據韓媒《Business Korea》報導，韓國(guó)科技大廠SK海力士已克服了下一代存儲器量産的障礙之一，全球電子設計自動化龍頭美商新思科技在近期宣布，將(jiāng)向(xiàng)SK海力士供應系統單芯片(SoC)技術方案，以協助該公司量産高頻寬存儲器HBM2E。
該SoC方案符合基于台積電7納米制程JEDEC的HBM2E SDRAM标準，并具有409 GB/秒的數據率，可以在一秒鍾内處理110部全高清電影(每部電影3.7 GB)。
SK海力士的HBM2E存儲器芯片可以同時從數千個孔洞向(xiàng)數據發(fā)送功率，與目前的技術相比，可以減少30%以上的芯片尺寸并減少50%以上的功耗。HBM芯片可以整合到SoC，與邏輯芯片(例如GPU)相距僅數十微米。因此，相較于在主機闆上與SoC并行安裝，可以進(jìn)一步縮短數據傳輸距離，實現更快的數據傳輸。
不過(guò)，HBM2E DRAM價錢是當前的兩(liǎng)到三倍，且尺寸大于LPDDR4芯片。因此，市場并不大，僅用于要求超高性能(néng)的地方，例如IDC或超級電腦等大型數據中心。
但是，随着5G移動通信、人工智能(néng)(AI)、自動駕駛和物聯網(IoT)的出現，對(duì)高性能(néng)服務器的需求持續成(chéng)長(cháng)，市場前景樂觀。
SK海力士在2013年首次推出HBM芯片，三星電子也随即投入了HBM芯片的開(kāi)發(fā)，從而引發(fā)了兩(liǎng)家公司的激烈競争。針對(duì)新一代HBM2E芯片而言，三星電子于今年初首次開(kāi)始量産，SK海力士是于2019年8月推出，但尚未正式開(kāi)始量産。