在當前複雜的國(guó)際形勢下,工業半導體材料、芯片、器件及絕緣栅雙極型晶體管(IGBT)模塊的發(fā)展滞後(hòu)將(jiāng)制約我國(guó)新舊動能(néng)轉化及産業轉型,進(jìn)而影響國(guó)家經(jīng)濟發(fā)展。
10月8日,工信部網站發(fā)布《關于政協十三屆全國(guó)委員會第二次會議第2282号(公交郵電類256号)提案答複的函》,在答複函中,工信部就加快支持工業半導體芯片技術研發(fā)及産業化自主發(fā)展的政策扶持、開(kāi)放合作、關鍵技術突破、以及人才培養等四個方面(miàn)做出了答複。
具體答複如下:
一、關于制定工業半導體芯片發(fā)展戰略規劃,出台扶持技術攻關及産業發(fā)展政策的建議
爲推動我國(guó)工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊産業發(fā)展,我部、發(fā)展改革委及相關部門,積極研究出台政策扶持産業發(fā)展。
一是2014年國(guó)務院發(fā)布的《推進(jìn)綱要》中,已經(jīng)將(jiāng)工業半導體芯片相關産品作爲發(fā)展重點,通過(guò)資金、應用、人才等方面(miàn)政策推動産業進(jìn)步。
二是發(fā)展改革委、我部研究制定了集成(chéng)電路相關布局規劃,推動包括工業半導體材料、芯片等産業形成(chéng)區域集聚、主體集中的良性發(fā)展局面(miàn)。
三是按照國(guó)發(fā)〔2011〕4号文件的有關要求,對(duì)符合條件的工業半導體芯片設計、制造等企業的企業所得稅、進(jìn)口關稅等方面(miàn)出台了多項稅收優惠政策,對(duì)相關領域給予重點扶持。
四是圍繞能(néng)源、交通等國(guó)家重點工業領域,充分發(fā)揮相關行業組織作用,通過(guò)舉辦産用交流對(duì)接會、新産品推介會、發(fā)布典型應用示範案例等方式,爲我國(guó)工業半導體芯片企業和整機企業搭建交流合作平台。
下一步,我部及相關部門將(jiāng)持續推進(jìn)工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊産業發(fā)展,根據産業發(fā)展形勢,調整完善政策實施細則,更好(hǎo)的支持産業發(fā)展。通過(guò)行業協會等加大産業鏈合作力度,深入推進(jìn)産學(xué)研用協同,促進(jìn)我國(guó)工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊産業的技術叠代和應用推廣。
二、關于開(kāi)放合作,推動我國(guó)工業半導體芯片材料、芯片、器件及IGBT模塊産業發(fā)展的建議
集成(chéng)電路是高度國(guó)際化、市場化的産業,資源整合、國(guó)際合作是快速提升産業發(fā)展能(néng)力的重要途徑。我部與相關部門積極支持國(guó)内企業、高校、研究院所與先進(jìn)發(fā)達國(guó)家加強交流合作。引進(jìn)國(guó)外先進(jìn)技術和研發(fā)團隊,推動包括工業半導體芯片、器件等領域國(guó)際專家來華交流,支持海外高層次産業人才來華發(fā)展,提升我國(guó)在工業半導體芯片相關領域的研發(fā)能(néng)力和技術實力。
下一步,我部和相關部門將(jiāng)繼續加快推進(jìn)開(kāi)放發(fā)展。引導國(guó)内企業、研究機構等加強與先進(jìn)發(fā)達國(guó)家産學(xué)研機構的戰略合作,進(jìn)一步鼓勵我國(guó)企業引進(jìn)國(guó)外專家團隊,促進(jìn)我國(guó)工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊産業研發(fā)能(néng)力和産業能(néng)力的提升。
三、關于步步爲營分階段突破關鍵技術的建議
爲解決工業半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關鍵性技術問題,我部等相關部門積極支持工業半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領域關鍵技術攻關。
一是2017年我部推出“工業強基IGBT器件一條龍應用計劃”,針對(duì)新能(néng)源汽車、智能(néng)電網、軌道(dào)交通三大領域,重點支持IGBT設計、芯片制造、模塊生産及IDM、上遊材料、生産設備制造等環節,促進(jìn)IGBT及相關産業的發(fā)展。
二是指導湖南省建立功率半導體制造業創新中心建設,整合産業鏈上下遊資源,協同攻關工業半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊領域關鍵共性技術。
三是指導中國(guó)寬禁帶半導體及應用産業聯盟發(fā)布《中國(guó)IGBT技術與産業發(fā)展路線圖(2018-2030)》,引導我國(guó)IGBT行業技術升級,推動相關産業發(fā)展。
下一步,我部將(jiāng)繼續支持我國(guó)工業半導體領域成(chéng)熟技術發(fā)展,推動我國(guó)芯片制造領域良率、産量的提升。積極部署新材料及新一代産品技術的研發(fā),推動我國(guó)工業半導體材料、芯片、器件、IGBT模塊産業的發(fā)展。
四、關于高度重視人才隊伍的培養,出台政策和措施建立這(zhè)一領域長(cháng)期有效的人才培養計劃的建議
當前,人才問題特别是高端人才團隊短缺成(chéng)爲制約我國(guó)工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊産業可持續發(fā)展的關鍵因素,爲此我部及相關部門積極推動我國(guó)相關産業人才的培養。
一是我部、教育部共同推動籌建集成(chéng)電路産教融合發(fā)展聯盟,促進(jìn)産業界和學(xué)術界的資源整合,推動培養擁有工程化能(néng)力的産業人才。
二是同時以集成(chéng)電路爲試點實施關鍵領域核心技術緊缺博士人才自主培養專項,根據行業企業需要,依托高水平大學(xué)和國(guó)内骨幹企業,針對(duì)性地培養一批高端博士人才。
三是教育部、我部等相關部門印發(fā)了《關于支持有關高校建設示範性微電子學(xué)院的通知》,支持26所高校建設或籌建示範性微電子學(xué)院,推動高校與區域内集成(chéng)電路領域骨幹企業、國(guó)家公共服務平台、科技創新平台、産業化基地和地方政府等加強合作。
下一步,我部與教育部等部門將(jiāng)進(jìn)一步加強人才隊伍建設。推進(jìn)設立集成(chéng)電路一級學(xué)科,進(jìn)一步做實做強示範性微電子學(xué)院,加快建設集成(chéng)電路産教融合協同育人平台,保障我國(guó)在工業半導體材料、芯片、器件及IGBT模塊産業的可持續發(fā)展。