corporation作爲賣方，拟向(xiàng)江蘇中科君芯科技出售賣方全資附屬中芯國(guó)際香港(國(guó)際)100%股本，代價爲約1.13億美元。

目标集團包括目标公司、LFoundry、SMIC Sofia、LFoundry Sofia EOOD及Consorzio Delta Ti Research。目标公司爲于香港注冊成(chéng)立有限公司，主要從事(shì)攝像頭芯片的開(kāi)發(fā)及生産，其擁有占LFoundry 70%已發(fā)行及流通在外企業資本的限額。

公司于2016年7月收購LFoundry 70%的企業資本。LFoundry爲根據意大利法律注冊成(chéng)立的有限公司，主要從事(shì)攝像頭芯片的開(kāi)發(fā)及生産。Marsica及ISAR各自擁有占LFoundry 15%已發(fā)行及流通在外企業資本的限額。SMIC Sofia爲設計服務中心，開(kāi)發(fā)汽車相關知識産權平台，由目标公司全資擁有。LF Sofia EOOD從事(shì)開(kāi)發(fā)設計及技術解決方案，專注于生産感測器及集成(chéng)電路，由LFoundry全資擁有。Consorzio Delta Ti Research從事(shì)納米技術闆塊的研發(fā)，LFoundry擁有其50%權益。

目标集團截至2018年12月31日止财政年度及2017年12月31日止财政年度的除稅前或除稅後(hòu)虧損淨額(未經(jīng)審核)分别爲810萬美元及1490萬美元。目标集團于2018年12月31日的未經(jīng)審核資産總值爲2.56億美元。

基于扣減淨資産帳面(miàn)值的代價，預期公司將(jiāng)錄得交易收益7700萬美元(未經(jīng)審核)。經(jīng)計及相關交易成(chéng)本約200萬美元後(hòu)，交易的所得款項淨額將(jiāng)約爲1.74億美元。公司有意將(jiāng)交易的所得款項淨額用于先進(jìn)制程工藝技術及特色成(chéng)熟工藝。

公告稱，公司基于自身運營與未來整體發(fā)展的考慮，決定出售目标集團。該交易的好(hǎo)處在于使管理層可以集中着眼于公司的未來發(fā)展，以及從該業務投資中獲得正面(miàn)投資回報。

2月28日，浙江省舉行擴大有效投資重大項目集中開(kāi)工儀式，甯波分會場共有63個項目參與，其中包括中芯甯波特種(zhǒng)工藝（晶圓-芯片）N2項目（以下簡稱“N2項目”）。

N2項目位于甯波市北侖區柴橋，項目用地面(miàn)積192畝，建築面(miàn)積20萬平方米，項目總投資39.9億元，建設單位爲中芯集成(chéng)電路（甯波）有限公司，建設工期2019年-2021年，2019年計劃投資5億元，主體施工，將(jiāng)新建特種(zhǒng)工藝芯片光刻、蝕刻、薄膜、擴散等無塵車間及動力設備等附屬設施。

根據規劃，N2項目建成(chéng)後(hòu)將(jiāng)形成(chéng)年産33萬片8英寸特種(zhǒng)工藝芯片産能(néng)，同期開(kāi)發(fā)高壓模拟、射頻前端、特種(zhǒng)半導體技術制造和設計服務。

中芯甯波于2016年11月正式揭牌，由中芯晶圓（中芯國(guó)際全資投資基金）與甯波勝芯、華創投資等聯合成(chéng)立。2018年3月，中芯國(guó)際宣布其全資附屬中芯控股向(xiàng)國(guó)家大基金出售其所持有的中芯甯波28.17%股權，股權轉讓完成(chéng)後(hòu)中芯控股所持中芯甯波的股權由66.76%減少至38.59%。目前國(guó)家大基金爲中芯甯波的第二大股東，持股32.97%。

該公司將(jiāng)通過(guò)對(duì)相關知識産權和技術的收購、吸收、提升和發(fā)展，在高壓模拟半導體以及包括射頻與光電特色器件在内的模拟和特色工藝半導體技術領域，開(kāi)發(fā)、建立新的核心器件及技術平台，以支持客戶面(miàn)向(xiàng)智能(néng)家電、工業與汽車電子、新一代射頻通訊以及AR/VR/MR等專用系統應用的芯片設計、産品開(kāi)發(fā)。

成(chéng)立兩(liǎng)年有餘，中芯甯波現已取得了階段性成(chéng)果。2017年初，中芯甯波完成(chéng)了對(duì)日銀IMP全套高壓模拟工藝及産品知識産權收購；2017年5月，中芯甯波首款600V BCD高壓模拟工藝及産品5-8英寸轉換成(chéng)功，良率達到99%；2018年11月2日，中芯甯波N1項目正式投産。

今年1月，中芯甯波和宜确半導體聯合發(fā)布業界首個矽晶圓級砷化镓及SOI異質集成(chéng)射頻前端模組，封裝尺寸僅爲2.5×1.5×0.25立方毫米，是目前該領域内最緊湊的射頻前端器件，可滿足5G市場對(duì)于射頻前端模組的微型化需求，首批産品預計將(jiāng)于2019年上半年在中芯甯波N1工廠投産。

随着N2項目的開(kāi)工建設，中芯甯波的特種(zhǒng)工藝布局進(jìn)一步加速，將(jiāng)助推器件供給國(guó)産化。

2月27日，北京市發(fā)改委召開(kāi)“2019年北京市重點項目融資工作會”,宣布今年謀劃實施“三個一百”工程，集中精力推進(jìn)100個基礎設施、100個民生改善和100個高精尖産業項目，預計完成(chéng)投資約2354億元、建安投資約1243億元。

其中，100個帶動性強、具有龍頭和引領作用的高精尖産業項目，當年計劃完成(chéng)建安投資約230億元，包括先進(jìn)制造業項目29個，重點實施中芯北方12英寸集成(chéng)電路生産線、京東方生命科技産業基地（一期）等。

官網資料顯示，中芯北方成(chéng)立于2013年7月，是中芯國(guó)際與北京市政府共同投資設立的12寸先進(jìn)制程集成(chéng)電路制造廠。中芯國(guó)際作爲中芯北方的控股股東和技術提供來源，全權負責中芯北方的生産和運營。中芯北方具備兩(liǎng)座月産3.5萬片的300mm晶圓廠。第一座晶圓廠主要生産40納米和28納米Polysion工藝産品；第二座晶圓廠具備28納米HKMG工藝及更高技術水平（廠房在建中）。

據北京市發(fā)改委主任談緒祥介紹，今年北京將(jiāng)推動奔馳新能(néng)源汽車、超高清顯示設備、集成(chéng)電路生産線、第三代半導體、“無人機小鎮”等重大項目落地，加快推進(jìn)中芯北方及燕東集成(chéng)電路生産線等項目竣工投産等。

中國(guó)晶圓代工廠中芯國(guó)際日前發(fā)布了截至 2018 年 12 月 31 日的 2018 年第 4 季财報。根據資料顯示，2018 年第 4 季營收 7.88 億美元，較 2017 年同期約略持平外，在技術研發(fā)方面(miàn)，中芯國(guó)際表示，第一代 FinFET 14 納米技術進(jìn)入客戶驗證階段，産品可靠度與良率已進(jìn)一步提升。同時，12 納米的技術開(kāi)發(fā)也開(kāi)始有所突破。

根據财報顯示，中芯國(guó)際在 2018 年第 4 季營收 7.88 億美元，較 2017 年同期約略持平，較 2018 年第 3 季則是下滑 7.4%。其主要原因爲産能(néng)利用率從上一季的 94.7%，下降至 89.9%，而導緻毛利率下滑。當季毛利率爲 17%，較 2017 年同期的 18.9%，以及 2018 年第 3 季的 20.5% 都(dōu)有所下滑。至于，獲利方面(miàn)，當季運營虧損 4,093 萬美元，較第 3 季擴大。

中芯國(guó)際表示，雖然第 4 季的财報表現不佳，但是符合預期，而且 2018 年全年營收 33.6 億美元，較 2017 年增長(cháng) 了8.3%，這(zhè)成(chéng)長(cháng)率高于晶圓代工行業平均水平的。

目前，在全球晶圓代工行業中，除了市占率高達 60% 的台積電之外，其他代工廠的日子都(dōu)不太好(hǎo)過(guò)。中芯國(guó)際第 4 季的高階制程産能(néng)利用率下滑，28 納米占比隻有 5.4%，較第 3 季的 7.1%，下滑 1.7 個百分點。中芯國(guó)際解釋，這(zhè)是因爲全球 28 納米産能(néng)出現過(guò)剩的情況所導緻，這(zhè)部分甚至連台積電都(dōu)有出現下滑的情況。

而在新技術發(fā)展的情況，中芯國(guó)際的第一代 14 納米 FinFET 制程已技術進(jìn)入客戶驗證階段，産品可靠度與良率已進(jìn)一步提升。同時，12 納米的技術的開(kāi)發(fā)也取得突破。這(zhè)是中芯國(guó)際首次提到 12 納米制程，這(zhè)是基于 14 納米 FinFET 制程的改良版。與 14 納米制程相比，中芯國(guó)際的 12 納米制程功耗降低了 20%，性能(néng)提升了 10%，錯誤率降低了 20%。而目前流程設計套件已準備就緒，同時 IP 驗證正在進(jìn)行中。

2月14日，國(guó)内晶圓代工大廠中芯國(guó)際發(fā)布2018年第四季度業績，宣布14nm工藝進(jìn)入客戶驗證階段，且12nm工藝開(kāi)發(fā)取得突破。

财報顯示，中芯國(guó)際2018年第四季度實現營業收入7.88億美元，比第三季度略有下降，與2017年第四季度基本持平；實現毛利潤1.34億美元，同比下降9.7%；毛利率爲17.0%，同比下降1.9%。

2018年全年，中芯國(guó)際實現營收33.6億美元，創曆史新高，較2017年的31億美元同比增長(cháng)8.3%，連續4年持續成(chéng)長(cháng)，其中中國(guó)客戶收入占總收入的59.1％，創曆史新高；實現利潤1.34億美元，毛利率爲22.2%。

展望2019年第一季度，中芯國(guó)際預計季度收入下降16%至18%。毛利率介于20%至22%的範圍内。中芯國(guó)際聯席首席執行官趙海軍博士和梁孟松博士評論稱，2019年全年核心業務收入成(chéng)長(cháng)目标與晶圓代工行業成(chéng)長(cháng)率相當，基于目前的可見度，一季度收入預計爲全年相對(duì)低點。

趙海軍還(hái)表示，面(miàn)對(duì) 2019 年大環境許多的不确定，中芯國(guó)際努力尋求成(chéng)長(cháng)機遇，穩中帶進(jìn)，積極開(kāi)發(fā)客戶，拓展成(chéng)熟和特色工藝的産品組合和應用範圍，發(fā)掘市場價值機會，爲成(chéng)長(cháng)儲備力量。

對(duì)于業界最爲關心的14nm工藝，梁孟松在公告中表示，中芯國(guó)際努力建立先進(jìn)工藝全方位的解決方案，特别專注在FinFET技術的基礎打造、平台的開(kāi)展以及客戶關系的搭建。目前中芯國(guó)際第一代FinFET14nm技術進(jìn)入客戶驗證階段，産品可靠度與良率已進(jìn)一步提升。

數天前業界有消息稱，中芯國(guó)際將(jiāng)在今年上半年就開(kāi)始大規模生産14nm芯片，比最初預期至少提前幾個季度實現了量産，并稱其14nm工藝的良率已達95%。中芯國(guó)際未對(duì)此消息作出回應，但如今其14nm工藝已進(jìn)入客戶驗證階段，相信量産時間亦不會遙遠。

值得一提的是，這(zhè)次在公告中梁孟松還(hái)首次提到了12nm工藝，此前坊間傳聞中芯國(guó)際將(jiāng)越過(guò)12nm工藝直接研發(fā)10nm工藝，如今看來并非如此。梁孟松透露稱，中芯國(guó)際在14nm進(jìn)入客戶認證階段的同時，12nm的工藝開(kāi)發(fā)也取得突破。這(zhè)對(duì)于在先進(jìn)制程上長(cháng)期落後(hòu)的中國(guó)集成(chéng)電路制造業而言無疑是個大好(hǎo)消息。

縱觀全球晶圓代工廠，龍頭企業台積電已量産7nm、5nm即將(jiāng)登場，三星亦已量産7nm，有着在先進(jìn)制程上與台積電一拼到底之勢，中芯國(guó)際雖然與台積電等仍落後(hòu)兩(liǎng)代，但距離正在逐漸縮小；而随着格芯宣布擱置7nm FinFET項目、聯電不再投資12nm以下制程，未來中芯國(guó)際或有希望在先進(jìn)制程方面(miàn)突圍。

1月30日，ICisC南京集成(chéng)電路産業服務中心（以下簡稱“ICisC”）透露，ICisC與中芯國(guó)際合作開(kāi)通了直接流片通道(dào)，ICisC在建立全球流片一站式服務能(néng)力上又邁出了重要一步。

中芯國(guó)際是中國(guó)大陸第一大代工企業，也是國(guó)内首家具備28nm芯片生産工藝的晶圓代工企業。

ICisC認爲，通過(guò)與中芯國(guó)際的緊密合作，可以更加方便地爲區内企業獲得中芯國(guó)際直接的技術支持，爲各需求企業提供更加便捷的服務。

ICisC公共技術服務平台通過(guò)與國(guó)際主流Foundry、Design Service、渠道(dào)商合作，已經(jīng)建立了包括台積電在内的全球主流流片通道(dào)，爲江北新區及南京市芯片企業提供“一站式全球流片渠道(dào)服務”。

截至目前，ICisC已爲地區企業提供了多個項目、工藝節點至28nm的流片服務，服務金額達數千萬元。

另外，ICisC公共技術服務平台全球流片超市爲集成(chéng)電路設計企業提供包含MPW、工程批、MASK制作等流片相關技術服務。目前已建立了包含台積電16nm先進(jìn)工藝在内的流片渠道(dào)，全球合作的Foundry及Design Service企業超過(guò)20家，提供流片工藝線超過(guò)100種(zhǒng)。可爲企業降低流片成(chéng)本，拓寬流片渠道(dào)。