美光一工廠停産?謠言!

美光一工廠停産?謠言!

近日,有媒體報導存儲器廠商美光公司在中國(guó)地區受新冠病毒影響,不僅辦公室工作受到影響,生産線也一度陷入停擺。

該報道(dào)指出,美光中國(guó)區目前雖已經(jīng)開(kāi)始恢複生産,但是臨時中斷産線已經(jīng)帶來嚴重損失,還(hái)推遲了DDR5内存量産的計劃,對(duì)客戶的供貨也會出現問題。

然而,根據集邦咨詢的調查,目前全球美光廠都(dōu)正常運作中,并無外傳停工的相關事(shì)宜。

首先,該報道(dào)表示事(shì)發(fā)地點是在美光中國(guó)區,但美光并無任何的DRAM或是NAND産品在中國(guó)大陸生産,僅有在西安的封裝測試廠。不過(guò),該工廠雖是美光出資,但目前運營由力成(chéng)管理,且近兩(liǎng)年美光相關産品大多轉移到其他地區做封裝測試,該工廠并未有太多封裝測試。

再者,即使疫情現在在全球各地蔓延,目前的12寸半導體由于已經(jīng)高度自動化,人員需求不多,因爲疫情導緻停工可能(néng)性低。

最後(hòu),DDR5量産方面(miàn),今年僅有少量測試品給客戶驗證,且支持DDR5平台最快2021年才會問市,短期美光無大規模的DDR5量産計劃,自然無拖累量産計劃之實。

所以,該媒體的報道(dào)基本屬于假消息,目前美光工廠都(dōu)在正常運作中,并無外界傳言的停工或是拖累DDR5生産相關事(shì)宜。

針對(duì)這(zhè)些報道(dào),美光公司也發(fā)表聲明否認,聲稱美光緻力維持安全的工作環境,除了密切關注國(guó)際性新冠肺炎的疫情發(fā)展,也已在辦公場區域實施健康篩檢、差旅管制等必要措施。

美光進(jìn)一步表示,截至目前爲止,亞洲所有廠區的日常營運幾乎未受任何影響,産線運行一切如常,後(hòu)續也將(jiāng)持續關注情勢發(fā)展并加以因應。

新型存儲的機會來了?格芯22nm工藝量産eMRAM

新型存儲的機會來了?格芯22nm工藝量産eMRAM

近日,格芯宣布基于22nm FD-SOI (22FDX)工藝平台,新型存儲器eMRAM(嵌入式、磁阻型非易失性存儲器)已投入生産。eMRAM屬新型存儲技術,與當前占據市場主流的DRAM和NAND閃存相比,具有更快的存取速度和更高的耐用性,在邊緣設備中具有替代NAND閃存和部分SRAM的潛質。它在22nm工藝下的投産,將(jiāng)加快新型存儲技術的應用進(jìn)程,未來發(fā)展前景看好(hǎo)。

22nm FD-SOI工藝eMRAM年内量産,采用相關芯片的終端明年面(miàn)世

根據格芯的報告,將(jiāng)在德國(guó)德累斯頓1号晶圓廠的12英寸生産線,進(jìn)行eMRAM的制造加工。目前,格芯正在接洽多家客戶,計劃于2020年安排多次生産流片。這(zhè)也意味着,采用22nm FD-SOI工藝的eMRAM有望于2020年投入量産,采用相關芯片産品的終端設備于2021年有望面(miàn)世。

eMRAM屬新型存儲技術,相比DRAM和NAND閃存,具有更快的存取速度和更高的耐用性,适用于物聯網、通用微控制器、汽車電子、終端側人工智能(néng)設備和其他低功耗設備當中。基于22nm FD-SOI先進(jìn)工藝節點制造,産品將(jiāng)具有更高的性價比。格芯汽車、工業和多市場戰略業務部門高級副總裁和總經(jīng)理Mike Hogan表示:“客戶可利用這(zhè)些解決方案來構建适用于高性能(néng)和低功耗應用的創新産品。基于FDX平台生産的eMRAM,更有利于集成(chéng)在高性能(néng)射頻、低功耗邏輯和集成(chéng)電源管理的解決方案中實現産品的差異化。”

除格芯之外,其他半導體廠商對(duì)于eMRAM等新型存儲器的開(kāi)發(fā)也非常重視。2019年年初,三星曾宣布基于28nm FD-SOI工藝,在韓國(guó)器興廠區投産eMRAM,并計劃生産1千兆容量的eMRAM測試芯片,爲大規模生産做準備。三星代工市場副總裁Ryan Lee表示:“通過(guò)eMRAM與現有成(chéng)熟的邏輯技術相結合,三星晶圓代工將(jiāng)繼續擴大新興的非易失存儲器工藝産品組合,以滿足客戶和市場需求。”台積電技術長(cháng)孫元成(chéng)也曾經(jīng)透露,台積電已開(kāi)始研發(fā)eMRAM和eRRAM等,并計劃采用22nm工藝。這(zhè)是台積電應對(duì)物聯網、移動設備、高速運算電腦和智能(néng)汽車等領域所提供效能(néng)更快速和耗電更低的新存儲器。

應用材料則在2019年推出業界首款具備量産價值的MRAM制造設備平台Endura Clover MRAM PVD系統,可進(jìn)行材料沉積、介面(miàn)清潔和熱處理功能(néng)等,在半導體設備上爲MRAM的量産提供了可行性。根據應用材料金屬沉積産品事(shì)業部全球産品經(jīng)理周春明的介紹,一個PVD系統可以整合7個Clover PVD腔室,在一個PVD系統中就可以完成(chéng)10多種(zhǒng)不同材料和超過(guò)30層以上的沉積,由于不需要像以往設備那樣進(jìn)行真空中斷,將(jiāng)大幅提升成(chéng)品率。

存取速度提高10倍以上,有望成(chéng)爲未來雲服務數據中心首選

目前,業界關于新型存儲器的讨論一直很熱,并不僅局限于eMRAM。3D XPoint、PCRAM、ReRAMRRAM等均是人們重點關注的技術。

2006年英特爾即與美光聯合成(chéng)立了IM Flash Technologies公司,共同開(kāi)發(fā)新型存儲器3D Xpoint。雖然雙方于2018年因技術路線分歧而分道(dào)揚镳,但是目前英特爾與美光均已各自量産3D Xpoint,并投入推廣。英特爾在其雲計算解決方案中,將(jiāng)3D Xpoint和3D NAND整合在單一模塊當中,作爲HDD硬盤、3D NAND與DRAM内存之間的一個新的層級。由于傲騰硬盤的容量是DDR4内存的10倍,斷電也不丢失數據,將(jiāng)增加存儲系統的整體性能(néng)。英特爾中國(guó)研究院院長(cháng)宋繼強告訴記者:“將(jiāng)DRAM、NAND Flash和傲騰技術相結合,在緩存和DRAM之間,DRAM存儲之間插入第三層,填補内存層級上的空白,使存儲結構間的過(guò)渡更加平滑,對(duì)于提高系統性能(néng)非常有利。”在2019年的“Mircon Insight”技術大會上,美光也推出了基于3D XPoint技術的超高速SSD硬盤X100。美光執行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana表示:“美光是全球爲數不多的DRAM、NAND和3D XPoint解決方案垂直整合提供商,該産品將(jiāng)繼續推動我們的産品組合向(xiàng)更高價值的解決方案發(fā)展,從而加速人工智能(néng)能(néng)力發(fā)展、推動更快的數據分析,并爲客戶創造新的價值。”

ReRAM和PCRAM同樣屬于非易失性存儲器,适合作爲“存儲級存儲器”填補服務器DRAM和NAND閃存之間不斷擴大的性價比差距。根據周春明的介紹,在將(jiāng)PCRAM或者ReRAM用于數據中心存儲系統當中時,相較于傳統的NAND,可以提供超過(guò)10倍的存取速度,有望成(chéng)爲未來雲服務數據中心的首選。目前,業界對(duì)于PCRAM與ReRAM的量産開(kāi)發(fā)也十分積極。2019年在推出面(miàn)向(xiàng)MRAM生産的PVD系統的同時,應用材料還(hái)推出了支持PCRAM、ReRAM量産化的Endura Impulse PVD設備。周春明預測未來3~5年,新型存儲器有望解決制造上瓶頸快速進(jìn)入市場。

融合還(hái)是替代?

eMRAM等新型存儲器會取代DRAM和NAND Flash成(chéng)爲市場主流嗎?集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)資深協理吳雅婷認爲,eMRAM隻會部分取代DRAM/NAND的使用量,但并沒(méi)有辦法完全取代現有的存儲器解決方案。在所有新一代存儲器中,eMRAM的電信特性與DRAM和NAND Flash極其相似,具備一定的優缺點,并未具備完全替代DRAM和NAND Flash的性能(néng)。“使用新一代存儲器,對(duì)于傳統平台來說,需要改變以往的平台架構才能(néng)适應,并不是可以輕松使用的。”吳雅婷說。

應用材料金屬沉積産品事(shì)業部全球産品經(jīng)理周春明也表示,新型存儲器具有更快的存取速度,更好(hǎo)的耐用性,更小的裸片尺寸、成(chéng)本和功耗等性能(néng)優勢。例如,以統合式 MRAM 解決方案取代微控制器中的eFlash和SRAM,可節省90%的功耗。不過(guò),周春明也指出,目前下一代存儲器在量産制程方面(miàn)仍然存在很多瓶頸。

也就是說,新一代存儲器想要獲得一定的市場空間,還(hái)需要與現有的存儲器解決方案進(jìn)行配合,加快适應傳統平台的架構,釋放性能(néng)方面(miàn)的優勢。

威剛看好(hǎo)第2季疫情降溫後(hòu)市場反彈

威剛看好(hǎo)第2季疫情降溫後(hòu)市場反彈

存儲器模組大廠威剛5日公布2月份營收狀況。威剛表示,不受肺炎疫情沖擊,在下遊客戶備貨需求強勁,帶動整體需求的情況下,2月份合并營收達新台币24.46億元,較1月份增加30.07%,較2019年同期也是增加19.64%。累計,2020年前2個月營收合計爲新台币43.27億元,較2019年同期增加4.56%。

威剛表示,2月DRAM産品營收比重爲41.69%,非DRAM産品營收比重58.31%。其中,固态硬盤(SSD)産品營收比重仍維持3成(chéng)以上,達到31.65%的水準。SSD月銷售金額較2019年同期成(chéng)長(cháng)67.67%。預計,2020年上半年産業DRAM及NAND Flash供給不足态勢确立,而且在農曆春節後(hòu)客戶拉貨力道(dào)未減,3月接單狀況持續增溫的情況下,整體第1季營運表現將(jiāng)逐月成(chéng)長(cháng)。

威剛進(jìn)一步表示,在2020年存儲器供不應求态勢不變的情況下,全球肺炎疫情雖將(jiāng)造成(chéng)3月到4月的消費市場短期需求降溫,但并未影響中長(cháng)線産業景氣多頭走勢,仍看好(hǎo)2020年存儲器價格將(jiāng)逐季上揚。預期随着2020年第2季肺炎疫情高峰期過(guò)後(hòu),需求可望出現明顯的補貨效應。在此情況下,威剛將(jiāng)積極備貨,維持足夠庫存水位的策略也將(jiāng)持續進(jìn)行,以因應5G、雲端及微軟Xbox與Sony PS5等新機上市帶動的存儲器倍增需求。

另外,自2019年第4季以來,資料中心需求持續回籠,加上肺炎疫情促使宅經(jīng)濟效應升溫,5G應用及雲端運算規模持續擴大,帶動存儲器訂單直線向(xiàng)上。另一方面(miàn),威剛不但在電競版圖的擴展不遺餘力,攜手英特爾陸續攻城掠地。目前,公司于工控産業的客戶群規模也因料源備足優勢,在這(zhè)波存儲器供不應求的态勢下持續成(chéng)長(cháng),預估2020年整體營運績效及全球品牌價值也將(jiāng)水漲船高。

宇瞻:第二季NAND Flash漲幅將(jiāng)大于DRAM

宇瞻:第二季NAND Flash漲幅將(jiāng)大于DRAM

存儲器模組廠宇瞻總經(jīng)理張家騉昨(4)日指出,新冠肺炎疫情雖造成(chéng)存儲器整體市場需求端有所修正,但供應原廠均無意降價。

随着疫情纾緩,在資料中心和電競産品需求強勁下,下一季DRAM和儲存型快閃存儲器(NAND Flash)等二大存儲器都(dōu)會漲價,下半年更會缺貨,且NAND Flash缺貨比DRAM更嚴重。這(zhè)是疫情肆虐下,第一家存儲器模組廠舉行法說會,且針對(duì)DRAM和NAND Flash市況提供最新說明。

張家騉表示,疫情對(duì)全球市場造成(chéng)影響,瞬息萬變,難以預測,但隻是需求端造成(chéng)幹擾。很多系統廠受到返工率緩慢及供應斷鏈影響,因工廠停工或整機出不了貨,暫緩拉貨,但來自資料中心、電競和電商等宅經(jīng)濟的拉貨力道(dào)強勁,兩(liǎng)項因素相抵,主要供應大廠仍不願降價,包括宇瞻等主要買家想趁低檔補貨,也不易拿到低價。

他指出,本季因服務器市場拉貨,包括三星、SK海力士和美光三大DRAM廠庫存水位降到四至六周,加上5G新手機搭載DRAM位元大增,預估下半年DRAM市場將(jiāng)供給短缺,價格上漲;NAND Flash下半年供應會更爲緊張。

有關二大存儲器的價格走勢,張家騉指出,目前合約價與現貨價走勢背離,随着大陸廠陸續複工,渠道(dào)商強力拉價格,使現貨市場漲勢相當大,雖然第2季會受疫情影響,但在複工率大幅提升下,第2季DRAM和nanD Flash合約價都(dōu)會漲價,并與現貨價逐漸拉近,下半年NAND Flash漲幅會比DRAM高。

獲美商供應 SK海力士將(jiāng)量産HBM2E DRAM

獲美商供應 SK海力士將(jiāng)量産HBM2E DRAM

據韓媒《Business Korea》報導,韓國(guó)科技大廠SK海力士已克服了下一代存儲器量産的障礙之一,全球電子設計自動化龍頭美商新思科技在近期宣布,將(jiāng)向(xiàng)SK海力士供應系統單芯片(SoC)技術方案,以協助該公司量産高頻寬存儲器HBM2E。

該SoC方案符合基于台積電7納米制程JEDEC的HBM2E SDRAM标準,并具有409 GB/秒的數據率,可以在一秒鍾内處理110部全高清電影(每部電影3.7 GB)。

SK海力士的HBM2E存儲器芯片可以同時從數千個孔洞向(xiàng)數據發(fā)送功率,與目前的技術相比,可以減少30%以上的芯片尺寸并減少50%以上的功耗。HBM芯片可以整合到SoC,與邏輯芯片(例如GPU)相距僅數十微米。因此,相較于在主機闆上與SoC并行安裝,可以進(jìn)一步縮短數據傳輸距離,實現更快的數據傳輸。

不過(guò),HBM2E DRAM價錢是當前的兩(liǎng)到三倍,且尺寸大于LPDDR4芯片。因此,市場并不大,僅用于要求超高性能(néng)的地方,例如IDC或超級電腦等大型數據中心。

但是,随着5G移動通信、人工智能(néng)(AI)、自動駕駛和物聯網(IoT)的出現,對(duì)高性能(néng)服務器的需求持續成(chéng)長(cháng),市場前景樂觀。

SK海力士在2013年首次推出HBM芯片,三星電子也随即投入了HBM芯片的開(kāi)發(fā),從而引發(fā)了兩(liǎng)家公司的激烈競争。針對(duì)新一代HBM2E芯片而言,三星電子于今年初首次開(kāi)始量産,SK海力士是于2019年8月推出,但尚未正式開(kāi)始量産。

日韓疫情持續加劇 全球半導體産業鏈影響幾何?

日韓疫情持續加劇 全球半導體産業鏈影響幾何?

全球疫情還(hái)在蔓延,根據2月26日的報道(dào),韓國(guó)累計确診感染者達到1261人,日本新冠肺炎感染者達862人。

日韓疫情兇猛,也牽動着全球半導體産業的脈搏,因爲兩(liǎng)個國(guó)家都(dōu)處在半導體的關鍵地位。其中,韓國(guó)位于半導體技術俯沖帶,在存儲器、面(miàn)闆等領域投資力度巨大,日本是産業鏈上的核心技術節點,半導體材料、機械設備都(dōu)首屈一指。

在以上領域中,大家更關注存儲器以及上遊材料的狀況。而面(miàn)闆産業,中國(guó)産能(néng)更大,也有替代之選,生産設備上則有市占率更高的歐洲廠商可以選擇。

目前日韓的半導體巨頭三星、SK海力士等并未停工,都(dōu)在運轉中。短期來看,影響尚不明顯,但是一旦疫情繼續惡化,關鍵供應的短缺會爲全球産業鏈帶來巨大損失。

據記者了解,三星确診的員工是在手機工廠,并且是試驗線,員工并不多,對(duì)整體影響不大。三星電子則表示,公司在韓國(guó)的芯片和面(miàn)闆工廠未受影響。

日前,SK海力士位于韓國(guó)利川工廠的一名新員工曾與大邱市确診病例有密切接觸。SK海力士對(duì)外表示,該名員工核酸檢查結果爲“陰性”,爲安全起(qǐ)見繼續被隔離至3月1日。對(duì)于該員工所接觸的800名人員都(dōu)無條件地進(jìn)行隔離。SK海力士在利川工廠擁有1.8萬多名員工,工廠的運營不會受此影響,目前正常運營中。

多位半導體業内人士向(xiàng)21世紀經(jīng)濟報道(dào)記者表示,現在日韓政府幹預力度沒(méi)有那麼(me)大,工廠都(dōu)是正常開(kāi)工,需要保持動态跟蹤。

存儲器價格小幅上漲

有手機從業者曾告訴記者,存儲已經(jīng)超過(guò)屏幕、CPU,成(chéng)爲手機最大的成(chéng)本,存儲在手機中的成(chéng)本達到25%-35%,可見其重要性。而三星、SK海力士均在存儲器領域占據壟斷地位。

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查顯示,從2019年第四季度全球NAND品牌廠商營收來看,三星排名第一,市場份額達到35.5%;SK海力士排名第六,市場份額爲9.6%。2019年第四季度全球DRAM廠自有品牌内存營收排名中,三星位居第一,市場份額43.5%,SK海力士爲第二名,市場份額29.2%。

整體來看,NAND領域,三星加上SK海力士,韓系廠商市占比爲45.1%,接近半壁江山;在DRAM領域,三星和SK的占比高達72.7%。

其中,三星除了韓國(guó)有工廠外,在中國(guó)西安也有建廠,擴産時程因疫情影響存有隐憂,但目前仍按原本規劃進(jìn)行;SK海力士在中國(guó)無錫設有工廠,受到中美貿易戰以及疫情的影響,投片規劃傾向(xiàng)保守。此外,NAND大廠铠俠和西部數據,在日本岩手縣和三重縣均有工廠,也受到疫情影響。

集邦咨詢分析師吳雅婷回複21世紀經(jīng)濟報道(dào)記者稱,因内存工廠高度自動化,目前生産上并沒(méi)有受到疫情影響。至于需求面(miàn),受疫情影響,筆記本電腦以及智能(néng)手機已經(jīng)有比較明顯的出貨下修;但不管是DRAM還(hái)是NAND Flash,目前都(dōu)是即將(jiāng)要轉爲供貨吃緊的市況,但是采購端的購貨意願還(hái)是很強。

需要指出的是,半導體産業生産基本全年無休,其制程特殊,一旦停止就會産生重大損失,所以工廠不會輕易地停産或者減少産能(néng)。從去年年末開(kāi)始,存儲器供需就在發(fā)生變化,疫情影響疊加下,或會進(jìn)一步導緻緊缺,存儲器的價格將(jiāng)迎來上漲。

集邦咨詢指出,從全球供給端來看,存儲器産業的特性是除非遇到全球系統性風險,否則廠商不會貿然減産,加上客戶端庫存仍然不足,即便下遊客戶現階段面(miàn)臨缺工、缺料的問題,但仍會維持一定采購力;加上半導體工廠大多已經(jīng)高度自動化,人力需求不高。因此,集邦咨詢預估第一季DRAM與NAND Flash價格維持小幅上漲的态勢。

另一方面(miàn),業内也關注國(guó)内存儲器企業的替代,最有代表性的是長(cháng)江存儲、合肥長(cháng)鑫、晉華存儲。目前,長(cháng)江存儲宣布,公司已開(kāi)始量産3D NAND閃存,這(zhè)也是中國(guó)首款64層3D NAND閃存。據長(cháng)鑫存儲官網消息,新列出的長(cháng)鑫筆記本和台式機内存,容量都(dōu)是8GB,速率都(dōu)是DDR4-2666,公司還(hái)計劃建造另外兩(liǎng)座晶圓廠。

兩(liǎng)家公司在NAND、DRAM領域有了突破,但是國(guó)内存儲産業仍處在追趕階段,和國(guó)際大廠差距較大,還(hái)需要長(cháng)時間的積累。

不少材料産品不可替代

目前日本在工廠方面(miàn)沒(méi)有疫情披露,但是日本在半導體上遊地位超然,如果疫情導緻了原材料斷供,無疑對(duì)全球、中國(guó)半導體事(shì)業都(dōu)是重創。

半導體生産工藝主要分爲設計、制造、封測三大環節,在後(hòu)兩(liǎng)個環節中,就需要關鍵設備和材料,它們也是保障芯片順利生産的上遊基石。

而日本的硬核能(néng)力就是在上遊的原材料和硬件設備上,衆多技術門檻非常高,尤其是材料方面(miàn),不少日本企業的産品不可替代。

2018年全球半導體材料約爲總産值的11%,設備約爲12%。兩(liǎng)者相加爲23%,占半導體産業的四分之一左右。

雖然材料和設備的整體體量不算大,但高壁壘使得玩家極少,且高玩和普通玩家差距很大,日本就是高玩選手。在原材料領域中,日本企業,在全球半導體材料市場上占據了半壁江山。

例如,在材料中成(chéng)本占比最高的矽片領域(超過(guò)30%),日本信越化學(xué)一騎絕塵,市場份額第一,随後(hòu)爲日本 SUMCO(三菱住友)、中國(guó)台灣環球晶圓、德國(guó) Siltronic、韓國(guó)的SK 海力士。西南證券報告顯示,2018年,前四大矽片供貨商的全球市占率達到了94%,其中日本信越化學(xué)占比28%,日本三菱住友占比25%。

在光刻膠領域,日本JSR、東京應化工業、住友化學(xué)、美國(guó)陶氏、富士電子等企業壟斷;在靶材領域,日本的日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯占據了大部分市場。

此外,日本的知名半導體材料供應商還(hái)包括住友化學(xué)、昭和電工、 DAIKIN 工業、 Stella Chemifa、森田化工、日本凸版印刷株式會社等等。

設備供應商方面(miàn),全球五大設備巨頭之一的東京電子就是日本企業,在技術桂冠光刻機方面(miàn),日本尼康和佳能(néng)可以生産,雖然制程和市場份額比不上荷蘭的ASML。

在最強勁的材料和設備之外,日本的芯片供應商在細分領域亦有建樹。比如瑞薩電子是全球排名前三的車用半導體廠商,今年以67億美元完成(chéng)了對(duì)芯片商IDT的收購。索尼雖面(miàn)臨架構整合、工廠關閉等問題,但是僅CMOS傳感器芯片一項,就在影像拍攝領域制霸。

以上這(zhè)些領域中,不論中國(guó)國(guó)内還(hái)是别國(guó),都(dōu)很少有完備的産業鏈來進(jìn)行替代。國(guó)泰君安證券的報告也指出,電子行業方面(miàn),代工制造和封測的材料領域,日本企業占據了絕對(duì)的優勢。日本企業在材料研發(fā)方面(miàn)深耕多年,在技術上達到了爐火純青的地步,在矽晶圓材料、光罩、靶材等重要的細分子領域,日本企業所占份額都(dōu)多達50%以上。中國(guó)目前還(hái)沒(méi)有能(néng)夠在這(zhè)個領域實現較大突破。

對(duì)比中國(guó)來看,韓國(guó)和日本的半導體産業鏈聚焦在中上遊,智力密集度更高,相對(duì)來說人工密集度低一些,抗疫情能(néng)力強一些。但是依舊不能(néng)忽視疫情爆發(fā)帶來的風險,如果進(jìn)一步加劇,産業鏈將(jiāng)受到沖擊。

訂單還(hái)有美光、铠俠可撐 存儲器暫不緻斷鏈

訂單還(hái)有美光、铠俠可撐 存儲器暫不緻斷鏈

韓國(guó)新冠肺炎疫情擴散,業界擔憂存儲器供應鏈是否受到影響。以目前來說,三星及SK海力士的DRAM或NAND Flash廠區集中在首爾所在的京畿道(dào)附近,疫情仍屬控制中,生産及出貨都(dōu)不會受到影響。

此外,因市場對(duì)疫情發(fā)展仍有憂慮,ODM/OEM廠及系統廠持續提高庫存,加上陸廠複工率上升亦帶來庫存回補需求,將(jiāng)持續推升價格。

韓國(guó)兩(liǎng)大半導體廠三星及SK海力士在全球存儲器市場擁有極高市占率。以DRAM來說,三星去年第四季全球市占率達43.5%居首,SK海力士以市占率29.2%居次,兩(liǎng)者合計市占率高達72.7%,意味着全球每4顆DRAM就有3顆來自韓廠。在NAND Flash部分,三星去年第四季市占率達35.5%穩居龍頭,SK海力士以市占達9.6%爲第六大廠,兩(liǎng)者合計45.1%,幾乎是每2顆NAND Flash就有1顆由韓國(guó)業者生産。

在存儲器市場舉足輕重的三星及SK海力士,DRAM及NAND Flash廠集中在韓國(guó)。三星的DRAM及NAND Flash廠集中在位于首爾附近的京畿道(dào)的華城及平澤,另在西安設有NAND Flash廠。SK海力士的DRAM及NAND Flash廠據點位于京畿道(dào)的利川,另一NAND Flash廠位于緊臨京畿道(dào)的忠清北道(dào)清州,并在無錫設有DRAM廠。

本次爆發(fā)疫情的慶尚北道(dào)及大邱市,與上述晶圓廠均有一段距離,因此其存儲器生産及出貨均不受影響。至于三星的西安NAND Flash廠及SK海力士的無錫DRAM廠,也維持正常運作。

業界仍擔憂一旦疫情失控,恐導緻出貨不順。不過(guò),由于今年以來DRAM及NAND Flash市場供給吃緊,爲避免未來無法取得足夠貨源,ODM/OEM廠及系統廠積極提高庫存,大陸複工率提升也帶來強勁的庫存回補需求,DRAM及NAND Flash價格可能(néng)一路漲到下半年。

此外,蘋果iPhone及iPad等産品雖仍大量采用三星及SK海力士的DRAM或NAND Flash,但近年來蘋果已大幅降低對(duì)韓國(guó)業者依賴程度,DRAM訂單大量流向(xiàng)美光,NAND Flash則向(xiàng)铠俠、西數(WD)、美光等擴大采購。即便韓國(guó)存儲器出貨不順影響蘋果的生産鏈,也不至于斷鏈。

沖10納米制程 南亞科今年資本支出年增逾31%

沖10納米制程 南亞科今年資本支出年增逾31%

DRAM廠南亞科昨(26)日召開(kāi)董事(shì)會,通過(guò)今年資本支出預算案,以不超過(guò)92億元(新台币,下同)爲上限,與去年資本支出相較之下,增幅達31.4%,其中包含10納米級制程研發(fā)、試産及20納米遞延等資本支出。

南亞科2017年資本支出共294億元,但2018年下半年起(qǐ)受到美中貿易摩擦、CPU缺貨等因素沖擊,DRAM市況轉趨保守,南亞科因此于2018年第4季下修資本支出,全年資本支出爲204億元。

去年DRAM市況持續走弱,南亞科也因此再下調資本支出,去年2月原定資本支出共106億元,4月下調至70億元,與2018年相較,等同大幅縮水超過(guò)6成(chéng)。不過(guò),南亞科表示,由于前2年已陸續采購設備,去年資本支出規模原本就相對(duì)較少,并因應市場變化,再縮減資本支出。

今年則因10納米級制程技術將(jiāng)導入,包括研發(fā)、試産等需求,推升資本支出金額較去年擴增,南亞科總經(jīng)理李培瑛表示,上半年資本支出相對(duì)較低,下半年适逢10納米級制程推進(jìn),資本支出相對(duì)較高。

存儲器價格止跌回升,南亞科率模組廠續攻

存儲器價格止跌回升,南亞科率模組廠續攻

存儲器大廠南亞科技率先舉行的法說會對(duì)今年市況抱持樂觀看法,扭轉去年存儲器衰退的窘境,并預期2020年第一季DRAM價格可望止跌回穩,公司出貨也會比上季增加。

南亞科日前舉行法人說明會,總經(jīng)理李培瑛對(duì)今年DRAM市場看法樂觀,李培瑛表示,2020年庫存持續去化,供需逐步穩定,對(duì)今年全年保持樂觀看法,并預期公司第一季的産品價量表現都(dōu)會比上季好(hǎo),上半年業績可望逐季成(chéng)長(cháng),今年有機會逐季向(xiàng)上。

南亞科預期今年供需狀況轉好(hǎo);整體市況將(jiāng)随着服務器需求穩定成(chéng)長(cháng),手機DRAM搭載量增加,PC出貨量穩定,消費性電子産品需求穩定成(chéng)長(cháng)。在供給方面(miàn),因供應商2019年資本支出保守,供給成(chéng)長(cháng)將(jiāng)有限。

随着本季存儲器現貨價格將(jiāng)止跌回升,亦有利于下遊存儲器模組本季營運不淡。威剛表示,在上遊庫存壓力減弱、市場需求提前布局,2020年第一季NAND Flash價格穩健向(xiàng)上态勢不變,DRAM價格也可望止跌回穩。

本季DRAM價格回升趨勢确立,主流的DDR4 8G及4G現貨價至1月17日較去年底漲約10%。儲存型快閃存儲器(NAND Flash)方面(miàn),3D TLC 256GB較去年底約漲5%。

NAND Flash價格穩健向(xiàng)上态勢不變,DRAM價格也可望止跌逐步向(xiàng)上;除了存儲器大廠受惠,下遊模組廠亦可望受惠景氣複蘇,今年第一季淡季不淡。

減小研發(fā)測試成(chéng)本 西安軟件園與紫光國(guó)芯成(chéng)立IC創新實驗室

減小研發(fā)測試成(chéng)本 西安軟件園與紫光國(guó)芯成(chéng)立IC創新實驗室

2020年1月17日上午,備受矚目的西安軟件園-西安紫光國(guó)芯共建集成(chéng)電路創新實驗室揭牌儀式在西安紫光國(guó)芯公司舉行。此次儀式的順利舉辦标志着西安軟件園與西安紫光國(guó)芯共建的集成(chéng)電路創新實驗室正式成(chéng)立。

西安市商務局服務貿易處處長(cháng)吳增軍、高新區軟件園發(fā)展中心黨委副書記劉賀、高新區管委會工業和信息化局副局長(cháng)李志遠、陝西省半導體行業協會秘書長(cháng)何曉甯、西安市服務外包協會會長(cháng)吳勝利、北京紫光存儲科技有限公司CEO、西安紫光國(guó)芯總經(jīng)理任奇偉、西安紫光國(guó)芯代理總經(jīng)理江喜平莅臨揭牌儀式。

西安軟件園作爲西安高新區發(fā)展軟件信息服務業和文化創意産業的專業園區,始建于1998年12月,是我國(guó)四個擁有國(guó)家軟件産業基地、國(guó)家軟件出口基地”雙基地”稱号的園區之一。西安紫光國(guó)芯是在西安高新區成(chéng)立并一路成(chéng)長(cháng)起(qǐ)來的集成(chéng)電路設計企業,是國(guó)内罕有同時擁有DRAM和NAND Flash存儲器研發(fā)量産能(néng)力的企業。2019年,西安高新區軟件園和西安紫光國(guó)芯進(jìn)行了深入合作,由園區投入網絡設備,企業投入集成(chéng)電路專用設備,共同籌建集成(chéng)電路創新實驗室,以支持企業和園區集成(chéng)電路發(fā)展。

西安軟件園劉賀書記和西安紫光國(guó)芯代理總經(jīng)理江喜平分别緻辭。高新區軟件園發(fā)展中心黨委副書記劉賀表示,西安高新區在集成(chéng)電路設計領域的發(fā)展起(qǐ)步較早,規模日益擴大,目前已聚集了紫光國(guó)芯、紫光展銳、新華三、克瑞斯半導體、華爲海思、航天民芯等一批知名集成(chéng)電路設計企業,聚集效應已經(jīng)形成(chéng)。創新實驗室的建立,將(jiāng)有效增強高新區在集成(chéng)電路測試領域的配套支撐,使上下遊企業形成(chéng)緊密合作,爲打造自主可控的産業體系提供有力支持,也將(jiāng)爲我省自主存儲器産業的持續發(fā)展打好(hǎo)堅實基礎。

西安紫光國(guó)芯發(fā)展至今,公司員工已接近500人,累計二十餘款DRAM存儲器産品和四十餘款模組産品實現全球量産和銷售,已經(jīng)發(fā)展成(chéng)爲區内最重要的集成(chéng)電路企業之一。西安紫光國(guó)芯代理總經(jīng)理江喜平表示,此次集成(chéng)電路創新實驗室的建立,公司將(jiāng)攜手軟件園爲園區内相關企業提供更加便捷、更加專業的設計測試服務,大大減少園區内企業尤其是小微企業的研發(fā)測試成(chéng)本。接下來,公司將(jiāng)繼續探索多種(zhǒng)形式的合作,有效地運用社會資源,共同促進(jìn)西安高新區電子信息産業和服務産業的發(fā)展。