2月20日,JEDEC(固态存儲協會)正式發(fā)布了JESD209-5,即Low Power Double Data Rate 5 (LPDDR5)全新低功耗内存标準。
相較于2014年發(fā)布的第一代LPDDR4标準,LPDDR5的I/O速度從3200 MT/s 提升到6400 MT/s(DRAM速度6400Mbps),直接翻番。
如果匹配高端智能(néng)機常見的64bit bus,每秒可以傳送51.2GB數據;要是PC的128bit BUS,每秒破100GB無壓力。
固态協會認爲,LPDDR5有望對(duì)下一代便攜電子設備(手機、平闆)的性能(néng)産生巨大提升,爲了實現這(zhè)一改進(jìn),标準對(duì)LPDDR5體系結構進(jìn)行了重新設計,轉向(xiàng)最高16 Bank可編程和多時鍾體系結構。
同時,還(hái)引入了數據複制(Data-Copy)和寫X(Write-X)兩(liǎng)個減少數據傳輸操作的命令來降低整體系統功耗,前者可以將(jiāng)單個陣腳的數據直接複制到其它針腳,後(hòu)者則減少了SoC和RAM傳遞數據時的耗電。
另外,LPDDR5還(hái)引入了鏈路ECC糾錯,信号電壓250mV,Vddq/Vdd2電壓還(hái)是1.1V。
事(shì)實上,去年7月,三星就宣布成(chéng)功開(kāi)發(fā)出業内首款LPDDR5-6400内存芯片,基于10nm級工藝,單顆容量8Gb(1GB),去年10月的在港舉辦的高通4G/5G峰會上,三星人士透露,LPDDR5内存計劃2020年商用。