1月7日，紫光集團官方微信公衆号發(fā)文，宣布旗下紫光宏茂微電子（上海）有限公司宣布成(chéng)功實現大容量企業級3D NAND芯片封測的規模量産。
資料顯示，紫光宏茂的前身宏茂微電子（上海）有限公司原爲台灣南茂科技的全資子公司，2017年6月紫光集團通過(guò)旗下全資子公司西藏紫光國(guó)微出資收購其48%股權，成(chéng)爲其最大股東并實際主導經(jīng)營。
2018年7月4日，宏茂微電子正式完成(chéng)工商登記變更，公司名稱由“宏茂微電子（上海）有限公司”變更爲“紫光宏茂微電子（上海）有限公司”。經(jīng)過(guò)一系列戰略調整和轉型，紫光宏茂重點發(fā)展存儲器的封裝與測試。
根據紫光集團存儲芯片戰略規劃，紫光宏茂自2018年4月起(qǐ)開(kāi)始建設全新3D NAND封裝測試産線，組建團隊、研發(fā)先進(jìn)封測技術；2018年5月完成(chéng)無塵室建置；2018年6月開(kāi)始投片實驗；2018年9月完成(chéng)産品初期驗證；2018年11月産品通過(guò)客戶内部驗證；2019年1月順利實現量産，正式交付紫光存儲用于企業級SSD的3D NAND芯片顆粒。
至此，紫光宏茂成(chéng)爲全系列存儲器封測的一站式服務提供商，産品包括3D NAND（Raw NAND，eMMC，UFS，eMCP，TF card）、2D NAND、NOR、DRAM、SRAM等存儲器産品的封裝和測試。紫光集團表示，紫光宏茂企業級3D NAND芯片封測成(chéng)功量産，标志着内資封測産業在3D NAND先進(jìn)封裝測試技術實現從無到有的重大突破，也爲紫光集團完整存儲器産業鏈布局落下關鍵一步棋。
目前，紫光集團在存儲器領域擁有長(cháng)江存儲、西安紫光國(guó)芯、紫光存儲等系列子公司，涵蓋NAND Flash、DRAM等存儲産品的研發(fā)、制造、封測及模組等産業鏈布局。
2018年8月6日，長(cháng)江存儲公開(kāi)發(fā)布其突破性技術XtackingTM，該技術將(jiāng)爲3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能(néng)，更高的存儲密度以及更短的産品上市周期，據悉長(cháng)江存儲已成(chéng)功將(jiāng)Xtacking技術應用于其第二代3D NAND産品的開(kāi)發(fā)。
根據規劃，長(cháng)江存儲將(jiāng)于2019年大規模量産64層堆棧的3D NAND閃存，傳聞2020年將(jiāng)跳過(guò)96層堆棧的3D閃存，直接量産128層堆棧的3D閃存。業界認爲，紫光宏茂企業級3D NAND芯片封測的成(chéng)功量産爲長(cháng)江存儲芯片規模上市做好(hǎo)最後(hòu)的準備。