耐威科技正在進(jìn)一步布局第三代半導體産業鏈。
11月6日，耐威科技發(fā)布公告稱，其與青島西海岸新區管委簽署協議，拟在青島西海岸新區投資建設氮化镓（GaN）晶圓制造項目。
投建氮化镓（GaN）晶圓制造項目
公告顯示，耐威科技與與青島西海岸新區管委簽署《合作框架協議》，雙方根據國(guó)家有關法律法規及青島西海岸新區發(fā)展規劃，本着共同發(fā)展、互利共赢的原則，經(jīng)友好(hǎo)協商，就耐威科技拟在新區投資建設氮化镓（GaN）晶圓制造項目初步達成(chéng)意向(xiàng)。
該項目拟建設一條6英寸氮化镓微波器件生産線和一條 8英寸氮化镓功率器件生産線；項目總建築面(miàn)積約20.40萬平米，其中廠房與辦公建築面(miàn)積約18.00萬平米，宿舍面(miàn)積約2.40萬平米。項目建成(chéng)後(hòu)，將(jiāng)有助于青島形成(chéng)氮化镓（GaN）基礎材料全産業鏈基地及産業集群。
此次簽訂的協議不涉及具體金額，至于項目資金，公告表示項目一期投資由耐威科技聯合有關産業投資基金共同出資不少于50%；其餘資金由青島西海岸新區管委協調安排相關國(guó)有企業以土地廠房出資或直接投資方式解決，具體合作方式耐威科技與相關國(guó)有企業另行約定。
據介紹，青島西海岸新區管委爲青島西海岸新區的行政主管單位，青島西海岸新區是國(guó)務院批準的第9個國(guó)家級新區，處于山東半島藍色經(jīng)濟區和環渤海經(jīng)濟圈内，具有輻射内陸、聯通南北、面(miàn)向(xiàng)太平洋的戰略區位優勢。
公告指出，本協議是雙方合作的框架協議，自協議簽署之日起(qǐ)有效期三個月，具體合作模式及内容以雙方另行簽署的合同約定爲準。
第三代半導體領域全産業鏈布局
氮化镓（GaN）是第三代半導體材料的典型代表之一。與第一、二代相比，第三代半導體材料具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子 速率等優點，可滿足現代電子技術對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
由于性能(néng)優越等原因，許多發(fā)達國(guó)家將(jiāng)第三代半導體材料列入國(guó)家計劃，搶占戰略制高點。近年來，我國(guó)多地及不少企業正在加速布局，耐威科技也于去年正式涉足第三代半導體領域。
2018年7月，耐威科技在青島市崂山區投資設立“青島聚能(néng)創芯微電子有限公司”，主要從事(shì)功率與微波器件，尤其是氮化镓（GaN）功率與微波器件的設計、開(kāi)發(fā)；2018 年6月，耐威科技在青島市即墨區投資設立“聚能(néng)晶源（青島）半導體材料有限公司”（以下簡稱“聚能(néng)晶源”），主要從事(shì)半導體材料，尤其是氮化镓（GaN）外延材料的設計、開(kāi)發(fā)、生産。
目前，耐威科技在第三代半導體的布局已有階段性成(chéng)果。2018年12月，耐威科技公告宣布，聚能(néng)晶源成(chéng)功研制“8英寸矽基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圓”；今年9月，聚能(néng)晶源宣布其第三代半導體材料制造項目（一期）正式投産。
這(zhè)次拟在青島西海岸新區再投建氮化镓（GaN）晶圓制造項目，耐威科技表示，若項目順利建成(chéng)，將(jiāng)有利于公司在第三代半導體領域的全産業鏈布局，把握産業發(fā)展機遇，盡快拓展相關材料與器件在5G通信、物聯網、數據中心、新型電源等領域的推廣應用。
11月27日，集邦咨詢旗下DRAMeXchange將(jiāng)在深圳主辦“2020存儲産業趨勢峰會”。
