标簽：晶圓代工

5月12日，晶圓代工龍頭企業台積電召開(kāi)董事(shì)會，核準新一輪資本預算以及一項人員職位調整。

台積電公告顯示，5月12日董事(shì)會核準資本預算約57.4億美元，内容包括：1. 廠房興建及廠務設施工程；2. 建置及升級先進(jìn)制程産能(néng)；3. 建置特殊制程産能(néng)；4. 2020年第三季研發(fā)資本預算與經(jīng)常性資本預算。

此外，台積電董事(shì)會這(zhè)次還(hái)核準資本預算約6475萬美元，以支應2020年下半年之資本化租賃資産；核準募集不超過(guò)新台币600億元（約20億美元）無擔保普通公司債，以支應産能(néng)擴充及/或污染防治相關支出之資金需求。

今年2月，台積電董事(shì)會核準67.421億美元資本預算，亦表示將(jiāng)用于廠房興建及廠務設施工程；建置及升級先進(jìn)制程産能(néng)；建置特殊制程産能(néng)；建置先進(jìn)封裝産能(néng)；以及2020年第二季研發(fā)資本預算與經(jīng)常性資本預算。

根據台積電管理層此前預估，台積電2020年的資本預算將(jiāng)在150億美元至160億美元之間。

在先進(jìn)制程方面(miàn)，台積電的5納米制程預計將(jiāng)于今年量産。近日，媒體曝光一份台積電5納米制程工藝的客戶名單，蘋果和華爲海思將(jiāng)是台積電5納米制程的首批客戶，産品分别爲蘋果A14處理器、華爲海思麒麟1000。3納米制程方面(miàn)，台積電預計2021年進(jìn)入風險試産階段、2022年量産；台積電近日還(hái)表示，2納米制程進(jìn)入尋求技術路徑。

此外，本次台積電董事(shì)還(hái)核準一項人員職位調整，擢升公司研發(fā)組織技術發(fā)展副總經(jīng)理侯永清爲資深副總經(jīng)理。近期，有媒體稱台積電啓動中生代接班計劃，此前已調整了業界視爲下一梯隊接班人選的兩(liǎng)名資深副總經(jīng)理秦永沛和王建光的執掌項目。

台積電官網介紹稱，侯永清于1997年加入台積電，主要負責公司的設計技術與設計生态系統開(kāi)發(fā)，2011年8月至2018年7月擔任設計暨技術平台副總經(jīng)理，2018年8月起(qǐ)擔任研發(fā)組織技術發(fā)展副總經(jīng)理。

5月5日，中芯國(guó)際發(fā)布公告，拟于科創闆上市。時隔兩(liǎng)天，中芯國(guó)際科創闆進(jìn)程便迎來重大進(jìn)展。5月7日，上海證監局官網發(fā)布的信息顯示，中芯國(guó)際已接受上市輔導。輔導機構爲海通證券與中金公司。

具體來看，海通證券、中金公司依據中國(guó)證監會《證券發(fā)行上市保薦業務管理辦法》和《中芯國(guó)際集成(chéng)電路制造有限公司與海通證券股份有限公司首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市輔導協議》及《中芯國(guó)際集成(chéng)電路制造有限公司與中國(guó)國(guó)際金融股份有限公司首次公開(kāi)發(fā)行股票并在科創闆上市之輔導協議》的有關規定，對(duì)中芯國(guó)際進(jìn)行輔導工作。上海證監局披露的中芯國(guó)際首次公開(kāi)發(fā)行股票輔導備案情況報告表的落款日期爲5月6日。

根據公告，中芯國(guó)際此次發(fā)行不超過(guò)16.86億股股份，扣除費用後(hòu)，約40%的募集資金將(jiāng)用于12英寸芯片SN1項目，剩餘的募集資金則用于先進(jìn)及成(chéng)熟工藝研發(fā)項目的儲備資金以及用于補充流動資金，資金投入比例分别爲40%、20%、40%。

據了解，12英寸芯片SN1項目由中芯國(guó)際旗下專注于14nm及以下先進(jìn)工藝的中芯南方負責建設運營，中芯國(guó)際合計間接持有中芯南方50.1%股權。按照此前規劃，中芯南方廠將(jiāng)建成(chéng)兩(liǎng)條月産能(néng)均爲3.5萬片的集成(chéng)電路先進(jìn)生産線（即SN1和SN2）。

12英寸芯片SN1項目位于上海浦東新區張江高科技園區，主要包括生産廠房、CUB動力車間、生産調度及研發(fā)樓等，主要生産14nm及更先進(jìn)制程芯片。該項目入列2020年上海市重大建設項目，項目從規劃、設計、建設到生産運營得到了國(guó)家及上海市政府的高度重視。

中芯國(guó)際成(chéng)立于2000年，是中國(guó)内地技術最先進(jìn)、規模最大的集成(chéng)電路制造企業，2004年3月分别在美國(guó)紐約證券交易所和香港聯合交易所上市。集邦咨詢旗下拓墣産業研究院發(fā)布的2020年第一季全球前十大晶圓代工廠營收排名顯示，中芯國(guó)際排名全球第五，占總市場份額4.5%，僅次于台積電、三星、格芯與聯電。

2019年5月，中芯國(guó)際宣布將(jiāng)其美國(guó)預托證券股份從紐約證券交易所退市，業界曾猜測其將(jiāng)尋求登陸A股，如今終于迎來官宣！這(zhè)次，中芯國(guó)際瞄準的是科創闆。

拟發(fā)行人民币股份并于科創闆上市

5月5日晚間，中芯國(guó)際發(fā)布公告，4月30日公司董事(shì)會通過(guò)決議案批準建議進(jìn)行人民币股份發(fā)行、授出特别授權及相關事(shì)宜，待股東特别大會批準以及必要的監管批準後(hòu)，公司將(jiāng)向(xiàng)上海證交所申請人民币股份發(fā)行。

根據公告，上海證交所形成(chéng)審核意見後(hòu)，中芯國(guó)際將(jiāng)向(xiàng)中證監申請人民币股份發(fā)行的注冊。在人民币股份發(fā)行經(jīng)中證監同意注冊及完成(chéng)股份公開(kāi)發(fā)售後(hòu)，公司將(jiāng)向(xiàng)上海證交所另行申請批準人民币股份于科創闆上市及交易。人民币股份將(jiāng)不會在香港聯交所上市。

根據公告，中芯國(guó)際此次人民币股份的面(miàn)值爲每股0.004美元，拟發(fā)行的人民币股份的初始數目不超過(guò)16.86億股股份。人民币股份將(jiāng)全爲新股份，并不涉及現有股份的轉換。

中芯國(guó)際表示，扣除發(fā)行費用後(hòu)，本次人民币股份發(fā)行的募集資金計劃用于12英寸芯片SN1項目、公司先進(jìn)及成(chéng)熟工藝研發(fā)項目的儲備資金以及補充流動資金，資金投入比例分别爲40%、20%、40%。

據了解，12英寸芯片SN1項目由中芯國(guó)際旗下專注于14nm及以下先進(jìn)工藝的中芯南方負責建設運營，中芯國(guó)際合計間接持有中芯南方50.1%股權。按照此前規劃，中芯南方廠將(jiāng)建成(chéng)兩(liǎng)條月産能(néng)均爲3.5萬片的集成(chéng)電路先進(jìn)生産線（即SN1和SN2）。

12英寸芯片SN1項目位于上海浦東新區張江高科技園區，主要包括生産廠房、CUB動力車間、生産調度及研發(fā)樓等，主要生産14nm及更先進(jìn)制程芯片。該項目入列2020年上海市重大建設項目，項目從規劃、設計、建設到生産運營得到了國(guó)家及上海市政府的高度重視。

去年從紐交所退市 現尋求“A股+H股”

中芯國(guó)際成(chéng)立于2000年，是中國(guó)内地技術最先進(jìn)、規模最大的集成(chéng)電路制造企業，2004年3月分别在美國(guó)紐約證券交易所和香港聯合交易所上市。集邦咨詢旗下拓墣産業研究院發(fā)布的2020年第一季全球前十大晶圓代工廠營收排名顯示，中芯國(guó)際排名全球第五，占總市場份額4.5%，僅次于台積電、三星、格芯與聯電。

在技術水平上，中芯國(guó)際已具備從0.35μm到14nm不同技術節點的芯片制程工藝。2019年，中芯國(guó)際在先進(jìn)制程研發(fā)方面(miàn)取得突破性進(jìn)展，其第一代14nm FinFET技術進(jìn)入量産，在2019年第四季度貢獻約1%的晶圓收入，預計在2020年穩健上量。此外，第二代FinFET技術平台持續客戶導入。

值得一提的是，2019年5月，中芯國(guó)際申請自願將(jiāng)其美國(guó)預托證券股份從紐約證券交易所退市，并撤銷該等美國(guó)預托證券股份和相關普通股的注冊。不過(guò)據中芯國(guó)際相關人士當時回應，嚴格來說，中芯國(guó)際是從紐交所退市但不是從美國(guó)退市，而是退到美國(guó)場外交易市場，不影響交易。

對(duì)于從紐交所退市原因，中芯國(guó)際表示出于一些考慮因素，包括中芯國(guó)際美國(guó)預托證券股份的交易量與其全球交易量相比有限，以及爲維持美國(guó)預托證券股份在紐約證券交易所上市及在美國(guó)證券交易委員會注冊并遵守交易法的定期報告和相關義務中所涉及的重大行政負擔和成(chéng)本。

自從紐交所退市後(hòu)，業界一直猜測中芯國(guó)際將(jiāng)尋求在境内上市。如今，該傳聞終于得到證實。

對(duì)于此次人民币股份發(fā)行并將(jiāng)于科創闆上市的理由，中芯國(guó)際董事(shì)會認爲這(zhè)將(jiāng)使公司能(néng)通過(guò)股本融資進(jìn)入中國(guó)資本市場，并于維持其國(guó)際發(fā)展戰略的同時改善其資本結構。董事(shì)會認爲，人民币股份發(fā)行符合公司及股東的整體利益，有利于加強公司的可持續發(fā)展。

一位不願具名的業内人士表示，一方面(miàn)，在海外上市的國(guó)内公司回歸A股是一個趨勢，另一方面(miàn)，中芯國(guó)際的主要目的亦是爲了融資。他認爲，中芯國(guó)際是全球少數追求先進(jìn)制程的晶圓代工廠之一，在先進(jìn)制程的加持下，中芯國(guó)際在A股應該會獲得合理的溢價從而擁有較高的估值。

晶圓代工是典型的資本密集、人才密集和技術密集産業，中芯國(guó)際正處于追趕國(guó)際晶圓代工先進(jìn)技術水平階段，資本支出巨大，科創闆上市將(jiāng)進(jìn)一步加大其融資力度，亦利于中芯國(guó)際進(jìn)一步加大技術研發(fā)投入。

中芯國(guó)際此前表示，2020年將(jiāng)啓動新一輪資本開(kāi)支計劃，産能(néng)擴充將(jiāng)逐步展張。據披露，中芯國(guó)際2020年計劃資本開(kāi)支爲31億美元，其中20億美元及5億美元將(jiāng)分别用于擁有大部份權益的上海300mm晶圓廠及擁有大部份權益的北京300mm晶圓廠的設備及設施。

該人士進(jìn)一步指出，中芯國(guó)際若成(chéng)功在科創闆上市，其購買國(guó)産設備、材料等將(jiāng)更爲便利，這(zhè)對(duì)于國(guó)内設備廠商而言將(jiāng)是個利好(hǎo)消息。國(guó)内晶圓代工龍頭中芯國(guó)際回歸A股，獲得國(guó)内資本平台支持，對(duì)于整個國(guó)内半導體産業而言，此舉亦具有重大意義。

5月5日，中芯國(guó)際發(fā)布公告稱，公司于2020年4月30日，董事(shì)會通過(guò)決議案批準建議進(jìn)行人民币股份發(fā)行、授出特别授權及相關事(shì)宜，惟需取決并受限于市況、股東于股東特别大會批準以及必要的監管批準。人民币股份的上市地點爲科創闆。

公告稱，建議將(jiāng)予發(fā)行的人民币股份的初始數目不超過(guò)約16.86億股股份，占不超過(guò)2019年12月31日已發(fā)行股份總數及本次將(jiāng)予發(fā)行的人民币股份數目之和的25%。就不超過(guò)該初始發(fā)行的人民币股份數目15%的超額配股權可被授出。人民币股份將(jiāng)全爲新股份，并不涉及現有股份的轉換。

中芯國(guó)際表示，目前科創闆募集資金總額未能(néng)确定，在扣除發(fā)行費用後(hòu)，約40%用于投資于12英吋芯片SN1項目、約20%用作爲公司先進(jìn)及成(chéng)熟工藝研發(fā)項目的儲備資金、約40%用作爲補充流動資金。

中芯國(guó)際12英寸芯片SN1和SN2廠房建設項目位于上海浦東新區張江高科技園區，主要内容包括SN1生産廠房、CU8動力車間和SO8生産調度及研發(fā)樓三個大的單體建築物及一些配套設施。

據中芯國(guó)際官網顯示，公司是中國(guó)内地技術最先進(jìn)、配套最完善、規模最大、跨國(guó)經(jīng)營的集成(chéng)電路制造企業集團，提供0.35微米到14納米不同技術節點的晶圓代工與技術服務。根據市場調研機構拓墣産業研究院統計，2020年一季度全球十大晶圓代工廠營收排名中，中芯國(guó)際排名第五，占總市場份額4.5%。

根據集邦咨詢旗下拓墣産業研究院最新調查，受新冠肺炎疫情影響，若導緻供應鏈斷裂將(jiāng)增加半導體業者的營運難度，而商業活動及社會活動力的下降將(jiāng)引發(fā)旺季效應遞延或弱化的可能(néng)，使得2020年全球晶圓代工産值的成(chéng)長(cháng)幅度將(jiāng)面(miàn)臨修正。

有别于在疫情爆發(fā)前業者提出的雙位數成(chéng)長(cháng)預估，考量疫情受控時程遞延及需求複蘇不明朗，我們認爲2020年全球晶圓代工市場産值可能(néng)下修至5%~9%的個位數成(chéng)長(cháng)，中位數目前預估爲6.8%。

首先分析晶圓代工業者2020上半年的訂單狀況：在第一季客戶端保留對(duì)疫情趨緩後(hòu)市場出現需求反彈的可能(néng)性，爲避免缺料而并未出現訂單大幅縮減情形，加上承接自2019年第四季末的庫存回補，基本上支撐晶圓代工業者2020年第一季營收表現。

第二季，我們預估疫情對(duì)訂單的影響較前一季略爲顯著，部分消費性産品訂單或將(jiāng)進(jìn)行調整，而從疫情催生出如遠距辦公、醫療應用的相關芯片需求則有增加，因此第二季訂單狀況雖有變動但幅度不大，加上去年同期基期低，即便業者第二季的營收出現季度衰退，尚能(néng)維持年度成(chéng)長(cháng)。

不過(guò)，對(duì)晶圓代工業者而言，第二季的訂單在芯片産出後(hòu)雖有部分營收認列進(jìn)第三季，但比重相對(duì)有限，此外，考慮疫情受控時程遞延與需求複蘇時程不明朗，客戶可能(néng)在第三季評估較大幅度的訂單縮減以避免累積庫存，旺季效應或有遞延或弱化可能(néng)，恐將(jiāng)對(duì)業者下半年的營收造成(chéng)沖擊。

回歸市場需求面(miàn)分析，消費力衰退恐難以避免，即便晶圓代工業者冀望由5G基礎建設、遠端通訊推升之服務器或資料中心需求，以及工業物聯網自動化等中長(cháng)期支撐動能(néng)，然而新應用的營收貢獻比例仍不足以取代傳統大量的消費性電子産品，故晶圓代工業者需視供應鏈與市場受疫情沖擊的程度，動态調整營運策略與營收預估。

拓墣産業研究院認爲，考量旺季效應遞延或弱化的可能(néng)性，并以疫情不易在下半年即獲得穩定控制爲前提，對(duì)2020年的晶圓代工産值表現抱持審慎保守的态度，後(hòu)續仍需視疫情的可控時程與消費市場的複蘇狀況而定。

據韓國(guó)《亞洲經(jīng)濟新聞》報道(dào)，中國(guó)台灣晶圓代工廠商台積電繼三星電子後(hòu)也宣布6nm半導體制程量産，兩(liǎng)家晶圓代工廠商再次打響工藝之争。

三星電子上月宣布其位于華城的多層極紫外光刻（EUV）半導體生産線V1已開(kāi)始批量生産。V1生産線目前正采用7nm和6nm工藝技術。據中國(guó)IT媒體透露，華爲面(miàn)向(xiàng)中端5G市場的移動設備處理器麒麟820將(jiāng)交由三星電子6nm生産線代工，并計劃在2020年下半年完成(chéng)4nm工藝開(kāi)發(fā)及産品設計。另據美國(guó)IT媒體AnandTech報道(dào)，中國(guó)集成(chéng)電路設計公司紫光展銳近期推出了面(miàn)向(xiàng)5G智能(néng)手機的T7520八核系統芯片（SoC），該芯片集成(chéng)5G調制解調器，將(jiāng)使用台積電6nmEUV工藝制程，預計將(jiāng)于今年開(kāi)始出貨。

據悉，三星電子已領先台積電成(chéng)功開(kāi)發(fā)了業界首個3nm制程工藝，預計將(jiāng)于2022年開(kāi)啓大規模量産。目前三星電子已經(jīng)成(chéng)功攻克了3nm工藝所使用的GAA（Gate-All-Around，環繞式栅極技術）工藝技術，而台積電在近期公布了將(jiāng)投資150億美元用于研發(fā)3nm工藝。

4月21日，晶圓代工龍頭台積電上傳股東會年報，年報中首度提到2納米制程技術進(jìn)展，去年領先半導體産業進(jìn)行2納米制程技術研發(fā)，針對(duì)2納米以下技術進(jìn)行探索性研究；至于EUV專案，去年也取得持續性進(jìn)展，可加快先進(jìn)技術學(xué)習速度與制程開(kāi)發(fā)，將(jiāng)逐步邁向(xiàng)全面(miàn)生産制造就緒。

台積電表示，每2年半導體運算能(néng)力增加1倍的摩爾定律，技術挑戰日益困難，研發(fā)組織努力讓台積電能(néng)夠提供客戶率先上市、且先進(jìn)的技術和設計解決方案，幫助客戶取得産品成(chéng)功。

随着2019年7納米強效版技術量産，及5納米技術成(chéng)功試産，台積電研發(fā)組織持續推動技術創新，以維持業界的領導地位。台積電表示，當公司采用三維電晶體第六代技術平台開(kāi)發(fā)3納米技術時，也已開(kāi)始開(kāi)發(fā)領先半導體業界的2納米技術，并針對(duì)2納米以下的技術進(jìn)行探索性研究。

5納米方面(miàn)，台積電表示，雖然半導體産業逼近矽晶物理極限，5納米制程仍遵循摩爾定律，顯著提高芯片密度，在相同的功耗下，提供更好(hǎo)效能(néng)，或在相同效能(néng)下，提供更低功耗。目前靜态随機存取(SRAM)存儲器及邏輯電路良率均符合預期，已達成(chéng)去年進(jìn)入試産的目标。

相較5納米制程技術，台積電3納米制程技術大幅提升芯片密度及降低功耗，并維持相同芯片效能(néng)，今年研發(fā)着重于基礎制程制定、良率提升、電晶體及導線效能(néng)改善，及可靠性評估，將(jiāng)持續進(jìn)行3納米制程技術全面(miàn)開(kāi)發(fā)。

微影技術方面(miàn)，台積電去年研發(fā)重點在5納米技術轉移、3納米技術開(kāi)發(fā)與2納米以下技術開(kāi)發(fā)的先期準備。5納米技術已順利移轉，研發(fā)單位與晶圓廠合作排除極紫外光微影量産問題。

針對(duì)3納米技術開(kāi)發(fā)，極紫外光(EUV)微影技術展現優異光學(xué)能(néng)力，與符合預期的芯片良率，研發(fā)單位正緻力于極紫外光技術，以減少曝光機光罩缺陷及制程堆疊誤差，并降低整體成(chéng)本。台積電表示，今年在2納米及更先進(jìn)制程上，將(jiāng)着重于改善極紫外光技術的品質與成(chéng)本。

台積電表示，去年極紫外光專案在光源功率及穩定度上，有持續性進(jìn)展，光源功率穩定與改善，得以加快先進(jìn)技術學(xué)習速度與制程開(kāi)發(fā)。此外，極紫外光光阻制程、光罩保護膜及相關光罩基闆，也都(dōu)展現顯著進(jìn)步，極紫外光技術正逐步邁向(xiàng)全面(miàn)生産制造就緒。

2月13日，晶圓代工廠商中芯國(guó)際發(fā)布其2019年第四季度業績報告，并對(duì)2020年第一季度業績作出指引，預計其2020年第一季度收入環比增加0%~2%，毛利率介于21%~23%的範圍内。4月7日，中芯國(guó)際宣布上調今年第一季度業績指引。

公告顯示，公司上調其最初于2月13日公告内發(fā)布的截至2020年3月31日止三個月的收入和毛利率指引。截至2020年3月31日止三個月的收入增長(cháng)指引由原先的0%~2%上調爲6%~8%。截至2020年3月31日止三個月的毛利率指引由原先的21%~23%上調爲25%~27%。 
 
中芯國(guó)際首席财務官高永崗博士表示：“自從我們最初公布第一季度收入和毛利率指引後(hòu)，我們看見産品需求的增長(cháng)及産品組合的優化，這(zhè)些都(dōu)超過(guò)了我們早前的預期。因此，我們現在上調我們第一季度的收入和毛利率指引。”

公告指出，公司仍在落實其截至2020年3月31日止三個月的第一季度業績。此次公告所載之資料乃公司管理層根據公司最近期截至2020年3月31日止三個月未經(jīng)審計合并管理賬目而作出的初步評估，其尚未經(jīng)公司核數師審計或确認，并可能(néng)會作出調整。

在新型冠狀病毒疫情的影響下，已有部份晶圓代工廠調降對(duì)2020年市場成(chéng)長(cháng)性的預估，不過(guò)爲把握5G、AI、車用與物聯網帶來的新興需求，晶圓代工廠仍持續進(jìn)行必要性的制程轉移與産品規劃。

28nm需求複蘇時間或延後(hòu)，新興産品支撐力道(dào)目前無損

28nm節點由于過(guò)去産能(néng)規劃量大與産品轉進(jìn)先進(jìn)制程，目前市場呈現供過(guò)于求情形，加上中國(guó)晶圓代工廠爲提升芯片自給率仍持續擴建自有28nm産能(néng)，使得目前28nm節點的平均稼動率僅約70～75%，相較其他制程節點低。

除了陸系廠商既有的擴産計劃外，包括台積電、聯電等一線廠商對(duì)于28nm制程稼動率的複甦時程仍保守看待。

然而，自2019年底開(kāi)始，受惠于OLED驅動IC、高畫素CMOS Sensor的ISP(Image Signal Processor)、部份網通RF IC與物聯網芯片逐步轉進(jìn)28nm，可望爲該節點稼動率提供穩定且長(cháng)期的支撐力道(dào)。

在制程優化方面(miàn)，台積電與聯電推出的22nm制程，以超低功耗與超低漏電率的特點适合廣泛使用在穿戴式裝置與物聯網相關應用，目前陸續有産品完成(chéng)制程開(kāi)發(fā)并進(jìn)入驗證階段，部份客戶也在2020年進(jìn)行投片規劃，未來有望爲提升28nm稼動率增添動能(néng)。

雖然新型冠狀病毒的影響爲終端制造與市場需求增添不确定性，或將(jiāng)使得原本預期提升28nm稼動率的時間點延後(hòu)，不過(guò)基本上新興産品對(duì)22/28nm制程的采用度相對(duì)較重要，即便未來市場需求走勢減緩，也不緻影響上述産品對(duì)28nm節點的支撐力道(dào)，仍有機會在2020年實現提升28nm稼動率目标。

化合物半導體GaN在8寸晶圓的發(fā)展備受矚目

分析8寸晶圓成(chéng)熟制程産品，除産能(néng)吃緊需持續關注外，化合物半導體氮化稼(GaN)元件在8寸晶圓上的發(fā)展也備受矚目。

化合物半導體在5G、電動車與高速充電等應用興起(qǐ)後(hòu)重要性大幅提升，吸引衆多廠商投入開(kāi)發(fā)，不過(guò)受限材料具有不同的熱膨脹系數(CTE)，目前量産品多以6寸晶圓制作。

然而，爲因應日後(hòu)GaN在多方應用領域的元件需求，并提升GaN-on-Silicon取代Silicon功率元件的成(chéng)本競争力，發(fā)展8寸晶圓的GaN産品仍有其必要性。

此外，發(fā)展8寸GaN晶圓技術，也有利于現行以12寸與8寸晶圓爲生産主力的晶圓代工廠商，包括2020年2月20日台積電與STMicroelectronics宣布合作加速GaN功率産品開(kāi)發(fā)與量産，以及世界先進(jìn)在2019年第四季法說會上提到的8寸GaN晶圓計劃。

因此，即便IDM掌握較多GaN的相關技術，但考量到降低量産成(chéng)本和提高整合度需求，與晶圓代工廠合作不失爲雙赢選項，加上針對(duì)客制化元件開(kāi)發(fā)，對(duì)晶圓代工廠商的依賴度將(jiāng)提升，助益晶圓代工廠商在成(chéng)熟制程節點的産品需求。