存儲芯片歸檔 - 第4頁共5頁 - 北京中代科技有限公司

存儲器需求將(jiāng)回溫傳三星提早啓用新廠

2019年3月19日由中代科技評論關閉

「韓國(guó)先驅報」報導，今年第一季DRAM和NAND存儲器芯片價格重挫，但三星電子并未停止投資，甚至預期明年存儲器需求將(jiāng)會回溫，拟提早啓用位于平澤市（Pyeongtaek）的存儲器二廠，以因應目前的市況、率先出擊。

明年3月啓動平澤二廠

報導指出，外界原先預期平澤二廠會到2020年6月才開(kāi)始營運，但三星電子考慮到目前市場低迷和明年需求可望回溫，近期積極與平澤市各方開(kāi)會讨論存儲器二廠的水電供給細節，似乎計劃將(jiāng)平澤二廠營運的時間提前至明年3月份；業界人士透露，平澤二廠將(jiāng)用于生産最高科技的DRAM芯片，可被應用于折疊式智能(néng)手機等高端設備。

生産最高科技DRAM芯片

一名三星内部人士表示，新廠的啓用時程尚未正式宣布，將(jiāng)根據市場情況進(jìn)行調整，當初的時程是去年年初時爲平澤二廠破土動工時設定的，但現在的市場狀态已截然不同。一名三星高階主管表示：「公司預期市場需求將(jiāng)在下半年反彈，明年將(jiāng)繼續快速成(chéng)長(cháng)。即將(jiāng)營運的新工廠將(jiāng)在供需平衡上發(fā)揮關鍵作用，三星希望率先采取行動。」

平澤區將(jiāng)再打造2間工廠

三星平澤廠區占地廣大，總面(miàn)積達289萬平方公尺，約相當于400個足球場。緊鄰平澤二廠的「平澤一廠」是當今世界上最大的存儲器工廠，未來三星還(hái)打算在廠區内再打造兩(liǎng)間存儲器工廠，預計接下來很快就會宣布兩(liǎng)座新廠動工的時間。

正在考慮收購恩智浦？三星否認傳聞

2019年3月7日由中代科技評論關閉

日前，三星電子被傳有意收購汽車電子供應商恩智浦。

韓國(guó)媒體InvestChosun報道(dào)稱，三星電子内部正在評估對(duì)恩智浦發(fā)起(qǐ)收購，由副會長(cháng)李在镕助手、總裁Chung Hyun-ho和副總裁Ahn Joong-hy領導的團隊正審核該項目，收購金額將(jiāng)高達50萬億韓元（約合443億美元）。

對(duì)此，今日彭博社消息稱，三星電子方面(miàn)否認關于考慮收購恩智浦的報道(dào)。

現金儲備充足，被傳收購半導體大廠

今年年初，市場分析指出，截至2018年年底，三星電子現金保有額超過(guò)100萬億韓元（885.3億美元），創下該公司成(chéng)立以來新高，投行伯恩斯坦分析師預測，到2019年年底，三星的現金儲備將(jiāng)突破119萬億韓元（約合1050億美元）。業界認爲，三星電子或將(jiāng)動用手上這(zhè)筆龐大的現金，以實現公司的對(duì)外投資和并購。

三星電子副會長(cháng)李在镕曾表示，三星電子目标2030年成(chéng)爲全球半導體産業龍頭，業界認爲其有高度可能(néng)積極并購。報道(dào)稱，三星電子將(jiāng)考慮收購海外非存儲器半導體企業，潛在收購名單包括恩智浦、賽靈思、英飛淩。近日由于格芯傳出正在考慮出售，亦被認爲是三星電子收購備選對(duì)象之一。

值得一提的是，李在镕曾表示將(jiāng)汽車芯片等業務列爲關鍵戰略。近兩(liǎng)年，三星電子在汽車電子領域動作頻頻，2017年以80億美元收購了世界音響巨頭哈曼，當時三星電子表示，哈曼對(duì)三星的吸引力在于汽車互聯業務，該交易將(jiāng)幫助三星電子進(jìn)軍汽車電子領域；2018年10月，三星電子發(fā)布兩(liǎng)大汽車芯片品牌Exynos Auto和ISOCELL Auto。

若三星電子欲通過(guò)收購進(jìn)一步擴大汽車電子業務，那麼(me)恩智浦作爲全球最大的汽車電子供應商，确實有可能(néng)成(chéng)爲收購對(duì)象。

存儲器跌價，尋找市場新出路

盡管三星電子目前已否認了收購傳聞，但業界認爲其後(hòu)續仍有可能(néng)對(duì)半導體大廠展開(kāi)收購，因爲其最大的收入來源存儲器業務正面(miàn)臨着價格不斷下滑的挑戰，三星電子有必要考慮新的戰略發(fā)展出路。

根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，DRAM整體合約價自去年第四季開(kāi)始下跌,由于供過(guò)于求的市況，DRAM産業大部分交易已經(jīng)改爲月結價，2月份更罕見出現價格大幅下修。目前季跌幅從原先預估的25%調整至逼近30%，是繼2011年以來單季最大跌幅。

三星電子作爲全球最大的存儲器廠商，存儲器價格下跌對(duì)其的影響在業績報告中已有所反映。數據顯示，2018年第四季度三星電子營業收入同比下降10%、營業利潤同比下降29%，三星電子表示主要受存儲芯片需求下降的影響。

一方面(miàn)面(miàn)臨着存儲器需求不振、價格大幅下跌的市況，另一方面(miàn)面(miàn)臨着SK海力士、美光等對(duì)手的競争，業界認爲三星電子在保持存儲器市場地位的同時，亦開(kāi)始強調晶圓代工、汽車電子等非存儲器半導體領域的發(fā)展。

去年底，李在镕曾與韓國(guó)總統文在寅見面(miàn)，就三星芯片戰略問題進(jìn)行會談。當時，李在镕表示，當前的芯片市場已不同往日，但他表示對(duì)三星電子在芯片市場的領導地位充滿信心。業界認爲，三星電子爲尋找存儲器、手機以外的業務增長(cháng)點，今年將(jiāng)有較大可能(néng)積極進(jìn)行企業并購。

集成(chéng)電路入列湖北省十大重點産業將(jiāng)設立專項基金

2019年3月6日由中代科技評論關閉

日前，湖北省政府新聞辦召開(kāi)《湖北省十大重點産業高質量發(fā)展意見》（以下簡稱“《意見》”）政策解讀發(fā)布會，會上針對(duì)十大重點産業提出具體實施舉措，并制定年度行動計劃。

湖北省十大重點産業包括集成(chéng)電路、地球空間信息、新一代信息技術、智能(néng)制造、汽車、數字、生物、康養、新能(néng)源與新材料、航天航空等，每個重點産業又涵蓋若幹細分領域。會議指出，由于湖北省此前已先後(hòu)出台多項政策，爲避免重複，《意見》在産業選擇上不搞面(miàn)面(miàn)俱到，而是突出特色和重點，在實施舉措上強調可操作性。

《意見》對(duì)十大重點産業發(fā)展目标作了明确規劃，集成(chéng)電路方面(miàn)提出要重點發(fā)展存儲芯片、光通信芯片和衛星導航芯片；以武漢爲核心發(fā)展區，建設武漢國(guó)家存儲器基地、國(guó)家先進(jìn)存儲産業創新中心、武漢光谷集成(chéng)電路産業園，籌建長(cháng)江芯片研究院等。力争到2022年，主營業務收入1000億元以上。

根據《意見》，推進(jìn)十大重點産業高質量發(fā)展共有十大實施舉措，包括抓專項規劃編制、抓支持資金籌措等。《意見》出台後(hòu)，目前湖北省已經(jīng)開(kāi)展和正在推進(jìn)的有六項專項工作，如專項推介、專項基金等，將(jiāng)按照“一個産業一個專項基金”的要求，努力推動形成(chéng)十大重點産業基金群，還(hái)要建立十大重點産業項目庫，五年内十大重點産業的儲備項目投資總規模力争超過(guò)10萬億元。

圍繞着十大重點産業，《意見》提出要着力打造一批新興産業集群，壯大光谷“芯屏端網”等現有優勢産業集群等。湖北省經(jīng)濟信息化廳黨組成(chéng)員陶紅兵表示，湖北省“芯屏端網”世界級産業集群建設得到較快發(fā)展，目前擁有“芯屏端網”相關企業近400家，産業規模3000多億元，“芯”方面(miàn)包括有長(cháng)江存儲、武漢新芯等一批擁有自主知識産權的研發(fā)生産企業。

湖北省2019年政府工作報告中亦指出，要大力實施“一芯驅動、兩(liǎng)帶支撐、三區協同”區域和産業發(fā)展戰略，推動集成(chéng)電路等十大重點産業發(fā)展，全力推進(jìn)國(guó)家存儲器基地項目建設，加快打造“芯屏端網”等世界級先進(jìn)制造業産業集群，集中力量推進(jìn)武漢新芯二期等重大産業項目。

BIWIN佰維攜工控SSD等産品亮相德國(guó)紐倫堡國(guó)際嵌入式展

2019年3月4日由中代科技評論關閉

2019年2月26日-28日，BIWIN佰維攜全系列工控SSD等産品閃耀亮相德國(guó)嵌入式展Ebedded World 2019紐倫堡會議中心3号館519展位。德國(guó)紐倫堡國(guó)際嵌入式展是嵌入式系統業界重要的年度盛會之一，也是全球規模最大的嵌入式展會，今年也是佰維的第5年連續參展。此次展會上佰維主要爲業界帶來了面(miàn)向(xiàng)寬溫級工業應用、軌道(dào)交通、網絡安全、加固型工業應用等不同場景下的存儲解決方案，産品類型涉及工控級SSD，存儲芯片，存儲卡、内存以及客制化存儲服務。

寬溫場景下，暢享高速
-40℃~85℃讀速仍可達3000MB/s

BIWIN 佰維寬溫級M.2 PCIe SSD集成(chéng)溫度傳感器，在數據高吞吐情況下自動檢測SSD溫度是否正常，動态溫度調節功能(néng)可在維持SSD較小降低性能(néng)的同時降低SSD的發(fā)熱，從而實現寬溫工作環境下的高速讀寫。

BIWIN M.2 PCIe SSD爲2280規格，采用高品質閃存顆粒，數據傳輸通道(dào)爲PCIe 3.0 x4，理論帶寬高達32Gbps，連續讀寫速度分别爲3000MB/s（讀取）、1700MB/s（寫入），随機讀取IOPS可達150K，高速的讀寫性能(néng)可滿足工業和醫療等數據密集型領域的需求。

軌道(dào)交通系列SSD
支持異常斷電保護20000次！

佰維軌道(dào)交通系列SSD通過(guò)内置電源偵測芯片實時監控供電情況，一旦發(fā)現異常立即啓用斷電保護模塊，利用钽電容儲存的電量持續供電，爲 DRAM 中緩存的數據可靠地傳輸到閃存提供充足的時間，從而有效避免因意外斷電造成(chéng)無法認盤或固件丢失等重大故障發(fā)生，确保固件程序安全，進(jìn)而确保存儲數據安全，爲車載監控、車載多媒體、車載控制系統等提供了可靠性保障，支持異常斷電保護20000次。

同時，針對(duì)軌道(dào)交通應用特點，BIWIN佰維采用耐插拔的SSD連接器，通過(guò)算法優化，可保持高密度工作的情況下兼具平穩與持續高速的讀寫，從而支持更高像素的多個高清攝像頭錄制，并提供高達1TB的容量選擇。

優化Firmware算法
持續安全讀寫，助力網安應用

針對(duì)網安市場的應用環境，客戶的攝像機和錄像存儲設備往往就近部署在道(dào)路附近，由于主幹道(dào)路面(miàn)車流量較大,容易産生灰塵與振動，針對(duì)于此，不僅要求存儲硬盤抗震、防塵、穩定性好(hǎo)，更要有7*24小時的持續工作能(néng)力。

佰維通過(guò)優化FW，均衡“寫入優化”、“垃圾回收”、“磨損均衡”等SSD主要内部工作的效率，并學(xué)習、适應不同流數據的特性，調整這(zhè)些“均衡”。從而達到穩定滿盤寫入性能(néng)和減小碎片搬移（降低寫放大）的目的适用于視頻監控系統。有效降低寫入放大系數，提高了SSD在7*24小時使用壓力下的耐用度，同時保證讀寫效率和數據安全。

多重加固型防護設計
讓數據存儲固若湯金

不同于消費類SSD的設計思路追求性能(néng)，節約成(chéng)本，能(néng)省的物料絕不多用一顆，工業級SSD則把可靠性放到首位，能(néng)用10層闆絕不會減少到8層闆。正是基于這(zhè)樣的思路，BIWIN佰維針對(duì)有強固型需求的工業級應用，從芯片開(kāi)始加固，使用底部填充膠對(duì)芯片底部進(jìn)行完全填充，然後(hòu)加熱後(hòu)固化，底部填充膠不僅可以起(qǐ)到PCB和芯片之間牢固粘連的作用，還(hái)能(néng)把芯片管腳之間的空氣完全排出，防止芯片管腳氧化，同時也可以起(qǐ)到防水的作用.

有了堅固的機身還(hái)不夠，SATA連接器亦采用特殊定制的加固SATA接口，使其不管受到任何方向(xiàng)的沖擊或震動後(hòu)，都(dōu)不會出現接觸不良；最後(hòu)再對(duì)外殼進(jìn)行加固，多管齊下，滿足客戶工業級強固型存儲方案的需求。

完整的産品線布局
迅速爲客戶匹配最适合的工業級存儲方案

邊緣計算以及存儲容量增加是不争的事(shì)實，随着行業變革開(kāi)始向(xiàng)工業物聯網(IIoT)和工業 4.0發(fā)展，這(zhè)一趨勢將(jiāng)會更加明顯，儲存行爲也變得多樣且複雜，衍生出雲存儲和邊緣存儲等，單一的存儲産品線已難以概全、通用于所有設備系統。

BIWIN佰維維持産品線的完整度以滿足客戶不同的需求，同時，針對(duì)不同應用領域的需求我們梳理出相對(duì)應的存儲解決方案方案。從而滿足不同應用領域在斷電保護，加密支持，寫入保護，安全删除以及長(cháng)期供應等需求，無論是高寬帶要求的數據采集還(hái)是高IOPS的在線應用，或者極端高溫或低溫等惡劣環境下的應用，均可爲客戶提供有效的存儲解決方案。

更多訊息請訪問：www.biwin.com.cn
商務合作：sales@biwin.com.cn

三星開(kāi)始量産512GB的eUFS 3.0手機儲存芯片

2019年3月1日由中代科技評論關閉

三星電子（Samsung Electronics）宣布開(kāi)始量産全球首批基于eUFS 3.0的512GB手機儲存芯片，它的連續讀取速度達到每秒2,100MB，是1TB eUFS 2.1的2.1倍，爲STAT固态硬盤（SSD）的4倍，更是尋常microSD卡的20倍。

聯合電子裝置技術協會（JEDEC）在去年1月公布了通用快閃存儲器UFS 3.0标準，每通道(dào)最高的傳輸速率爲每秒11.6Gb，三星繼之于去年發(fā)表了嵌入式UFS（eUFS）解決方案，但直至二月底才宣布量産。

三星的512GB eUFS 3.0嵌入了8個第五代512Gb V-NAND芯片，亦整合了高效能(néng)控制器，提供每秒2100MB的連續讀取速度及每秒410MB的連續寫入速度，更勝今年1月量産的1TB eUFS 2.1模塊，該模塊的連續讀取速度爲每秒1,000MB，連續寫入速度則是每秒260MB。

三星表示，以512GB eUFS 3.0傳送一部Full HD畫質的電影到PC上大概隻需3秒鍾，而它的寫入速度則與SSD相當。

除了在二月開(kāi)始量産512GB及128GB的eUFS 3.0儲存芯片之外，三星亦預計于今年下半年開(kāi)始生産1TB及256GB的eUFS 3.0芯片。

WD 發(fā)布UFS 3.0 iNAND EU511 閃存産品

2019年2月25日由中代科技評論關閉

最近存儲芯片也推出了最新的規格由 UFS 2.0 /2.1 提升到 UFS 3.0，SEQ 讀寫速度堪比 SSD。Western Digital(WD)宣布推出新一代 iNAND 嵌入式閃存 EU511，支持最新的 UFS 3.0，最大容量 512 GB，使用了 96-Layer 3D NAND 閃存，寫入速度達到 750 MB/s，足足比上代快了一倍。宣稱爲未來的 5G 設備提供更好(hǎo)的體驗。

Western Digital 官方沒(méi)有公布具體的芯片類型，但估計不會是 QLC，3D TLC 的機會比較大，因爲今年 1 月底 Toshiba 也同樣推出了 UFS 3.0 閃存，而且是 96-Layer 3D TLC 閃存，按常理兩(liǎng)家推出的産品步伐都(dōu)大緻相約。

Western Digital EU511 閃存支持 UFS 3.0 Gear 4/2 Lane 規範，而 UFS 3.0 單通道(dào)雙向(xiàng)頻寬爲 11.6 Gbps，因此雙通道(dào)的理論最高值就是 23.2 Gbps，約爲 2.9GB/s。

容量方面(miàn)，iNAND EU511 最低提供 64 GB，最高可達 512 GB，而且憑借自家的 Smart SLC Generation 6 技術，提供最高 750MBps 的 Turbo 寫入速度，較現行技術提升 75% 随機讀取與 25% 随機寫入，同時符合 UFS 3.0 Gear 4/2 通道(dào)。而目前 Western Digital iNAND EU511 閃存已經(jīng)開(kāi)始給OEM客戶出樣。

避開(kāi)與大廠正面(miàn)交鋒南亞科、華邦電攻利基型産品

2019年2月22日由中代科技評論關閉

全球第二大存儲器芯片大廠SK海力士昨天宣布2022年起(qǐ)將(jiāng)在未來10年内投資120兆韓圓擴建存儲器規模，震撼全球存儲器産業。據台灣經(jīng)濟日報稱，台系南亞科、華邦電等存儲器芯片廠不投入擴産軍備競賽，而是擴大利基型存儲器布局，避開(kāi)與大廠正面(miàn)交鋒。不過(guò)未來價格動向(xiàng)，仍得密切注意韓國(guó)業者增産進(jìn)度。

SK海力士已打算在龍川在增設存儲器廠，聚焦在 DRAM 和次世代存儲器。近期三大廠包括三星、美光及SK海力士都(dōu)考量DRAM價格急跌，決定縮減今年資本支出，SK海力士再度宣布大手筆擴建案，業界高度關注。

首顆國(guó)産40nm工業級嵌入式存儲主控芯片小批量生産

2019年1月22日由中代科技評論關閉

1月21日，南通廣播電視台主辦的江海明珠網發(fā)布新聞稱，江蘇華存電子科技有限公司（以下簡稱“江蘇華存”）的40納米工業級嵌入式存儲主控芯片已開(kāi)始小批量生産。

兩(liǎng)個月前（2018年11月21日），江蘇華存正式對(duì)外發(fā)布其國(guó)内自研首顆嵌入式40納米工業級存儲主控芯片HC5001及應用存儲解決方案，重點面(miàn)向(xiàng)是在機器人、人工智能(néng)、機頂盒、汽車電子等應用市場。

據介紹，HC5001兼具高兼容性和高穩定度，支持第5.1版内嵌式存儲器标準等，40納米工藝制程亦滿足了高效能(néng)低功耗的嵌入式存儲eMMC裝置硬盤，在糾錯率、連續讀取速度、待機電流等核心指标均達到國(guó)際水平，可使國(guó)内該類主控芯片成(chéng)本下降20%，操作功耗下降15%。

江海明珠網消息顯示，目前江蘇華存的研發(fā)及測試生産線已搭建完成(chéng)，其HC5001芯片已于陸續開(kāi)始下線，目前産品已開(kāi)始小批量生産，并打入十多家廠商。

從2014年嵌入式存儲eMMC裝置硬盤的第5.1版規格公布以來，eMMC裝置硬盤在2017年已經(jīng)占據消費型移動存儲市場超過(guò)90%的規模，基本被美日韓廠商所壟斷，國(guó)内eMMC高階存儲主控芯片仍處于一片空白，江蘇華存成(chéng)功完成(chéng)了國(guó)産率爲零的突破。

資料顯示，江蘇華存正式注冊成(chéng)立于2017年9月，是一家專注于存儲芯片設計和存儲解決方案研發(fā)生産的公司，并緻力于高階存儲産品主控芯片的設計與制造。該公司獲得政府性基金投資扶持，南通招商江海基金、南通科創投基金分别投入6000萬元、2000萬元。

江海明珠網報道(dào)稱，江蘇華存圍繞存儲器主控設計申請了184項專利，有10項已獲得授權，其中美國(guó)專利8項，目前正在投入研發(fā)大數據與計算機級存儲器12納米固态硬盤（SSD）主控芯片，其董事(shì)長(cháng)、總經(jīng)理李庭育表示這(zhè)款芯片將(jiāng)于2020年初面(miàn)世。

近期，工信部發(fā)布2018年工業強基工程重點産品、工藝“一條龍”應用計劃示範企業和示範項目（第一批）公示名單，江蘇華存的存儲主控芯片設計被列爲快閃存儲器（3D NAND Flash）産業鏈制造環節示範企業。

迎接人工智能(néng)與大數據帶來商機，應材：材料工程突破爲關鍵

2019年1月21日由中代科技評論關閉

在人工智能(néng) (AI) 已經(jīng)成(chéng)爲産業不可逆的趨勢下，就連台積電前董事(shì)長(cháng)張忠謀都(dōu)表示，未來 AI 的發(fā)展將(jiāng)成(chéng)爲帶動台積電營運發(fā)展的重要關鍵。因此，市場上大家都(dōu)在期待，藉由 AI 發(fā)展所帶來的新應用與商機。隻是，在 AI 需要大量運算效能(néng)與能(néng)源，而整個半導體結構發(fā)展也面(miàn)臨極限發(fā)展的情況之下，材料工程技術的突破就成(chéng)爲未來 AI 普及化前的其中關鍵。

材料工程解決方案大廠應用材料 (Applied Materials) 指出，根據《經(jīng)濟學(xué)人》表示，當前數據之于這(zhè)個世紀的重要性，猶如石油之于上個世紀，是成(chéng)長(cháng)與變革的動力，而透過(guò)科技也爲許多産業帶來改變。因此，藉由人工智能(néng)與大數據的結合，給市場帶來無限的機會，卻也帶來空前的挑戰。所以，而是否能(néng)掌握 AI 與大數據帶來的龐大商機，關鍵在于新技術和新策略上。

應用材料台灣區總裁餘定陸日前在于媒體的聚會中表示，AI 與大數據的結合帶動了 4 個主要的趨勢與挑戰，這(zhè)也是企業是否能(néng)在 AI 與大數據時代掌握緻勝先機的關鍵。其中，包括了物聯網普及和工業 4.0 産生超大量的數據資料、現有的空間不足以應付快速增加數據量的處理及儲存、靠着新的運算模式及架構，以及邊緣運算、雲端技術和低功耗的每瓦效能(néng)，才能(néng)將(jiāng)數據成(chéng)功轉換成(chéng)價值、以及 AI 與物聯網快速彙流，連接性是最大關鍵，也是決定運作是否流暢的重要因素等。

而因爲有了 4 個趨勢與挑戰，使得在 AI 與大數據時代中啓動了「硬件複興」的各種(zhǒng)資源投入，不但使得論是傳統科技領導大廠、新創公司或軟件公司，都(dōu)投入大量的資源、押寶不同的技術領域、聚焦應用的客制化及最佳化，專注于硬件的設計以及投資發(fā)展。另外，在在計算機運算處理器部分，人工智能(néng)需要大量、快速的存儲器存取及平行運算，才能(néng)提升巨量資料處理能(néng)力，這(zhè)時繪圖處理器（GPU）及張量處理器（TPU）會比傳統運算架構更适合處理人工智能(néng)的應用。而且，爲了使人工智能(néng)潛力完全開(kāi)發(fā)，其效能(néng) / 功耗比即運算效能(néng)需達到目前的1,000 倍，已成(chéng)爲現階段技術層面(miàn)亟需突破的關鍵。

再加上 AI 與大數據需要邊緣及雲端創新，大量的資料儲存＋高效能(néng)運算因運而生。而且在是當傳統摩爾定律下的 2D 微縮越來越慢的情況下，材料工程的創新就成(chéng)爲解決問題的其中一項關鍵。餘定陸進(jìn)一步表示，材料工程的創新未來將(jiāng)建構在 PPAC（效能(néng)、功耗與單位面(miàn)積）的 5 個面(miàn)向(xiàng)革新上，包括新架構、新結構 / 3D、新材料、微縮的新方法以及先進(jìn)封裝等。

餘定陸舉例表示，原有 2D NAND 的技術應用在實體和成(chéng)本上已達到極限，爲了能(néng)讓每儲存單元（cell）的容量再往上增加， 3D NAND 技術采用層層堆棧的方式，來減少 2D NAND 儲存單元距離過(guò)近時，可能(néng)産生的幹擾問題。此外，3D NAND 有倍增的容量與可靠度，更是過(guò)去的 2D NAND 無法比拟的。

此外，先進(jìn)封裝可以優化系統級的效能(néng)。過(guò)去 DRAM 封裝是采用印刷電路闆（PCB）的方式，目前則采用矽通孔封裝技術（TSV），可將(jiāng)邏輯和存儲器的同質和異構集成(chéng)緊密地結合在一起(qǐ)，垂直堆棧的 3D 儲存器芯片顯著減小了 PCB 級的電路闆尺寸和布線複雜性，大大降低成(chéng)本、節省一半的電力及延長(cháng)芯片使用壽命。另一種(zhǒng)系統級封裝，運用小芯片（chiplet）多元模塊整合，可提供時間、成(chéng)本與良率的效益。

餘定陸還(hái)表示，傳統計算機架構的馮諾伊曼（Von Neumann）思維有一個主要問題，當處理大量資料運算，單一中央處理器與存儲器間的資料運算規則和傳輸速度，限制了整體效率與計算時間，無法滿足實際實時應用情境。但利用神經(jīng)形态（Neuromorphic）思維，進(jìn)行網絡分散架構及平行運算與學(xué)習，可加速人工智能(néng)計算，達到傳統計算機架構無法達成(chéng)的連接性。

在 AI 與大數據的結合將(jiāng)帶來無限機會的時代中，因應複雜性、應用性和在時間方面(miàn)都(dōu)面(miàn)臨很大的困難，而且互連性和材料創新速度上面(miàn)臨的挑戰，也需要新的策略來克服的情況下，需要藉由材料工程創新、硬件的複興以及産業生态間深度連結來解決。

500億元項目落戶！湖南益陽將(jiāng)添20條存儲芯片測封裝生産線、一座晶圓廠

2019年1月16日由中代科技評論關閉

日前，湖南省益陽市赫山區迎來“開(kāi)門紅”，成(chéng)功簽約總投資超500億元的五夷·萬微科技生态芯城項目，這(zhè)是益陽市赫山區今年引進(jìn)的第一個項目，也是其近年來投資金額最大的一個項目。

據了解，五夷·萬微科技生态芯城項目由湖南五夷實業投資有限公司和湖南南粵基金管理有限公司投資，項目總規劃用地約4215畝，將(jiāng)打造成(chéng)爲半導體和芯片研發(fā)的集散地，具有科技特色的産業園，集半導體研發(fā)、生産、銷售于一體的産業核心區，以及産業互聯、場景互聯、智慧互聯、生态互聯、交通互聯的5S智慧城市。

該項目的建設内容包括産業、公共建設配套、城鎮化三部分，其中該産業部分將(jiāng)分兩(liǎng)個階段完成(chéng)，其中第一階段爲核心産業建設，總投資500.5億元、總占地約800畝，拟建成(chéng)工業生産區、産品研發(fā)區、行政辦公區、居住休閑區、倉儲保稅區等五大功能(néng)區，建設期限爲7年，建成(chéng)投産後(hòu)最低年産值可達433.4億元；第二階段爲上下遊産業入駐及軍民融合産業園等建設。

第一階段核心産業建設也將(jiāng)分兩(liǎng)期實施：一期計劃投資276億元，規劃用地400畝，主要建設約20萬平方米廠房、20條存儲芯片測封裝生産線以及5萬平方米配套設施，建設時間3.5年；二期計劃投資224.5億元，規劃用地400畝，主要建設約30萬平方米廠房（一座晶圓工廠），建設時間爲3.5年。

益陽市委副書記黎石秋表示，該項目作爲先進(jìn)制造産業，是支撐益陽市未來經(jīng)濟高質量發(fā)展的核心驅動力，必將(jiāng)對(duì)赫山乃至益陽優化産業結構、培育新的經(jīng)濟增長(cháng)點提供強勁支撐、注入強勁動能(néng)。